RU2468472C2 - Источник света с регулируемой точкой белого, в котором применяется элемент преобразования длины волны - Google Patents

Источник света с регулируемой точкой белого, в котором применяется элемент преобразования длины волны Download PDF

Info

Publication number
RU2468472C2
RU2468472C2 RU2009127111/28A RU2009127111A RU2468472C2 RU 2468472 C2 RU2468472 C2 RU 2468472C2 RU 2009127111/28 A RU2009127111/28 A RU 2009127111/28A RU 2009127111 A RU2009127111 A RU 2009127111A RU 2468472 C2 RU2468472 C2 RU 2468472C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light
wavelength
microcircuits
light emitting
wavelength conversion
Prior art date
Application number
RU2009127111/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2009127111A (ru
Inventor
Серж Й. БИРХЭЙЗЕН
Герард ХАРБЕРС
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=39190282&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2468472(C2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В., ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2009127111A publication Critical patent/RU2009127111A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2468472C2 publication Critical patent/RU2468472C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/04—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being switches
    • F21V23/0442—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being switches activated by means of a sensor, e.g. motion or photodetectors
    • F21V23/0457—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being switches activated by means of a sensor, e.g. motion or photodetectors the sensor sensing the operating status of the lighting device, e.g. to detect failure of a light source or to provide feedback to the device
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/20—Controlling the colour of the light
    • H05B45/22—Controlling the colour of the light using optical feedback
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

Изобретение относится к источнику света, который производит белый свет. Заявленный источник однородного света высокой яркости содержит, по меньшей мере, две микросхемы светоизлучающих диодов одинакового типа, каждая из которых производит свет с длинами волн, которые отличаются на 5 нм или более, и элемент преобразования длины волны, который включает в себя, по меньшей мере, два материала преобразования длины волны, которые преобразуются свет в разные цвета. Интенсивность света, производимого микросхемами светоизлучающих диодов, варьируется, чтобы предоставить регулируемую коррелированную цветовую температуру точки белого. Элемент преобразования длины волны может представлять собой, например, пакет или смесь из люминофора или люминесцентной керамики. Более того, процесс изготовления источника света упрощается, поскольку все микросхемы светоизлучающих диодов изготовляются посредством одной и той же технологии, что устраняет необходимость в изготовлении разных типов микросхем. Технический результат - упрощение изготовления и управления источником света с регулируемой точкой белого. 2 н. и 26 з.п. ф-лы, 10 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к источнику света, который производит белый свет, и, в частности, к источнику света, в котором применяется множество светоизлучающих диодов и который производит свет с требуемой коррелированной цветовой температурой.
В последнее время наблюдается тенденция замены обычных ламп накаливания на светоизлучающие диоды (СИДы). Например, светофоры и тормозные фонари изготовляются с применением СИДов. Замена обычных ламп накаливания на СИДы целесообразна, поскольку лампы накаливания неэффективны по сравнению с СИДами, например, в части энергопотребления и долговечности.
Тем не менее, в некоторых приложениях освещения существуют проблемы для замены ламп накаливания на СИДы. Например, в некоторых достойных внимания приложениях освещения, таких как направленные или точечные лампы, требуется белый свет с конкретной коррелированной цветовой температурой (КЦТ). Замена ламп накаливания на СИДы в подобных приложениях проблематична из-за сложности управления спектральным распределением, то есть КЦТ или точкой белого СИДов. Более того, при замене ламп накаливания важно, чтобы источник света СИД имел компактный форм-фактор, то есть, чтобы он был не длиннее ламп накаливания. Это создает сложности. Сверх того, существует необходимость в лампах с регулируемым цветом, который можно менять, например, исходя из настроения, сцены и личных предпочтений. Соответственно, желательны усовершенствования в источниках света СИД, которые могут производить белый свет.
Согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения предоставлен источник белого света с регулируемой КЦТ, в котором применяется множество микросхем СИД с немного отличными длинами волны накачки и элемент преобразования длины волны, который включает в себя, по меньшей мере, два разных материала преобразования длины волны, которые преобразуют свет в разные цвета. Элемент преобразования длины волны принимает свет из множества микросхем СИД и преобразует, по меньшей мере, часть света в разные цвета. Элемент преобразования длины волны может представлять собой, например, пакет или смесь из люминофора или люминесцентной керамики. Интенсивность света, производимого микросхемами СИД, может меняться, чтобы варьировать интенсивность, по меньшей мере, света одного цвета, преобразованного элементом преобразования длины волны, чтобы управлять точкой белого получающегося в результате света. Более того, путем использования микросхем СИД одного типа множество микросхем СИД могут быть установлены ближе друг к другу на одной или более основах, в результате чего обеспечивается компактный дизайн, обеспечивающий высокую яркость.
Фиг.1 - вид сбоку источника света согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения;
Фиг.2 - перспектива матрицы из СИДов, которая может быть использована с источником света;
Фиг.3 - вид сбоку направленной лампы, в которой используются СИДы разных цветов;
Фиг.4 - вид сверху СИДов, использованных в направленной лампе с Фиг.3;
Фиг.5-8 - схематические виды сбоку различных вариантов осуществления элемента преобразования длины волны;
Фиг.9 - график, иллюстрирующий спектр поглощения и излучения для зеленой, красной и алюминиево-иттриевой гранатовой пластин люминофора, которые могут быть скомпонованы или смешаны для формирования элемента преобразования длины волны;
Фиг.10 - еще один вариант осуществления источника света.
Согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения источник света однородной высокой яркости с регулируемой КЦТ точки белого формируется, используя элемент преобразования длины волны вместе с множеством микросхем СИД с немного отличающимися длинами волны накачки. Элемент преобразования длины волны включает в себя, по меньшей мере, два разных материала преобразования длины волны, которые преобразуют свет в разные цвета и могут представлять собой, например, пакет или смесь люминофора или люминесцентной керамики. Поскольку КЦТ получающегося устройства может регулироваться для генерации удовлетворительного белого света, данный источник света может быть применен для, например, приложений точечной или направленной лампы или для других приложений, где требуются компактные размеры источника белого света.
Фиг.1 представляет собой вид сбоку источника 100 света согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. Источник 100 света может генерировать свет с регулируемой КЦТ, и данный источник 100 света может быть использован, например, в качестве приложения направленного света. Источник 100 света включает в себя матрицу из СИДов 102, которые могут быть установлены на радиаторе 104. Элемент 110 преобразования длины волны установлен поверх матрицы из СИДов 102 и удерживается, например, посредством опор 105, которые установлены на радиаторе 104 или интегрированы с ним. Отражательная оптика 106 установлена так, чтобы фокусировать свет от элемента 110 преобразования длины волны и чтобы формировать требуемый шаблон распределения света. Отражающая оптика 106 может быть установлена на радиаторе 104, например, посредством опор 105, чтобы принимать свет от элемента 110 преобразования длины волны. В одном варианте осуществления на отражающей оптике 106 может быть установлен детектор 120 интенсивности, который может быть соединен со схемой 122 возбуждения. Детектор 120 интенсивности может представлять собой, например, спектрометр, причем в других вариантах осуществления может использоваться множество детекторов, имеющих спектральные фильтры с разными диапазонами длин волн, как проиллюстрировано с помощью детектора 121. Детектор 120 интенсивности измеряет интенсивность света, генерируемого элементом 110 преобразования длины волны, и в ответ схема 122 возбуждения управляет интенсивностью отдельных СИДов 102 в матрице. Например, схема 122 возбуждения может использовать импульсную модуляцию или управление током, чтобы менять интенсивность определенного кристалла. Альтернативно, схема 122 возбуждения может просто выключать или увеличивать мощность, подаваемую на определенный кристалл.
СИДы 102 в матрице генерируют свет одного общего цвета, например синего, но цвет специально отличается по длине волны на заметную величину, например, примерно на 5 нм, 10 нм, 20 нм или более, но меньше, чем примерно 50 нм. Применение СИДов одного цвета полезно, поскольку все СИДы изготовляются с использованием одной и той же технологии формирования кристалла. Соответственно, общий процесс изготовления упрощается, поскольку нет необходимости в изготовлении СИДов разных типов. Более того, установка СИДов 102 упрощается, поскольку требования в части установки одинаковы для всех СИДов 102. Соответственно, СИДы 102 могут быть установлены близко друг к другу на одной и той же основе. При желании может использоваться более одной основы, как проиллюстрировано посредством пунктирной линии 103. Следует понимать, что СИДы могут быть электрически сгруппированы, причем в заданной группе СИДы отличаются друг от друга на менее чем 5 нм, но другие СИДы или группы СИДов в матрице отличаются на более чем 5 нм.
Фиг.2 представляет собой перспективу матрицы из микросхем СИД 102, которая может быть использована с источником 100 света. Как описано выше, СИДы 102 изготовляются по одной и той же технологии формирования кристаллов, что позволяет устанавливать кристаллы ближе друг к другу на, по меньшей мере, одной основе 130, тем самым повышая яркость. На основе 130 также установлены схемы 131 электростатического разряда. Основа 130, которая может быть сформирована из керамического или другого подходящего материала, прикреплена к подложке 132 с множеством электрических контактов 134, изготовленной по технологии Напрямую Связанной Меди (Direct Bond Copper, DBC). DBC-подложка 132 соединена с радиатором 104, показанным на Фиг.1, посредством механической закрепки или другого подходящего механизма, такого как эпоксидная смола. Как описано выше, два или более СИДов 102 излучают свет одного и того же общего цвета, например, синего, но с немного разными длинами волн. Например, СИДы 102a, 102b и 102c генерируют свет с длинами волн примерно 430 нм, 450 нм и 470 нм соответственно.
Для сравнения на Фиг.3 показан вид сбоку направленной лампы 10, в которой используются СИДы 12 разных цветов, а на Фиг.4 показан вид сверху этих СИДов 12. В лампе 10 используются различные типы СИДов 12, например, синие СИДы 12b, зеленые СИДы 12g и красные СИДы 12r, чтобы генерировать разные цвета. СИДы 12 установлены на радиаторе 14. Поскольку СИДы 12 производят свет разного цвета, для смешивания света используется интегрирующий стержень 16. Контур интегрирующего стержня 16 проиллюстрирован на Фиг.4 посредством пунктирной окружности, однако интегрирующий стержень 16 может иметь другую геометрическую форму, такую как шестиугольная. Как показано на Фиг.3, на конце интегрирующего стержня 16 установлена линза 18, которая используется для генерации требуемого распределения света.
По сравнению с описанным выше источником 100 света применение разных типов СИДов 12 может привести к уменьшению яркости, а также к сложностям при изготовлении. Например, разные типы СИДов 12 должны быть изготовлены по отдельности. Более того, разные типы СИДов 12 должны соответствовать разным требованиям в части монтажа. Соответственно, как проиллюстрировано на Фиг.4, разные СИДы 12 установлены на разных основах 13, что увеличивает площадь источника света из-за относительно больших зазоров между СИДами 12. Соответственно, у лампы 10 есть недостатки в виде потери яркости, а также увеличении размеров. Сверх того, поскольку СИДы 12 производят свет разного цвета, свет должен быть смешан посредством, например, длинного интегрирующего стержня 16, в результате чего у направленной лампы 10 получаются большие размеры.
Ссылаясь на Фиг.1, элемент 110 преобразования длины волны включает в себя два или более материалов преобразования длины волны. Например, элемент 110 преобразования длины волны может представлять собой пакет из разных материалов преобразования длины волны, например, пакет из множества слоев люминофора. Альтернативно, элемент 110 преобразования длины волны может представлять собой единый слой, который содержит смесь множества люминофоров. В одном варианте осуществления элемент 110 преобразования длины волны может представлять собой пакет разной люминесцентной керамики, или он может представлять собой единую люминесцентную керамику, которая содержит смесь разных типов люминесцентных материалов. Например, могут быть использованы такие люминесцентные керамики, как YAG, SSON, BSSN и/или eCAS. Таким образом, элемент 110 преобразования длины волны производит свет, который хорошо смешан и не требует интегрирующей оптики. Соответственно, источник 100 света может иметь компактный дизайн и производить однородный свет.
На Фиг.5-8 схематически показаны виды сбоку разных вариантов осуществления элемента 110 преобразования длины волны, который удерживается опорами 5 над матрицей из СИДов 102. Например, на Фиг.5 проиллюстрирован элемент 110 преобразования длины волны, который включает в себя разные слои 111, 112 и 113 преобразования длины волны, которые содержат разные материалы преобразования длины волны. Слои 111, 112, 113 могут представлять собой, например, пластины люминофора и/или люминесцентную керамику. Слои 111, 112 и 113 преобразования длины волны содержат материалы, которые излучают Зеленый, Красный и Желтый свет соответственно. Фиг.6 иллюстрирует многоцветный элемент 110 преобразования длины волны в виде единого слоя 114, который содержит, например, смесь материалов, излучающих Зеленый, Красный и Желтый свет. Как показано на Фиг.7, возможны другие варианты осуществления элемента 110 преобразования длины волны. В данном варианте осуществления разные материалы 115, 116 и 117 преобразования длины волны, расположены друг за другом в горизонтальном направлении, а не в вертикальном. На Фиг.8 проиллюстрирован еще один вариант осуществления, в котором элемент 110 преобразования длины волны включает в себя горизонтально расположенные материалы 118 и 119 преобразования длины волны и отверстие 110a, через которое излучается непреобразованный свет накачки.
Следует понимать, что Фиг.5-8 представляют собой примеры элемента 110 преобразования длины волны, который включает в себя два или более материалов преобразования длины волны. При желании можно использовать разные варианты осуществления или комбинации разных вариантов осуществления, показанных на Фиг.5-8. Например, Фиг.5 и 6 могут быть комбинированы, чтобы получить пакет из слоев преобразования длины волны, в которых один слой содержит смесь из двух или более материалов, преобразующих длину волны. Альтернативно, горизонтально расположенные материалы, преобразующие длину волны, и/или отверстие (например, Фиг.7 и 8) могут быть включены в пакет или смесь материалов, преобразующих длину волны (например, Фиг.5 и 6). Материалы, преобразующие длину волны, могут быть сформированы путем напыления покрытия или трафаретной печати на отдельной несущей пластине. Например, в случае трафаретной печати разные материалы, преобразующие длину волны, могут быть напечатаны как разные точки, расположенные рядом друг с другом. С точки зрения смешения цвета может быть полезным обеспечить некоторое расстояние между материалами преобразования длины волны и СИДами.
Два или более материала преобразования длины волны в элементе 110 преобразования длины волны имеют разные характеристики поглощения и возбуждения. Путем изменения интенсивности света от двух или более СИДов 102, которые отличаются по длине волны на существенную величину, спектральное распределение результирующего света, то есть совокупности света, исходящего вперед из элемента 110 преобразования длины волны, и света накачки из СИДов 102, передаваемый сквозь элемент 110 преобразования длины волны, может регулироваться таким образом, чтобы производить желаемую КЦТ точки белого при номинальном значении.
Фиг.9 представляет собой график, иллюстрирующий спектр поглощения и излучения для пластин зеленого, красного и алюминиево-иттриевого гранатового люминофора, которые могут быть скомпонованы или смешаны для формирования элемента 110 преобразования длины волны. Как можно заметить, алюминиево-иттриевый гранат имеет узкий спектр поглощения, тогда как красный и зеленый люминофоры имеют гораздо более широкие спектры поглощения.
На Фиг.9 с помощью пунктирных линий также проиллюстрированы длины волн 430 нм, 450 нм и 470 нм, которые могут быть произведены посредством СИДов 102a, 102b и 102c, как описано выше. Путем управления интенсивностью разных длин волн, производимых СИДами 102, точка белого может изменяться. Например, путем варьирования интенсивности синего света на длине 450 нм можно изменять отношение преобразованного в YAG (желтый) света относительно света, преобразованного в Красный (и Зеленый). Если СИДы 102 производят синий свет с большей интенсивностью на длинах волн, поглощаемых посредством YAG, то есть на длине 450 нм, то излучение YAG увеличится, тем самым производя более теплый белый свет. Путем уменьшения интенсивности синего света на длине 450 нм посредством YAG поглощается меньше света, что приводит к уменьшению излучения YAG и более холодному белому свету. Аналогично, вариация интенсивности других длин волн, то есть 430 нм и 470 нм, также может использоваться для варьирования точки белого результирующего света.
Регулирование интенсивности света, производимого СИДами 102, может быть выполнено в течение изготовления источника 100 света, то есть путем тестирования света, производимого собранной лампой 100, и регулирования и настройки интенсивности разных СИДов 102a, 102b и 102c, чтобы произвести желаемую точку белого. Альтернативно, может использоваться детектор 120 интенсивности, как проиллюстрировано на Фиг.1. В еще одном варианте осуществления элемент 110 преобразования длины волны может регулироваться, например, путем изменения толщины одного из слоев преобразования длины волны в пачке, чтобы произвести желаемую КЦТ результирующего света. В еще одном приложении конечному пользователю предоставляется возможность регулировать цвет лампы в соответствии с требованиями или пожеланиями конечного пользователя путем изменения отношения токов, подаваемых на разные СИДы (или на разные группы СИДов).
На Фиг.10 проиллюстрирован еще один вариант осуществления источника 200 света, который включает в себя матрицу из СИДов 202, которая включает в себя, по меньшей мере, два СИДа, которые излучают свет с одинаковым общим цветом, но с существенно разными длинами волн, а также элемент 210 преобразования длины волны, который включает в себя, по меньшей мере, два разных материала преобразования длины волны. Матрица из СИДов 202 установлена на радиаторе 204. Коллиматорный элемент 206 приблизительно коллимирует свет, излучаемый СИДами 202, который проходит сквозь элемент 208 выбора длины волны, такой как дихроичный фильтр, который, например, пропускает синий свет и отражает свет с большей длиной волны. Концентрирующий элемент 209 концентрирует свет на элементе 210 преобразования длины волны. Часть света, излучаемая обратно от элемента 210 преобразования длины волны, повторно используется элементом 208 выбора длины волны, который отражает свет обратно на элемент 210 преобразования длины волны. Отражающий элемент 212 установлен так, чтобы фокусировать свет от элемента 210 преобразования длины волны и чтобы формировать требуемый шаблон распределения света. Как показано на Фиг.10, источник 200 света может включать в себя детектор 220 интенсивности и, при желании, схему 222 возбуждения, которая может быть схожа со схемой, описанной со ссылкой на источник 100 света.
Несмотря на то что для целей разъяснения настоящее изобретение проиллюстрировано в привязке к конкретным вариантам осуществления, оно не ограничивается этими вариантами осуществления. В рамках объема настоящего изобретения могут быть выполнены различные адаптации и модификации. Следовательно, сущность и объем прилагаемой формулы изобретения не следует ограничивать вышеизложенным описанием.

Claims (28)

1. Источник света, содержащий: по меньшей мере, две микросхемы светоизлучающих диодов одинакового типа, каждая из которых производит свет с длинами волн, которые отличаются на 5 нм или более;
элемент преобразования длины волны, установленный так, чтобы принимать свет, излучаемый, по меньшей мере, двумя микросхемами светоизлучающих диодов, причем элемент преобразования длины волны содержит по меньшей мере два разных материала преобразования длины волны, которые преобразуют свет из по меньшей мере двух микросхем светоизлучающих диодов в разные цвета света; и
схема возбуждения, соединенная, по меньшей мере, с двумя микросхемами светоизлучающих диодов, схема возбуждения управляет интенсивностью света, излучаемого одной из, по меньшей мере, двух микросхем светоизлучающих диодов независимо от интенсивности света, излучаемого посредством другой микросхемы из, по меньшей мере, двух светоизлучающих диодов.
2. Источник света по п.1, в котором элемент преобразования длины волны содержит пакет пленок, преобразующих длину волны.
3. Источник света по п.1, в котором элемент преобразования длины волны содержит смесь из разных материалов преобразования длины волны, который преобразует свет из, по меньшей мере, двух микросхем светоизлучающих диодов в разные цвета света.
4. Источник света по п.3, в котором смесь разных материалов, преобразующих длину волны, приблизительно однородна.
5. Источник света по п.1, в котором элемент преобразования длины волны содержит одну или более люминесцентных керамик.
6. Источник света по п.1, в котором элемент преобразования длины волны содержит один или более слоев люминофора.
7. Источник света по п.1, дополнительно содержащий, по меньшей мере, одну основу, причем, по меньшей мере, две микросхемы светоизлучающего диода устанавливаются на, по меньшей мере, одну основу.
8. Источник света по п.7, дополнительно содержащий: радиатор, на котором установлена, по меньшей мере, одна основа; и опору, которая соединена с радиатором, причем опора удерживает элемент преобразования длины волны.
9. Источник света по п.7, в котором, по меньшей мере, одна основа представляет собой одну основу, и, по меньшей мере, две микросхемы светоизлучающих диодов установлены на упомянутой одной основе.
10. Источник света по п.1, дополнительно содержащий: по меньшей мере, один детектор света, расположенный так, чтобы принимать свет, производимый элементом преобразования длины волны, и чтобы производить сигнал в ответ на детектированную интенсивность света; и схему возбуждения, соединенную с, по меньшей мере, двумя микросхемами светоизлучающих диодов и, по меньшей мере, одним детектором света, причем схема возбуждения управляет интенсивностью света, излучаемого, по меньшей мере, одной из микросхем светоизлучающих диодов, в соответствии с сигналом, произведенным, по меньшей мере, одним детектором света.
11. Источник света по п.1, дополнительно содержащий элемент выбора длины волны, расположенный между, по меньшей мере, двумя микросхемами светоизлучающих диодов и элементом преобразования длины волны.
12. Источник света по п.11, дополнительно содержащий: коллиматорный элемент, расположенный между, по меньшей мере, двумя микросхемами светоизлучающих диодов и элементом выбора длины волны; и концентрирующий элемент, расположенный между элементом выбора длины волны и элементом преобразования длины волны.
13. Источник света по п.1, в котором, по меньшей мере, две микросхемы светоизлучающих диодов производят свет, длины волн которого отличаются на 50 нм или менее.
14. Способ управления точкой белого источника света, содержащий этапы, на которых: производят свет из множества микросхем светоизлучающих диодов одинакового типа, по меньшей мере, две микросхемы, производящих свет с разным диапазоном длин волн, которые отличаются на более чем примерно 5 нм; преобразуют части света из множества микросхем светоизлучающих диодов в, по меньшей мере, два разных цвета света, используя элемент преобразования длины волны, и пропускают другие части света из множества микросхем светоизлучающих диодов через элемент преобразования длины волны, чтобы производить комбинированный преобразованный и проходящий свет; и управляют точкой белого комбинированного преобразованного и проходящего света путем изменения интенсивности света из, по меньшей мере, одной микросхемы светоизлучающего диода, чтобы изменить интенсивность, по меньшей мере, одного цвета света, преобразованного посредством элемента преобразования длины волны независимо от интенсивности света из других микросхем светоизлучающих диодов.
15. Способ по п.14, дополнительно содержащий этап, на котором устанавливают множество микросхем светоизлучающих диодов на, по меньшей мере, одной основе.
16. Способ по п.15, дополнительно содержащий этапы, на которых: устанавливают, по меньшей мере, одну основу на радиаторе; и устанавливают элемент преобразования длины волны над множеством микросхем светоизлучающих диодов на опоре, которая соединена с радиатором.
17. Способ по п.14, в котором преобразование частей света из множества микросхем светоизлучающих диодов выполняется в пакете пленок, преобразующих длину волны, которые образуют элемент преобразования длины волны.
18. Способ по п.17, в котором пакет пленок, преобразующих длину волны, содержит одну или более люминесцентных керамик.
19. Способ по п.17, в котором пакет пленок, преобразующих длину волны, содержит один или более слоев люминофора.
20. Способ по п.14, в котором преобразование частей света из множества микросхем светоизлучающих диодов выполняется посредством смеси разных материалов, преобразующих длину волны, в элементе преобразования длины волны.
21. Способ по п.20, в котором смесь разных материалов, преобразующих длину волны, приблизительно однородна.
22. Способ по п.14, дополнительно содержащий этапы, на которых: детектируют комбинированный преобразованный и проходящий свет и производят сигнал в ответ; и изменяют интенсивность света из, по меньшей мере, одной микросхемы светоизлучающего диода в ответ на сигнал, произведенный посредством детектора света.
23. Способ по п.22, в котором детектирование и изменение выполняется непрерывно или периодически.
24. Способ по п.22, в котором детектирование и изменение выполняется только один раз.
25. Способ по п.14, дополнительно содержащий этапы, на которых пропускают свет из множества микросхем светоизлучающих диодов сквозь элемент выбора длины волны и отражают обратно преобразованный свет из элемента преобразования длины волны посредством элемента выбора длины волны.
26. Способ по п.25, дополнительно содержащий этапы, на которых: приблизительно коллимируют свет из множества микросхем светоизлучающих диодов до его пропускания сквозь элемент выбора длины волны и концентрируют свет из множества микросхем светоизлучающих диодов после его пропускания сквозь элемент выбора длины волны и до его попадания на элемент преобразования длины волны.
27. Способ по п.14, дополнительно содержащий этап, на котором производят свет из, по меньшей мере, одной группы микросхем светоизлучающих диодов, причем каждая микросхема в группе производит свет с диапазоном длин волн, которые отличаются менее чем на 5 нм.
28. Способ по п.14, в котором каждая микросхема производит свет с разным диапазоном длин волн, которые отличаются менее чем на 50 нм.
RU2009127111/28A 2006-12-15 2007-12-12 Источник света с регулируемой точкой белого, в котором применяется элемент преобразования длины волны RU2468472C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/611,351 2006-12-15
US11/611,351 US7902560B2 (en) 2006-12-15 2006-12-15 Tunable white point light source using a wavelength converting element
PCT/IB2007/055063 WO2008072196A1 (en) 2006-12-15 2007-12-12 Tunable white point light source using a wavelength converting element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009127111A RU2009127111A (ru) 2011-01-20
RU2468472C2 true RU2468472C2 (ru) 2012-11-27

Family

ID=39190282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009127111/28A RU2468472C2 (ru) 2006-12-15 2007-12-12 Источник света с регулируемой точкой белого, в котором применяется элемент преобразования длины волны

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7902560B2 (ru)
EP (1) EP2102909A1 (ru)
JP (1) JP2010514153A (ru)
KR (1) KR20090096627A (ru)
CN (2) CN102439721A (ru)
BR (1) BRPI0720065A2 (ru)
RU (1) RU2468472C2 (ru)
TW (1) TWI497744B (ru)
WO (1) WO2008072196A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2633551C2 (ru) * 2013-06-18 2017-10-13 Дексериалз Корпорейшн Лист люминофора

Families Citing this family (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7798692B2 (en) 2003-03-26 2010-09-21 Optim, Inc. Illumination device
US20090185392A1 (en) * 2003-03-26 2009-07-23 Optim, Inc. Detachable illumination system
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9335006B2 (en) * 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
KR20080049947A (ko) * 2006-12-01 2008-06-05 엘지전자 주식회사 방송 시스템, 인터페이스 방법, 및 데이터 구조
EP2117416A1 (en) * 2007-01-10 2009-11-18 Optim, Inc. Endoscope with detachable elongation portion
US8203260B2 (en) * 2007-04-13 2012-06-19 Intematix Corporation Color temperature tunable white light source
US7942556B2 (en) * 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
US9086213B2 (en) * 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
US7984999B2 (en) 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
US20090190371A1 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Optim, Inc. Monolithic illumination device
TW200946829A (en) * 2008-02-21 2009-11-16 Koninkl Philips Electronics Nv GLS-alike LED light source
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
KR20100134779A (ko) * 2008-04-23 2010-12-23 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 장치
WO2009134433A2 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Light Prescriptions Innovators, Llc Remote-phosphor led downlight
US20110116520A1 (en) 2008-07-07 2011-05-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Eye-safe laser-based lighting
KR20110034695A (ko) 2008-08-05 2011-04-05 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 편광 감응 발광 다이오드들을 기초로 하는 조정가능한 백색 광
JP5079635B2 (ja) * 2008-08-20 2012-11-21 シャープ株式会社 照明機器
US8858032B2 (en) 2008-10-24 2014-10-14 Cree, Inc. Lighting device, heat transfer structure and heat transfer element
US9425172B2 (en) * 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
DE102009005907A1 (de) * 2009-01-23 2010-07-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US7956546B2 (en) * 2009-05-15 2011-06-07 Bridgelux, Inc. Modular LED light bulb
US8384114B2 (en) 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
US9547119B2 (en) 2009-07-14 2017-01-17 Philips Lighting Holding B.V. Color temperature variable light emitter
US8273588B2 (en) * 2009-07-20 2012-09-25 Osram Opto Semiconductros Gmbh Method for producing a luminous device and luminous device
US8598809B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
DE102009040095B4 (de) * 2009-09-04 2013-07-04 Olympus Winter & Ibe Gmbh Medizinische Leuchte mit Leuchtstoffschicht
JP2013513200A (ja) * 2009-12-04 2013-04-18 オスラム ゲーエムベーハー 共にモールドされた光センサを有するｌｅｄ発光モジュール
US8511851B2 (en) * 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
US8384121B2 (en) 2010-06-29 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. Electronic devices with yielding substrates
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
US8104908B2 (en) * 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
US9431584B2 (en) 2010-06-03 2016-08-30 3M Innovative Properties Company Light converting and emitting device with suppressed dark-line defects
US8835963B2 (en) 2010-06-04 2014-09-16 3M Innovative Properties Company Light converting and emitting device with minimal edge recombination
WO2011153153A1 (en) * 2010-06-04 2011-12-08 3M Innovative Properties Company Multicolored light converting led with minimal absorption
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
US8437517B2 (en) 2010-11-03 2013-05-07 Lockheed Martin Corporation Latent fingerprint detectors and fingerprint scanners therefrom
DE102010062463A1 (de) * 2010-12-06 2012-06-06 Osram Ag Leuchtvorrichtung
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
EP2678604A4 (en) * 2011-02-23 2016-06-01 Wavien Inc LED ARRANGEMENT LIGHTING SYSTEM WITH RECYCLING POSSIBILITY
TW201248083A (en) 2011-03-17 2012-12-01 Rambus Inc Adjustable light source, and light bulb with adjustable light source
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
DE102011079697A1 (de) * 2011-07-25 2013-01-31 Osram Ag Beleuchtungsvorrichtung
US8449129B2 (en) * 2011-08-02 2013-05-28 Xicato, Inc. LED-based illumination device with color converting surfaces
US8403529B2 (en) * 2011-08-02 2013-03-26 Xicato, Inc. LED-based illumination module with preferentially illuminated color converting surfaces
US8669722B2 (en) 2011-08-12 2014-03-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Color temperature adjustment for LED lamps using switches
US20150241350A1 (en) 2011-08-26 2015-08-27 Edward J. Miesak Latent fingerprint detection
DE102011083564A1 (de) * 2011-09-27 2013-03-28 Osram Gmbh Led-lichtsystem mit verschiedenen leuchtstoffen
US20130093362A1 (en) * 2011-10-13 2013-04-18 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing tunable light emitting device with remote wavelength conversion
US9170436B2 (en) 2011-10-31 2015-10-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Luminescent stacked waveguide display
CN102540656B (zh) * 2011-11-15 2014-12-31 深圳市光峰光电技术有限公司 发光装置及投影系统
GB2497950A (en) * 2011-12-22 2013-07-03 Sharp Kk Laser and Phosphor Based Light Source for Improved Safety
DE102012200023B4 (de) * 2012-01-02 2018-01-25 Osram Oled Gmbh Leuchte
DE102012101393A1 (de) * 2012-02-21 2013-08-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US20130221848A1 (en) * 2012-02-24 2013-08-29 Lockheed Martin Corporation System, method and computer program product for reducing a thermal load on an ultraviolet flash lamp
CN103292163A (zh) * 2012-03-01 2013-09-11 欧司朗股份有限公司 照明装置和包括该照明装置的灯具
CN104160213B (zh) 2012-03-08 2019-01-22 飞利浦照明控股有限公司 发光装置及用于制造发光装置的方法
EP2637224B1 (en) * 2012-03-09 2019-04-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device, illumination apparatus and system using same
US9231178B2 (en) 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
DE102012105208A1 (de) 2012-06-15 2013-12-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlichtquelle
DE102012210743A1 (de) * 2012-06-25 2014-01-02 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit lichtsensor
JP2014017344A (ja) * 2012-07-09 2014-01-30 Olympus Corp 光源装置
CN102788279B (zh) * 2012-08-03 2015-01-28 珠海市集利发展有限公司 Led光室
DE102012107290A1 (de) 2012-08-08 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Konversionsmittelplättchen und Verfahren zur Herstellung eines Konversionsmittelplättchens
US9490402B2 (en) * 2012-08-17 2016-11-08 Zhiqiang Qian LED light-emitting device for white light
US9574728B2 (en) 2012-08-30 2017-02-21 The Regents Of The University Of California Laser-driven white lighting system for high-brightness applications
WO2014036409A2 (en) * 2012-08-30 2014-03-06 The Regents Of The University Of California High-power, laser-driven, white light source using one or more phosphors
DE102012215702A1 (de) * 2012-09-05 2014-03-06 Osram Gmbh Beleuchtungseinrichtung
US20140168963A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-19 Musco Corporation Multi-led lens with light pattern optimization
DE102013206154A1 (de) * 2013-04-08 2014-10-09 Zumtobel Lighting Gmbh Leuchtvorrichtung mit variabel einstellbarer Lichtfarbe
US10788678B2 (en) 2013-05-17 2020-09-29 Excelitas Canada, Inc. High brightness solid state illumination system for fluorescence imaging and analysis
CN105309046B (zh) * 2013-06-20 2018-12-14 飞利浦照明控股有限公司 包括至少两组led的照明装置
DE102013106519A1 (de) * 2013-06-21 2014-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung zur Erzeugung von Mischlicht und Verfahren zum Betrieb einer Anordnung von Mischlicht
CN103840067A (zh) * 2013-12-31 2014-06-04 吴震 波长转换装置和发光装置
DE102014100771A1 (de) 2014-01-23 2015-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements und Licht emittierendes Bauelement
WO2016054082A1 (en) * 2014-10-01 2016-04-07 Koninklijke Philips N.V. Light source with tunable emission spectrum
US10091852B2 (en) * 2014-10-24 2018-10-02 Phoseon Technology, Inc. Lighting system and methods for reducing noise at light sensing device
US9995440B2 (en) 2014-12-08 2018-06-12 Intematix Corporation Color temperature tunable and dimmable solid-state linear lighting arrangements
JP6877342B2 (ja) 2014-12-16 2021-05-26 シグニファイ ホールディング ビー ヴィＳｉｇｎｉｆｙ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｂ．Ｖ． 照明装置、照明システム、並びに前記照明装置及び前記照明システムの使用
WO2016096387A1 (en) * 2014-12-16 2016-06-23 Philips Lighting Holding B.V. Working light, lighting system and use thereof
US9804096B1 (en) 2015-01-14 2017-10-31 Leidos Innovations Technology, Inc. System and method for detecting latent images on a thermal dye printer film
CN108353476B (zh) 2015-05-26 2020-08-18 昕诺飞控股有限公司 可切换的高颜色对比度照明
EP3104474A1 (en) * 2015-06-08 2016-12-14 Jabil Circuit Belgium NV Enhanced eye-safe laser based lighting
US9970629B2 (en) * 2015-10-19 2018-05-15 GE Lighting Solutions, LLC Remote phosphor lighting devices and methods
DE202015105686U1 (de) * 2015-10-26 2017-01-27 Tridonic Gmbh & Co Kg Weißes Licht abstrahlendes LED-Modul
TWI578903B (zh) * 2015-11-10 2017-04-21 With low drag resistance of the variable wavelength LED lamps
CA2951301C (en) 2015-12-09 2019-03-05 Abl Ip Holding Llc Color mixing for solid state lighting using direct ac drives
TWI661582B (zh) * 2016-03-08 2019-06-01 National Central University 主動式抑制藍光溢漏之ｌｅｄ結構
JP6800221B2 (ja) * 2016-05-13 2020-12-16 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 光源装置及び照明装置
US9596730B1 (en) 2016-05-18 2017-03-14 Abl Ip Holding Llc Method for controlling a tunable white fixture using multiple handles
US9854637B2 (en) 2016-05-18 2017-12-26 Abl Ip Holding Llc Method for controlling a tunable white fixture using a single handle
US10119676B2 (en) * 2016-06-10 2018-11-06 Osram Gmbh Lighting device, corresponding lamp and method
CN105957946A (zh) * 2016-07-13 2016-09-21 中国人民大学 一种近自然光谱的led倒装照明器件
KR20180054165A (ko) * 2016-11-15 2018-05-24 주식회사 알토 기능성 led 조명 장치
US10371896B2 (en) * 2016-12-22 2019-08-06 Magic Leap, Inc. Color separation in planar waveguides using dichroic filters
DE102017113375A1 (de) * 2017-06-19 2018-12-20 Schreiner Group Gmbh & Co. Kg Folienaufbau mit Erzeugen von sichtbarem Licht mittels LED-Technologie
DE102017113380A1 (de) 2017-06-19 2018-12-20 Schreiner Group Gmbh & Co. Kg Folienaufbau mit Erzeugen von sichtbarem Licht mittels LED-Technologie
CN116884966A (zh) * 2017-07-21 2023-10-13 日亚化学工业株式会社 背光装置以及光源
TWI663746B (zh) * 2018-05-30 2019-06-21 國立清華大學 亮度色溫可調光源及其用途
CN110630913B (zh) * 2018-05-30 2022-02-01 周卓煇 亮度色温可调光源及其用途
US10874006B1 (en) 2019-03-08 2020-12-22 Abl Ip Holding Llc Lighting fixture controller for controlling color temperature and intensity
US10728979B1 (en) 2019-09-30 2020-07-28 Abl Ip Holding Llc Lighting fixture configured to provide multiple lighting effects

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU98100085A (ru) * 1995-06-07 1999-10-27 Масимо Корпорейшн Источник света с регулируемой длиной волны для оксигемометра
JP2004071357A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Shigeo Fujita 照明装置
EP1605199A2 (en) * 2004-06-04 2005-12-14 LumiLeds Lighting U.S., LLC Remote wavelength conversion in an illumination device
US20060197098A1 (en) * 2005-03-07 2006-09-07 Citizen Electronics Co. Ltd. Light emitting device and illumination apparatus using said light emitting device
US20060258028A1 (en) * 2004-11-12 2006-11-16 Philips Lumileds Lighting Company Llc Color control by alteration of wavelength converting element

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5758644A (en) * 1995-06-07 1998-06-02 Masimo Corporation Manual and automatic probe calibration
JP3486345B2 (ja) * 1998-07-14 2004-01-13 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
JP4366016B2 (ja) * 1998-09-28 2009-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6357889B1 (en) * 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
JP4932078B2 (ja) * 2000-12-04 2012-05-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
TW522534B (en) * 2001-09-11 2003-03-01 Hsiu-Hen Chang Light source of full color LED using die bonding and packaging technology
US6777883B2 (en) * 2002-04-10 2004-08-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated LED drive electronics on silicon-on-insulator integrated circuits
JP2004207367A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板
JP3717480B2 (ja) * 2003-01-27 2005-11-16 ローム株式会社 半導体発光装置
CN1538534A (zh) * 2003-04-15 2004-10-20 郑荣彬 白光发光装置
DE20309033U1 (de) 2003-06-11 2003-12-04 Dr. Adrian Mahlkow Out E.V. Modul für variable, langzeitstabile Licht- und Farbwiedergabe
US6919584B2 (en) 2003-06-19 2005-07-19 Harvatek Corporation White light source
JP4217558B2 (ja) * 2003-08-29 2009-02-04 キヤノン株式会社 記録媒体種類の識別装置、記録装置、および識別方法
US7250715B2 (en) 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
DE102005020695B4 (de) 2004-04-30 2006-06-22 Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. Vorrichtung zur Emission von Strahlung mit einstellbarer Spektraleigenschaft
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US7144131B2 (en) * 2004-09-29 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Optical system using LED coupled with phosphor-doped reflective materials
JP4534717B2 (ja) * 2004-10-29 2010-09-01 豊田合成株式会社 発光装置
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
CN101120204A (zh) 2005-02-14 2008-02-06 三菱化学株式会社 光源、固体发光元件组件、荧光体组件、配光元件组件、照明装置、图像显示装置及光源的调节方法
JP4389840B2 (ja) * 2005-05-26 2009-12-24 パナソニック電工株式会社 半導体素子実装用回路基板の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU98100085A (ru) * 1995-06-07 1999-10-27 Масимо Корпорейшн Источник света с регулируемой длиной волны для оксигемометра
JP2004071357A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Shigeo Fujita 照明装置
EP1605199A2 (en) * 2004-06-04 2005-12-14 LumiLeds Lighting U.S., LLC Remote wavelength conversion in an illumination device
US20060258028A1 (en) * 2004-11-12 2006-11-16 Philips Lumileds Lighting Company Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US20060197098A1 (en) * 2005-03-07 2006-09-07 Citizen Electronics Co. Ltd. Light emitting device and illumination apparatus using said light emitting device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2633551C2 (ru) * 2013-06-18 2017-10-13 Дексериалз Корпорейшн Лист люминофора
US9873832B2 (en) 2013-06-18 2018-01-23 Dexerials Corporation Phosphor sheet

Also Published As

Publication number Publication date
BRPI0720065A2 (pt) 2013-12-17
WO2008072196A1 (en) 2008-06-19
KR20090096627A (ko) 2009-09-11
US20110121758A1 (en) 2011-05-26
TWI497744B (zh) 2015-08-21
RU2009127111A (ru) 2011-01-20
EP2102909A1 (en) 2009-09-23
US7902560B2 (en) 2011-03-08
CN105428344A (zh) 2016-03-23
CN102439721A (zh) 2012-05-02
JP2010514153A (ja) 2010-04-30
US20080142816A1 (en) 2008-06-19
TW200843145A (en) 2008-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2468472C2 (ru) Источник света с регулируемой точкой белого, в котором применяется элемент преобразования длины волны
US9585224B2 (en) Color tuning of a multi-color LED based illumination device
US9388947B2 (en) Lighting device including spatially segregated lumiphor and reflector arrangement
US9335006B2 (en) Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US9642208B2 (en) Variable correlated color temperature luminary constructs
US8511851B2 (en) High CRI adjustable color temperature lighting devices
US8403529B2 (en) LED-based illumination module with preferentially illuminated color converting surfaces
US8698388B2 (en) Lighting apparatus providing increased luminous flux while maintaining color point and CRI
US20120155076A1 (en) Led-based light emitting systems and devices
US9295126B2 (en) Current routing to multiple LED circuits
US20100207134A1 (en) Led lighting device
US9328880B2 (en) Automated color tuning of an LED based illumination device
US9788379B2 (en) Deep dimming of an LED-based illumination device
US20160254421A1 (en) White light emitting devices including both red and multi-phosphor blue-shifted-yellow solid state emitters
JP2011519159A (ja) 発光装置
KR20230003921A (ko) 투광등용 햇빛등 엘이디 어레이 및 이를 이용한 엘이디 햇빛 투광등

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190111

PD4A Correction of name of patent owner