RU2471713C2 - Способ получения сложного ванадата цинка и кадмия - Google Patents

Способ получения сложного ванадата цинка и кадмия Download PDF

Info

Publication number
RU2471713C2
RU2471713C2 RU2011111505/02A RU2011111505A RU2471713C2 RU 2471713 C2 RU2471713 C2 RU 2471713C2 RU 2011111505/02 A RU2011111505/02 A RU 2011111505/02A RU 2011111505 A RU2011111505 A RU 2011111505A RU 2471713 C2 RU2471713 C2 RU 2471713C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
temperature
hours
mixture
dielectric constant
air
Prior art date
Application number
RU2011111505/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011111505A (ru
Inventor
Татьяна Илларионовна Красненко
Ольга Николаевна Леонидова
Original Assignee
Учреждение Российской академии наук Институт химии твердого тела Уральского отделения РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Учреждение Российской академии наук Институт химии твердого тела Уральского отделения РАН filed Critical Учреждение Российской академии наук Институт химии твердого тела Уральского отделения РАН
Priority to RU2011111505/02A priority Critical patent/RU2471713C2/ru
Publication of RU2011111505A publication Critical patent/RU2011111505A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2471713C2 publication Critical patent/RU2471713C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

Изобретение относится к химическим соединениям, которые могут быть использованы в качестве диэлектрических составов для изготовления керамики, применяемой в конденсаторах, входящих в электрические схемы с целью подавления пульсаций, разделения постоянной и переменной составляющей электрического сигнала. Готовят исходную смесь ингредиентов, содержащую Zn2V2O7 и Cd2V2O7, взятые в соотношении (0,6÷0,8):(0,4÷0,2), соответственно. Осуществляют перетирание смеси при добавлении 1-2 мл этилового спирта на 3-5 граммов смеси. Проводят обжиг на воздухе при температуре 700-710°C в течение 5-6 часов с последующим измельчением и обжиг на воздухе при температуре 750-760°C в течение 40-42 часов, при этом измельчение проводят после 10 часов обжига. Получается диэлектрический материал, диэлектрическая проницаемость которого не зависит от температуры в широком интервале температур. 2 ил., 3 пр.

Description

Изобретение относится к химическим соединениям, которые могут быть использованы в качестве диэлектрических составов для изготовления керамики, применяемой в конденсаторах, входящих в электрические схемы с целью подавления пульсаций, разделения постоянной и переменной составляющей электрического сигнала.
Известен способ получения диэлектрической композиции, включающей титанат бария с добавками Co3O4 и Nb2O5 (Хамова Т.В., Панова Т.И., Виноградова К.А., Рубинштейн О.В., Ротенберг Б.А. "Модификация порошка титаната бария введением Co3O4, Nb2O5", Первая Всероссийская конференция «Золь-гель синтез и исследование неорганических соединений, гибридных функциональных материалов и дисперсных систем». Тезисы докладов, 22-24 ноября 2010 года, Санкт-Петербург, с.158). Для получения известного диэлектрического материала порошок BaTiO3 обрабатывают золь-гель методом с введением в качестве добавок к исходному керамическому компоненту Co3O4 в виде навески порошка и Nb2O5 - путем осаждения из раствора Nb2Cl5 в этаноле. Затем отжигают при 1300°C или 1340°C.
Недостатком известного материала является значительное изменение диэлектрической проницаемости и коэффициента диэлектрической проницаемости в температурном интервале. Так, в температурном интервале от -60°C до +125°C диэлектрическая проницаемость изменяется от -8,1% до -38,6% в случае отжига при температуре 1300°C и от -12,6% до -44,0% в случае отжига при температуре 1340°C.
Таким образом, перед авторами стояла задача разработать способ получения диэлектрического материала, диэлектрическая проницаемость которого не зависит от температуры в широком интервале температур. Кроме того, диэлектрический материал должен быть пригоден для работы на воздухе при нормальном давлении и повышенной температуре.
Поставленная задача решена в способе получения сложного ванадата Zn2-2xCd2xV2O7, где 0,2≤x<0,4; включающем приготовление исходной смеси ингредиентов, содержащей Zn2V2O7 и Cd2V2O7, взятых в соотношении (0,6÷0,8):(0,4÷0,2), соответственно, перетирание смеси при добавлении 1-2 мл этилового спирта на 3-5 граммов смеси, обжиг на воздухе при температуре 700-710°C в течение 5-6 часов с последующим измельчением и обжиг на воздухе при температуре 750-760°C в течение 40-42 часов, при этом измельчение проводят после 10 часов обжига.
В настоящее время в патентной и научно-технической литературе не известен способ получения сложных ванадатов цинка и кадмия предлагаемого состава и структуры, обладающих низким температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости.
Известные диэлектрические керамические материалы содержат, как правило, титанаты циркония, никеля, бария, кальция, их взаимные твердые растворы и/или их комбинацию. Отличительной негативной особенностью этих керамических материалов является сильная зависимость диэлектрической проницаемости от температуры, характеризуемая температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости 1/ε*dε/dT. Для подавления или сглаживания этой зависимости в керамические материалы вводят добавки оксидов щелочных, щелочноземельных, переходных и редкоземельных металлов. Тем не менее, известные диэлектрики обеспечивают недостаточное постоянство диэлектрической проницаемости в широком интервале температур. Авторами предлагается способ получения химического соединения состава Zn2-2xCd2xV2O7, где 0,2≤x≤0,4; температурная зависимость диэлектрической проницаемости которого обладает следующими характеристиками. Экспериментальным путем установлено, что в интервале температур от +50°C до +400°C диэлектрическая проницаемость ε=0,5×10+4 и практически постоянна во всем указанном интервале. Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости при этом близок к нулю и равен 0,72% (см. фиг.1, где приведена температурная зависимость диэлектрической проницаемости состава Zn1,2Cd0,8V2O7). Неизменное значение диэлектрической проницаемости в широком температурном интервале обусловлено, по-видимому, постоянной величиной объема элементарной ячейки при этих температурах, так как авторами установлено, что в интервале температур от +50°C до +400°C температурный коэффициент объемного расширения приблизительно равен нулю. Отсутствие объемного расширения в достаточно широком интервале температур значительно улучшает рабочие характеристики материала, позволяя избежать структурных изменений материала.
Соединение состава Zn2-2xCd2xV2O7, где 0,2≤x≤0,4; может быть получено следующим образом. Берут навески порошков сложных оксидов Zn2V2O7 и Cd2V2O7 при их соотношении, равном (0,6÷0,8):(0,4÷0,2), соответственно, которые тщательно перетирают при добавлении 1-2 мл этилового спирта на 3-5 граммов смеси. Затем шихту помещают в алундовый тигель и обжигают в печи в атмосфере воздуха при температуре 700-710°C в течение 5-6 часов с последующим измельчением смеси, а затем при температуре 750-760°C в течение 40-42 часов с измельчением после 10 часов обжига. Контроль фазовой однородности полученного продукта проводят методом рентгенофазового анализа (РФА). Получают твердый раствор состава Zn2-2xCd2xV2O7, где 0,2≤x≤0,4 со структурой искаженного тортвейтита. Измерения емкости полученного соединения проводят с помощью цифрового моста SI-1260 на частоте 103 Гц в диапазоне температур 20-700°C. Нагревание ячейки с образцом в виде цилиндра высотой d и площадью основания S с платиновыми электродами осуществляют в печи в атмосфере воздуха с точностью ±1 градус. Значения диэлектрической проницаемости рассчитывают по формуле ε=C×d/S, где С электрическая емкость образца, d - высота, S - площадь основания.
Исследования, проведенные авторами, позволили сделать вывод, что соединение состава Zn2-2xCd2xV2O7, где 0,2≤x≤0,4; обладающее свойством, которое позволяет использовать его в качестве диэлектрического материала, диэлектрическая проницаемость которого не зависит от температуры и, кроме того, обладающего близким к нулевому коэффициентом объемного термического расширения, может быть получено только при условии соблюдения соотношения компонентов исходной шихты и параметров, заявленных в предлагаемом способе. Так, при несоблюдении заявленных интервалов соотношения сложных оксидов в исходной шихте, а также при снижении температуры обжига ниже 700°C или при повышении ее выше 750°C и при выходе за заявленные значения временного интервала, в конечном продукте появляются примесные фазы сложных цинк-кадмиевых оксидов, кристаллизующихся в других полиморфных модификациях, при этом в температурной зависимости диэлектрической проницаемости наблюдается увеличение температурного коэффициента.
Способы получения нового соединения иллюстрируются следующими примерами.
Пример 1. Берут 2,0680 г Zn2V2O7 и 1,7548 г Cd2V2O7 (соотношение равно 0,6:0,4), тщательно перетирают в агатовой ступке с добавлением 2 мл этилового спирта. Затем шихту помещают в алундовый тигель и обжигают в печи в атмосфере воздуха при температуре 700°C в течение 5 часов. Затем печь охлаждают произвольно до комнатной температуры, вынимают спеченный продукт, помещают в агатовую ступку и тщательно перетирают без добавления спирта. Полученный порошок снова помещают в тот же тигель и обжигают в печи при 750°C в течение 10 часов. Затем снова печь охлаждают до комнатной температуры и продукт обрабатывают, как описано выше, после чего обжигают в печи при 750°C в течение 30 часов. После охлаждения печи до комнатной температуры готовый продукт извлекают. По данным рентгенофазового анализа получают однофазный продукт со структурой искаженного тортвейтита состава Zn1,2Cd0,8V2O7. Параметры ячейки равны а=7,095 Ǻ; в=8,625 Ǻ; с=4,990; β=107,42°. На фиг.1 представлена температурная зависимость диэлектрической проницаемости полученного соединения. В области температур от +50°C до 400°C диэлектрическая проницаемость равна ε=0,5×10+4 и не зависит от температуры, температурный коэффициент диэлектрической проницаемости практически равен нулю. Неизменность диэлектрической проницаемости в области температур от +50°C до 400°C сопровождается близким к нулевому коэффициентом объемного термического расширения (фиг.2).
Пример 2. Берут 2,4126 г Zn2V2O7 и 1,3161 г Cd2V2O7 (соотношение равно 0,7:0,3), тщательно перетирают в агатовой ступке с добавлением 2 мл этилового спирта. Затем шихту помещают в алундовый тигель и обжигают в печи в атмосфере воздуха при температуре 710°C в течение 6 часов. Затем печь охлаждают произвольно до комнатной температуры, вынимают спеченный продукт, помещают в агатовую ступку и тщательно перетирают без добавления спирта. Полученный порошок снова помещают в тот же тигель и обжигают в печи при 760°C в течение 10 часов. Затем снова печь охлаждают до комнатной температуры и продукт обрабатывают, как описано выше, после чего обжигают в печи при 760°C в течение 32 часов. После охлаждения печи до комнатной температуры готовый продукт извлекают. По данным рентгенофазового анализа получают однофазный продукт со структурой искаженного тортвейтита состава Zn1,4Cd0,62O7. Параметры ячейки равны а=7,100 Ǻ; в=8,550 Ǻ; с=5,010; β=108,23°. В области температур от +50°C до 400°C диэлектрическая проницаемость равна ε=0,5×10+4 и не зависит от температуры, температурный коэффициент диэлектрической проницаемости практически равен нулю.
Пример 3. Пример 2. Берут 2,7573 г Zn2V2O7 и 0,8774 г Cd2V2O7 (соотношение равно 0,8:0,2), тщательно перетирают в агатовой ступке с добавлением 2 мл этилового спирта. Затем шихту помещают в алундовый тигель и обжигают в печи в атмосфере воздуха при температуре 710°C в течение 6 часов. Затем печь охлаждают произвольно до комнатной температуры, вынимают спеченный продукт, помещают в агатовую ступку и тщательно перетирают без добавления спирта. Полученный порошок снова помещают в тот же тигель и обжигают в печи при 760°C в течение 10 часов. Затем снова печь охлаждают до комнатной температуры и продукт обрабатывают, как описано выше, после чего обжигают в печи при 760°C в течении 32 часов. После охлаждения печи до комнатной температуры готовый продукт извлекают. По данным рентгенофазового анализа получают однофазный продукт со структурой искаженного тортвейтита состава Zn1,6Cd0,4V2O7. Параметры ячейки равны а=7,112 Ǻ; в=8,490 Ǻ; с=5,026; β=108,92°. В области температур от +50°C до 400°C диэлектрическая проницаемость равна ε=0,5×10+4 и не зависит от температуры, температурный коэффициент диэлектрической проницаемости практически равен нулю.
Таким образом, авторами предлагается способ получения сложного ванадата цинка и кадмия в качестве диэлектрического материала, диэлектрическая проницаемость которого не зависит от температуры в широком интервале температур. Причем в этом же температурном интервале коэффициент объемного термического расширения имеет значения, близкие к нулю. При этом диэлектрический материал пригоден для работы на воздухе при нормальном давлении и повышенной температуре.

Claims (1)

  1. Способ получения сложного ванадата цинка и кадмия Zn2-2xCd2xV2O7, где 0,2≤x≤0,4, включающий приготовление исходной смеси ингредиентов, содержащей Zn2V2O7 и Cd2V2O7, взятых в соотношении (0,6÷0,8):(0,4÷0,2) соответственно, перетирание смеси при добавлении 1-2 мл этилового спирта на 3-5 г смеси, обжиг на воздухе при температуре 700-710°C в течение 5-6 ч с последующим измельчением и обжиг на воздухе при температуре 750-760°C в течение 40-42 ч, при этом измельчение проводят после 10 ч обжига.
RU2011111505/02A 2011-03-25 2011-03-25 Способ получения сложного ванадата цинка и кадмия RU2471713C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011111505/02A RU2471713C2 (ru) 2011-03-25 2011-03-25 Способ получения сложного ванадата цинка и кадмия

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011111505/02A RU2471713C2 (ru) 2011-03-25 2011-03-25 Способ получения сложного ванадата цинка и кадмия

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011111505A RU2011111505A (ru) 2012-09-27
RU2471713C2 true RU2471713C2 (ru) 2013-01-10

Family

ID=47078201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011111505/02A RU2471713C2 (ru) 2011-03-25 2011-03-25 Способ получения сложного ванадата цинка и кадмия

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2471713C2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103130276A (zh) * 2013-02-28 2013-06-05 安徽工业大学 一种钒酸镉纳米棒的制备方法
CN106186063A (zh) * 2016-07-20 2016-12-07 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 一种纳米级钒酸锌的制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109264781B (zh) * 2018-09-05 2021-06-11 合肥国轩高科动力能源有限公司 Cd2V2O7纳米材料及其制备方法、Cd2V2O7复合电极

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1253358A1 (ru) * 1984-09-18 1996-01-10 Ереванский политехнический институт им.К.Маркса Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления
RU2132856C1 (ru) * 1997-11-25 1999-07-10 Браткова Любовь Робертовна Светотрансформирующий материал и композиция для его получения
SU460711A1 (ru) * 1973-01-02 2000-03-10 Институт катализа СО АН СССР Способ получения ванадатов
US6485557B1 (en) * 2000-07-06 2002-11-26 Dmc2 Degussa Metals Catalysts Cerdec Ag Manganese vanadium oxide pigments
JP2004160327A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 National Institute For Materials Science MOx−ZnO複合酸化亜鉛光触媒とその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU460711A1 (ru) * 1973-01-02 2000-03-10 Институт катализа СО АН СССР Способ получения ванадатов
SU1253358A1 (ru) * 1984-09-18 1996-01-10 Ереванский политехнический институт им.К.Маркса Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления
RU2132856C1 (ru) * 1997-11-25 1999-07-10 Браткова Любовь Робертовна Светотрансформирующий материал и композиция для его получения
US6485557B1 (en) * 2000-07-06 2002-11-26 Dmc2 Degussa Metals Catalysts Cerdec Ag Manganese vanadium oxide pigments
JP2004160327A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 National Institute For Materials Science MOx−ZnO複合酸化亜鉛光触媒とその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
КРАСНЕНКО Т.И. Ванадаты двухвалентных металлов: термические и химические деформации, фазовые равновесия, автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора химических наук. - Челябинск, 2008, с.6, 13, 15. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103130276A (zh) * 2013-02-28 2013-06-05 安徽工业大学 一种钒酸镉纳米棒的制备方法
CN106186063A (zh) * 2016-07-20 2016-12-07 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 一种纳米级钒酸锌的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2011111505A (ru) 2012-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111763082B (zh) 一种钛酸锶钡基介质陶瓷材料及其制备方法和应用
US7697263B2 (en) High-temperature dielectric materials and capacitors made therefrom
Wang et al. Enhanced energy storage and fast charge-discharge capability in Ca0. 5Sr0. 5TiO3-based linear dielectric ceramic
JP2011011963A (ja) セラミックス材料、及びキャパシタ
RU2471713C2 (ru) Способ получения сложного ванадата цинка и кадмия
Rehman et al. The effects of SiO2 addition on the phase, microstructure, dielectric, and energy storage properties of BaTiO3-based ceramics
Narang et al. Frequency and temperature dependence of dielectric and electric properties of BaSmTiO with structural analysis
JPS597665B2 (ja) 高誘電率磁器組成物
JPH0583508B2 (ru)
JPS6128619B2 (ru)
Zhong et al. Solubility limits and microwave dielectric properties of Ba6− 3xSm8+ 2xTi18O54 solid solution
JP2010076958A (ja) 圧電セラミックス、及びその製造方法
Chen et al. Microstructure and dielectric properties of La2O3 doped Ti-rich barium strontium titanate ceramics for capacitor applications
RU2683432C1 (ru) Способ получения диэлектрического материала на основе силиката цинка
JP5742938B2 (ja) 単板コンデンサ
JP2011157252A (ja) 圧電セラミックス及びその製造方法
JP2010006623A (ja) 圧電セラミックス及びその製造方法
CN101723665A (zh) 可中温烧结的高温度稳定性电介质陶瓷及其制备方法
JP2009227483A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0817057B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPS6216481B2 (ru)
JPH0562403B2 (ru)
RU2588242C1 (ru) Способ получения диэлектрического материала на основе ниобата кадмия
JP2762831B2 (ja) 半導体磁器組成物の製造方法
CN113754427A (zh) 一种高介电常数x8r型钛酸钡基介电材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150326