RU2011127140A - Блок светодиода - Google Patents

Блок светодиода Download PDF

Info

Publication number
RU2011127140A
RU2011127140A RU2011127140/28A RU2011127140A RU2011127140A RU 2011127140 A RU2011127140 A RU 2011127140A RU 2011127140/28 A RU2011127140/28 A RU 2011127140/28A RU 2011127140 A RU2011127140 A RU 2011127140A RU 2011127140 A RU2011127140 A RU 2011127140A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
led
unit according
refractive index
materials
led unit
Prior art date
Application number
RU2011127140/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2512091C2 (ru
Inventor
Ханс-Хельмут БЕХТЕЛЬ
Маттиас ХАЙДЕМАНН
Петер Й. ШМИДТ
Томас ДИДЕРИХ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2011127140A publication Critical patent/RU2011127140A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2512091C2 publication Critical patent/RU2512091C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

1. Блок LED, содержащийLED кристалл (10),слой (12) люминофора, ифильтрующий слой (14), который расположен таким образом, что световые лучи, излучаемые от LED кристалла (10), с углом излучения ниже предварительно определенного угла относительно нормали фильтра, по меньшей мере, частично отражаются, и световые лучи, излучаемые от LED кристалла выше этого предварительно определенного угла, относительно нормали к фильтрующему слою (14) пропускаются.2. Блок LED по п.1, в котором фильтрующий слой (14) частично выполнен с возможностью отражения световых лучей с углом излучения приблизительно от 0° до 30°, предпочтительно от приблизительно 0° до 20°, относительно нормали к фильтрующему слою (14).3. Блок LED по п.1, в котором приблизительно от 10% до 50%, предпочтительно от 15% до 30%, световых лучей, излучаемых посредством LED кристалла (10) отражаются в зависимости от их угла излучения к нормали фильтра (14).4. Блок LED по п.1, в котором фильтрующий слой (14) содержит слой диэлектрического покрытия, состоящего из чередующихся материалов с низким и высоким показателем преломления.5. Блок LED по п.4, в котором материалы слоя диэлектрического покрытия проницаемы для длины волны между 400 нм и 800 нм с показателем преломления материалов с высоким показателем преломления в диапазоне от 1,6 до 3 и с показателем преломления материалов с низким показателем преломления в диапазоне от 1,2 до 1,8.6. Блок LED по п.4, в котором обеспечены девять слоев материалов с высоким показателем преломления и девять слоев материалов с низким показателем преломления.7. Блок LED по п.1, в котором фильтрующий слой (14) расположен между LED кристаллом (10) и слоем (12) люминофора.8. Блок LED по п.1, в котором слой (12) люмино

Claims (14)

1. Блок LED, содержащий
LED кристалл (10),
слой (12) люминофора, и
фильтрующий слой (14), который расположен таким образом, что световые лучи, излучаемые от LED кристалла (10), с углом излучения ниже предварительно определенного угла относительно нормали фильтра, по меньшей мере, частично отражаются, и световые лучи, излучаемые от LED кристалла выше этого предварительно определенного угла, относительно нормали к фильтрующему слою (14) пропускаются.
2. Блок LED по п.1, в котором фильтрующий слой (14) частично выполнен с возможностью отражения световых лучей с углом излучения приблизительно от 0° до 30°, предпочтительно от приблизительно 0° до 20°, относительно нормали к фильтрующему слою (14).
3. Блок LED по п.1, в котором приблизительно от 10% до 50%, предпочтительно от 15% до 30%, световых лучей, излучаемых посредством LED кристалла (10) отражаются в зависимости от их угла излучения к нормали фильтра (14).
4. Блок LED по п.1, в котором фильтрующий слой (14) содержит слой диэлектрического покрытия, состоящего из чередующихся материалов с низким и высоким показателем преломления.
5. Блок LED по п.4, в котором материалы слоя диэлектрического покрытия проницаемы для длины волны между 400 нм и 800 нм с показателем преломления материалов с высоким показателем преломления в диапазоне от 1,6 до 3 и с показателем преломления материалов с низким показателем преломления в диапазоне от 1,2 до 1,8.
6. Блок LED по п.4, в котором обеспечены девять слоев материалов с высоким показателем преломления и девять слоев материалов с низким показателем преломления.
7. Блок LED по п.1, в котором фильтрующий слой (14) расположен между LED кристаллом (10) и слоем (12) люминофора.
8. Блок LED по п.1, в котором слой (12) люминофора расположен сверху LED кристалла (10) и фильтрующий слой (14) расположен сверху слоя (12) люминофора.
9. Блок LED по п.1, в котором блок LED содержит первый слой (12) люминофора и второй слой (20) люминофора, при этом фильтрующий слой (14) расположен между первым слоем (12) люминофора и вторым слоем (18) люминофора.
10. Блок LED по п.1, в котором слой (12) люминофора содержит пластину Lumiramic и/или люминофор, помещенные в прозрачный материал матрицы.
11. Блок LED по п.1, в котором прозрачная стеклянная пластина обеспечена в качестве подложки для фильтрующего слоя (14).
12. Блок LED по п.1, в котором фильтрующий слой (14) имеет общую толщину от 750 нм до 950 нм, предпочтительно от 800 нм до 900 нм.
13. Блок LED по п.1, в котором слой (12) люминофора имеет толщину приблизительно от 80 мкм до 150 мкм, предпочтительно от приблизительно 100 мкм до 130 мкм.
14. Блок LED по п.4, в котором толщина слоев материалов с высоким показателем преломления варьируется от 5 нм до приблизительно 70 нм и толщина слоев материалов с низким показателем преломления варьируется от приблизительно 20 нм до 300 нм.
RU2011127140/28A 2008-12-02 2009-11-27 Блок светодиода RU2512091C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08170458 2008-12-02
EP08170458.7 2008-12-02
PCT/IB2009/055380 WO2010064177A1 (en) 2008-12-02 2009-11-27 Led assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011127140A true RU2011127140A (ru) 2013-01-10
RU2512091C2 RU2512091C2 (ru) 2014-04-10

Family

ID=42035569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011127140/28A RU2512091C2 (ru) 2008-12-02 2009-11-27 Блок светодиода

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8957439B2 (ru)
EP (1) EP2374165B1 (ru)
JP (1) JP5558483B2 (ru)
KR (1) KR101654514B1 (ru)
CN (1) CN102239578B (ru)
RU (1) RU2512091C2 (ru)
TW (1) TWI538259B (ru)
WO (1) WO2010064177A1 (ru)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9711688B2 (en) 2008-12-02 2017-07-18 Koninklijke Philips N.V. Controlling LED emission pattern using optically active materials
RU2512091C2 (ru) * 2008-12-02 2014-04-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Блок светодиода
EP2472612A1 (en) * 2010-12-29 2012-07-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Improved angular color performance of white LED lighting systems
EP2482350A1 (en) * 2011-02-01 2012-08-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED assembly comprising a light scattering layer
JP2012186414A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Toshiba Corp 発光装置
CN103988326A (zh) * 2011-12-07 2014-08-13 皇家飞利浦有限公司 光束整形发光模块
JP6139071B2 (ja) * 2012-07-30 2017-05-31 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
KR20140028964A (ko) * 2012-08-31 2014-03-10 일진엘이디(주) 발광 분포가 우수한 반도체 발광소자
US9644817B2 (en) * 2013-02-09 2017-05-09 Hisham Menkara Phosphor sheets
US9966511B2 (en) * 2013-04-25 2018-05-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting diode component
TWI511338B (zh) * 2013-12-17 2015-12-01 Ind Tech Res Inst 發光裝置
DE102014112973A1 (de) * 2014-09-09 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
KR20160149363A (ko) * 2015-06-17 2016-12-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102415331B1 (ko) 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR101739851B1 (ko) * 2015-10-30 2017-05-25 주식회사 썬다이오드코리아 파장변환구조체를 포함하는 발광 소자
JP6524904B2 (ja) 2015-12-22 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3408872A1 (en) * 2016-01-28 2018-12-05 Corning Incorporated Methods for dispensing quantum dot materials
JP2018022844A (ja) 2016-08-05 2018-02-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR101888083B1 (ko) * 2016-11-17 2018-08-13 엘지전자 주식회사 차량용 램프
FR3062459B1 (fr) * 2017-02-01 2021-03-19 Schneider Electric Ind Sas Dispositif a fonction de signalisation lumineuse
CN109411590B (zh) * 2017-08-17 2020-01-07 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构及发光单元
EP3457444A1 (en) * 2017-09-19 2019-03-20 ams AG Phosphor-converted light-emitting device
JP7332881B2 (ja) 2019-09-30 2023-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102020103070A1 (de) * 2020-02-06 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung optoelektronischer bauelemente und optoelektronisches bauelement
US20230155085A1 (en) * 2020-04-08 2023-05-18 Ams-Osram International Gmbh Optoelectronic component and illumination device
DE102021123818A1 (de) * 2021-09-15 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil, verfahren zur auswahl eines dielektrischen schichtenstapels und verfahren zur auswahl eines konversionsmaterials

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4822144A (en) 1986-12-24 1989-04-18 U.S. Philips Corporation Electro-optic color display including luminescent layer and interference filter
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
DE10112542B9 (de) * 2001-03-15 2013-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optisches Bauelement
JP2003051622A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Rohm Co Ltd 白色系半導体発光装置
JP2003152227A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄの色補正手段および色補正方法
US6744077B2 (en) * 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
WO2004068603A2 (en) * 2003-01-27 2004-08-12 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source component and method of making
EP1571715A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-07 Nan Ya Plastics Corporation Method for producing white light emission by means of secondary light exitation and its product
US20070267646A1 (en) * 2004-06-03 2007-11-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light Emitting Device Including a Photonic Crystal and a Luminescent Ceramic
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
RU41547U1 (ru) * 2004-06-15 2004-10-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" Источник света
WO2006035388A2 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-converted led with luminance enhancement through light recycling
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
JP2006261540A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
DE102005062514A1 (de) * 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
RU53500U1 (ru) * 2005-11-22 2006-05-10 Емельян Михайлович Гамарц Электролюминесцентный излучатель
WO2008001636A1 (fr) * 2006-06-26 2008-01-03 Asahi Glass Co., Ltd. composant optique pour faisceau laser
TWI317562B (en) * 2006-08-16 2009-11-21 Ind Tech Res Inst Light-emitting device
EP2057693A1 (en) * 2006-08-29 2009-05-13 Osram-Sylvania Inc. Enhanced emission from phosphor-converted leds using interferometric filters
CN101523622B (zh) * 2006-09-29 2011-08-10 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子器件
RU2333571C1 (ru) * 2007-03-21 2008-09-10 Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро электроизделий XXI века" Излучающий диод
DE102007025092A1 (de) * 2007-05-30 2008-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
RU2512091C2 (ru) * 2008-12-02 2014-04-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Блок светодиода

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010064177A1 (en) 2010-06-10
EP2374165A1 (en) 2011-10-12
US20150162503A1 (en) 2015-06-11
EP2374165B1 (en) 2019-01-09
CN102239578A (zh) 2011-11-09
US8957439B2 (en) 2015-02-17
TW201027810A (en) 2010-07-16
KR20110103994A (ko) 2011-09-21
KR101654514B1 (ko) 2016-09-07
CN102239578B (zh) 2015-06-03
JP2012510716A (ja) 2012-05-10
RU2512091C2 (ru) 2014-04-10
US20110220953A1 (en) 2011-09-15
JP5558483B2 (ja) 2014-07-23
TWI538259B (zh) 2016-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011127140A (ru) Блок светодиода
RU2010107241A (ru) Светоизлучающий прибор, включающий в себя фотонный кристалл и люминесцентную керамику
TWI261378B (en) Polarized light emitting device
RU2008136403A (ru) Светоизлучающий прибор
WO2016082431A1 (zh) 光学膜层、发光器件及显示装置
US20090194774A1 (en) Light source module with wavelength converting structure and the method of forming the same
EA200870341A1 (ru) Прозрачная противоотражающая подложка, обладающая нейтральным отражённым цветом
TW200727043A (en) Backlight unit with an oxide compound-laminated optical layer
JP2012510716A5 (ru)
JP2008112711A5 (ru)
JP2013508895A5 (ru)
US10663642B2 (en) Backlight unit, display apparatus including the same and method of manufacturing the same
CN202948969U (zh) 一种led隔离封装装置
RU2011102358A (ru) Светоизлучающее устройство, осветительное устройство и устройство отображения
JP2007273275A (ja) 有機ｅｌ発光装置
CN104570374B (zh) 偏振转换元件、投影机及偏振转换元件的制造方法
JP2007041536A5 (ru)
RU2010137317A (ru) Оптический элемент и способ его изготовления
RU2010110388A (ru) Оптическое устройство, ламинат и маркированное изделие
CN105589250A (zh) 一种显示基板、显示面板、显示装置及制作方法
CN104969099A (zh) 多层光干涉滤片
RU2010119520A (ru) Светодиодный источник света с боковым излучением для задней подсветки
CN105867024A (zh) 一种背光模组以及液晶显示装置
CN100529883C (zh) 棱镜片和在液晶显示器中采用的背光单元
KR102602160B1 (ko) 백라이트 유닛, 백라이트 유닛을 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 제조하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190823

PD4A Correction of name of patent owner