RU2512091C2 - Блок светодиода - Google Patents

Блок светодиода Download PDF

Info

Publication number
RU2512091C2
RU2512091C2 RU2011127140/28A RU2011127140A RU2512091C2 RU 2512091 C2 RU2512091 C2 RU 2512091C2 RU 2011127140/28 A RU2011127140/28 A RU 2011127140/28A RU 2011127140 A RU2011127140 A RU 2011127140A RU 2512091 C2 RU2512091 C2 RU 2512091C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
led
filter layer
layer
phosphor layer
refractive index
Prior art date
Application number
RU2011127140/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011127140A (ru
Inventor
Ханс-Хельмут БЕХТЕЛЬ
Маттиас ХАЙДЕМАНН
Петер Й. ШМИДТ
Томас ДИДЕРИХ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2011127140A publication Critical patent/RU2011127140A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2512091C2 publication Critical patent/RU2512091C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Блок LED, содержащий LED кристалл (10), слой (12) люминофора и фильтрующий слой (14), который расположен таким образом, что световые лучи, излучаемые от LED кристалла (10), с углом излучения ниже предварительно определенного угла относительно нормали фильтра, по меньшей мере, частично отражаются, и световые лучи, излучаемые от LED кристалла выше этого предварительно определенного угла, относительно нормали к фильтрующему слою (14) пропускаются. Изобретение обеспечивает возможность создания блока LED, который решает проблему желтого кольца без снижения эффективности блока LED. 13 з.п. ф-лы, 2 табл., 5 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Настоящее изобретение относится к области блоков светоизлучающих диодов (LED). В частности, изобретение относится к блокам световых устройств LED с люминофорами улучшенного излучения (pcLED). Такие сборки часто используют для обеспечения белого света.
ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
LED, излучающие белый свет, как правило, содержат LED синего излучения, объединенный со слоем люминофора, который стимулируется посредством синего излучения LED в излучаемый желтый свет, сочетание желтого и синего излучений, обеспечивает белый свет. Для направления нормали, вертикально к поверхности LED кристалла или вертикально к поверхности слоя люминофора с углом излучения 0°, длина пути световых лучей в слое люминофора, излучаемых LED синего излучения, равна толщине слоя люминофора. Для увеличения углов излучения длина пути синих световых лучей увеличивается. Таким образом, доля синих световых лучей, поглощенных слоем люминофора ниже для световых лучей с углом излучения 0°, чем для световых лучей с увеличивающимся углом излучения. Поскольку преобразованный свет, излучаемый слоем люминофора всегда имеет угловое распределение согласно закону Ламберта, белый свет, излучаемый посредством LED, имеет более высокую коррелированную цветовую температуру для нормального излучения с углом излучения приблизительно 0°. Как правило, слой люминофора представляет собой Y3Al5O12:Ce3+(YAG:Ce). В случае такого YAG:Ce слоя люминофора излучаемый свет становится желтоватым с увеличением угла излучения, и воспринимается как желтое кольцо. Для решения проблемы желтого кольца известно увеличение рассеивающей способности слоя люминофора и/или добавление рассеивающего слоя поверх слоя люминофора. Для обоих решений снижение проблемы желтого кольца приводит к снижению эффективности LED, поскольку рассеивание сопровождается отражением света, ведущим к потере света. В частности, рассеивание люминофором с пониженной частотой излучаемого света ведет к отражению с сопровождаемыми потерями на отражении.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Задачей изобретения является обеспечение блока светоизлучающего диода (LED), который решает указанную выше проблему желтого кольца без снижения эффективности блока LED.
Блок светоизлучающего диода (LED) согласно изобретению содержит LED кристалл, слой люминофора и фильтрующий слой, в котором фильтрующий слой разработан таким образом, что световые лучи с длиной волны приблизительно от 400 нм до 500 нм, предпочтительно приблизительно от 420 нм до 490 нм, излучаемые LED кристаллом, по меньшей мере, частично отражаются в зависимости от их угла излучения относительно нормали к фильтрующему слою.
LED кристалл предпочтительно представляет собой LED синего излучения. Слой люминофора предпочтительно представляет собой Y3Al5O12:Ce3+(YAG:Ce). Фильтрующий слой предпочтительно представляет собой диэлектрический фильтрующий слой. Этот фильтрующий слой обеспечивает полное пропускание световых лучей, излучаемых LED кристаллом, независимо от их длины волны в пределах диапазона видимости для больших углов излучения, предпочтительно угол излучения между 30° и 90° к нормали фильтра. Для меньших углов излучения предпочтительны углы излучения между 0° и 30° относительно нормали к фильтрующему слою, обеспечены частичные отражения световых лучей с длиной волны приблизительно от 400 нм до 500 нм. Световые лучи с длиной волны приблизительно от 400 нм до 500 нм представляют собой синие световые лучи, излучаемые посредством LED кристалла. Частичные отражения синих световых лучей, излучаемых посредством LED кристалла, в зависимости от их угла излучения относительно нормали к фильтрующему слою, обеспечивают однородность по углам излучения без потери эффективности света, излучаемого посредством LED. Нормаль к фильтрующему слою является вертикальной осью к плоской поверхности фильтрующего слоя.
Для однородного белого света, излучаемого посредством LED кристалла, отношение интенсивностей непосредственно излучаемого света от LED кристалла и преобразованного слоем люминофора света является константой для всех углов. Обычно свет, излучаемый посредством LED, обеспечивает конусообразную форму в области малого угла излучения, предпочтительно угол излучения приблизительно от 0° до 30° относительно нормали к фильтрующему слою. Однако желтый свет, излучаемый посредством LED кристалла, обычно обеспечивает шарообразную форму на всем угле излучения приблизительно от 0° до 90°. Таким образом, существуют области, особенно на больших углах излучения, предпочтительно между 30° и 90°, где отношение синего света к желтому уменьшается. Излучения под этими углами являются причиной проблемы желтого кольца. Посредством отражения некоторого количества синего света на малых углах излучения приблизительно от 0° до 30° возможно преобразование конусообразной формы синего света в шарообразную форму так, чтобы синий и желтый свет имели такое же отношение на всем угле излучения от 0° до 90°. Таким образом, суперпозиция желтого и синего света на всем угле излучения получена так, чтобы однородный белый свет излучался посредством блока LED на всем угле излучения без проблемы желтого кольца.
Предпочтительно, фильтрующий слой отражает световые лучи с углом излучения приблизительно от 0° до 30°, предпочтительно от 0° до 20°, относительно нормали к фильтрующему слою. Отраженные световые лучи являются синими световыми лучами излучаемого света LED кристалла с длиной волны приблизительно от 400 нм до 500 нм, предпочтительно от приблизительно 420 нм до 490 нм.
В предпочтительном варианте осуществления изобретения приблизительно от 10% до 50%, предпочтительно от приблизительно 15% до 30% световых лучей, излучаемых посредством LED кристалла, отражаются посредством фильтрующего слоя в зависимости от их угла излучения. Отраженные световые лучи являются синими световыми лучами излучаемого света LED кристалла с длиной волны приблизительно от 400 нм до 500 нм, предпочтительно от приблизительно 420 нм до 490 нм. Таким образом, приблизительно от 10% до 50%, предпочтительно от 15% до 40% синих световых лучей, излучаемых посредством LED с углом излучения приблизительно от 0° до 40°, предпочтительно от приблизительно 0° до 30° относительно нормали к фильтрующему слою, отражаются. Остальные синие световые лучи, излучаемые посредством LED с углом излучения приблизительно от 0° до 40°, предпочтительно от приблизительно 0° до 30°, проходят фильтрующий слой без отражения.
Фильтрующий слой предпочтительно содержит слой диэлектрического покрытия, состоящего из чередующихся материалов с низким и высоким показателем преломления. Чередующиеся материалы с низким и высоким показателем преломления могут быть выбраны таким образом, что может быть достигнуто точно направленное отражение синего света, излучаемого посредством LED кристалла.
Материалы слоя диэлектрического покрытия предпочтительно являются проницаемыми для длины волны между 400 нм и 800 нм с показателем преломления материалов высокого показателя преломления в диапазоне от 1,6 до 3 и с показателем преломления материалов низкого показателя преломления в диапазоне от 1,2 до 1,8. Коэффициент поглощения обозначенных материалов является <0,00001 для длины волны >480 нм и <0,003 для длины волны >400 нм. Nb2O5 (оксид ниобия) предпочтительно используют в качестве материала с высоким показателем преломления, и SiO2 (оксид кремния) предпочтительно используют в качестве материала с низким показателем преломления.
Предпочтительно фильтрующий слой содержит девять слоев материалов с высоким показателем преломления и девять слоев материалов с низким показателем преломления. Слои могут быть нанесены посредством технических приемов напыления тонкопленочных покрытий, таких как химическое парофазное осаждение или напыление.
Согласно предпочтительному варианту осуществления изобретения фильтрующий слой расположен между LED кристаллом и слоем люминофора. Таким образом, фильтрующий слой расположен сверху LED кристалла, и слой люминофора расположен сверху фильтрующего слоя.
Согласно другому варианту осуществления изобретения слой люминофора расположен сверху LED кристалла, и фильтрующий слой расположен сверху слоя люминофора.
Дополнительно, согласно дополнительному варианту осуществления изобретения, возможно снабдить блок LED первым слоем люминофора и вторым слоем люминофора, где фильтрующий слой расположен между первым слоем люминофора и вторым слоем люминофора. Предпочтительно первый слой люминофора расположен сверху LED кристалла.
Слой люминофора может содержать пластину Lumiramic и/или люминофор, помещенные в прозрачный материал матрицы. Пластина Lumiramic является поликристаллической керамической пластиной Ce (III), легированной иттрий-гадолиниевым гранатом (Y, GdAG:Ce). Существенным преимуществом является сочетание такой пластины Lumiramic с LED кристаллом синего излучения для производства белого света в диапазоне 5000 K коррелированной цветовой температуры. Рассеивание и выделение света посредством керамических цветопреобразующих пластин Lumiramic дает возможность изготовления надежных и эффективных белых pcLED. Измерение оптических свойств пластин Lumiramic до заключительной сборки LED позволяет подобрать и поместить компоновку с точным позиционированием желаемой точки белого цвета в LED.
Предпочтительно, блок LED может обеспечить прозрачную стеклянную пластину, которая функционирует в качестве подложки для фильтрующего слоя. Таким образом, фильтрующий слой не обязательно должен быть нанесен непосредственно на LED кристалл или слой люминофора. Фильтрующий слой может быть легко нанесен на прозрачную стеклянную пластину и после нанесения фильтрующего слоя на стеклянную пластину он выполнен с возможностью нанесения на блок LED.
Согласно предпочтительному варианту осуществления изобретения фильтрующий слой имеет итоговую толщину от 750 нм до 950 нм, предпочтительно от приблизительно 800 нм до 900 нм.
Дополнительно, согласно варианту осуществления изобретения слой люминофора имеет толщину приблизительно от 80 мкм до 150 мкм, предпочтительно от приблизительно 100 мкм до 130 мкм.
Кроме того, толщина слоев материалов высокого показателя преломления предпочтительно варьируется от 5 мкм до приблизительно 70 мкм и толщина слоев материалов низкого показателя преломления предпочтительно варьируется от приблизительно 20 нм до 300 нм.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Эти и другие аспекты изобретения станут очевидны и описаны со ссылкой на варианты осуществления и сопровождающие чертежи, на которых:
Фиг.1 изображает схематический вид первого варианта осуществления блока светодиода согласно изобретению;
Фиг.2 изображает диаграмму, показывающую коэффициент пропускания фильтрующего слоя изобретения, в зависимости от угла излучения и длины волны света, излучаемого посредством LED кристалла;
Фиг.3 изображает диаграмму, показывающую геометрическое расстояние координат цвета к координатам цвета в нормальном излучении в Однородном Цветовом Пространстве (CIE 1976) блока белого LED;
Фиг.4 изображает схематический вид второго варианта осуществления блока светодиода по изобретению; и
Фиг.5 изображает схематический вид третьего варианта осуществления блока светодиода по изобретению.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
На фиг.1 показан первый вариант осуществления блока светодиода (LED) согласно изобретению с LED кристаллом 10, слоем 12 люминофора и фильтрующим слоем 14. LED кристалл 10, слой 12 люминофора и фильтр 14 предпочтительно закрыты корпусом 16 полукруглой формы, который может иметь отражающее покрытие, нанесенное на его внутренние стенки. LED кристалл 10, который излучает синий свет с длиной волны приблизительно от 400 нм до 500 нм расположен на подложке блока 18 LED. Сверху LED кристалла 10 расположен слой 12 люминофора. Слой 12 люминофора излучает желтый свет с длиной волны приблизительно от 570 нм до 590 нм. Слой 12 люминофора может содержать пластину Lumiramic и/или люминофор, помещенный в прозрачный связующий материал. Толщина слоя 12 люминофора составляет приблизительно от 100 мкм до 120 мкм. Сверху слоя 12 люминофора расположен фильтрующий слой 14. Фильтрующий слой 12 содержит слой диэлектрического покрытия, состоящего из чередующихся материалов с низким и высоким показателем преломления, таких как Nb2O5 и SiO2.
На фиг.2 показана диаграмма, показывающая коэффициент пропускания фильтрующего слоя 14 по изобретению в зависимости от угла излучения и длины волны света, излучаемого LED кристаллом. Фильтрующий слой 14, показанный на диаграмме, имеет структуру слоя, показанную в следующей таблице 1:
Таблица 1
Слой Материал Толщина [нм]
1 Nb2O5 15,04
2 SiO2 40,81
3 Nb2O5 19,95
4 SiO2 62,79
5 Nb2O5 11,03
6 SiO2 554,43
7 Nb2O5 1,32
8 SiO2 101,21
9 Nb2O5 13,57
10 SiO2 76,41
11 Nb2O5 19,62
12 SiO2 58,04
13 Nb2O5 15,14
14 SiO2 72,37
15 Nb2O5 15,13
16 SiO2 97,54
17 Nb2O5 12,78
18 SiO2 90,31
19 Nb2O5 7,44
20 SiO2 66,31
21 Nb2O5 3,68
Различные линии, показанные на диаграмме, представляют собой различные углы излучения 0°, 26°, 40° и 77°. Как можно видеть, для больших углов излучения, таких как 40° и 77°, световые лучи в независимости от их длины волны способны проходить сквозь фильтрующий слой 14 без какого-либо отражения или поглощения. При этом угле излучения пропускание излучаемых световых лучей, в особенности синих излучаемых световых лучей, составляет приблизительно 100%. Для малых углов излучения, таких как 0° и 26°, синие световые лучи с длиной волны от 400 нм до 500 нм не способны полностью проходить сквозь фильтрующий слой. При этом угле излучения пропускание излучаемых световых лучей составляет приблизительно 80%. Приблизительно 20% синих световых лучей отражены фильтрующим слоем 14. Желтые световые лучи слоя 12 люминофора с длиной волны приблизительно от 520 нм до 650 нм способны полностью проходить сквозь фильтрующий слой в независимости от угла излучения. Таким образом, фильтрующий слой 14 только отражает некоторое количество синих излучаемых световых лучей. Частичные отражения синих световых лучей, излучаемых посредством LED кристалла 10 в зависимости от их угла излучения относительно нормали к фильтрующему слою 14 обеспечивают однородность по углам излучения без потери эффективности света, излучаемого LED кристаллом 10, поскольку синий свет, отраженный от фильтрующего слоя, поглощен слоем люминофора и преобразован в излучение люминофора.
Фильтрующий слой 14 также может иметь структуру слоя, показанную в следующей таблице 2:
Таблица 2
Слой Материал Толщина [нм]
1 Nb2O5 25,85
2 SiO2 33,7
3 Nb2O5 29,11
4 SiO2 36,26
5 Nb2O5 11,19
6 SiO2 35,9
7 Nb2O5 11,91
8 SiO2 95,52
9 Nb2O5 14,5
10 SiO2 114,43
11 Nb2O5 22,39
12 SiO2 50,5
13 Nb2O5 32,33
14 SiO2 27,98
15 Nb2O5 31,87
16 SiO2 68,13
17 Nb2O5 12,63
18 SiO2 203,49
На фиг.3 показано геометрическое расстояние координат цвета к координатам цвета в нормальном излучении в Однородном Цветовом Пространстве (CIE 1976) блок белого LED без (сплошная линия) и с (пунктирная линия) фильтрующим слоем по изобретению в зависимости от угла излучения излучаемых световых лучей. Как можно видеть на диаграмме, с использованием фильтрующего слоя 14 по изобретению возможно получение практически постоянного цвета световых лучей, излучаемых посредством блоков LED в независимости от угла излучения световых лучей.
На фиг.4 показан схематический вид второго варианта осуществления блока светодиода согласно изобретению. В этом варианте осуществления фильтрующий слой 14 расположен между LED кристаллом 10 и слоем 12 люминофора.
На фиг.5 показан схематический вид третьего варианта осуществления блока светодиода согласно изобретению, при этом блок LED содержит первый слой 12 люминофора и второй слой 20 люминофора. Фильтрующий слой 14 расположен между первым слоем 12 люминофора и вторым слоем 20 люминофора, при этом первый слой 12 люминофора расположен сверху LED кристалла 10.
Несмотря на то, что изобретение было проиллюстрировано и подробно описано на чертежах и в вышеприведенном описании, подобные иллюстрация и описание следует рассматривать как иллюстративные или примерные и не ограничительные, изобретение не ограничено описанными здесь вариантами осуществления.
Другие разновидности описанных вариантов осуществления могут быть поняты и осуществлены на практике специалистами в данной области описываемого в заявке изобретения, путем изучения чертежей, раскрытия сущности и прилагаемой формулы изобретения. В формуле изобретения, слово "содержащий" не исключает другие элементы или этапы, и упоминание предметов изобретения в единственном числе не исключает множественного числа. Тот факт, что определенные измерения, изложены во взаимно различных зависимых пунктах, не означает, что комбинация этих мер не может быть использована в качестве преимущества. Любые указания на ссылочные материалы в формуле изобретения не должны быть истолкованы как ограничение области.

Claims (14)

1. Блок LED, содержащий
LED кристалл (10),
слой (12) люминофора и
фильтрующий слой (14), который расположен таким образом, что световые лучи, излучаемые от LED кристалла (10), с углом излучения ниже предварительно определенного угла относительно нормали фильтра, по меньшей мере, частично отражаются, и световые лучи, излучаемые от LED кристалла выше этого предварительно определенного угла, относительно нормали к фильтрующему слою (14) пропускаются.
2. Блок LED по п.1, в котором фильтрующий слой (14) частично выполнен с возможностью отражения световых лучей с углом излучения приблизительно от 0° до 30°, предпочтительно от приблизительно 0° до 20°, относительно нормали к фильтрующему слою (14).
3. Блок LED по п.1, в котором приблизительно от 10% до 50%, предпочтительно от 15% до 30%, световых лучей, излучаемых посредством LED кристалла (10) отражаются в зависимости от их угла излучения к нормали фильтра (14).
4. Блок LED по п.1, в котором фильтрующий слой (14) содержит слой диэлектрического покрытия, состоящего из чередующихся материалов с низким и высоким показателем преломления.
5. Блок LED по п.4, в котором материалы слоя диэлектрического покрытия проницаемы для длины волны между 400 нм и 800 нм с показателем преломления материалов с высоким показателем преломления в диапазоне от 1,6 до 3 и с показателем преломления материалов с низким показателем преломления в диапазоне от 1,2 до 1,8.
6. Блок LED по п.4, в котором обеспечены девять слоев материалов с высоким показателем преломления и девять слоев материалов с низким показателем преломления.
7. Блок LED по п.1, в котором фильтрующий слой (14) расположен между LED кристаллом (10) и слоем (12) люминофора.
8. Блок LED по п.1, в котором слой (12) люминофора расположен сверху LED кристалла (10) и фильтрующий слой (14) расположен сверху слоя (12) люминофора.
9. Блок LED по п.1, в котором блок LED содержит первый слой (12) люминофора и второй слой (20) люминофора, при этом фильтрующий слой (14) расположен между первым слоем (12) люминофора и вторым слоем (18) люминофора.
10. Блок LED по п.1, в котором слой (12) люминофора содержит пластину Lumiramic и/или люминофор, помещенные в прозрачный материал матрицы.
11. Блок LED по п.1, в котором прозрачная стеклянная пластина обеспечена в качестве подложки для фильтрующего слоя (14).
12. Блок LED по п.1, в котором фильтрующий слой (14) имеет общую толщину от 750 нм до 950 нм, предпочтительно от 800 нм до 900 нм.
13. Блок LED по п.1, в котором слой (12) люминофора имеет толщину приблизительно от 80 мкм до 150 мкм, предпочтительно от приблизительно 100 мкм до 130 мкм.
14. Блок LED по п.4, в котором толщина слоев материалов с высоким показателем преломления варьируется от 5 нм до приблизительно 70 нм и толщина слоев материалов с низким показателем преломления варьируется от приблизительно 20 нм до 300 нм.
RU2011127140/28A 2008-12-02 2009-11-27 Блок светодиода RU2512091C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08170458.7 2008-12-02
EP08170458 2008-12-02
PCT/IB2009/055380 WO2010064177A1 (en) 2008-12-02 2009-11-27 Led assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011127140A RU2011127140A (ru) 2013-01-10
RU2512091C2 true RU2512091C2 (ru) 2014-04-10

Family

ID=42035569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011127140/28A RU2512091C2 (ru) 2008-12-02 2009-11-27 Блок светодиода

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8957439B2 (ru)
EP (1) EP2374165B1 (ru)
JP (1) JP5558483B2 (ru)
KR (1) KR101654514B1 (ru)
CN (1) CN102239578B (ru)
RU (1) RU2512091C2 (ru)
TW (1) TWI538259B (ru)
WO (1) WO2010064177A1 (ru)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010064177A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-10 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Led assembly
US9711688B2 (en) * 2008-12-02 2017-07-18 Koninklijke Philips N.V. Controlling LED emission pattern using optically active materials
EP2472612A1 (en) * 2010-12-29 2012-07-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Improved angular color performance of white LED lighting systems
EP2482350A1 (en) * 2011-02-01 2012-08-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED assembly comprising a light scattering layer
JP2012186414A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Toshiba Corp 発光装置
JP2015500568A (ja) * 2011-12-07 2015-01-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ ビーム成形発光モジュール
JP6139071B2 (ja) * 2012-07-30 2017-05-31 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
KR20140028964A (ko) * 2012-08-31 2014-03-10 일진엘이디(주) 발광 분포가 우수한 반도체 발광소자
US9644817B2 (en) * 2013-02-09 2017-05-09 Hisham Menkara Phosphor sheets
KR102153649B1 (ko) * 2013-04-25 2020-09-09 루미리즈 홀딩 비.브이. 발광 다이오드 부품
TWI511338B (zh) * 2013-12-17 2015-12-01 Ind Tech Res Inst 發光裝置
DE102014112973A1 (de) * 2014-09-09 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
KR20160149363A (ko) * 2015-06-17 2016-12-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102415331B1 (ko) 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR101739851B1 (ko) * 2015-10-30 2017-05-25 주식회사 썬다이오드코리아 파장변환구조체를 포함하는 발광 소자
JP6524904B2 (ja) 2015-12-22 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3408872A1 (en) * 2016-01-28 2018-12-05 Corning Incorporated Methods for dispensing quantum dot materials
JP2018022844A (ja) 2016-08-05 2018-02-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR101888083B1 (ko) * 2016-11-17 2018-08-13 엘지전자 주식회사 차량용 램프
FR3062459B1 (fr) * 2017-02-01 2021-03-19 Schneider Electric Ind Sas Dispositif a fonction de signalisation lumineuse
CN109411590B (zh) * 2017-08-17 2020-01-07 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构及发光单元
EP3457444A1 (en) * 2017-09-19 2019-03-20 ams AG Phosphor-converted light-emitting device
JP7332881B2 (ja) 2019-09-30 2023-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102020103070A1 (de) * 2020-02-06 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung optoelektronischer bauelemente und optoelektronisches bauelement
DE112021002249A5 (de) * 2020-04-08 2023-01-26 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches bauelement und beleuchtungsvorrichtung
DE102021123818A1 (de) * 2021-09-15 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil, verfahren zur auswahl eines dielektrischen schichtenstapels und verfahren zur auswahl eines konversionsmaterials

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
WO2004068603A2 (en) * 2003-01-27 2004-08-12 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source component and method of making
RU41547U1 (ru) * 2004-06-15 2004-10-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" Источник света
WO2006035388A2 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-converted led with luminance enhancement through light recycling
RU53500U1 (ru) * 2005-11-22 2006-05-10 Емельян Михайлович Гамарц Электролюминесцентный излучатель
RU2333571C1 (ru) * 2007-03-21 2008-09-10 Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро электроизделий XXI века" Излучающий диод

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4822144A (en) 1986-12-24 1989-04-18 U.S. Philips Corporation Electro-optic color display including luminescent layer and interference filter
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
DE10112542B9 (de) * 2001-03-15 2013-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optisches Bauelement
JP2003051622A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Rohm Co Ltd 白色系半導体発光装置
JP2003152227A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄの色補正手段および色補正方法
US6744077B2 (en) * 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
EP1571715A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-07 Nan Ya Plastics Corporation Method for producing white light emission by means of secondary light exitation and its product
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US20070267646A1 (en) * 2004-06-03 2007-11-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light Emitting Device Including a Photonic Crystal and a Luminescent Ceramic
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
JP2006261540A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
DE102005062514A1 (de) * 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JPWO2008001636A1 (ja) * 2006-06-26 2009-11-26 旭硝子株式会社 レーザ光用光学部品
TWI317562B (en) * 2006-08-16 2009-11-21 Ind Tech Res Inst Light-emitting device
EP2057693A1 (en) 2006-08-29 2009-05-13 Osram-Sylvania Inc. Enhanced emission from phosphor-converted leds using interferometric filters
JP2010505250A (ja) * 2006-09-29 2010-02-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス素子
DE102007025092A1 (de) * 2007-05-30 2008-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
WO2010064177A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-10 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Led assembly

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
WO2004068603A2 (en) * 2003-01-27 2004-08-12 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source component and method of making
RU41547U1 (ru) * 2004-06-15 2004-10-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" Источник света
WO2006035388A2 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-converted led with luminance enhancement through light recycling
RU53500U1 (ru) * 2005-11-22 2006-05-10 Емельян Михайлович Гамарц Электролюминесцентный излучатель
RU2333571C1 (ru) * 2007-03-21 2008-09-10 Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро электроизделий XXI века" Излучающий диод

Also Published As

Publication number Publication date
US20150162503A1 (en) 2015-06-11
EP2374165B1 (en) 2019-01-09
JP5558483B2 (ja) 2014-07-23
CN102239578B (zh) 2015-06-03
TWI538259B (zh) 2016-06-11
US20110220953A1 (en) 2011-09-15
KR20110103994A (ko) 2011-09-21
US8957439B2 (en) 2015-02-17
KR101654514B1 (ko) 2016-09-07
EP2374165A1 (en) 2011-10-12
WO2010064177A1 (en) 2010-06-10
TW201027810A (en) 2010-07-16
JP2012510716A (ja) 2012-05-10
RU2011127140A (ru) 2013-01-10
CN102239578A (zh) 2011-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2512091C2 (ru) Блок светодиода
US9518718B2 (en) Bandpass filter for use in light emitting device and light emitting device using the same
EP2602537B1 (en) Light source device
RU2407110C2 (ru) Светоизлучающее устройство
RU2436829C2 (ru) Электролюминесцентное устройство
RU2413335C2 (ru) Электролюминесцентное устройство
JP5743548B2 (ja) 照明装置
US20160274353A1 (en) Fluorescent wheel for projectors and light-emitting device for projectors
TWI406432B (zh) 場致發光裝置
KR20100129766A (ko) 저굴절률 스페이서층을 갖는 발광 다이오드 장치 및 그 제조 방법
KR20130071496A (ko) 변환 소자
US11043615B2 (en) Light-emitting device having a dielectric multilayer film arranged on the side surface of the light-emitting element
CN108361566A (zh) 一种光源装置
TWI757521B (zh) 波長轉換構件及發光裝置
EP2323184A1 (en) LED assembly
US10928035B2 (en) Phosphor plate and lighting device including the same
US11262046B2 (en) Phosphor element, method for producing same, and lighting device
DE112020001069B4 (de) Optoelektronische halbleiterlichtquelle und bragg-spiegel
CN110494776A (zh) 波长变换部件和发光装置
CN109424861A (zh) 波长转换装置和激光荧光转换型光源
TW201417353A (zh) 發光元件及發光元件之製造方法
JP2022021300A (ja) 発光モジュールおよび面状光源
JP2020154012A (ja) 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置
TR201707159A2 (tr) Bi̇r fosfor dönüşümlü beyaz led paketi̇

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190823

PD4A Correction of name of patent owner