RU2683432C1 - Способ получения диэлектрического материала на основе силиката цинка - Google Patents
Способ получения диэлектрического материала на основе силиката цинка Download PDFInfo
- Publication number
- RU2683432C1 RU2683432C1 RU2018109717A RU2018109717A RU2683432C1 RU 2683432 C1 RU2683432 C1 RU 2683432C1 RU 2018109717 A RU2018109717 A RU 2018109717A RU 2018109717 A RU2018109717 A RU 2018109717A RU 2683432 C1 RU2683432 C1 RU 2683432C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- hours
- dielectric
- temperature
- stage
- zinc silicate
- Prior art date
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 title claims abstract description 10
- XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N zinc silicate Chemical compound [Zn+2].[O-][Si]([O-])=O XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 abstract 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 6
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
Abstract
Изобретение относится к получению диэлектрических материалов на основе силиката цинка со структурой виллемита, которые могут быть использованы для изготовления керамики, применяемой в конденсаторах, входящих в электрические схемы с целью накопления электрического заряда, подавления пульсаций, изготовления колебательных контуров. Способ включает получение смеси оксидов цинка, меди и кремния при стехиометрическом соотношении ZnO:CuO:SiO= 1,95:0,05:1, которую подвергают высокотемпературному отжигу в две стадии. I стадию проводят при 900-910°С в течение 10-11 часов; II стадию – при 1010-1020°С в течение 40-42 часов с промежуточным измельчением через каждые 10 часов. Полученный материал обладает диэлектрической проницаемостью ε=8,5, и температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости ТКЕ = -40 ррm/°С в широком интервале температур от +25°С до 500°С. При этом диэлектрический материал пригоден для работы на воздухе при нормальном атмосферном давлении и повышенной температуре. 1 ил., 2 пр.
Description
Изобретение относится к получению диэлектрических материалов, которые могут быть использованы в качестве диэлектрических составов для изготовления установочной керамики, применяемой в конденсаторах, входящих в электрические схемы с целью накопления электрического заряда, подавления пульсаций, изготовления колебательных контуров.
Известен способ получения диэлектрического материала на основе силиката цинка со структурой виллемита Cu2+ : Zn2SiO4 (Babu B.Ch., Kumar K.N., Rudramadevia B.H., Buddhudu S. «Synthesis, Structural and Dielectric Properties of Co2+, Ni2+ and Cu2+ : Zn2SiO4 Nanoceramics by a Sol-gel Method" // Ferroelectrics Letters, Vol. 41, 2014 год, P. 28-43). Для получения известного материала исходные вещества (SiOC2H5)4 (источник SiO2) и Zn(NO3)2⋅6H2O в соотношении 2:1 отдельно растворяют в этаноле и перемешивают в течение 15 минут, CuCl2⋅6Н2О в количестве 0,05 мол. % растворяют в деионизированной воде и перемешивают в течение 10 минут, затем растворы, содержащие ионы цинка и меди смешивают и добавляют к раствору SiO2, полученному каталитическим гидролизом (SiOC2H5)4 после добавления к его раствору 0,2 мл HCl и перемешивания. Итоговый раствор упаривают при постоянном перемешивании в течение 12 часов при температурах 75-80°С, затем сушат 2-3 дня на воздухе и 12 часов при 120°С. Полученный ксерогель отжигают в течение 2 часов при 1000°С.
Недостатками известного способа являются большая величина температурного коэффициента диэлектрической проницаемости ТКЕ = -50 ppm / °С наряду с невысоким значением диэлектрической проницаемости ε, которая равна 5,1 при 25-300°С на частоте 103 Гц. Кроме того, использование в качестве одного из исходных реагентов хлорида меди CuCl2, приводит к выделению в процессе синтеза в газовую фазу соединений хлора, опасных в экологическом плане.
Таким образом, перед авторами стояла задача разработать экологически безопасный способ получения диэлектрического материала на основе силиката цинка, который бы обладал более низким температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости наряду с повышенным значением диэлектрической проницаемости.
Поставленная задача решена в предлагаемом способе получения диэлектрического материала на основе силиката цинка, включающем высокотемпературный отжиг, в котором смесь соответствующих оксидов металлов при соотношении ZnO : CuO : SiO2 = 1,95:0,05:1 подвергают высокотемпературному отжигу в две стадии: I стадия - 900-910°С в течение 10-11 часов; II стадия - 1010-1020°С в течение 40-42 часов с промежуточным измельчением через каждые 10 часов.
В настоящее время не известен способ получения диэлектрического материала на основе допированного медью силиката цинка со структурой виллемита, включающий двухстадийный отжиг в определенных температурных и временных интервалах.
Экспериментальным путем установлено, что в интервале температур от +25°С до +500°С для полученного керамического материала диэлектрическая проницаемость ε=8,5 и практически постоянна во всем указанном интервале (см. фиг. 1). Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКЕ = -40 ppm / °С.
Исследования, проведенные авторами, позволили сделать вывод, что материал на основе допированного медью силиката цинка со структурой виллемита, обладающий повышенной диэлектрической проницаемостью наряду с низким температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости может быть получен только при условии соблюдения параметров отжига. При понижении температуры обжига на первой стадии ниже 900°С, на второй стадии ниже 1000°С и при выходе за заявленные значения временного интервала получают конечный продукт с примесью непрореагировавшего оксида двухвалентной меди. При повышении температуры отжига на первой стадии выше 910°С, на второй стадии выше 1020°С в конечном продукте появляется примесная фаза оксида одновалентной меди, при этом наблюдается уменьшение диэлектрической проницаемости в интервале температур от +25°С до +500°С.
Диэлектрический керамический материал на основе допированного медью силиката цинка со структурой виллемита может быть получен следующим образом. Готовят смесь порошков оксидов CuO, ZnO и SiO2 при их соотношении, равном 0,05:1,95:1, соответственно, которую тщательно перетирают при добавлении 3-4 мл этилового спирта на 3-5 граммов смеси. Затем смесь помещают в платиновый тигель и обжигают в печи в атмосфере воздуха при температуре 900-910°С в течение 10-11 часов с последующим измельчением смеси, а затем при температуре 1000-1020°С в течение 40-42 часов с измельчением после каждых 10 часов обжига. Контроль фазового состава полученного продукта проводят методом рентгенофазового анализа (РФА). Получают материал состава Zn1.95Cu0.05SiO4. Измерения емкости полученного материала проводят с помощью цифрового моста SI-1260 на частоте 103 Гц в диапазоне температур 25-500°С. Нагревание ячейки с образцом в виде цилиндра высотой d и площадью основания S с платиновыми электродами осуществляют в печи в атмосфере воздуха с точностью ±1 градус. Значения диэлектрической проницаемости рассчитывают по формуле ε=C×d/S, где С электрическая емкость образца, d - высота, S - площадь основания. Расчет температурного коэффициента диэлектрической проницаемости проводят по формуле ТКЕ=1/ε×dε/dt, где dε/dt отношение изменения диэлектрической проницаемости к величине температурного интервала.
Способы получения нового диэлектрического материала иллюстрируются следующими примерами.
Пример 1. Берут 2,8497 г порошка ZnO, 0,0714 г порошка CuO и 1.0789 порошка SiO2 (соотношение равно 1,95:0,05:1), тщательно перетирают в агатовой ступке с добавлением 3 мл этилового спирта. Затем смесь помещают в платиновый тигель и обжигают в печи в атмосфере воздуха при температуре 900°С в течение 10 часов. Затем печь охлаждают произвольно до комнатной температуры, вынимают спеченный продукт, помещают в агатовую ступку и тщательно перетирают без добавления спирта. Полученный порошок снова помещают в тот же тигель и обжигают в печи при 1010°С в течение 40 часов с промежуточным измельчением через каждые 10 часов. При этом печь охлаждают до комнатной температуры, продукт помещают в агатовую ступку и тщательно перетирают без добавления спирта. По данным рентгенофазового анализа получают продукт состава Zn1.95Cu0.05SiO4. В области температур от +25°С до +500°С диэлектрическая проницаемость равна ε=8,5, температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКЕ = -40 ppm / °С.
Пример 2. Берут 2,8497 г порошка ZnO, 0,0714 г порошка CuO и 1.0789 порошка SiO2 (соотношение равно 1,95:0,05:1), тщательно перетирают в агатовой ступке с добавлением 3 мл этилового спирта. Затем смесь помещают в платиновый тигель и обжигают в печи в атмосфере воздуха при температуре 910°С в течение 11 часов. Затем печь охлаждают произвольно до комнатной температуры, вынимают спеченный продукт, помещают в агатовую ступку и тщательно перетирают без добавления спирта. Полученный порошок снова помещают в тот же тигель и обжигают в печи при 1010°С в течение 42 часов с промежуточным измельчением через каждые 10 часов. При этом печь охлаждают до комнатной температуры, продукт помещают в агатовую ступку и тщательно перетирают без добавления спирта. По данным рентгенофазового анализа получают продукт, состоящий из Zn1.95Cu0.05SiO4. В области температур от +25°С до 500°С диэлектрическая проницаемость равна ε=8,5, температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКЕ = -40 ppm / °С.
Таким образом, авторами предлагается экологически безопасный способ получения диэлектрического материала на основе силиката цинка со структурой виллемита с диэлектрическая проницаемость равна ε=8,5, и температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости ТКЕ = -40 ppm / °С в широком интервале температур от +25°С до 500°С. При этом диэлектрический материал пригоден для работы на воздухе при нормальном атмосферном давлении и повышенной температуре.
Claims (1)
- Способ получения диэлектрического материала на основе силиката цинка со структурой виллемита, включающий высокотемпературный отжиг, отличающийся тем, что смесь оксидов соответствующих металлов при соотношении ZnO:CuO:SiO2 = 1,95:0,05:1 подвергают высокотемпературному отжигу в две стадии: I стадия – 900-910°С в течение 10-11 часов; II стадия – 1010-1020°С в течение 40-42 часов с промежуточным измельчением через каждые 10 часов.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018109717A RU2683432C1 (ru) | 2018-03-20 | 2018-03-20 | Способ получения диэлектрического материала на основе силиката цинка |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018109717A RU2683432C1 (ru) | 2018-03-20 | 2018-03-20 | Способ получения диэлектрического материала на основе силиката цинка |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2683432C1 true RU2683432C1 (ru) | 2019-03-28 |
Family
ID=66089601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018109717A RU2683432C1 (ru) | 2018-03-20 | 2018-03-20 | Способ получения диэлектрического материала на основе силиката цинка |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2683432C1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4925703A (en) * | 1988-12-22 | 1990-05-15 | Gte Products Corporation | Firing and milling method for producing a manganese activated zinc silicate phosphor |
| RU2084488C1 (ru) * | 1994-02-11 | 1997-07-20 | Российский химико-технологический университет им.Д.И.Менделеева | Способ получения люминофора на основе ортосиликата цинка |
| US20020091058A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-07-11 | Yoshio Umayahara | Glass ceramics dielectric material and sintered glass ceramics |
| CN104211383B (zh) * | 2014-08-26 | 2016-01-20 | 河南科技大学 | 一种低温烧结Zn2SiO4微波介质陶瓷的方法 |
-
2018
- 2018-03-20 RU RU2018109717A patent/RU2683432C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4925703A (en) * | 1988-12-22 | 1990-05-15 | Gte Products Corporation | Firing and milling method for producing a manganese activated zinc silicate phosphor |
| RU2084488C1 (ru) * | 1994-02-11 | 1997-07-20 | Российский химико-технологический университет им.Д.И.Менделеева | Способ получения люминофора на основе ортосиликата цинка |
| US20020091058A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-07-11 | Yoshio Umayahara | Glass ceramics dielectric material and sintered glass ceramics |
| CN104211383B (zh) * | 2014-08-26 | 2016-01-20 | 河南科技大学 | 一种低温烧结Zn2SiO4微波介质陶瓷的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| BABU B.Ch. et al. "Synthesis, Structural and Dielectric Properties of Co 2+ , Ni 2+ and Cu 2+ :Zn 2 SiO 4 Nanoceramics by sol-gel Method", Ferroelectric Letters Section, 2014, vol.41, p.28-43. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Singh et al. | Synthesis, characterisation, luminescence and defect centres in solution combustion synthesised CaZrO3: Tb3+ phosphor | |
| CN102320825B (zh) | 一种低温烧结微波介质陶瓷及其烧结方法 | |
| CN104211391B (zh) | 温度稳定型中介电常数微波介电陶瓷Bi3La5Ti7O26 | |
| CN104003722B (zh) | 可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷Li3AlV2O8及其制备方法 | |
| CN102795852A (zh) | 一种新型ltcc低频介质陶瓷电容器材料 | |
| CN101774803B (zh) | 一种(Ba,Sr)TiO3基陶瓷介质及其制备方法 | |
| Singh et al. | Luminescence properties of Sm3+ doped LaP3O9 phosphors | |
| Zuo et al. | High dielectric, piezoelectric, upconversion photoluminescence and low-temperature sensing properties in Ba 0.7 Sr 0.3 TiO 3-BaZr 0.2 Ti 0.8 O 3: Ho/Yb ceramics | |
| Sayyadi-Shahraki et al. | Microwave dielectric properties and chemical compatibility with silver electrode of Li2TiO3 ceramic with Li2O–ZnO–B2O3 glass additive | |
| RU2683432C1 (ru) | Способ получения диэлектрического материала на основе силиката цинка | |
| Gao et al. | Microstructure and dielectric properties of low temperature sintered ZnNb2O6 microwave ceramics | |
| CN103708838A (zh) | 一种低温烧结制备具有单斜结构ZnZrNb2O8微波介质陶瓷新方法 | |
| RU2471713C2 (ru) | Способ получения сложного ванадата цинка и кадмия | |
| Roof et al. | Crystal growth of a new series of complex niobates, LnKNaNbO5 (Ln= La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, and Tb): structural properties and photoluminescence | |
| Zhu et al. | Synthesis and characterization of Er3+-doped SrNb2O6 phosphor for FIR based thermometer | |
| Zhao et al. | Photoluminescence properties of Tb-doped and (Zn, Tb) co-doped barium strontium titanate crystalline powders | |
| Singh et al. | Perovskite SrZrO 3: Ho 3+ phosphors: synthesis, structure, Judd–Ofelt analysis and photoluminescence properties | |
| CN104003721B (zh) | 可低温烧结的微波介电陶瓷Li2W2Zn3O10及其制备方法 | |
| JP4604247B2 (ja) | テルビウム・ビスマス・タングステン酸化物固溶体からなる電気伝導材料及びその製造方法 | |
| Mandoki et al. | Hydrothermal synthesis of doped PZT powders: sintering and ceramic properties | |
| Orlova et al. | The fluorite-like Ln 5 Mo 3 O 16+ δ family extension: LiLn 4 Mo 3 O 15 F (Ln= Eu, Gd, or Dy) ceramics | |
| KR101866717B1 (ko) | BiFeO3-BaTiO3-BiGaO3 무연 세라믹스 조성물 및 그의 제조방법 | |
| Han et al. | Novel Raman spectroscopy of a strong high-k diffuse phase transition (Ba1− xSmx)(Ti0. 95− x/4Ce0. 05) O3 ceramics | |
| RU2446105C1 (ru) | Способ получения титанатов щелочноземельных металлов или свинца | |
| CN104119075A (zh) | 一种利用H3BO3掺杂降低刚玉型Mg4Ta2O9微波介质陶瓷烧结温度新方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20210321 |