RU2511671C2 - Емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь - Google Patents

Емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь Download PDF

Info

Publication number
RU2511671C2
RU2511671C2 RU2011115084/28A RU2011115084A RU2511671C2 RU 2511671 C2 RU2511671 C2 RU 2511671C2 RU 2011115084/28 A RU2011115084/28 A RU 2011115084/28A RU 2011115084 A RU2011115084 A RU 2011115084A RU 2511671 C2 RU2511671 C2 RU 2511671C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrode
layer
cavity
converter
insulating layer
Prior art date
Application number
RU2011115084/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011115084A (ru
Inventor
Йохан Х. КЛОТВИЙК
Петер ДИРКСЕН
Марсель МЮЛДЕР
Элизабет М. Л. МОНЕН
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2011115084A publication Critical patent/RU2011115084A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2511671C2 publication Critical patent/RU2511671C2/ru

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60B—VEHICLE WHEELS; CASTORS; AXLES FOR WHEELS OR CASTORS; INCREASING WHEEL ADHESION
    • B60B1/00—Spoked wheels; Spokes thereof
    • B60B1/02—Wheels with wire or other tension spokes
    • B60B1/0261—Wheels with wire or other tension spokes characterised by spoke form
    • B60B1/0292—Wheels with wire or other tension spokes characterised by spoke form the spoke being bent at both ends
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/0292—Electrostatic transducers, e.g. electret-type
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
    • H02N1/002—Electrostatic motors
    • H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
    • H02N1/06—Influence generators
    • H02N1/08—Influence generators with conductive charge carrier, i.e. capacitor machines
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49005—Acoustic transducer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)

Abstract

Настоящее изобретение относится к емкостному микрообработанному ультразвуковому преобразователю, системе для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн и к способу изготовления преобразователя. Заявленная группа изобретений включает емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь, систему для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн, содержащую преобразователь, и способы изготовления преобразователя.При этом емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь содержит кремниевую подложку, полость, первый электрод, расположенный между кремниевой подложкой и полостью, причем первый электрод расположен под полостью, мембрану, в котором мембрана расположена над полостью и напротив первого электрода, второй электрод, расположенный внутри мембраны или рядом с ней, при этом первый электрод и второй электрод выполнены с возможностью подачи на них напряжения, и первый изоляционный слой, расположенный между первым электродом и вторым электродом, а первый изоляционный слой содержит диэлектрик. Система для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн содержит преобразователь согласно настоящему изобретению. Описан способ изготовления преобразователя по настоящему изобретению, в котором преобразователь изготавливают производственным процессом КМОП, и преобразователь можно изготавливать пост-процессом в процессе КМОП. Технический результат заключается в предотвращении зарядки путем добавления дополнительных слоев и получении преобразователей со стабильными характеристиками посредством установки по меньшей мере одного барьера, который расположен на

Description

Область техники
Настоящее изобретение относится к емкостному микрообработанному ультразвуковому преобразователю, системе для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн и к способу изготовления преобразователя.
Предшествующий уровень техники
Емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь (ЕМУП) является по существу плоским конденсатором. Верхний электрод внедрен в мембрану. Высокочастотное напряжение на электродах заставляет мембрану совершать колебания, типично с частотой несколько МГц. Емкостные микрообработанные ультразвуковые преобразователи известны своей высокой эффективностью и высокой выходной мощностью.
Однако зарядка является известным недостатком емкостных микрообработанных ультразвуковых преобразователей по предшествующему уровню техники и часто препятствует их практическому применению. Из-за зарядки преобразователь может стать нестабильным и его характеристики могут плавать.
Краткое изложение существа изобретения
Желательно создать усовершенствованный преобразователь и способ решения проблемы зарядки. Решение проблемы зарядки по концепции настоящего изобретения позволит получить емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь, который может применяться в различных областях, благодаря его независимости от конкретного способа применения. Согласно настоящему изобретению решение проблемы зарядки дает диэлектрический слой ONO.
Согласно первому аспекту настоящего изобретения предложен емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь, содержащий кремниевую подложку; полость; первый электрод, расположенный между кремниевой подложкой и полостью, при этом первый электрод расположен под полостью; мембрану, расположенную над полостью и напротив первого электрода; второй электрод, расположенный над полостью и напротив первого электрода; при этом второй электрод расположен в мембране или рядом с ней, при этом первый электрод и второй электрод выполнены с возможностью получать электрическое напряжение; и первый изоляционный слой, расположенный между первым электродом и вторым электродом, при этом первый изоляционный слой содержит диэлектрик.
Сущность настоящего изобретения заключается в предотвращении зарядки. Зарядка возможна, когда используемые диэлектрические слои захватывают заряды. Настоящее изобретение направлено на предотвращение зарядки путем добавления дополнительных слоев.
Согласно настоящему изобретению мембрана емкостного микрообработанного преобразователя активируется напряжением. Обычно используют напряжение повышенной частоты, особенно высокочастотное напряжение плюс смещение постоянным током. Это напряжение подается на множество электродов. Обычно имеется два электрода, но можно использовать и большее количество электродов. Проблема зарядки вызывается носителями зарядов, сходящих с одного электрода. Эти носители зарядов пытаются попасть на другой электрод с противоположным потенциалом. Если заряды покинут свой электрод, характеристики преобразователя могут измениться. Возникнет дрейф характеристик преобразователя. Поэтому сход носителей заряда следует предотвращать, чтобы не допустить зарядки. Согласно настоящему изобретению барьер, препятствующий сходу носителей заряда, расположен так, чтобы разорвать траекторию схода носителей заряда или, по меньшей мере, уменьшить количество сходящих носителей заряда по сравнению с ситуацией, когда барьер отсутствует. Согласно настоящему изобретению заряд размещают, например, между электродами. Далее барьер может состоять из одного барьера или из множества барьеров, преимущественно разнесенных в пространстве.
Емкостной микрообработанный преобразователь содержит полость, которая находится под вакуумом или которая находится под низким давлением. Размеры полости выбирают так, чтобы ультразвуковые колебания приводили к деформации мембраны, расположенной над полостью, и, таким образом, к деформации полости и, следовательно, к изменению величины емкости. Согласно настоящему изобретению имеется электрод, который деформируется так же, как и мембрана. Преимущественно этот электрод расположен рядом с мембраной или внутри мембраны. Деформации электрода из-за ультразвуковых колебаний приводят к изменению напряжения или тока, подаваемых на электрод. Эти изменения можно обнаружить электронной схемой. В этом случае преобразователь работает как приемник. Изменение напряжения или тока, соответственно, также может генерировать деформации в мембране, что приводит к возникновению ультразвуковых колебаний. В этом случае преобразователь работает как излучатель/передатчик.
Согласно настоящему изобретению имеется изоляционный слой, который работает как барьер для предотвращения или уменьшения потока носителей заряда между электродами. Типично изоляционный слой расположен между электродами. Однако изоляционный слой необходимо расположить лишь так, чтобы уменьшить или прекратить поток носителей заряда. Следовательно, согласно настоящему изобретению можно также разместить изоляционный слой таким образом, чтобы он находился не между электродами, если траектория носителей заряда будет заблокирована.
Преобразователь построен на кремниевой подложке и эта кремниевая подложка или подложка "кремний на изоляторе" используется в качестве пластины основания.
Слоями, содержащими оксиды, могут быть слои SiO2, нанесенные процессами химического осаждения из паровой [газовой] фазы при пониженном давлении (LPCVD); химического осаждения из паровой фазы методом разложения металлоорганических соединений (MOCVD); или плазмохимического осаждения из паровой [газовой] фазы (PECVD). Слои, содержащие нитрид, могут быть слоями Si3N4, нанесенными процессами химического осаждения из паровой [газовой] фазы при пониженном давлении (LPCVD); химического осаждения из паровой фазы методом разложения металлоорганических соединений (MOCVD); или плазмохимического осаждения из паровой [газовой] фазы (PECVD).
Согласно второму аспекту настоящего изобретения предлагается система для генерирования или измерения ультразвуковых волн, содержащая преобразователь по одному из пп.1-11 формулы изобретения.
Согласно настоящему изобретению система может использовать преобразователь в качестве приемника или излучателя ультразвуковых волн. Более конкретно, система может использоваться в медицине. Система может содержать средство для обнаружения ультразвуковых колебаний, в частности электронную схему. Электронная схема может содержать источник постоянного напряжения или источник постоянного тока. Изменения в мембране будут обнаружены, согласно первой альтернативе, по изменению тока, а согласно второй альтернативе - по изменению напряжения. Обнаруженные ультразвуковые колебания могут быть визуализированы с помощью персонального компьютера. Персональный компьютер может использоваться для управления процедурой обнаружения. Система может содержать средства для передачи ультразвуковых волн.
Согласно третьему аспекту настоящего изобретения предлагается способ изготовления преобразователя, в котором преобразователь изготавливают технологическим процессом КМОП, и при этом преобразователь может быть изготовлен как последующая операция во время процесса КМОП. Согласно настоящему изобретению преобразователь совместим с технологией КМОП и может использоваться как вариант последующей обработки в технологии КМОП для придания процессу КМОП дополнительной функциональности. Согласно настоящему изобретению преобразователь альтернативно может добавляться к КМОП-пластине с использованием процесса перевернутого кристалла или подходящего процесса переноса.
Другие варианты описаны в зависимых пунктах формулы.
Согласно настоящему изобретению предлагается преобразователь, содержащий второй изоляционный слой, расположенный между вторым электродом и полостью, при этом первый изоляционный слой расположен между первым электродом и полостью, при этом второй изоляционный слой содержит диэлектрик.
Согласно настоящему изобретению полезно удерживать носители заряда на их соответствующем электроде. Следовательно, рядом с каждым электродом предлагается разместить барьер, реализованный как слой диэлектрика. Такое расположение в максимальной степени предотвращает возникновение потока носителей заряда. Согласно другому аспекту настоящего изобретения предлагается инкапсулировать электрод слоем диэлектрика. Такая конструкция также предотвращает обход барьеров носителями заряда.
Согласно настоящему изобретению слой оксида расположен в комбинации со слоем нитрида для предотвращения зарядки из-за туннелирования дырок. Туннелирование дырок носителей заряда через нитридный слой возможно, если на нитридный слой подать достаточное смещение, хотя нитридный слой не является электропроводным. Поэтому для предотвращения возникновения потока носителей заряда, вызванного туннелированием дырок через нитридный слой, используется дополнительный оксидный слой.
Согласно иллюстративному варианту настоящего изобретения предлагается преобразователь, в котором первый изоляционный слой содержит первый суб-слой, содержащий оксид. Оксид не является электропроводным. Поэтому оксид можно использовать, например, как диэлектрик для предотвращения схода носителей заряда с электрода.
Согласно другому иллюстративному варианту настоящего изобретения предлагается преобразователь, в котором диэлектриком является слой с повышенной диэлектрической постоянной k, т.е. «higher-k layer», например слой, содержащий нитрид, оксид алюминия или оксид гафния.
Согласно иллюстративному варианту настоящего изобретения предлагается преобразователь, содержащий первый суб-слой, толщина которого составляет по меньшей мере 5 нм.
Согласно настоящему изобретению изоляционный слой сформирован таким образом, чтобы предотвратить эффект туннелирования носителей заряда. Появление эффекта туннелирования можно предотвратить за счет минимальной толщины изоляционного слоя. Эта минимальная толщина изоляционного слоя составляет по меньшей мере 5 нм. Следовательно, изоляционный слой должен иметь минимальную толщину по меньшей мере 5 нм.
Согласно другому иллюстративному варианту настоящего изобретения предлагается преобразователь, в котором изоляционный слой содержит первый суб-слой, содержащий оксид, и второй суб-слой, содержащий нитрид.
Согласно иллюстративному варианту настоящего изобретения предлагается преобразователь, в котором изоляционный слой содержит первый суб-слой, содержащий оксид, второй суб-слой, содержащий нитрид, и третий суб-слой, содержащий оксид.
Согласно иллюстративному варианту настоящего изобретения предлагается преобразователь, в котором изоляционный слой содержит первый суб-слой, содержащий металл, второй суб-слой, содержащий оксид, и третий суб-слой, содержащий нитрид.
Согласно другому иллюстративному варианту настоящего изобретения предлагается преобразователь, в котором второй суб-слой расположен между первым суб-слоем и третьим суб-слоем.
Согласно другому иллюстративному варианту настоящего изобретения предлагается преобразователь, в котором полость является вакуумированной полостью. Вакуум означает не только полный вакуум, но и низкое давление, особенно давление ниже 1 атм.
Согласно иллюстративному варианту настоящего изобретения предлагается преобразователь, в котором второй электрод внедрен в мембрану.
Согласно иллюстративному варианту настоящего изобретения предлагается преобразователь, относящийся по меньшей мере к одному типу, выбранному из группы, содержащей преобразователь сжатого (collapsed) типа, преобразователь предварительно сжатого (pre-collapsed) типа, преобразователь гибкого (flex) типа и комбинацию этих типов. Предпочтительным режимом работы является режим, в котором используется (предварительно) сжатый преобразователь, когда мембрана частично прижата к дну полости. Этот режим работы дает более мощный выходной сигнал и повышенную чувствительность приема. Однако такой режим работы восприимчив к зарядке.
Согласно иллюстративному варианту настоящего изобретения предлагается система, содержащая линейную матрицу или двухмерную матрицу преобразователей по настоящему изобретению.
Сущность настоящего изобретения заключается в предотвращении зарядки преобразователей. Предотвращение зарядки позволяет получить преобразователи со стабильными характеристиками. Зарядка предотвращается или, по меньшей мере, уменьшается за счет установки по меньшей мере одного барьера. Барьер расположен на траектории носителей заряда для прерывания потока носителей заряда, начинающегося на одном электроде и направленного к другому электроду.
Следует отметить, что вышеописанные признаки можно комбинировать. Комбинация вышеописанных признаков может давать синергетические эффекты, даже если такие комбинации явно не описаны в подробностях.
Эти и другие аспекты настоящего изобретения будут более понятны из нижеследующего подробного описания вариантов.
Краткое описание чертежей
Далее следует более подробное описание изобретения со ссылками на приложенные чертежи, на которых:
Фиг. 1 изображает сечение емкостного микрообработанного ультразвукового преобразователя, в соответствии с основными принципами;
Фиг. 2 - сечение, иллюстрирующее ONO-конструкцию емкостного микрообработанного ультразвукового преобразователя;
Фиг. 3 - результаты измерений сигналов разных емкостных микрообработанных ультразвуковых преобразователей;
Фиг. 4 - результаты измерений сигнала емкостного микрообработанного ультразвукового преобразователя, согласно настоящему изобретению.
Подробное описание изобретения
Преобразователь можно изготовить КМОП-совместимым процессом, при котором используется низкая температура. Процесс осуществляют при низкой температуре потому, что совместимость с КМОП требует температуру ниже 400°С. Сначала с помощью вытравливания алюминия или поли/XeF2 формируют вакуумную полость. Затем в процессе плазмохимического осаждения из паровой [газовой] фазы формируют мембрану из нитрида кремния, вставляя в нее алюминий для использования в качестве электрода. Используются слои нитрида, нанесенные процессом плазмохимического осаждения из паровой [газовой] фазы, поскольку они имеют высокую диэлектрическую постоянную ε~7 и хорошие механические свойства (Е~250 МПа).
Управление зарядкой является ключевой проблемой для хорошей и стабильной работы емкостного микрообработанного ультразвукового преобразователя. Зарядка означает захват носителей в диэлектрическом слое и резкое изменение соответствующего электрического поля в слое диэлектрика. В результате свойства емкостного микрообработанного ультразвукового преобразователя меняются (возникает сильное влияние на электрические поля). Это влияет на входное давление, что очень нежелательно.
Преобразователи согласно настоящему изобретению соответствуют всем важным параметрам для таких устройств, например, по центральной частоте (2-20 МГц), по ширине полосы (>100%), по очень высокому выходному ультразвуковому давлению (>3 МПа), по хорошей стабильности (0,2% в течение 40 часов) и по сроку службы (>>100 часов в воде).
Два электрода можно изолировать разными способами. Одним из них является слой, состоящий только из нитрида. Недостатком такого изолирующего слоя является то, что он сильно заряжается, особенно нитридные слои, полученные низкотемпературным процессом, и содержит микроотверстия. Второй способ - это изоляционный слой, содержащий комбинацию оксид-нитрид. Такой слой предотвращает достижение электрическим зарядом нитрида, поскольку он увеличивает барьер для туннелирования дырок, которое является известным источником заряжания нитридных слоев. Кроме того, оксид-нитридные слои закрывают микроотверстия. Другой способ, согласно концепции настоящего изобретения, заключается в конфигурации ONO. Преимуществом конструкции ONO в кратком изложении является тот факт, что в устройстве емкостного микрообработанного ультразвукового преобразователя зарядка будет предотвращаться в достаточной степени. Этот эффект основан на применении слоя оксида с минимальной толщиной 5 нм. Оксид является хорошим изолятором, предотвращающим туннелирование дырок и, следовательно, зарядку нитридного слоя. Важно адекватно подобрать параметры оксида, например толщину. Минимальная толщина оксида необходима для того, чтобы увеличить барьер туннелирования, который типично превышает 5 нм. Другие преимущества слоев, имеющих конструкцию ONO, заключаются в том, что они легко могут быть получены процессом КМОП. Нарушения патентных прав легко обнаруживаются, поскольку конструкция ONO легко может быть идентифицирована. Недостаток такой конструкции ONO заключается в том, что диэлектрическая постоянная уменьшается.
Другой вариант согласно настоящему изобретению - это емкостной микрообработанный преобразователь с диэлектриком типа ON на обоих электродах для изолирования этих электродов друг от друга. Можно также использовать слой, содержащий оксид алюминия или оксид гафния. Оксид алюминия или оксид гафния имеют преимущество, заключающееся в высоком показателе ε. Однако эти материалы пока еще не совместимы с процессом КМОП. Кроме того, один только оксид имеет худший показатель ε и дает плохие свойства мембраны.
На фиг. 1 показан емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь. На чертеже показана общая конструкция преобразователя. Имеется первый слой 101, содержащий нитрид кремния, или просто нитрид. Ширина этого слоя приблизительно составляет 1 мкм. В этот слой внедрен электрод 108, размеры которого рассчитаны на напряжение около 100 В. Имеется второй слой 102, который содержит вакуумную полость 107 и еще один электрод 109. Вакуумная полость выполнена методом травления. Вакуумная полость 107 имеет высоту 0,3 мкм. На электрод 108 и на второй электрод 109 подается напряжение высокой частоты. Электрод 108 соединен с источником высокочастотного напряжения проводом 105, а электрод 109 соединен с источником высокочастотного напряжения проводом 106.
Электроды 108, 109 притягиваются друг к другу благодаря подаче на них высокочастотного напряжения и смещения постоянным током. В результате возникают колебания слоев 101, 102, в которые внедрены эти электроды. Емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь также может использоваться как датчик. Принимаемые волны давления приводят к возникновению колебаний слоев 101, 102, прилегающих к вакуумной полости 107. Эти колебания приводят к изменению емкости между электродом 108 и другим электродом 109. Изменения емкости можно измерить, например, по изменению тока, если на конструкцию подавать постоянное напряжение.
На фиг. 2 показано сечение емкостного микрообработанного ультразвукового преобразователя согласно настоящему изобретению. На чертеже показан электрод 203 (верхний электрод) и второй электрод 207 (нижний электрод), которые разделены зазором 205, например, вакуумной полостью. Согласно настоящему изобретению имеется два ONO-слоя 204 и 206, первый из которых расположен между электродом 203 и зазором 205, а второй между вторым электродом 207 и зазором 205. Эти ONO-слои создают эффект, благодаря которому не возникает зарядки, поскольку два электрода 203, 207 полностью изолированы друг от друга. ONO-слои 204, 206 содержат три суб-слоя, из которых два оксидных слуб-слоя толщиной, например, 40 нм, и один нитридный суб-слой толщиной, например, 150 нм. Типично нитридный суб-слой расположен между двумя оксидными суб-слоями. Зазор 205 выполнен травлением, например, 250 нм алюминия и 40 нм молибдена, что в результате дает зазор суммарной толщиной 290 нм. Второй нижний электрод 107 содержит суб-слой алюминия, например, толщиной 140 нм, и суб-слой молибдена толщиной 40 нм. Под вторым электродом 207 типично имеется нитридный слой 210 толщиной 100 нм. Под нитридным слоем 210 имеется оксидный слой 208 SiO2, сформированный термическим оксидированием, высотой 1000 нм. Под термооксидным слоем 208 находится кремниевая подложка 209 толщиной 670 мкм, например стандартная пластина для 6-дюймового монитора. Кремниевая подложка 209 используется как пластина основания. Электрод 203 содержит суб-слой алюминия толщиной 250 нм, и суб-слой молибдена толщиной 40 нм. Над электродом 203 имеется оксид-нитридный слой 202, в котором оксидный суб-слой имеет толщину 20 нм, а нитридный суб-слой имеет толщину 200 нм. Над этим оксид-нитридным слоем 202 расположен нитридный слой 201 толщиной 600 нм.
На фиг. 3 показано изменение сигнала во времени. Кривая 301 соответствует емкостному микрообработанному ультразвуковому преобразователю согласно настоящему изобретению. Кривая 302 соответствует емкостному микрообработанному ультразвуковому преобразователю по прототипу. Результаты 302 измерений изменяются во времени из-за изменения характеристик, вызванных зарядкой. Сигнал со временем ослабевает, и возможность использования емкостного микрообработанного ультразвукового преобразователя уменьшается. Наоборот, кривая 301 не изменяется во времени, поэтому возможность использования емкостного микрообработанного ультразвукового преобразователя по настоящему изобретения со временем не ограничивается.
На фиг. 4 показаны результаты 401 измерений емкостного микрообработанного ультразвукового преобразователя согласно настоящему изобретению в увеличенном масштабе по сравнению с кривой 301 на фиг. 3. Следует понимать, что на фиг.4 показаны типичные колебания, а не непрерывный тренд кривой 401. Очевидно, что зарядка предотвращена.
Следует отметить, что настоящее изобретение может применяться в медицинских ультразвуковых преобразователях (традиционных, изогнутых или матричных преобразователях, в катетерах), в бортовых ультразвуковых датчиках присутствия, в датчиках давления, в ультразвуковых датчиках СО2 для капнографии или в системах контроля воздуха для зданий, в датчиках уровня жидкости и качества жидкости и в датчиках отпечатков пальцев.
Следует отметить, что термин "содержащий" не исключает наличия других элементов или этапов, а единственное число не исключает наличия множества элементов или этапов. Кроме того, элементы, описанные для разных вариантов, можно комбинировать.
Следует отметить, что ссылочные позиции в формуле изобретения не следует толковать как ограничивающие объем формулы.
Хотя настоящее изобретения было показано на чертежах и подробно описано, такие чертежи и описание должны считаться иллюстративными, а не ограничительными. Настоящее изобретение не ограничено раскрытыми вариантами.
Специалистам понятно, что на основании описания, чертежей и формулы изобретения могут быть созданы и другие варианты.
ПОЗИЦИИ НА ЧЕРТЕЖАХ
101 - слой, содержащий нитрид кремния
102 - слой, содержащий вакуумную полость
103 - кремниевая подложка
104 - источник высокочастотного напряжения
105 - провод для подачи высокочастотного напряжения
106 - провод для подачи высокочастотного напряжения
107 - вакуумная полость
108 - электрод
109 - электрод
201 - слой, содержащий нитрид
202 - слой, содержащий оксид и нитрид
203 - верхний электрод
204 - слой, содержащий суб-слой оксида, суб-слой нитрида и дополнительный суб-слой оксида
205 - зазор
206 - слой, содержащий суб-слой оксида, суб-слой нитрида и дополнительный суб-слой оксида
207 - нижний электрод
208 - слой, содержащий термооксид
209 - кремниевая подложка
210 - слой, содержащий нитрид
301 - результаты измерений
302 - результаты измерений
401 - результаты измерений

Claims (13)

1. Емкостной микрообработанный ультразвуковой
преобразователь, содержащий:
кремниевую подложку(209);
полость (205);
первый электрод (207), расположенный между кремниевой подложкой (209) и полостью (205), причем первый электрод (207) расположен под полостью (205);
мембрану, расположенную над полостью (205) и напротив первого электрода (207);
второй электрод (203), причем второй электрод (203) расположен над полостью (205) и напротив первого электрода (207), причем второй электрод (203) расположен в мембране, при этом первый электрод (207) и второй электрод (203) выполнены с возможностью подачи на них напряжения; и
первый изоляционный слой (204), расположенный между первым электродом (207) и вторым электродом (203),
отличающийся тем, что
первый изоляционный слой (204) дополнительно содержит первый суб-слой, содержащий оксид, второй суб-слой, содержащий нитрид, и третий суб-слой, содержащий оксид, при этом второй суб-слой размещен между первым суб-слоем и третьим суб-слоем.
2. Преобразователь по п.1, в котором первый изоляционный слой (204) содержит оксид, толщиной по меньшей мере 5 нм.
3. Преобразователь по п.1, содержащий второй изоляционный слой (206), причем второй изоляционный слой (206) расположен между вторым электродом (203) и полостью (205), первый изоляционный слой (204) расположен между первым электродом (207) и полостью (205) , а второй изоляционный слой (206) содержит диэлектрик.
4. Преобразователь по п.3, в котором диэлектрик является слоем с высокой диэлектрической постоянной higher-k 1ауеr, таким как слой, содержащий нитрид, или оксид алюминия, или оксид гафния, или слой ONO.
5. Преобразователь по п.1, в котором давление в полости (205) ниже 1 атм.
6. Преобразователь по п.1, в котором полость (205) является вакуумированной полостью.
7. Преобразователь по п.1, в котором оксидом первого изолирующего слоя является SiO2 и/или нитридом первого изоляционного слоя является Si3N4.
8. Преобразователь по п.1, в котором второй электрод (203) внедрен в мембрану.
9. Преобразователь по п.1, в котором преобразователь относится по меньшей мере к одному типу, выбранному из группы, состоящей из:
сжатого преобразователя, предварительно сжатого преобразователя,
гибкого преобразователя и комбинации этих типов.
10. Система для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн, содержащая преобразователь по любому из предшествующих пунктов.
11. Система по п.10, содержащая линейную матрицу или двухмерную матрицу преобразователей по любому из пп.1-9.
12. Способ изготовления преобразователя по любому из пп.1-3 или 5-9, содержащий этапы, на которых
изготавливают преобразователь на кремниевой подложке,
снабжают преобразователь первым и вторым электродами, расположенными по обе стороны от полости,
отличающийся тем, что дополнительно содержит этапы, на которых поддерживают температуру процесса, используемого для изготовления преобразователя, ниже 400°С,
размещают по меньшей мере один изоляционный слой, содержащий по меньшей мере суб-слой оксида и суб-слой нитрида, между первым и вторым электродами.
13. Способ изготовления преобразователя по любому из пп.1-3 или 5-9, содержащий этап, на котором
изготавливают преобразователь пост-процессом в процессе изготовления КМОП.
RU2011115084/28A 2008-09-16 2009-09-08 Емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь RU2511671C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08305553.3 2008-09-16
EP08305553 2008-09-16
PCT/IB2009/053914 WO2010032156A2 (en) 2008-09-16 2009-09-08 Capacitive micromachined ultrasound transducer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011115084A RU2011115084A (ru) 2012-10-27
RU2511671C2 true RU2511671C2 (ru) 2014-04-10

Family

ID=42039961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011115084/28A RU2511671C2 (ru) 2008-09-16 2009-09-08 Емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9132693B2 (ru)
EP (1) EP2326432A2 (ru)
JP (1) JP5628178B2 (ru)
CN (1) CN102159334A (ru)
RU (1) RU2511671C2 (ru)
WO (1) WO2010032156A2 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11432800B2 (en) 2019-03-25 2022-09-06 Exo Imaging, Inc. Handheld ultrasound imager
RU2799791C2 (ru) * 2019-03-25 2023-07-11 Иксо Имэджинг, Инк. Ручной ультразвуковой прибор для визуализации
US11730451B2 (en) 2018-03-22 2023-08-22 Exo Imaging, Inc. Integrated ultrasonic transducers

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2021846B1 (en) 2006-05-19 2017-05-03 Koninklijke Philips N.V. Ablation device with optimized input power profile
WO2010080886A1 (en) 2009-01-09 2010-07-15 Recor Medical, Inc. Methods and apparatus for treatment of mitral valve in insufficiency
FR2962926B1 (fr) * 2010-07-23 2015-01-02 Univ Tours Francois Rabelais Procede et dispositif de generation d'ultrasons mettant en oeuvre des cmuts, et procede et systeme d'imagerie medicale.
WO2012014010A1 (en) * 2010-07-26 2012-02-02 Selim Olcum System and method for operating capacitive micromachined ultrasonic transducers
JP5875244B2 (ja) 2011-04-06 2016-03-02 キヤノン株式会社 電気機械変換装置及びその作製方法
WO2012140556A2 (en) * 2011-04-13 2012-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Temperature compensation in a cmut device
AT509922B1 (de) 2011-06-24 2013-10-15 Avl List Gmbh Kapazitiver ultraschallwandler
US8794075B2 (en) 2011-08-11 2014-08-05 Nxp, B.V. Multilayered NONON membrane in a MEMS sensor
CN103917304B (zh) 2011-10-28 2016-08-17 皇家飞利浦有限公司 具有应力层的预塌陷电容式微加工换能器单元
BR112014009698A2 (pt) * 2011-10-28 2017-05-09 Koninklijke Philips Nv célula transdutora micromanufaturada capacitiva que sofreu colapso previamente e método de fabricação da mesma
WO2013072803A1 (en) 2011-11-17 2013-05-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Pre-collapsed capacitive micro-machined transducer cell with annular-shaped collapsed region
BR112014014911A2 (pt) 2011-12-20 2017-06-13 Koninklijke Philips Nv dispositivo transdutor de ultrassom; e método de fabricação de um dispositivo transdutor de ultrassom
MX2014008852A (es) 2012-01-27 2014-10-06 Koninkl Philips Nv Transductor capacitivo micromaquinado y metodo de manufactura del mismo.
JP6209537B2 (ja) * 2012-01-27 2017-10-04 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 容量性マイクロマシン・トランスデューサ及びこれを製造する方法
BR112014029547A2 (pt) 2012-05-31 2017-06-27 Koninklijke Philips Nv placa sendo subdividida e separavel em uma pluralidade de matrizes, método de fabricação de uma placa e método de fabricação de uma matriz
JP6255396B2 (ja) * 2012-07-18 2017-12-27 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 負荷、特に、超音波トランスデューサを駆動するドライバ装置及び駆動方法
US9364862B2 (en) 2012-11-02 2016-06-14 University Of Windsor Ultrasonic sensor microarray and method of manufacturing same
US9035532B2 (en) * 2012-11-02 2015-05-19 University Of Windsor Ultrasonic sensor microarray and method of manufacturing same
EP2922707B1 (en) 2012-11-20 2022-04-27 Koninklijke Philips N.V. Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same
KR101358286B1 (ko) * 2012-11-26 2014-02-12 서울대학교산학협력단 액체와의 접촉면 변화를 이용한 에너지 전환 장치
CN103368458B (zh) * 2012-11-30 2016-01-20 北京纳米能源与系统研究所 脉冲发电机和发电机组
US9470710B2 (en) 2013-02-27 2016-10-18 Texas Instruments Incorporated Capacitive MEMS sensor devices
US9351081B2 (en) 2013-02-27 2016-05-24 Texas Instruments Incorporated Capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) with through-substrate via (TSV) substrate plug
US9857457B2 (en) 2013-03-14 2018-01-02 University Of Windsor Ultrasonic sensor microarray and its method of manufacture
KR102305274B1 (ko) * 2013-07-16 2021-09-24 더 리젠트스 오브 더 유니이버시티 오브 캘리포니아 Mut 지문 id 시스템
US9187316B2 (en) 2013-07-19 2015-11-17 University Of Windsor Ultrasonic sensor microarray and method of manufacturing same
EP3049194B1 (en) * 2013-09-24 2022-06-29 Koninklijke Philips N.V. Cmut device manufacturing method, cmut device and apparatus
US20150082890A1 (en) * 2013-09-26 2015-03-26 Intel Corporation Biometric sensors for personal devices
EP3071338B1 (en) * 2013-11-18 2022-05-11 Koninklijke Philips N.V. Ultrasound transducer assembly
US9834434B2 (en) * 2013-11-19 2017-12-05 Canon Kabushiki Kaisha Capacitive transducer and method of manufacturing the same
WO2015086413A1 (en) * 2013-12-12 2015-06-18 Koninklijke Philips N.V. Monolithically integrated three electrode cmut device
EP3103191B1 (en) * 2014-02-07 2018-07-11 The Regents of the University of California Frequency tuning and/or frequency tracking of a mechanical system with low sensitivity to electrical feedthrough
JP6553174B2 (ja) 2014-09-11 2019-07-31 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 広帯域の体内通過超音波通信システム
US9613246B1 (en) * 2014-09-16 2017-04-04 Apple Inc. Multiple scan element array ultrasonic biometric scanner
US9952095B1 (en) 2014-09-29 2018-04-24 Apple Inc. Methods and systems for modulation and demodulation of optical signals
US9979955B1 (en) 2014-09-30 2018-05-22 Apple Inc. Calibration methods for near-field acoustic imaging systems
US9824254B1 (en) 2014-09-30 2017-11-21 Apple Inc. Biometric sensing device with discrete ultrasonic transducers
US9747488B2 (en) 2014-09-30 2017-08-29 Apple Inc. Active sensing element for acoustic imaging systems
US9904836B2 (en) 2014-09-30 2018-02-27 Apple Inc. Reducing edge effects within segmented acoustic imaging systems
US9984271B1 (en) 2014-09-30 2018-05-29 Apple Inc. Ultrasonic fingerprint sensor in display bezel
US10133904B2 (en) 2014-09-30 2018-11-20 Apple Inc. Fully-addressable sensor array for acoustic imaging systems
US9607203B1 (en) 2014-09-30 2017-03-28 Apple Inc. Biometric sensing device with discrete ultrasonic transducers
EP3223709B1 (en) 2014-11-25 2019-02-20 Koninklijke Philips N.V. Ultrasound system and method
EP3229979B1 (en) 2014-12-11 2018-04-04 Koninklijke Philips N.V. Catheter transducer with staggered columns of micromachined ultrasonic transducers
US11241715B2 (en) 2015-06-30 2022-02-08 Koninklijke Philips N.V. Ultrasound system and ultrasonic pulse transmission method
JP6932085B2 (ja) 2015-07-02 2021-09-08 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． マルチモード容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ並びに関連するデバイス、システム及び方法
US9997425B2 (en) 2015-07-14 2018-06-12 University Of Windsor Layered benzocyclobutene interconnected circuit and method of manufacturing same
CN107921480B (zh) 2015-08-11 2020-08-11 皇家飞利浦有限公司 具有增加的寿命的电容式微机械超声换能器
WO2017025856A1 (en) 2015-08-11 2017-02-16 Koninklijke Philips N.V. Capacitive micromachined ultrasonic transducers with overcurrent protection
US11213855B2 (en) 2015-08-11 2022-01-04 Koninklijke Philips N.V. Capacitive micromachined ultrasonic transducers with increased patient safety
US11048902B2 (en) 2015-08-20 2021-06-29 Appple Inc. Acoustic imaging system architecture
WO2017042304A1 (en) 2015-09-10 2017-03-16 Koninklijke Philips N.V. An ultrasound system with wide depth and detailed viewing
US10275633B1 (en) 2015-09-29 2019-04-30 Apple Inc. Acoustic imaging system for spatial demodulation of acoustic waves
JP6309034B2 (ja) * 2016-01-18 2018-04-11 キヤノン株式会社 電気機械変換装置及びその作製方法
WO2017182416A1 (en) 2016-04-19 2017-10-26 Koninklijke Philips N.V. Ultrasound transducer positioning
WO2017182344A1 (en) 2016-04-19 2017-10-26 Koninklijke Philips N.V. Ultrasound transducer positioning
US11529120B2 (en) 2016-04-26 2022-12-20 Koninklijke Philips N.V. Ultrasound device contacting
CN109069107B (zh) 2016-04-26 2022-06-21 皇家飞利浦有限公司 超声设备接触
US10315222B2 (en) 2016-05-04 2019-06-11 Invensense, Inc. Two-dimensional array of CMOS control elements
US10670716B2 (en) 2016-05-04 2020-06-02 Invensense, Inc. Operating a two-dimensional array of ultrasonic transducers
US10445547B2 (en) 2016-05-04 2019-10-15 Invensense, Inc. Device mountable packaging of ultrasonic transducers
US11673165B2 (en) 2016-05-10 2023-06-13 Invensense, Inc. Ultrasonic transducer operable in a surface acoustic wave (SAW) mode
US10562070B2 (en) 2016-05-10 2020-02-18 Invensense, Inc. Receive operation of an ultrasonic sensor
US10441975B2 (en) 2016-05-10 2019-10-15 Invensense, Inc. Supplemental sensor modes and systems for ultrasonic transducers
US10539539B2 (en) 2016-05-10 2020-01-21 Invensense, Inc. Operation of an ultrasonic sensor
US10452887B2 (en) 2016-05-10 2019-10-22 Invensense, Inc. Operating a fingerprint sensor comprised of ultrasonic transducers
US10706835B2 (en) 2016-05-10 2020-07-07 Invensense, Inc. Transmit beamforming of a two-dimensional array of ultrasonic transducers
JP7132915B2 (ja) 2016-10-27 2022-09-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 組織型分析器を備える超音波システム
JP6998379B2 (ja) 2016-12-22 2022-01-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 容量性高周波微小電気機械スイッチのシステム及び動作方法
WO2018157050A1 (en) 2017-02-27 2018-08-30 Butterfly Network, Inc. Capacitive micromachined ultrasonic transducers (cmuts) and related apparatus and methods
EP3366221A1 (en) 2017-02-28 2018-08-29 Koninklijke Philips N.V. An intelligent ultrasound system
US10474862B2 (en) 2017-06-01 2019-11-12 Invensense, Inc. Image generation in an electronic device using ultrasonic transducers
JP6904814B2 (ja) * 2017-06-30 2021-07-21 キヤノン株式会社 中空構造体の製造方法、及び中空構造体
US10984209B2 (en) 2017-12-01 2021-04-20 Invensense, Inc. Darkfield modeling
US10997388B2 (en) 2017-12-01 2021-05-04 Invensense, Inc. Darkfield contamination detection
US10936841B2 (en) 2017-12-01 2021-03-02 Invensense, Inc. Darkfield tracking
US11151355B2 (en) 2018-01-24 2021-10-19 Invensense, Inc. Generation of an estimated fingerprint
US10802651B2 (en) 2018-01-30 2020-10-13 Apple Inc. Ultrasonic touch detection through display
US10755067B2 (en) 2018-03-22 2020-08-25 Invensense, Inc. Operating a fingerprint sensor comprised of ultrasonic transducers
US11986349B2 (en) 2018-05-03 2024-05-21 Bfly Operations, Inc. Ultrasound devices
EP3880372A1 (en) 2018-11-16 2021-09-22 Vermon S.A. Capacitive micromachined ultrasonic transducer and method of manufacturing the same
US10936843B2 (en) 2018-12-28 2021-03-02 Invensense, Inc. Segmented image acquisition
DE102019203829B4 (de) * 2019-03-20 2020-12-31 Vitesco Technologies GmbH Verfahren zum Herstellen einer Fluidsensorvorrichtung und Fluidsensorvorrichtung
FR3096857B1 (fr) * 2019-05-29 2021-06-25 Aer Transducteur electroacoustique capacitif ultrasonore miniaturise fonctionnant a haute tension
US11188735B2 (en) 2019-06-24 2021-11-30 Invensense, Inc. Fake finger detection using ridge features
WO2020264046A1 (en) 2019-06-25 2020-12-30 Invensense, Inc. Fake finger detection based on transient features
US11216632B2 (en) 2019-07-17 2022-01-04 Invensense, Inc. Ultrasonic fingerprint sensor with a contact layer of non-uniform thickness
US11176345B2 (en) 2019-07-17 2021-11-16 Invensense, Inc. Ultrasonic fingerprint sensor with a contact layer of non-uniform thickness
CN114175682A (zh) 2019-07-26 2022-03-11 维蒙股份公司 Cmut换能器和制造方法
US11232549B2 (en) 2019-08-23 2022-01-25 Invensense, Inc. Adapting a quality threshold for a fingerprint image
US11392789B2 (en) 2019-10-21 2022-07-19 Invensense, Inc. Fingerprint authentication using a synthetic enrollment image
US11738369B2 (en) * 2020-02-17 2023-08-29 GE Precision Healthcare LLC Capactive micromachined transducer having a high contact resistance part
WO2021183457A1 (en) 2020-03-09 2021-09-16 Invensense, Inc. Ultrasonic fingerprint sensor with a contact layer of non-uniform thickness
US11243300B2 (en) 2020-03-10 2022-02-08 Invensense, Inc. Operating a fingerprint sensor comprised of ultrasonic transducers and a presence sensor
US11950512B2 (en) 2020-03-23 2024-04-02 Apple Inc. Thin-film acoustic imaging system for imaging through an exterior surface of an electronic device housing
US11328165B2 (en) 2020-04-24 2022-05-10 Invensense, Inc. Pressure-based activation of fingerprint spoof detection
US11995909B2 (en) 2020-07-17 2024-05-28 Tdk Corporation Multipath reflection correction
US12039800B2 (en) 2021-03-31 2024-07-16 Apple Inc. Signal processing for segmented thin-film acoustic imaging systems for portable electronic devices
US12000967B2 (en) 2021-03-31 2024-06-04 Apple Inc. Regional gain control for segmented thin-film acoustic imaging systems

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050234342A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-20 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method and system for operating capacitive membrane ultrasonic transducers
US20070052093A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Shuntaro Machida Ultrasonic transducer and manufacturing method thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0832107B2 (ja) * 1986-01-31 1996-03-27 富士通株式会社 圧電振動子
US6271620B1 (en) * 1999-05-20 2001-08-07 Sen Corporation Acoustic transducer and method of making the same
JP4045090B2 (ja) * 2001-11-06 2008-02-13 オムロン株式会社 静電アクチュエータの調整方法
JP2004095918A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Fasl Japan Ltd 半導体記憶装置及び半導体装置の製造方法
KR100505679B1 (ko) * 2003-03-19 2005-08-03 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법
JP2007528153A (ja) * 2004-02-06 2007-10-04 ジョージア テック リサーチ コーポレイション Ｃｍｕｔデバイス及び製造方法
EP1882127A2 (en) * 2005-05-18 2008-01-30 Kolo Technologies, Inc. Micro-electro-mechanical transducers
US20070056925A1 (en) 2005-09-09 2007-03-15 Lam Research Corporation Selective etch of films with high dielectric constant with H2 addition
US20070180916A1 (en) 2006-02-09 2007-08-09 General Electric Company Capacitive micromachined ultrasound transducer and methods of making the same
JP2008099036A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Olympus Medical Systems Corp 超音波トランスデューサ、超音波探触子及び超音波診断装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050234342A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-20 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method and system for operating capacitive membrane ultrasonic transducers
US20070052093A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Shuntaro Machida Ultrasonic transducer and manufacturing method thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11730451B2 (en) 2018-03-22 2023-08-22 Exo Imaging, Inc. Integrated ultrasonic transducers
US11432800B2 (en) 2019-03-25 2022-09-06 Exo Imaging, Inc. Handheld ultrasound imager
RU2799791C2 (ru) * 2019-03-25 2023-07-11 Иксо Имэджинг, Инк. Ручной ультразвуковой прибор для визуализации
US12059300B2 (en) 2019-03-25 2024-08-13 Exo Imaging, Inc. Handheld ultrasound imager

Also Published As

Publication number Publication date
JP5628178B2 (ja) 2014-11-19
CN102159334A (zh) 2011-08-17
JP2012503355A (ja) 2012-02-02
US20110163630A1 (en) 2011-07-07
RU2011115084A (ru) 2012-10-27
US9132693B2 (en) 2015-09-15
WO2010032156A3 (en) 2010-12-29
WO2010032156A2 (en) 2010-03-25
US9539854B2 (en) 2017-01-10
US20150162851A1 (en) 2015-06-11
EP2326432A2 (en) 2011-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2511671C2 (ru) Емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь
CN101772383B (zh) 具有高k电介质的cmut
EP1781067B1 (en) CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER (cMUT) AND ITS PRODUCTION METHOD
KR101518776B1 (ko) 전기기계 변환장치 및 그 제조방법
CN101378605B (zh) 超声波换能器及其制造方法、超声波诊断装置及超声波显微镜
US6271620B1 (en) Acoustic transducer and method of making the same
JP4124867B2 (ja) 変換装置
JP6329491B2 (ja) 荷電電圧源を有する容量性マイクロマシン加工超音波トランスデューサ装置
US9768518B2 (en) Microelectronic wireless transmission device
JP2007074263A (ja) 超音波トランスデューサおよびその製造方法
US10190930B2 (en) Micro feedback-chamber sensor and method of manufacturing such sensor
US7305096B2 (en) Dynamic pressure sensing structure
CN109990814B (zh) 一种基于悬空结构的压电微机械超声传感器
US9586233B2 (en) Capacitive micromachined ultrasound transducers with pressurized cavities
CN105036058B (zh) 集成化电容式微加工超声换能器及其制备方法
KR102253210B1 (ko) 전하 포획층을 가지는 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서 및 이의 제조 방법
CN114014254A (zh) 一种mems结构
JP5240900B2 (ja) エレクトレット構造及びその形成方法並びにエレクトレット型静電容量センサ
CN216752096U (zh) 一种麦克风及电子设备
US10868231B2 (en) Micromechanical component and production method for a micromechanical component
JP2001099734A (ja) 半導体容量式圧力センサ
Xu et al. Improved performance CMUT-on-CMOS devices using ALD hafnium oxide insulation layer
CN107275473B (zh) 具有至少一个第一类型的电极、第二类型的电极和至少一个铁电驻极体的转换器
CN116140172A (zh) 具有改进的膜振荡阻尼的mems超声换能器器件及其制造工艺