RU2585613C2 - Способ коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотоэлектрических преобразователей - Google Patents
Способ коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотоэлектрических преобразователей Download PDFInfo
- Publication number
- RU2585613C2 RU2585613C2 RU2014139860/28A RU2014139860A RU2585613C2 RU 2585613 C2 RU2585613 C2 RU 2585613C2 RU 2014139860/28 A RU2014139860/28 A RU 2014139860/28A RU 2014139860 A RU2014139860 A RU 2014139860A RU 2585613 C2 RU2585613 C2 RU 2585613C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- illumination
- temperature
- dependence
- correction
- temperature dependence
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 title abstract description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 64
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 229940059720 apra Drugs 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D3/00—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups
- G01D3/028—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure
- G01D3/036—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure on measuring arrangements themselves
- G01D3/0365—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure on measuring arrangements themselves the undesired influence being measured using a separate sensor, which produces an influence related signal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/72—Investigating presence of flaws
-
- G—PHYSICS
- G12—INSTRUMENT DETAILS
- G12B—CONSTRUCTIONAL DETAILS OF INSTRUMENTS, OR COMPARABLE DETAILS OF OTHER APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G12B7/00—Compensating for the effects of temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотопреобразователей (ФЭП) и может быть использовано при тепловакуумных испытаниях (ТВИ) космического аппарата (КА) или его составных частей с использованием имитатора солнечного излучения. В предложенном способе коррекции собственной температурной зависимости кремниевых ФЭП нелинейная температурная зависимость конкретного ФЭП определяется непосредственно перед тепловакуумными испытаниями путем измерения показаний температуры и освещенности ФЭП на разных уровнях освещенности, построением и аппроксимацией графиков полученных данных, анализом угловых коэффициентов зависимостей с последующим построением и решением трансцендентного уравнения. Получены следующие результаты: коррекция собственной температурной зависимости кремниевых ФЭП осуществляется аналитическим способом, исключая при этом ввод в вакуумную камеру дополнительных термостабилизирующих устройств. При этом в процессе ТВИ корректируются отклонения в показаниях ФЭП от реально установленной освещенности в пределах ±12%. Технический результат - упрощение способа коррекции собственной температурной зависимости кремниевых ФЭП. 3 ил.
Description
Изобретение относится к способам коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотопреобразователей (ФЭП) и может быть использовано при тепловакуумных испытаниях (ТВИ) космического аппарата (КА) или его составных частей с использованием имитатора солнечного излучения.
Использование ФЭП в условиях, имитирующих воздействие факторов космического пространства, имеет ряд особенностей:
1) эксплуатация в диапазоне температур от -180°C до +180°C;
2) нелинейная зависимость температурных коэффициентов ФЭП от уровня освещенности;
3) «Государственный реестр средств измерений» не содержит ФЭП, которые способны применяться в условиях имитации космического пространства, возможна только оценка их показаний относительно других, но работающих только в нормальных условиях, поверенных средств измерений из состава «Госреестра», применяемых в качестве эталона.
Помимо этого, характеристики конкретных ФЭП одной партии несколько различаются, т.к. изготовление имеет определенные технологические трудности.
Теоретический анализ работы ФЭП при различных температурах в основном подтверждается экспериментальными результатами, однако количественная оценка их температурных зависимостей представляет собой значительные трудности по вышеназванным причинам.
Известен способ термоэлектрической стабилизации ФЭП (А.В. Гудкова, С.В. Губин, В.И. Белоконь. Термостабилизация фотоэлектрических преобразователей для измерения ΒΑΧ с импульсным источником света. Харьков. «ХАИ». Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии. 2012. №57. стр. 187-196), основанный на эффекте Пельтье, который заключается в том, что при пропускании постоянного тока через два проводника из разных материалов, спаянных на концах, один из спаев нагревается, а другой охлаждается. Благодаря данному механизму нагрева или охлаждения в зависимости от направления тока возможно, плавно меняя величину тока, также плавно менять величину температуры на спаях. В указанном способе используется термоэлектрический преобразователь (ТЭлП) типа С2-3 как термостабилизирующее устройство. Для поддержания температуры ФЭП на заданном уровне и с необходимым допуском используют термоэлектрическую батарею. Поддержание температуры обеспечивают изменением тока питания батареи от источника ТЕС-41. Температуру термостабилизатора и, соответственно, ФЭП определяют по платиновому термометру сопротивления типа ИС-1 по методу стабильного тока, который проходит через датчик температуры. В качестве источника излучения применяют импульсную ксеноновую лампу ХОР-15.
Недостатком данного способа является ввод термостабилизирующих устройств и источников питания к ним, что при использовании в условиях ТВИ влечет за собой решение вопросов чистоты вакуума и усложнение конструкций на базе ФЭП.
Ввиду отсутствия общих признаков известные способы термостабилизации ФЭП не могут быть приняты в качестве прототипа.
Задачи изобретения заключаются в упрощении способа коррекции собственной температурной зависимости кремниевых ФЭП.
Задачи решены за счет того, что до проведения ТВИ ФЭП устанавливают внутри вакуумной камеры (ВК) с криогенными экранами напротив иллюминатора, на тыльной стороне ФЭП устанавливают температурный датчик (ТД), эталонный датчик освещенности устанавливают снаружи ВК на том же расстоянии от поворачиваемого имитатора солнечного излучения (ИСИ), что и ФЭП; в ВК подачей азота через криогенные экраны устанавливают минимальную температуру, включением ИСИ на минимальной мощности устанавливают минимальную, контролируемую по эталонному датчику освещенность; по мере роста показаний ФЭП в базе данных (БД) запоминают значения температуры и освещенности, снимаемые с ФЭП, для установленного уровня освещенности и при достижении постоянного по освещенности значения замеры останавливают и ИСИ выключают; далее снова в ВК подачей азота через криогенные экраны устанавливают минимальную температуру, включают ИСИ на следующем уровне освещенности и также по мере роста показаний ФЭП в базе данных (БД) запоминают значения температуры и освещенности ФЭП до достижения постоянного значения; далее эти действия повторяют для остальных уровней освещенности с интервалом 100 Вт/м2; на основании полученной БД для каждого уровня освещенности строят зависимости показаний освещенности ФЭП от собственной температуры, проводят линейную аппроксимацию полученных зависимостей, аппроксимируют зависимость угловых коэффициентов полученных прямых от установленных уровней освещенности и получают зависимость типа
а=m·lnP′+n,
где
а - угловой коэффициент полученной при аппроксимации прямой,
Ρ′ - установленная по эталонному датчику освещенность,
m и n - коэффициенты, полученные при аппроксимации зависимости угловых коэффициентов полученных прямых от установленных уровней освещенности;
формируют и решают трансцендентное уравнение типа:
где
Ρi - значение освещенности, рассчитанное по снятому с ФЭП напряжению, Вт/м2;
ti - температура ФЭП, °C;
t′ - значение ti, соответствующее Pi, когда Pi соответствует установленной освещенности, определенное ранее в ходе эксперимента, °C;
m и n - множители, определенные в ходе эксперимента.
Суть предложенного способа показана на фиг. 1, 2, и 3. На фиг. 1 представлена установка для первого экспериментального этапа, который заключается в измерении показаний температуры и освещенности ФЭП с применением вакуумной камеры с криогенными экранами и имитатора солнечного излучения (ИСИ) для создания условий, соответствующих условиям эксплуатации ФЭП в ходе ТВИ. На фиг. 2 представлены экспериментально полученные зависимости показаний ФЭП от собственной температуры.
На фиг. 3 представлена зависимость коэффициентов линейного увеличения зависимостей показаний ФЭП, показанных на фиг. 2, от установленной освещенности.
Для реализации данного способа применяют вакуумную камеру 1 с криогенными экранами и иллюминатором 12, размер которого сопоставим с габаритами исследуемого ФЭП, для ввода излучения, имитатор солнечного излучения 2 с поворотной системой излучения, эталонный датчик освещенности 6, измерительные приборы 8, 9, 10 для снятия значений освещенности и собственной температуры ФЭП и соответственно температурный датчик. Эталонный датчик освещенности применяется для обеспечения и контроля требуемого по освещенности режима. Использование эталона для измерения освещенности в процессе ТВИ невозможно по причине ограничений его условий эксплуатации (датчик должен функционировать в диапазоне температур от -180°C до +180°C и низкого давления, соответствующего давлению в космическом пространстве).
Проверяемый ФЭП 7 устанавливают внутри вакуумной камеры напротив иллюминатора. Снаружи вакуумной камеры устанавливают эталонный датчик таким образом, чтобы при повороте ИСИ на проверяемый ФЭП и на эталонный датчик попадал одинаковый по интенсивности и по распределению энергии световой поток (в дальнейшем, при расчетах, необходимо ввести поправку для учета потерь интенсивности излучения на иллюминаторе). Температурный датчик устанавливают с тыльной стороны подложки ФЭП. Сигналы освещенности с ФЭП, эталонного датчика и температуры выводят на измерительные приборы снаружи вакуумной камеры. Температурный диапазон для коррекции данным способом соответствует температурному диапазону ФЭП в ходе ТВИ.
Способ коррекции температурной зависимости условно разбит на два этапа (экспериментальный и аналитический).
Этап 1 (экспериментальный).
В ВК устанавливают давление, соответствующее условиям эксплуатации ФЭП в процессе ТВИ. С помощью подачи азота на криогенные экраны в ВК устанавливают минимальную температуру проверяемого температурного диапазона. Включают имитатор солнечного излучения. Излучение направляют на эталонный датчик. Регулированием тока лампы имитатора солнечного излучения устанавливают минимально допустимую мощность лампы и, соответственно, минимальную освещенность. Контроль уровня освещенности при этом и в дальнейшем осуществляют по эталонному датчику (значения запоминают). Затем излучение направляют на проверяемый ФЭП таким образом, чтобы на ФЭП был направлен аналогичный по интенсивности и распределению с эталонным датчиком световой поток. По мере роста температуры фиксируют показания освещенности (измеряется напряжение в милливольтах) и температуры ФЭП. При достижении постоянного по освещенности значения (стабилизации показаний ФЭП) замеры останавливают и имитатор солнечного излучения выключают. На втором и последующем шагах данные действия повторяют для следующих уровней освещенности (рекомендуемый интервал между уровнями 100 Вт/м2). На базе измеренных значений для каждого уровня освещенности формируют таблицу типа:
Здесь:
Uфэп - напряжение, снимаемое с ФЭП, умноженное на коэффициент пропускания иллюминатора, мВ;
Рфэп - значение освещенности, рассчитанное по формуле 
, где k - известный переводной коэффициент ФЭП, Вт/м2;
Тфэп - температура ФЭП, °C;
N - количество значений по температуре.
Первый индекс в квадратных скобках означает уровень освещенности, второй индекс - значение температуры датчика.
Количество таблиц типа «Таблица 1» соответствует количеству установленных уровней освещенности.
Этап 2 (аналитический).
На базе сформированных таблиц строят зависимости показаний освещенности ФЭП от собственной температуры. Для каждого уровня освещенности строят отдельную зависимость. Пример таких зависимостей представлен на фиг. 2.
Далее проводят линейную аппроксимацию данных зависимостей (например, методом наименьших квадратов) и получают прямые типа Pi(t)=a i·ti+b1i для каждого уровня освещенности Ei. Для каждого уровня освещенности также определяют величины 
и 
, которые соответствуют установленной освещенности Ei. При этом верно: 
, где k - известный переводной коэффициент проверяемого ФЭП, a 
- значение ti, соответствующее Pi, когда 
. Тогда аппроксимированные зависимости отклонений показаний освещенности от температуры примут характер:
где
При 
отклонение равно 0, тогда верно:
здесь b2i и a i - коэффициенты, полученные при аппроксимации зависимостей отклонений показаний отклонений освещенности от температуры.
Далее проводят анализ коэффициентов линейного увеличения a i полученных прямых.
Если построить зависимость а(Е) - зависимость коэффициента линейного увеличения a i от установленной освещенности Ei и аппроксимировать ее, она примет вид, представленный на фиг. 3.
Логично, если рассмотреть уравнение для вольтамперной характеристики ФЭП, что зависимость, представленная на фиг. 3, имеет логарифмический характер, и если ее представить как
тогда, подставив (1), (3) и (4) в (2), имеем для расчета освещенности в точке при проведении ТВИ в условиях, когда нет возможности использования эталонного датчика освещенности, трансцендентное уравнение:
В данном случае искомая переменная - реальная освещенность 
.
Здесь Pi - значение освещенности, рассчитанное по показаниям ФЭП (напряжению);
ti - температура ФЭП в момент измерения освещенности;
t'- значение ti, соответствующее Pi, когда Pi=Ei, определенное ранее в ходе эксперимента;
m и n - коэффициенты, полученные на аналитическом этапе.
a и в - коэффициенты, также полученные на аналитическом этапе.
Поскольку тип уравнения не позволяет решить его явно, рекомендовано применить программно реализованный приближенный графический метод. Суть метода - разбиение уравнения на две функции:
пересечение которых дает решение.
Устройство, взятое для примера реализации данного способа, содержит: вакуумную камеру В18-М с криогенными экранами и иллюминатором диаметром 140 мм, имитатор солнечного излучения ИС-160 с поворотной системой излучения, ФЭП «ДОК-1С», эталонный датчик освещенности - пиранометр «Пеленг СФ-06» с системой измерения, мультиметр АРРА 61 для снятия значений освещенности с ФЭП и установленный с тыльной стороны ФЭП термометр сопротивления ТП 18-05, с которого поступает сигнал на измерительный прибор «Термодат ТД 19Е3». Схема измерений собрана в соответствии с фиг. 1.
При измерениях по вышеприведенному способу получены и аппроксимированы графики температурных зависимостей, изображенные на фиг. 2.
Угловые коэффициенты, полученные при аппроксимации зависимостей температуры от освещенностей, представлены на фиг. 3. Далее по представленному способу получено трансцендентное уравнение:
Для его решения приближенным графическим способом оно разбито на две функции:
Соответственно, для внедрения в программу ТВИ разработан алгоритм, программно реализующий поиск пересечения этих функций на языке Pascal:
Использование вышеприведенного способа позволяет установить характер изменения температурной зависимости ФЭП при изменении уровня освещенности перед ТВИ КА, что особенно актуально для ТВИ космических аппаратов негерметичного исполнения, программа которых предусматривает переменную во времени освещенность. При этом не требуется термостабилизация ФЭП в ходе ТВИ и, соответственно, связанное с этим решение вопросов ввода дополнительных устройств и чистоты вакуума. Коррекция порядка 12% температурных отклонений ФЭП позволяет повысить достоверность измерений уровня освещенности для подтверждения установленного режима ТВИ.
Предложенный способ аналитической коррекции температурной зависимости ФЭП в настоящее время проходит апробацию на испытательном стенде ОАО «Информационные спутниковые системы» им. академика М.Ф. Решетнева с целью последующего внедрения в методику проведения ТВИ.
Claims (1)
- Способ коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) в ходе тепловакуумных испытаний (ТВИ), заключающийся в том, что до проведения ТВИ ФЭП устанавливают внутри вакуумной камеры (ВК) с криогенными экранами напротив иллюминатора, на тыльной стороне ФЭП устанавливают температурный датчик (ТД), эталонный датчик освещенности устанавливают снаружи ВК на том же расстоянии от поворачиваемого имитатора солнечного излучения (ИСИ), что и ФЭП; в ВК подачей азота через криогенные экраны устанавливают минимальную температуру, включением ИСИ на минимальной мощности устанавливают минимальную, контролируемую по эталонному датчику освещенность; по мере роста показаний ФЭП в базе данных (БД) запоминают значения температуры и освещенности, снимаемые с ФЭП, для установленного уровня освещенности и при достижении постоянного по освещенности значения замеры останавливают и ИСИ выключают; далее снова в ВК подачей азота через криогенные экраны устанавливают минимальную температуру, включают ИСИ на следующем уровне освещенности и также по мере роста показаний ФЭП в базе данных (БД) запоминают значения температуры и освещенности ФЭП до достижения постоянного значения; далее эти действия повторяют для остальных уровней освещенности с интервалом 100 Вт/м2; на основании полученной БД для каждого уровня освещенности строят зависимости показаний освещенности ФЭП от собственной температуры, проводят линейную аппроксимацию полученных зависимостей, аппроксимируют зависимость угловых коэффициентов полученных прямых от установленных уровней освещенности и получают зависимость типа
а=m·lnP′+n,
где
а - угловой коэффициент полученной при аппроксимации прямой,
Р′ - установленная по эталонному датчику освещенность,
m и n - коэффициенты, полученные при аппроксимации зависимости угловых коэффициентов полученных прямых от установленных уровней освещенности;
на базе данной зависимости получают трансцендентное уравнение
Р′i=Pi+m·lnP′i·(ti-t′)+n·(ti-t′),
где
P′i - искомая переменная - реальная освещенность,
Pi - значение освещенности, рассчитанное по показаниям ФЭП (напряжению);
ti - температура ФЭП в момент измерения освещенности,
t′- значение ti, соответствующее Pi, когда Pi равно установленной по эталону освещенности, определенное в ходе измерений,
m и n - коэффициенты, полученные при аппроксимации зависимости угловых коэффициентов полученных прямых от установленных уровней освещенности;
в дальнейшем при подстановке в это уравнение показаний ФЭП Pi и его собственной температуры ti в ходе ТВИ и решении его приближенным графическим методом относительно P′i получают значение освещенности, откорректированное в соответствии с собственной температурой ФЭП.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014139860/28A RU2585613C2 (ru) | 2014-10-01 | 2014-10-01 | Способ коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотоэлектрических преобразователей |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014139860/28A RU2585613C2 (ru) | 2014-10-01 | 2014-10-01 | Способ коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотоэлектрических преобразователей |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014139860A RU2014139860A (ru) | 2016-04-20 |
| RU2585613C2 true RU2585613C2 (ru) | 2016-05-27 |
Family
ID=55789269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014139860/28A RU2585613C2 (ru) | 2014-10-01 | 2014-10-01 | Способ коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотоэлектрических преобразователей |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2585613C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108062123A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-05-22 | 北京卫星环境工程研究所 | 用于航天器热试验的总线式分布控温系统 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1469360A1 (ru) * | 1987-04-10 | 1989-03-30 | Предприятие П/Я Р-6681 | Фотоэлектрический преобразователь |
| RU2330243C2 (ru) * | 2006-06-19 | 2008-07-27 | Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ГОУ ВПО "ТГТУ" | Способ температурной компенсации дифференциальных датчиков с линейными характеристиками |
| RU2354960C2 (ru) * | 2007-07-02 | 2009-05-10 | Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" | Устройство измерения интенсивности лучистых потоков при тепловакуумных испытаниях космических аппаратов и способ его эксплуатации |
| US7573023B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-11 | Carl Zeiss Microimaging Gmbh | Arrangement and method for compensation of the temperature dependency of detectors in spectrometers |
| RU2518589C2 (ru) * | 2009-03-06 | 2014-06-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Усовершенствованная температурная компенсация и схема управления для однофотонных счетчиков |
-
2014
- 2014-10-01 RU RU2014139860/28A patent/RU2585613C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1469360A1 (ru) * | 1987-04-10 | 1989-03-30 | Предприятие П/Я Р-6681 | Фотоэлектрический преобразователь |
| US7573023B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-11 | Carl Zeiss Microimaging Gmbh | Arrangement and method for compensation of the temperature dependency of detectors in spectrometers |
| RU2330243C2 (ru) * | 2006-06-19 | 2008-07-27 | Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ГОУ ВПО "ТГТУ" | Способ температурной компенсации дифференциальных датчиков с линейными характеристиками |
| RU2354960C2 (ru) * | 2007-07-02 | 2009-05-10 | Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" | Устройство измерения интенсивности лучистых потоков при тепловакуумных испытаниях космических аппаратов и способ его эксплуатации |
| RU2518589C2 (ru) * | 2009-03-06 | 2014-06-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Усовершенствованная температурная компенсация и схема управления для однофотонных счетчиков |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108062123A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-05-22 | 北京卫星环境工程研究所 | 用于航天器热试验的总线式分布控温系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2014139860A (ru) | 2016-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Esen et al. | Light sources of solar simulators for photovoltaic devices: A review | |
| EP2605291B1 (en) | Light source evaluation device and solar cell evaluation device | |
| JP5660127B2 (ja) | ソーラシミュレータの光量評価装置、および、ソーラシミュレータの光量評価方法 | |
| Hülsen et al. | Traceability of solar UV measurements using the Qasume reference spectroradiometer | |
| CN104641551A (zh) | 光伏元件评估方法、测量系统结构和使用测量系统结构的过程 | |
| CN102519513A (zh) | 一种使用三定标源的星载被动微波遥感仪器地面真空定标试验方法 | |
| Trentadue et al. | Determination of internal series resistance of PV devices: repeatability and uncertainty | |
| CN114216559A (zh) | 一种星上定标机构的部分孔径因子测量方法和装置 | |
| RU2585613C2 (ru) | Способ коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотоэлектрических преобразователей | |
| Dirnberger | Photovoltaic module measurement and characterization in the laboratory | |
| Balenzategui et al. | Characterization of absolute cavity radiometers for traceability to SI of solar irradiance | |
| Hamadani et al. | Versatile light-emitting-diode-based spectral response measurement system for photovoltaic device characterization | |
| Bouřa | Characterization of a small amorphous photovoltaic panel and derivation of its SPICE model | |
| Siahaan et al. | Analysis the effect of reflector (flat mirror, convex mirror, and concave mirror) on solar panel | |
| Ahn et al. | Establishment of a primary reference solar cell calibration technique in Korea: methods, results and comparison with WPVS qualified laboratories | |
| Sara et al. | Determining spectral response of a photovoltaic device using polychromatic filters | |
| Roy et al. | Reference module selection criteria for accurate testing of photovoltaic (PV) panels | |
| Monokroussos et al. | Impact of calibration methodology into the power rating of c-Si PV modules under industrial conditions | |
| Golive et al. | Investigation of accuracy of various STC correction procedures for IV characteristics of PV modules measured at different temperature and irradiances | |
| Peterson et al. | Developing a spectroradiometer data uncertainty methodology | |
| Kröger et al. | Results of the round robin calibration of reference solar cells within the PhotoClass project | |
| Rácz et al. | Investigation of the Maximum Power Point Position on a DSSC Solar Cell Using Different Irradiations | |
| Nikoletatos et al. | Standards, Calibration, and Testing of PV Modules and Solar Cells | |
| Apolloni et al. | Power Measurement of MICROMORPH Tandem Modules—An Overview | |
| Campanelli et al. | Device-dependent light-level correction errors in photovoltaic IV performance measurements |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20171002 |
|
| TK4A | Correction to the publication in the bulletin (patent) |
Free format text: CORRECTION TO CHAPTER -MM4A- IN JOURNAL 19-2018 |