KR20090096627A - 파장 변환 소자를 이용하는 조정가능한 백색 점 광원 - Google Patents

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세르지 제이. 비에르휘젠
제라드 하르버스
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필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨
코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

약간씩 다른 펌프 파장을 갖는 복수의 발광 다이오드 LED 칩(102)과, 광을 상이한 색상들의 광으로 변환하는 적어도 2개의 상이한 파장 변환 재료를 포함하는 파장 변환 소자(110)를 이용하여 균일한 고휘도 광원(100)이 제공된다. LED 칩(102)에 의해 생성된 광의 세기는 조정가능한 CCT 백색 점을 제공하기 위해 변경될 수 있다. 파장 변환 소자(110)는 예를 들어, 인광체 또는 발광성 세라믹의 스택(111, 112, 113) 또는 혼합물(114)일 수 있다. 더욱이, LED 칩(102)들이 모두 동일한 기술에 의해 제조되어 상이한 유형의 칩들을 제조할 필요가 없어지기 때문에, 광원(100)의 제조 공정이 단순화된다.
조정가능한 CCT, 파장 변환 재료, 파장 변환 소자

Description

파장 변환 소자를 이용하는 조정가능한 백색 점 광원{TUNABLE WHITE POINT LIGHT SOURCE USING A WAVELENGTH CONVERTING ELEMENT}
본 발명은 백색 광을 생성하는 광원에 관한 것으로, 상세하게는 소망의 상관된 색 온도(correlated color temperature, CCT)를 갖는 광을 생성하는 복수의 발광 다이오드를 이용하는 광원에 관한 것이다.
최근, 종래의 백열 전구를 발광 다이오드(LED)로 교체하려는 경향이 있어 왔다. 예를 들어, 교통 제어 신호와 자동차의 브레이크 등은 현재 LED를 이용하여 제조된다. 백열 전구는 예를 들어 에너지 사용 및 수명면에서 LED에 비해 비효율적이기 때문에, 종래의 백열 전구를 하나 이상의 LED로 교체하는 것이 바람직하다.
그러나, 일부 조명 응용들은 백열 전구를 LED로 교체하는 데에 있어서 문제점을 갖는다. 예를 들어, 액센트(accent) 또는 스폿(spot) 램프와 같이 매우 눈에 띄는 몇몇 조명 응용은 특정한 상관된 색 온도(CCT)를 갖는 백색광을 필요로 한다. 그러한 조명 응용에서는, LED들의 스펙트럼 분포, 즉 CCT 또는 백색 점(white point)을 제어하는 데에 있어서의 어려움으로 인해, 백열 전구를 LED로 교체하는 것은 문제가 있다. 더욱이, 백열 전구를 교체할 때, LED 광원이 컴팩트한 폼 팩터(예를 들어 백열 전구보다 크지 않음)를 갖는 것이 중요한데, 이는 복잡성을 증 가시킨다. 또한, 예를 들어 무드, 장면 및 개인적 선호를 위해 조절될 수 있는 색 조정가능한 램프에 대한 요구가 있다. 따라서, 백색 광을 생성할 수 있는 LED 광원에서의 개선이 요구된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 조정가능한 CCT 백색 점 광원이 제공되는데, 이 광원은 약간씩 다른 펌프 파장을 갖는 복수의 LED 칩을 이용하여 제공되고, 광을 상이한 색상들의 광으로 변환하는 적어도 2개의 상이한 파장 변환 재료를 포함하는 파장 변환 소자를 갖는다. 파장 변환 소자는 복수의 LED 칩으로부터의 광을 수신하고, 광의 적어도 일부를 상이한 색상들로 변환한다. 파장 변환 소자는 예를 들어, 인광체 또는 발광성 세라믹의 스택 또는 혼합물일 수 있다. 최종적인 광의 백색 점을 제어하기 위해 파장 변환 소자에 의해 변환되는 광의 적어도 한 색상의 세기를 변화시키기 위하여, LED 칩에 의해 생성되는 광의 세기가 변경될 수 있다. 더욱이, 동일한 유형의 LED 칩들을 이용하면, 복수의 LED 칩은 하나 이상의 서브마운트 상에 함께 밀집하여 실장될 수 있고, 이로 인해 컴팩트하고 휘도가 높은 설계를 달성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원의 측면도.
도 2는 광원에서 사용될 수 있는 LED들의 어레이의 사시도.
도 3은 상이한 색상의 LED들을 사용하는 액센트 램프의 측면도.
도 4는 도 3의 액센트 램프에서 사용되는 LED들의 평면도.
도 5 내지 도 8은 파장 변환 소자의 상이한 실시예들의 측면도.
도 9는 파장 변환 소자를 형성하기 위하여 적층 또는 혼합될 수 있는 녹색, 적색 및 YAG 인광체 플레이트에 대한 흡수 및 방출 스펙트럼을 도시한 그래프.
도 10은 광원의 다른 실시예.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 약간씩 다른 펌프 파장을 갖는 복수의 발광 다이오드 칩과 함께 파장 변환 소자를 이용하여, 조정가능한 CCT 백색 점을 갖는 균일한 고휘도 광원이 제조된다. 파장 변환 소자는 광을 상이한 색상들의 광으로 변환하는 적어도 2개의 상이한 파장 변환 재료를 포함하고, 예를 들어 인광체 또는 발광성 세라믹의 스택 또는 혼합물일 수 있다. 최종적인 장치의 CCT가 제어되어 만족스러운 백색 광을 생성할 수 있으므로, 이러한 광원은 예를 들어 스폿 또는 액센트 램프 유형, 또는 컴팩트한 백색 광원이 요구되는 다른 응용에 적합할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원(100)의 측면도이다. 광원(100)은 조정가능한 CCT 백색 점을 갖는 광을 생성할 수 있으며, 이는 예를 들어 액센트 조명 응용으로서 사용될 수 있다. 광원(100)은 히트 싱크(104)에 실장될 수 있는 LED(102)들의 어레이를 포함한다. 파장 변환 소자(110)는 LED(102)들의 어레이 위에 실장되며, 예를 들어 히트 싱크(104)에 실장되거나 히트 싱크(104)와 일체로 형성된 써포트(105)에 의해 지지된다. 파장 변환 소자(110)로부터의 광의 초점을 맞추고 원하는 광 분포 배턴을 형성하기 위하여, 반사기 광학계(106)가 배치된다. 반사기 광학계(106)는 파장 변환 소자(110)로부터의 광을 수신하기 위해 예를 들어 써포트(105)를 통해 히트 싱크(104)에 실장되거나 다르게 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 세기(intensity) 검출기(120)는 반사기 광학계(106)에 실장되고 구동 회로(122)에 연결될 수 있다. 세기 검출기(120)는 예를 들어 분광계일 수 있고, 또는 다른 실시예에서는, 검출기(121)에 의해 도시된 바와 같이, 둘 이상의 검출기가 상이한 범위의 파장들을 갖는 스펙트럼 필터와 함께 사용될 수 있다. 세기 검출기(120)는 파장 변환 소자(110)에 의해 생성된 광의 세기를 측정하고, 그에 응답하여, 구동 회로(122)는 어레이 내의 개별 LED(102)들의 세기를 제어한다. 예를 들어, 구동 회로(122)는 특정 다이(die)의 세기를 변경하기 위하여 펄스 변조 또는 전류 제어를 사용할 수 있다. 대안적으로, 구동 회로(122)는 간단하게 특정 다이를 턴오프하거나 특정 다이로의 전력을 증가시킬 수 있다.
어레이 내의 LED(102)들은 동일한 일반 색상(예를 들어, 청색)을 갖지만 파장을 감지할 수 있는 양(예를 들어, 대략 5㎚, 10㎚, 20㎚ 또는 그 이상, 그러나 대략 50㎚ 미만)만큼 고의적으로 다르게 한 광을 생성한다. 동일한 색상을 갖는 LED들은 동일 다이(die) 기술을 이용하여 제조될 수 있기 때문에, 그러한 LED들을 이용하는 것이 유리하다. 따라서, 상이한 유형의 LED들이 제조될 필요가 없기 때문에, 일반적인 제조 공정은 단순화된다. 더욱이, 모든 LED(102)들에 대한 실장 요건이 동일하기 때문에, LED(102)들의 실장이 단순화된다. 결과적으로, LED(102)들은 동일한 서브마운트 상에서 서로에 인접하여 실장될 수 있다. 점선(103)에 의해 도시된 바와 같이, 원하는 하나보다 많은 서브마운트가 사용될 수 있다. LED들 은 전기적으로 그룹지어질 수 있으며, 여기에서 한 그룹 내에서의 LED들은 대략 5㎚ 미만으로 차이난다는 것, 즉, 동일한 빈(bin)으로부터 온 것이지만, 어레이 내의 다른 LED들 또는 LED들의 그룹은 대략 5㎚ 이상 차이날 수 있다는 점에 유의해야 한다.
도 2는 광원(100)과 함께 사용될 수 있는 LED 칩(102)들의 어레이의 사시도를 도시한 것이다. 위에서 논의한 바와 같이, LED(102)들은 동일한 다이 기술로부터 생성된 것이고, 이는 다이스(dice)가 적어도 하나의 서브마운트(130) 상에서 함께 밀접하여 배치될 수 있게 하고, 그에 따라 휘도를 향상시킨다. 정전 방전(electrostatic discharge, ESD) 회로(131)도 서브마운트(130) 상에 실장된다. 세라믹 또는 기타 적합한 재료일 수 있는 서브마운트(130)는 복수의 전기 리드(lead)(134)를 갖는 DBC(direct bond copper) 기판(132)에 부착된다. DBC 기판(132)은 기계적인 파스너(fastner), 또는 에폭시와 같은 기타 적절한 메커니즘에 의해, 도 1에 도시된 히트 싱크(104)에 접속된다. 위에서 논의된 바와 같이, LED(102)들 중 둘 이상은, 동일한 일반 색상(예를 들어, 청색) 내에 있지만 약간씩 다른 파장을 갖는 광을 방출한다. 예를 들어, LED(102a, 102b, 및 102c)는 각각 대략 430㎚, 450㎚ 및 470㎚의 파장을 갖는 광을 생성한다.
비교를 위해, 도 3은 상이한 색상의 LED(12)들을 사용하는 액센트 램프(10)의 측면도를 도시하고, 도 4는 그러한 LED(12)들의 평면도를 도시하고 있다. 램프(10)는 원하는 상이한 색상들을 생성하기 위하여, 상이한 유형의 LED(12)들, 예를 들어, 청색 LED(12b)들, 녹색 LED(12g)들, 및 적색 LED(12r)들을 이용한다. LED(12)들은 히트 싱크(14)에 실장된다. LED(12)들은 상이한 색상의 광을 생성하기 때문에, 생성된 광을 혼합하기 위하여 인티그레이팅 로드(integrating rod)(16)가 사용된다. 인티그레이팅 로드(16)의 아웃라인은 도 4에서 점선으로 된 원으로 도시되어 있지만, 인티그레이팅 로드(16)는 육각형과 같은 다른 기하학적 형상을 가질 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 렌즈(18)는 인티그레이팅 로드(16)의 단부에 연결되고, 원하는 광 분포를 생성하는 데에 사용된다.
위에서 논의된 광원(100)과 비교하여, 상이한 유형의 LED(12)들을 사용하는 것은 휘도의 감소를 초래하는 것은 물론, 제조의 어려움을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 상이한 유형의 LED(12)들은 개별적으로 제조되어야만 한다. 더욱이, 상이한 유형의 LED(12)들은 상이한 실장 요건들을 다루어야만 한다. 따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상이한 LED(12)들은 별개의 서브마운트(13)들에 실장되고, 이는 LED(12)들 간의 비교적 큰 갭으로 인해 광원의 면적을 증가시킨다. 따라서, 램프(10)는 휘도의 손실과 컴팩트함의 손실을 겪게 된다. 또한, LED(12)들은 상이한 색상의 광을 생성하므로, 광은 예를 들어 긴 인티그레이션 로드(16)를 이용하여 혼합되어야 하며, 그로 인해 큰 액센트 램프(10)가 초래된다.
다시 도 1을 보면, 파장 변환 소자(110)는 2개 이상의 파장 변환 재료를 포함한다. 예를 들어, 파장 변환 소자(110)는 상이한 파장 변환 재료들의 스택, 예를 들어 다수의 인광체 층의 스택일 수 있으며, 다르게는 다수의 인광체의 혼합물을 함유하는 단일 층일 수 있다. 일 실시예에서, 파장 변환 소자(110)는 상이한 발광성 세라믹들의 스택일 수 있으며, 상이한 유형의 발광성 재료들의 혼합물을 함 유하는 단일의 발광성 세라믹일 수 있다. 예를 들어, YAG, SSON, BSSN 및/또는 eCAS를 포함하는 발광성 세라믹이 사용될 수 있다. 따라서, 파장 변환 소자(110)는 잘 결합되는 광을 생성하며, 인티그레이션 광학계의 사용을 필요로 하지 않는다. 따라서, 광원(100)은 컴팩트한 디자인을 가질 수 있고, 균일한 광을 생성할 수 있다.
도 5 내지 도 8은 LED(102)들의 어레이 위에 써포트(5)에 의해 지지되는 파장 변환 소자(110)의 다른 실시예들의 측면도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 5는 예를 들어, 상이한 파장 변환 재료들을 포함하는 상이한 파장 변환 층들(111, 112 및 113)의 스택을 포함하는 것으로서 파장 변환 소자(110)를 도시하고 있다. 층들(111, 112, 113)은 예를 들어 인광체 플레이트 및/또는 발광성 세라믹일 수 있다. 파장 변환 층들(111, 112, 113)은 각각 녹색, 적색 및 황색 광을 방출하는 재료를 포함한다. 도 6은 예를 들어 녹색, 적색 및 황색 발광 재료의 혼합물을 포함하는 단일 층(114)으로서 다색 파장 변환 소자(110)를 도시하고 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 상이한 파장 변환 재료들(115, 116, 117)을 서로에 대해 수직 방향이 아닌 수평 방향으로 배치하는 것과 같은, 파장 변환 소자(110)의 다른 실시예들도 가능하다. 도 8은 파장 변환 소자(110)가 수평으로 배치된 파장 변환 재료(118 및 119), 및 변환되지 않은 펌프광이 통과하여 방출되는 개구(110a)를 포함하는 다른 실시예를 도시하고 있다.
도 5 내지 도 8은 둘 이상의 파장 변환 재료를 포함하는 파장 변환 소자(110)의 예시들임에 유의해야 한다. 원한다면, 도 5 내지 도 8에 도시된 상이한 실시예들 또는 그 상이한 실시예들의 조합이 사용될 수 있다. 예를 들어, 한 층이 둘 이상의 파장 변환 재료의 혼합물을 포함하는 파장 변환 층들의 스택을 생성하기 위하여, 도 5 및 도 6이 결합될 수 있다. 대안적으로, 수평으로 배치된 파장 변환 재료 및/또는 개구(예를 들어, 도 7 및 도 8)가 파장 변환 재료들의 스택 또는 혼합물(예를 들어, 도 5 및 도 6)과 함께 포함될 수 있다. 파장 변환 재료는 별도의 캐리어 플레이트에 분사 코팅(spray coating) 또는 스크린 인쇄(screen printing)될 수 있다. 예를 들어, 스크린 인쇄의 경우, 상이한 파장 변환 재료들이 서로의 옆에 상이한 도트들로서 인쇄될 수 있다. 색상 혼합의 목적을 위해, 파장 변환 재료와 LED들 사이에 소정의 거리가 존재하는 것이 바람직할 수 있다.
파장 변환 소자(110) 내의 2개 이상의 파장 변환 재료는 상이한 흡수 및 여기(excitation) 특성을 갖는다. 감지할 수 있는 양만큼 파장이 다른 2개 이상의 LED로부터의 광의 세기를 변경함으로써, 최종 광 －즉, 파장 변환 소자(110)로부터의 순방향으로 방출된 광과 파장 변환 소자(110)를 통하여 투과된 LED(102)들로부터의 펌프 광－ 의 스펙트럼 분포가 제어되어, 공칭값(nominal value) 부근의 원하는 백색 점 CCT가 생성될 수 있다.
도 9는 파장 변환 소자(110)를 형성하기 위해 적층 또는 혼합될 수 있는 녹색, 적색 및 YAG 인광체 플레이트를 위한 흡수 및 방출 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 볼 수 있는 바와 같이, YAG는 비교적 좁은 흡수 스펙트럼을 갖는 한편, 적색 및 녹색 인광체는 훨씬 넓은 흡수 스펙트럼을 갖는다.
도 9는 위에서 언급된 것과 같은 LED(102a, 102b 및 102c)에 의해 생성될 수 있는 430㎚, 450㎚, 470㎚ 파장을 점선으로 도시하고 있다. LED(102)들에 의해 생성되는 상이한 파장들의 세기를 제어함으로써, 광원(100)에 의해 생성되는 광의 색점이 변경될 수 있다. 예를 들어, 450㎚에서 청색 광의 세기를 변화시킴으로써, 적색(및 녹색) 변환된 광에 대한 YAG(황색) 변환된 광의 비율이 변경될 수 있다. LED(102)들이 YAG에 의해 흡수되는 파장(즉, 450㎚)에서 더 큰 세기를 갖는 청색 광을 생성한다면, YAG 방출은 증가할 것이고, 따라서 더 따뜻한 백색 점이 생성될 것이다. 450㎚의 청색 광의 세기를 감소시키면, YAG에 의해 흡수되는 광이 더 적어져서, YAG의 방출이 감소되고, 더 차가운 백색 점이 야기된다. 마찬가지로, 최종 광의 색 점을 변화시키기 위하여, 다른 파장들, 즉 430㎚ 및 470㎚의 세기의 변화가 이용될 수 있다.
LED(102)들에 의해 생성된 광의 세기의 조절은 광원(100)의 제조 동안에, 즉 조립된 램프(100)에 의해 생성된 광을 테스트하고 원하는 백색 점이 생성되도록 상이한 LED(102a, 102b, 102c)의 세기를 조절 및 설정함으로써 수행될 수 있다. 대안적으로, 도 1에 도시된 바와 같이 세기 검출기(120)가 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 파장 변환 소자(110)는 최종 광의 원하는 CCT를 생성하기 위해, 예를 들어 스택 내의 파장 변환 층들 중 하나를 원하는 두께를 갖도록 변경함으로써 조절될 수 있다. 다른 응용에서, 최종 사용자는 상이한 LED들(또는 LED들의 그룹)에 대한 전류들의 비율을 변경함으로써, 최종 사용자의 요구 또는 필요에 따라 램프의 색상을 조절할 수 있게 된다.
도 10은 동일한 일반 색상을 갖지만 감지할 수 있을 만큼 차이나는 파장들을 갖는 광을 방출하는 적어도 2개의 LED를 포함하는 LED(202)들의 어레이와, 적어도 2개의 상이한 파장 변환 재료를 포함하는 파장 변환 소자(210)를 포함하는 광원(200)의 다른 실시예이다. LED(202)들의 어레이는 히트 싱크(204) 상에 실장된다. 시준기 소자(206)는, 예를 들어 청색광을 투과시키고 더 긴 파장을 반사시키는 이색성 필터와 같은 파장 선택 소자(208)를 통해 투과된, LED(202)들에 의해 방출된 광을 대략적으로 시준한다. 집광기(concentrator) 소자(209)는 파장 변환 소자(210)에 입사하도록 광을 집광시킨다. 파장 변환 소자(210)로부터의 임의의 후방 방출된 광(back emitted light)은 파장 변환 소자(210)로 광을 다시 반사시키는 파장 선택 소자(208)에 의해 재활용된다. 반사기 소자(212)는 파장 변환 소자(210)로부터의 광의 초점을 맞추고, 원하는 광 분포 패턴을 형성하도록 배치된다. 도 10에 도시된 바와 같이, 광원(200)은 원한다면 광원(100)을 참조하여 설명된 것과 유사할 수 있는 세기 검출기(220) 및 구동 회로(222)를 포함할 수 있다.
본 발명은 설명을 위하여 특정 실시예들과 관련하여 설명되었지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 범위를 벗어나지 않고서 다른 적응 및 수정이 이루어질 수 있다. 따라서, 첨부된 특허청구범위의 취지 및 범위는 전술한 설명들에 제한되어서는 안된다.

Claims (28)

  1. 광원(100)으로서,
    적어도 2개의 발광 다이오드 칩(102) -각각의 발광 다이오드 칩은 5㎚ 이상 차이나는 파장들을 갖는 광을 생성함- ; 및
    상기 적어도 2개의 발광 다이오드 칩(102)에 의해 방출된 광을 수신하도록 실장된 파장 변환 소자(110) -상기 파장 변환 소자(110)는 상기 적어도 2개의 발광 다이오드 칩(102)으로부터의 광을 상이한 색들의 광으로 변환하는 적어도 2개의 상이한 파장 변환 재료를 포함함-
    를 포함하는 광원.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환 소자(110)는 파장 변환 막들(111, 112, 113)의 스택을 포함하는 광원.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환 소자(110)는 상기 적어도 2개의 발광 다이오드 칩(102)으로부터의 광을 상이한 색들의 광으로 변환하는 상이한 파장 변환 재료들의 혼합물(114)을 포함하는 광원.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 상이한 파장 변환 재료들의 혼합물(114)은 대략 균등질(homogeneous)인 광원.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환 소자(110)는 하나 이상의 발광성 세라믹(luminescent ceramics)을 포함하는 광원.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환 소자(110)는 하나 이상의 인광체(phosphor) 층(111, 112, 113)을 포함하는 광원.
  7. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 서브마운트(submount)(130)를 더 포함하고, 상기 적어도 2개의 발광 다이오드 칩(102)은 상기 서브마운트(130)에 실장되는 광원.
  8. 제7항에 있어서,
    히트 싱크(104) -상기 적어도 하나의 서브마운트(130)는 상기 히트 싱크(104) 상에 실장됨- ; 및
    상기 히트 싱크(104)에 연결되어, 상기 파장 변환 소자(110)를 지 지(holding)하는 써포트(support)(105)
    를 더 포함하는 광원.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 서브마운트(130)는 하나의 서브마운트(130)이고, 상기 적어도 2개의 발광 다이오드 칩(102)은 상기 하나의 서브마운트(130) 상에 실장되는 광원.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환 소자(110)에 의해 생성된 광을 수신하도록 배치되고, 검출된 광의 세기에 응답하여 신호를 생성하는 적어도 하나의 광 검출기(120); 및
    상기 적어도 2개의 발광 다이오드 칩(102) 및 상기 적어도 하나의 광 검출기(120)에 연결된 구동 회로(122) -상기 구동 회로(122)는 상기 적어도 하나의 광 검출기(120)에 의해 생성된 신호에 응답하여 상기 발광 다이오드 칩(102) 중 적어도 하나에 의해 방출된 광의 세기를 제어함-
    를 더 포함하는 광원.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 발광 다이오드 칩(102)과 상기 파장 변환 소자(110) 사이에 배치된 파장 선택 소자(208)를 더 포함하는 광원.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 발광 다이오드 칩(102)과 상기 파장 선택 소자(208) 사이에 배치된 시준기 소자(206); 및
    상기 파장 선택 소자(208)와 상기 파장 변환 소자(110) 사이에 배치된 집광기(concentrator) 소자(209)
    를 더 포함하는 광원.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 발광 다이오드 칩(102)은 50㎚ 이하로 차이나는 파장을 갖는 광을 생성하는 광원.
  14. 복수의 발광 다이오드 칩(102)으로부터 광을 생성하는 단계 -각각의 칩(102)은 대략 5㎚ 넘게 차이나는 상이한 범위의 파장들을 갖는 광을 생성함- ;
    상기 복수의 발광 다이오드 칩(102)으로부터의 광의 부분들을 파장 변환 소자(110)를 이용하여 적어도 2개의 상이한 색상의 광으로 변환하고, 상기 복수의 발광 다이오드 칩(102)으로부터의 광의 다른 부분들을 상기 파장 변환 소자(110)를 통해 투과시켜, 결합된 변환 및 투과 광(combined converted and transmitted light)을 생성하는 단계; 및
    상기 파장 변환 소자(110)에 의해 변환된 광의 적어도 하나의 색상의 세기를 변화시키기 위해, 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩으로부터의 광의 세기를 변경함으로써, 상기 결합된 변환 및 투과 광의 백색 점을 제어하는 단계
    를 포함하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 발광 다이오드 칩(102)을 적어도 하나의 서브마운트(130) 상에 실장하는 단계를 더 포함하는 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 서브마운트(130)를 히트 싱크(104)에 실장하는 단계; 및
    상기 파장 변환 소자(110)를 상기 히트 싱크(104)에 연결된 써포트(105) 상에서 상기 복수의 발광 다이오드 칩(102) 위에 실장하는 단계
    를 포함하는 방법.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 발광 다이오드 칩(102)으로부터의 광의 부분들을 변환하는 단계는, 상기 파장 변환 소자(110)를 형성하는 파장 변환 막들(111, 112, 113)의 스택에서 수행되는 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 파장 변환 막들(111, 112, 113)의 스택은 하나 이상의 발광성 세라믹을 포함하는 방법.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 파장 변환 막들(111, 112, 113)의 스택은 하나 이상의 인광체 층(111, 112, 113)을 포함하는 방법.
  20. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 발광 다이오드 칩(102)으로부터의 광의 부분들을 변환하는 단계는, 상기 파장 변환 소자(110) 내의 상이한 파장 변환 재료들의 혼합물(114)에 의해 수행되는 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 상이한 파장 변환 재료들의 혼합물(114)은 대략 균등질인 방법.
  22. 제14항에 있어서,
    상기 결합된 변환 및 투과 광을 검출하고, 응답으로 신호를 생성하는 단계; 및
    상기 광 검출기(120)에 의해 생성된 신호에 응답하여 적어도 하나의 발광 다이오드 칩으로부터의 광의 세기를 변경하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 검출하는 단계 및 상기 변경하는 단계는 연속적으로(continuously) 또는 주기적으로 수행되는 방법.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 검출하는 단계 및 상기 변경하는 단계는 한번 수행되는 방법.
  25. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 발광 다이오드 칩(102)으로부터의 광을 파장 선택 소자(208)를 통해 투과시키고, 상기 파장 선택 소자(208)에 의해 상기 파장 변환 소자(110)로부터의 변환된 광을 다시 반사시키는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 파장 선택 소자(208)를 통해 투과되기 전에, 복수의 발광 다이오드 칩(102)으로부터의 광을 대략적으로 시준하는 단계; 및
    상기 파장 선택 소자(208)를 통해 투과된 후에, 그리고 상기 파장 변환 소자(110)에 입사하기 전에, 복수의 발광 다이오드 칩(102)으로부터의 광을 집 광(concentrating)시키는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  27. 제14항에 있어서,
    발광 다이오드 칩들(102)의 적어도 하나의 그룹으로부터 광을 생성하는 단계를 더 포함하고, 한 그룹 내의 각각의 발광 다이오드 칩은 대략 5㎚ 보다 적게 차이나는 파장의 번위로 광을 생성하는 방법.
  28. 제14항에 있어서,
    각각의 칩은 대략 50㎚ 보다 적게 차이나는 파장들의 상이한 범위로 광을 생성하는 방법.
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