RU2452077C1 - Operational amplifier with paraphase output - Google Patents
Operational amplifier with paraphase output Download PDFInfo
- Publication number
- RU2452077C1 RU2452077C1 RU2011123941/08A RU2011123941A RU2452077C1 RU 2452077 C1 RU2452077 C1 RU 2452077C1 RU 2011123941/08 A RU2011123941/08 A RU 2011123941/08A RU 2011123941 A RU2011123941 A RU 2011123941A RU 2452077 C1 RU2452077 C1 RU 2452077C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- terminal
- output
- input
- matching
- emitter
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, мостовых усилителях мощности, драйверах дифференциальных линий связи, фильтрах, компараторах т.п.).The invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used as a device for amplifying analog signals, in the structure of analog microcircuits of various functional purposes (for example, bridge power amplifiers, drivers of differential communication lines, filters, comparators, etc.).
Известны схемы классических дифференциальных операционных усилителей (ОУ) с парафазным выходом на основе входного каскода, которые стали основой многих серийных аналоговых микросхем (ОРА177, RC4805 и т.д.). ОУ данного класса широко применяются в структуре СВЧ-устройств [1-18], реализованных на базе SiGe-технологий. Это связано с возможностью построения на их основе активных RC-фильтров гигагерцового диапазона для современных и перспективных систем связи, драйверов дифференциальных линий связи между СФ-блоками A/d и D/a-классов и т.п. [19-21].Known circuits of classical differential operational amplifiers (op amps) with a paraphase output based on the input cascode, which became the basis of many serial analog circuits (OPA177, RC4805, etc.). Op-amps of this class are widely used in the structure of microwave devices [1-18], implemented on the basis of SiGe technologies. This is due to the possibility of building on their basis active RC filters of the GHz range for modern and promising communication systems, drivers of differential communication lines between SF blocks A / d and D / a-classes, etc. [19-21].
Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является операционный усилитель, описанный в патенте US 5568092, fig.8. Кроме этого, данная архитектура присутствует во многих других патентах [1-18]. Он содержит первый 1 входной трехполюсник с коллекторным 2, эмиттерным 3 и базовым 4 входами, второй 5 входной трехполюсник с коллекторным 6, эмиттерным 7 и базовым 8 входами, первый 9 согласующий трехполюсник с коллекторным 10, эмиттерным 11 и базовым 12 входами, второй 13 согласующий трехполюсник с коллекторным 14, эмиттерным 15 и базовым 16 входами, первый 17 выходной трехполюсник с коллекторным 18, эмиттерным 19 и базовым 20 входами, второй 21 выходной трехполюсник с коллекторным 22, эмиттерным 23 и базовым 24 входами, первый 25 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллекторным входом 10 первого 9 согласующего трехполюсника, связанным с базовым входом 20 первого 17 выходного трехполюсника и первой 26 шиной источника питания, второй 27 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллекторным входом 14 второго 13 согласующего трехполюсника, связанным с базовым входом 24 второго 21 выходного трехполюсника и первой 26 шиной источника питания, первый 28 резистор обратной связи, включенный между эмиттерным входом 19 первого 17 выходного трехполюсника, связанным с первым 29 выходом устройства, и базовым входом 16 второго 13 согласующего трехполюсника, второй 30 резистор обратной связи, включенный между эмиттерным входом 23 второго 21 выходного трехполюсника, связанным со вторым 31 выходом устройства, и базовым входом 12 первого 9 согласующего трехполюсника, причем первый 29 выход устройства связан со второй 32 шиной источника питания через третий 33 токостабилизирующий двухполюсник, второй 31 выход устройства связан со второй 32 шиной источника питания через четвертый 34 токостабилизирующий двухполюсник, а коллекторные входы 18, 22 первого 17 и второго 21 выходных трехполюсников соединены с первой 26 шиной источника питания.The closest prototype (figure 1) of the claimed device is an operational amplifier described in patent US 5568092, fig.8. In addition, this architecture is present in many other patents [1-18]. It contains the first 1 input three-terminal with
Основная цель предлагаемого изобретения состоит в создании условий, при которых выходное статическое синфазное напряжение ОУ будет иметь высокую стабильность и близкое к нулю численное значение при нулевых входных сигналах. Это значительно упрощает согласование парафазных выходов ОУ с последующими функциональными узлами различных многокаскадных устройств преобразования сигналов, позволяет обеспечить более эффективное использование напряжений питания ОУ - в этих схемах выходные переменные напряжения изменяются относительно общей шины.The main objective of the invention is to create conditions under which the output static common-mode voltage of the op-amp will have high stability and a numerical value close to zero at zero input signals. This greatly simplifies the matching of the op-amp output phases with the subsequent functional units of various multistage signal conversion devices, and allows for more efficient use of the op-amp supply voltages - in these circuits, the output alternating voltages change relative to the common bus.
Поставленная задача решается тем, что в операционном усилителе с парафазным выходом фиг.1, содержащем первый 1 входной трехполюсник с коллекторным 2, эмиттерным 3 и базовым 4 входами, второй 5 входной трехполюсник с коллекторным 6, эмиттерным 7 и базовым 8 входами, первый 9 согласующий трехполюсник с коллекторным 10, эмиттерным 11 и базовым 12 входами, второй 13 согласующий трехполюсник с коллекторным 14, эмиттерным 15 и базовым 16 входами, первый 17 выходной трехполюсник с коллекторным 18, эмиттерным 19 и базовым 20 входами, второй 21 выходной трехполюсник с коллекторным 22, эмиттерным 23 и базовым 24 входами, первый 25 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллекторным входом 10 первого 9 согласующего трехполюсника, связанным с базовым входом 20 первого 17 выходного трехполюсника и первой 26 шиной источника питания, второй 27 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллекторным входом 14 второго 13 согласующего трехполюсника, связанным с базовым входом 24 второго 21 выходного трехполюсника и первой 26 шиной источника питания, первый 28 резистор обратной связи, включенный между эмиттерным входом 19 первого 17 выходного трехполюсника, связанным с первым 29 выходом устройства, и базовым входом 16 второго 13 согласующего трехполюсника, второй 30 резистор обратной связи, включенный между эмиттерным входом 23 второго 21 выходного трехполюсника, связанным со вторым 31 выходом устройства, и базовым входом 12 первого 9 согласующего трехполюсника, причем первый 29 выход устройства связан со второй 32 шиной источника питания через третий 33 токостабилизирующий двухполюсник, второй 31 выход устройства связан со второй 32 шиной источника питания через четвертый 34 токостабилизирующий двухполюсник, а коллекторные входы 18, 22 первого 17 и второго 21 выходных трехполюсников соединены с первой 26 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - эмиттерный вход 3 первого 1 входного трехполюсника соединен с эмиттерным входом 11 первого 9 согласующего трехполюсника, эмиттерный вход 7 второго 5 входного трехполюсника соединен с эмиттерным входом 15 второго 13 согласующего двухполюсника, коллекторные входы 2 и 6 первого 1 и второго 5 входных трехполюсников соединены со второй 32 шиной источника питания, причем базовые входы 12 и 16 первого 9 и второго 13 согласующих трехполюсников соединены друг с другом.The problem is solved in that in the operational amplifier with a paraphase output of Fig. 1, containing the first 1 input three-terminal with
На чертеже фиг.1 показана схема ОУ-прототипа.The drawing of figure 1 shows a diagram of an op-amp prototype.
На чертеже фиг.2 показана схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 формулы изобретения для случая, когда первый 1 и второй 5 входные трехполюсники реализованы на основе полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, а первый 9 и второй 13 согласующие трехполюсники, а также первый 17 и второй 21 выходные трехполюсники выполнены в виде биполярных транзисторов одного типа проводимости.The drawing of figure 2 shows a diagram of the inventive device in accordance with
На чертеже фиг.3, в соответствии с п.2 формулы изобретения, приведены частные варианты построения первого 1 и второго 5 входных трехполюсников, первого 9 и второго 13 согласующих трехполюсников, а также первого 17 и второго 21 выходных трехполюсников ОУ фиг.2.In the drawing of FIG. 3, in accordance with
На чертеже фиг.4, в соответствии с п.3 формулы изобретения, приведены примеры построения первого 1 и второго 5 входных трехполюсников, первого 9 и второго 13 согласующих трехполюсников, а также первого 17 и второго 21 выходных трехполюсников ОУ фиг.2.In the drawing of FIG. 4, in accordance with
Чертеж фиг.5 полностью соответствует п.3 формулы изобретения.The drawing of figure 5 is fully consistent with
На чертеже фиг.6 приведена схема ОУ фиг.5 в среде компьютерного моделирования PSpise на моделях интегральных транзисторов ФГУ НПП «Пульсар».The drawing of Fig.6 shows a diagram of the op-amp of Fig.5 in the environment of computer simulation PSpise on models of integrated transistors of the Federal State Institution NPP Pulsar.
На чертеже фиг.7 приведена частотная зависимость коэффициента усиления по напряжению схемы ОУ фиг.6.The drawing of Fig.7 shows the frequency dependence of the gain on the voltage of the op-amp circuit of Fig.6.
Чертеж фиг.8 характеризует зависимость выходных напряжений ОУ фиг.6 при синусоидальном входном сигнале.The drawing of Fig. 8 characterizes the dependence of the output voltages of the op-amp of Fig. 6 with a sinusoidal input signal.
На чертеже фиг.9 приведена схема ОУ фиг.2 в среде компьютерного моделирования PSpise на моделях интегральных транзисторов аналогового базового матричного кристалла АБМК_1_3 (НПО «Интеграл» г.Минск).The drawing of Fig.9 shows a diagram of the opamp of Fig.2 in a computer simulation environment PSpise on models of integrated transistors of the analog base matrix crystal ABMK_1_3 (NPO Integral, Minsk).
На чертеже фиг.10 приведена частотная зависимость коэффициента усиления по напряжению схемы ОУ фиг.9.The drawing of figure 10 shows the frequency dependence of the gain on the voltage of the op-amp circuit of Fig.9.
Чертеж фиг.11 характеризует зависимость выходных напряжений ОУ фиг.9 при синусоидальном входном сигнале.The drawing of Fig. 11 characterizes the dependence of the output voltages of the op-amp of Fig. 9 with a sinusoidal input signal.
Операционный усилитель с парафазным выходом фиг.2 содержит первый 1 входной трехполюсник с коллекторным 2, эмиттерным 3 и базовым 4 входами, второй 5 входной трехполюсник с коллекторным 6, эмиттерным 7 и базовым 8 входами, первый 9 согласующий трехполюсник с коллекторным 10, эмиттерным 11 и базовым 12 входами, второй 13 согласующий трехполюсник с коллекторным 14, эмиттерным 15 и базовым 16 входами, первый 17 выходной трехполюсник с коллекторным 18, эмиттерным 19 и базовым 20 входами, второй 21 выходной трехполюсник с коллекторным 22, эмиттерным 23 и базовым 24 входами, первый 25 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллекторным входом 10 первого 9 согласующего трехполюсника, связанным с базовым входом 20 первого 17 выходного трехполюсника и первой 26 шиной источника питания, второй 27 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллекторным входом 14 второго 13 согласующего трехполюсника, связанным с базовым входом 24 второго 21 выходного трехполюсника и первой 26 шиной источника питания, первый 28 резистор обратной связи, включенный между эмиттерным входом 19 первого 17 выходного трехполюсника, связанным с первым 29 выходом устройства, и базовым входом 16 второго 13 согласующего трехполюсника, второй 30 резистор обратной связи, включенный между эмиттерным входом 23 второго 21 выходного трехполюсника, связанным со вторым 31 выходом устройства, и базовым входом 12 первого 9 согласующего трехполюсника, причем первый 29 выход устройства связан со второй 32 шиной источника питания через третий 33 токостабилизирующий двухполюсник, второй 31 выход устройства связан со второй 32 шиной источника питания через четвертый 34 токостабилизирующий двухполюсник, а коллекторные входы 18, 22 первого 17 и второго 21 выходных трехполюсников соединены с первой 26 шиной источника питания. При этом эмиттерный вход 3 первого 1 входного трехполюсника соединен с эмиттерным входом 11 первого 9 согласующего трехполюсника, эмиттерный вход 7 второго 5 входного трехполюсника соединен с эмиттерным входом 15 второго 13 согласующего двухполюсника, коллекторные входы 2 и 6 первого 1 и второго 5 входных трехполюсников соединены со второй 32 шиной источника питания, причем базовые входы 12 и 16 первого 9 и второго 13 согласующих трехполюсников соединены друг с другом.The operational amplifier with a paraphase output of FIG. 2 contains the first 1 input three-terminal with
На чертежах фиг.3 и фиг.2, в соответствии с п.2 формулы изобретения, первый 1 и второй 5 входные трехполюсники реализованы на основе полевых транзисторов 35 и 36 с управляющим p-n переходом, а первый 9 и второй 13 согласующие трехполюсники, а также первый 17 и второй 21 выходные трехполюсники выполнены в виде биполярных транзисторов 37, 38, 39, 40 одного типа проводимости.In the drawings of FIG. 3 and FIG. 2, in accordance with
На чертеже фиг.4, а также фиг.5, в соответствии с п.3 формулы изобретения, первый 1 и второй 5 входные трехполюсники выполнены в виде биполярных транзисторов 41, 42 одного типа проводимости, первый 9, второй 13 согласующие транзисторы и первый 17 и второй 21 выходные трехполюсники реализованы на транзисторах 43, 44, 45, 46 другого типа проводимости, первый 29 выход устройства связан со второй 32 шиной источника питания через последовательно соединенные первую 47 цепь смещения потенциалов и третий 33 токостабилизирующий двухполюсник, а второй 31 выход устройства связан со второй 32 шиной источника питания через вторую 48 цепь смещения потенциалов и четвертый 34 токостабилизирующий двухполюсник, причем общий узел первой 47 цепи смещения потенциалов и третьего 33 токостабилизирующего двухполюсника соединен с третьим 49 выходом устройства, а общий узел второй 48 цепи смещения потенциалов и четвертого 34 токостабилизирующего двухполюсника соединен с четвертым 50 выходом устройства.In the drawing of figure 4, as well as figure 5, in accordance with
Рассмотрим работу ОУ фиг.2.Consider the operation of the
Статический режим по току транзисторов предлагаемого ОУ устанавливается токостабилизирующими двухполюсниками 25, 27, 33 и 34:The static current mode of the transistors of the proposed op-amp is set by current-stabilizing two-
где I25, I27, I33, I34 - токи токостабилизирующих двухполюсников 25, 27, 33, 34;where I 25 , I 27 , I 33 , I 34 are the currents of the current-stabilizing two-
Is1, Is5 - токи истоков транзисторов, образующих входные трехполюсники 1 и 5;I s1 , I s5 are the currents of the sources of the transistors forming the input three-
Iк13, Iк9 - токи коллектора транзисторов, образующих согласующие трехполюсники 9 и 13;I k13 , I k9 - collector currents of transistors forming matching three-
Iэ17, Iэ21 - токи эмиттера транзисторов, образующих выходные трехполюсники 17 и 21;I e17 , I e21 - currents of the emitter of transistors forming the output three-
I0 - некоторое заданное значение опорного тока, например, 1 мА.I 0 - some set value of the reference current, for example, 1 mA.
В соответствии со вторым законом Киргофа статические напряжения U29, U31 на выходах 29 и 31 ОУ фиг.2 при нулевых напряжениях на входах Вх.1, Вх.2 удовлетворяют условиям:In accordance with the second law of Kirgoff, the static voltage U 29 , U 31 at the
где Uэб.9=Uэб.13 - напряжения «эмиттер-база» транзисторов, образующих согласующие трехполюсники 9 и 13;where U eb . 9 = U eb. 13 - emitter-base voltages of transistors forming matching three-
Uзи.1, Uзи.5 - напряжение затвор исток транзисторов, образующих входные трехполюсники 1 и 5;U zi.1 , U zi.5 - voltage gate source of transistors forming the input three-
R28, R30 - сопротивления резисторов 28 и 30;R 28 , R 30 - resistance of the
Iб - ток базы транзисторов, образующих согласующие трехполюсники 9 и 13.I b - the base current of the transistors forming the matching three-
Ток истока Is полевых транзисторов, образующих входные трехполюсники 1 и 5, определяется в первом приближении формулой:The source current I s field-effect transistors forming the input three-
где Is - ток истока полевого транзистора;where I s is the source current of the field effect transistor;
Ic.max - максимальный ток полевого транзистора при Uзи=0;I c.max - maximum current of a field-effect transistor at U zi = 0;
Uзи - напряжение затвор-исток (0≤Uзи≤Uотс);U connection - gate-source voltage (0≤U communication ≤U UTS);
Uотс - напряжение отсечки полевого транзистора.U OT - cutoff voltage of the field effect transistor.
Для получения Uзи=Uэб.9=Uэб.13≈0,7 В, при котором U29≈0, U31≈0, необходимо, чтобы токи токостабилизирующих двухполюсников 25 и 27 удовлетворяли условиюFor communication U = U = U eb.9 eb.13 ≈0,7 V, wherein U 29 ≈0, U 31 ≈0, it is necessary that the currents tokostabiliziruyuschih-
ИлиOr
Если эти токи больше, чем , то выходные напряжения ОУ U29=U31 будут иметь положительное смещение относительно общей шины. Если , то эти напряжения U29≈U31 смещаются к отрицательной шине питания.If these currents are greater than , then the output voltage of the op-amp U 29 = U 31 will have a positive offset relative to the common bus. If , then these voltages U 29 ≈ U 31 are shifted to the negative power bus.
Если в схеме фиг.2 обеспечить Uзи.5=Uзи.1=Uэб.9=Uэб.13≈0,7 В за счет соответствующего выбора токов , то теоретическое значение U29=U31 с высокой точностью будет соответствовать нулевому уровню:If in the circuit of FIG. 2, provide U zi . 5 =
С учетом типовых численных значений Iб и R28=R30 в практических схемах ОУ из уравнения (6) можно сделать вывод о том, что в заявляемом ОУ статические выходные напряжения U29=U31 близки к единицам милливольт.Given the typical numerical values of I b and R 28 = R 30 in practical schemes of the op-amp, from equation (6) we can conclude that in the claimed op-amp the static output voltages U 29 = U 31 are close to millivolts.
В зависимости от схемотехники трехполюсников 1, 5, 9, 13 можно установить и другие заданные величины статического выходного синфазного напряжения заявляемого ОУ.Depending on the circuitry of the three-
Графики фиг.8 и фиг.11 показывают, что в схемах ОУ фиг.2 и фиг.5 синусоидальные выходные напряжения имеют нулевой уровень статического смещения относительно общей шины.The graphs of Fig. 8 and Fig. 11 show that in the op-amp circuits of Fig. 2 and Fig. 5, the sinusoidal output voltages have a zero level of static bias relative to the common bus.
Таким образом, заявляемый операционный усилитель имеет малый нулевой уровень выходного синфазного напряжения. Это весьма существенно для его согласования с последующими функциональными узлами различных систем на кристалле, а также для получения более широкого диапазона изменения выходных противофазных напряжений.Thus, the inventive operational amplifier has a small zero level of the output common mode voltage. This is very important for its coordination with the subsequent functional units of various systems on the chip, as well as for obtaining a wider range of output antiphase voltages.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST
1. Патент US №7.737.783.1. US patent No. 7.737.783.
2. Патентная заявка US 2010/007419, fig.3.2. Patent application US 2010/007419, fig. 3.
3. Патент US №5.568.092, fig.1.3. US patent No. 5.568.092, fig. 1.
4. Патент US №6.100.759, fig.3.4. US patent No. 6.100.759, fig. 3.
5. Патентная заявка US 2002/0093380, fig.1.5. Patent application US 2002/0093380, fig. 1.
6. Патентная заявка US 2009/0195312, fig.1.6. Patent application US 2009/0195312, fig. 1.
7. Патент US №3.541.465, fig.3.7. US patent No. 3,541.465, fig.3.
8. Патент US №5.500.623, fig.6.8. US patent No. 5.500.623, fig.6.
9. Патентная заявка US 2005/0104661, fig.3.9. Patent application US 2005/0104661, fig. 3.
10. Патент US №6.396.346, fig.3А.10. US patent No. 6.396.346, fig.3A.
11. Патент US №5.440.271, fig.1.11. US patent No. 5.440.271, fig. 1.
12. Патент US №5.510.745, fig.25.12. US patent No. 5.510.745, fig.25.
13. Патент US №5.774.020, fig.2.13. US patent No. 5.774.020, fig.2.
14. Патент US №6.262.628, fig.14b.14. US patent No. 6.262.628, fig.14b.
15. Патент US №6.011.431, fig.6.15. US patent No. 6.011.431, fig.6.
16. Патент GB №1520085, fig.2.16. GB Patent No. 1520085, fig. 2.
17. Патентная заявка US 2006/0044064, fig.2.17. Patent application US 2006/0044064, fig.2.
18. Патентная заявка US 2006/0181347, fig.2.18. Patent application US 2006/0181347, fig. 2.
19. Budyakov, A. Design of Fully Differential OpAmps for GHz Range Applications [Текст] / Budyakov A., Schmalz K., Prokopenko N., Scheytt C., Ostrovskyy P. // Проблемы современной аналоговой микросхемотехники: Сб. материалов VI Международного научно-практического семинара. В 3-х ч. Ч.1. Функциональные узлы аналоговых интегральных схем и сложных функциональных блоков / под ред. Н.Н.Прокопенко. - Шахты: Изд-во ЮРГУЭС, 2007. - С.106-110.19. Budyakov, A. Design of Fully Differential OpAmps for GHz Range Applications [Text] / Budyakov A., Schmalz K., Prokopenko N., Scheytt C., Ostrovskyy P. // Problems of modern analog microcircuitry: Sat. materials of the VI International scientific and practical seminar. In 3 hours,
20. S.P.Voinigescu et al., "Design Methodology and Applications of SiGe BiCMOS Cascode Opamps with up to 37-GHz Unity Gain Bandwidth," IEEE CSICS, Techn. Digest, pp.283-286, Nov. 2005, фиг.2.20. S.P. Voinigescu et al., "Design Methodology and Applications of SiGe BiCMOS Cascode Opamps with up to 37-GHz Unity Gain Bandwidth," IEEE CSICS, Techn. Digest, pp. 283-286, Nov. 2005, FIG. 2.
21. S.P.Voinigescu et al., "SiGe BiCMOS for Analog, High-Speed Digital and Millimetre-Wave Applications Beyond 50 GHz," IEEE BCTM, pp.1-8, Oct. 2006.21. S.P. Voinigescu et al., "SiGe BiCMOS for Analog, High-Speed Digital and Millimetre-
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011123941/08A RU2452077C1 (en) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | Operational amplifier with paraphase output |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011123941/08A RU2452077C1 (en) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | Operational amplifier with paraphase output |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2452077C1 true RU2452077C1 (en) | 2012-05-27 |
Family
ID=46231813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011123941/08A RU2452077C1 (en) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | Operational amplifier with paraphase output |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2452077C1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2571569C1 (en) * | 2014-11-19 | 2015-12-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar-field technological process |
RU2589323C1 (en) * | 2015-07-28 | 2016-07-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Bipolar-field operational amplifier |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3949317A (en) * | 1974-09-16 | 1976-04-06 | Tektronix, Inc. | Fast recovery limiting and phase inverting amplifier |
SU581569A1 (en) * | 1973-09-06 | 1977-11-25 | Предприятие П/Я А-3469 | Differential amplifier stage |
US5568092A (en) * | 1994-05-24 | 1996-10-22 | Nec Corporation | Attenuated feedback type differential amplifier |
RU2413355C1 (en) * | 2009-10-12 | 2011-02-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential amplifier with paraphase output |
-
2011
- 2011-06-10 RU RU2011123941/08A patent/RU2452077C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU581569A1 (en) * | 1973-09-06 | 1977-11-25 | Предприятие П/Я А-3469 | Differential amplifier stage |
US3949317A (en) * | 1974-09-16 | 1976-04-06 | Tektronix, Inc. | Fast recovery limiting and phase inverting amplifier |
US5568092A (en) * | 1994-05-24 | 1996-10-22 | Nec Corporation | Attenuated feedback type differential amplifier |
RU2413355C1 (en) * | 2009-10-12 | 2011-02-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential amplifier with paraphase output |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2571569C1 (en) * | 2014-11-19 | 2015-12-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar-field technological process |
RU2589323C1 (en) * | 2015-07-28 | 2016-07-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Bipolar-field operational amplifier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2624565C1 (en) | Instrument amplifier for work at low temperatures | |
RU2523124C1 (en) | Multi-differential operational amplifier | |
RU2566963C1 (en) | Differential input stage of high-speed operational amplifier for cmos technological processes | |
RU2364020C1 (en) | Differential amplifier with negative in-phase signal feedback | |
RU2684489C1 (en) | Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures | |
RU2452077C1 (en) | Operational amplifier with paraphase output | |
RU2416146C1 (en) | Differential amplifier with increased amplification factor | |
RU2390916C1 (en) | Precision operational amplifier | |
RU2346388C1 (en) | Differential amplifier | |
RU2615066C1 (en) | Operational amplifier | |
RU2615068C1 (en) | Bipolar-field differential operational amplifier | |
RU2687161C1 (en) | Buffer amplifier for operation at low temperatures | |
RU2568384C1 (en) | Precision operational amplifier based on radiation resistant bipolar and field process | |
RU2595927C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2536376C1 (en) | Operational amplifier with paraphase output | |
RU2439778C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output | |
RU2475941C1 (en) | Differential amplifier with complementary input cascade | |
RU2439780C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2446554C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output | |
RU2441316C1 (en) | Differential amplifier with low supply voltage | |
RU2432666C1 (en) | Differential operational amplifier with low supply voltage | |
RU2310269C1 (en) | Common-mode signal negative-feedback differential amplifier | |
RU2419187C1 (en) | Cascode differential amplifier with increased zero level stability | |
RU2621289C1 (en) | Two-stage differential operational amplifier with higher gain | |
RU2481698C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130611 |