JP6958054B2 - 光検出器 - Google Patents
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μ=12.991exp(0.0048244T)-52.588exp(-0.0002262T) [1/cm]
Claims (6)
- 同一の基板上に、複数のシングル・フォトン・アバランシェ型の受光素子が並設された受光部と、
前記受光部を加熱又は冷却することで前記受光部の光に対する感度を制御する温度制御手段と、
前記温度制御手段における温度調整量に応じて前記受光部から出力されたパルスを処理するための回路のパラメータを調整するパラメータ調整手段と、
を備えることを特徴とする光検出器。 - 請求項1に記載の光検出器であって、
前記回路は、前記受光部から出力された前記パルスの数の合計が閾値を超えたか否かを判定する閾値回路であり、
前記パラメータ調整手段は、前記パラメータとして前記閾値を前記温度制御手段における前記温度調整量に応じて調整することを特徴とする光検出器。 - 請求項1又は2に記載の光検出器であって、
前記温度制御手段は、ヒータを含み、当該ヒータによって前記受光部を予め周辺温度より高い温度に加熱しておくことを特徴とする光検出器。 - 請求項1又は2に記載の光検出器であって、
前記温度制御手段は、前記受光素子へ供給される電圧又は電流を制御することにより前記受光部を加熱又は冷却することを特徴とする光検出器。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の光検出器であって、
前記パラメータ調整手段は、さらに、前記温度制御手段における前記受光部に印加されるバイアス電圧を変化させることを特徴とする光検出器。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の光検出器であって、
モニタ用受光素子を備え、前記パラメータ調整手段は、当該モニタ用受光素子のブレイクダウン電圧に変化に応じて前記受光部における回路パラメータを変化させることを特徴とする光検出器。
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JP2017140688A JP6958054B2 (ja) | 2017-07-20 | 2017-07-20 | 光検出器 |
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