RU2481698C1 - Differential operational amplifier with paraphase output - Google Patents
Differential operational amplifier with paraphase output Download PDFInfo
- Publication number
- RU2481698C1 RU2481698C1 RU2012108697A RU2012108697A RU2481698C1 RU 2481698 C1 RU2481698 C1 RU 2481698C1 RU 2012108697 A RU2012108697 A RU 2012108697A RU 2012108697 A RU2012108697 A RU 2012108697A RU 2481698 C1 RU2481698 C1 RU 2481698C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- output
- base
- reference current
- current source
- Prior art date
Links
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims description 4
- 230000003068 static Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, мостовых усилителях мощности, драйверах дифференциальных линий связи, фильтрах, компараторах и т.п.).The invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used as a device for amplifying analog signals in the structure of analog microcircuits for various functional purposes (for example, bridge power amplifiers, differential communication line drivers, filters, comparators, etc.).
Известны схемы классических двухкаскадных дифференциальных операционных усилителей (ДУ) с парафазным выходом, которые стали основой многих серийных аналоговых микросхем [1-39].There are known schemes of classical two-stage differential operational amplifiers (DU) with paraphase output, which became the basis of many serial analog microcircuits [1-39].
ДУ данного класса широко применяются в структуре СВЧ-устройств [1, 2, 3], реализованных на базе SiGe-технологий. Это связано с возможностью построения на их основе активных RC-фильтров гигагерцового диапазона для современных и перспективных систем связи, драйверов дифференциальных линий связи между СФ-блоками A/d и D/a-классов и т.п. В значительной степени этому способствует простота установления статического режима ДУ при низковольтном питании (1,2÷2,1)В, которое характерно для SiGe транзисторов с предельными частотами 120÷160 ГГц.Remote controls of this class are widely used in the structure of microwave devices [1, 2, 3], implemented on the basis of SiGe technologies. This is due to the possibility of building on their basis active RC filters of the GHz range for modern and promising communication systems, drivers of differential communication lines between SF blocks A / d and D / a-classes, etc. To a large extent, this is facilitated by the simplicity of establishing the static mode of the remote control at low-voltage power supply (1.2–2.1) V, which is typical for SiGe transistors with limiting frequencies of 120–160 GHz.
Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель, описанный в патенте фирмы Mitsubishi US 5.367.371 fig.2, fig.3, содержащий первый 1 и второй 2 входные транзисторы, затворы (базы) которых соединены с соответствующими входами 3 и 4 устройства, транзистор источника опорного тока 5, коллектор которого соединен с объединенными истоками (эмиттерами) первого 1 и второго 2 входных транзисторов, а эмиттер через первый 6 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первым 7 источником питания, первый 8 выходной транзистор, база которого связана со стоком (коллектором) первого 1 входного транзистора и через первый 9 двухполюсник коллекторной нагрузки соединена со вторым 10 источником питания, второй 11 выходной транзистор, база которого соединена со стоком (коллектором) второго 2 входного транзистора и через второй 12 двухполюсник коллекторной нагрузки связана со вторым 10 источником питания и объединенными коллекторами первого 8 и второго 11 выходных транзисторов, второй 13 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого 8 выходного транзистора, соединенным с первым 14 вспомогательным выходом устройства, и первым 7 источником питания, третий 15 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером второго 11 выходного транзистора, соединенным со вторым 16 вспомогательным выходом устройства и первым 7 источником питания.The closest prototype (figure 1) of the claimed device is a differential amplifier described in the patent of Mitsubishi company US 5.367.371 fig.2, fig.3, containing the first 1 and second 2 input transistors, the gates (bases) of which are connected to the
Основная цель предлагаемого изобретения состоит в создании условий, при которых выходное статическое синфазное напряжение ДУ будет иметь высокую стабильность и нулевое значение.The main objective of the invention is to create conditions under which the output static common-mode voltage of the remote control will have high stability and zero value.
Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном операционном усилителе с парафазным выходом (фиг.1), содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы, затворы (базы) которых соединены с соответствующими входами 3 и 4 устройства, транзистор источника опорного тока 5, коллектор которого соединен с объединенными истоками (эмиттерами) первого 1 и второго 2 входных транзисторов, а эмиттер через первый 6 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первым 7 источником питания, первый 8 выходной транзистор, база которого связана со стоком (коллектором) первого 1 входного транзистора и через первый 9 двухполюсник коллекторной нагрузки соединена со вторым 10 источником питания, второй 11 выходной транзистор, база которого соединена со стоком (коллектором) второго 2 входного транзистора и через второй 12 двухполюсник коллекторной нагрузки связана со вторым 10 источником питания и объединенными коллекторами первого 8 и второго 11 выходных транзисторов, второй 13 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого 8 выходного транзистора, соединенным с первым 14 вспомогательным выходом устройства, и первым 7 источником питания, третий 15 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером второго 11 выходного транзистора, соединенным со вторым 16 вспомогательным выходом устройства и первым 7 источником питания, предусмотрены новые элементы и связи: в схему введен дополнительный р-n переход 17, включенный между эмиттером транзистора источника опорного тока 5 и общей шиной 18 первого 7 и второго 10 источников питания, причем первый 14 вспомогательный выход устройства соединен с базой транзистора источника опорного тока 5 через первый 19 резистор обратной связи, а второй 16 вспомогательный выход устройства соединен с базой транзистора источника опорного тока 5 через второй 20 резистор обратной связи.The problem is solved in that in a differential operational amplifier with a paraphase output (Fig. 1), containing the first 1 and second 2 input transistors, the gates (bases) of which are connected to the
На фиг.1 показана схема ДУ-прототипа.In Fig.1 shows a diagram of the remote control prototype.
На фиг.2 показана схема заявляемого устройства в соответствии с п.1, а на фиг.3 - в соответствии с п.2 формулы изобретения.Figure 2 shows a diagram of the inventive device in accordance with
На фиг.4 показано включение заявляемого устройства в качестве выходного функционального узла в структуре широкополосного усилителя, содержащего входной нелинейный преобразователь 27 на основе р-n переходов 29, 30, выходы которого подключены ко входам 3, 4 ДУ фиг.2.Figure 4 shows the inclusion of the inventive device as an output functional node in the structure of a broadband amplifier containing an input
На фиг.5 показана схема заявляемого ДУ (фиг.2) в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».Figure 5 shows a diagram of the claimed remote control (figure 2) in a computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors of FSUE NPP Pulsar.
На фиг.6 приведена частотная зависимость коэффициента усиления по напряжению схемы фиг.5.Figure 6 shows the frequency dependence of the voltage gain of the circuit of figure 5.
Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом (фиг.2) содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, затворы (базы) которых соединены с соответствующими входами 3 и 4 устройства, транзистор источника опорного тока 5, коллектор которого соединен объединенными истоками (эмиттерами) первого 1 и второго 2 входных транзисторов, а эмиттер через первый 6 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первым 7 источником питания, первый 8 выходной транзистор, база которого связана со стоком (коллектором) первого 1 входного транзистора и через первый 9 двухполюсник коллекторной нагрузки соединена со вторым 10 источником питания, второй 11 выходной транзистор, база которого соединена со стоком (коллектором) второго 2 входного транзистора и через второй 12 двухполюсник коллекторной нагрузки связана со вторым 10 источником питания и объединенными коллекторами первого 8 и второго 11 выходных транзисторов, второй 13 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого 8 выходного транзистора, соединенным с первым 14 вспомогательным выходом устройства, и первым 7 источником питания, третий 15 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером второго 11 выходного транзистора, соединенным со вторым 16 вспомогательным выходом устройства и первым 7 источником питания. В схему введен дополнительный р-n переход 17, включенный между эмиттером транзистора источника опорного тока 5 и общей шиной 18 первого 7 и второго 10 источников питания, причем первый 14 вспомогательный выход устройства соединен с базой транзистора источника опорного тока 5 через первый 19 резистор обратной связи, а второй 16 вспомогательный выход устройства соединен с базой транзистора источника опорного тока 5 через второй 20 резистор обратной связи.The differential operational amplifier with a paraphase output (figure 2) contains the first 1 and second 2 input transistors, the gates (bases) of which are connected to the
На фиг.3, в соответствии с п.2 формулы изобретения, первый 14 вспомогательный выход устройства связан с базой транзистора источника опорного тока 5 через последовательно соединенные первый 21 дополнительный буферный усилитель и первый 19 резистор обратной связи, а второй 16 вспомогательный выход устройства связан с базой транзистора источника опорного тока 5 через последовательно соединенные второй 22 дополнительный буферный усилитель и второй 20 резистор обратной связи.In Fig. 3, in accordance with
На фиг.4 первый 8 и второй 11 выходные транзисторы реализованы в виде составных активных элементов, содержащих соответственно биполярные транзисторы 23, 25 и вспомогательные р-n переходы 24, 26. Входной каскад 27 широкополосного усилителя (фиг.4) содержит цепь смещения потенциалов 28, р-n переходы 29, 30, входные транзисторы 31, 32, резистор местной обратной связи 33 и вспомогательные источники тока 34, 35.In Fig. 4, the first 8 and second 11 output transistors are implemented as composite active elements containing
Рассмотрим работу ДУ (фиг.2).Consider the operation of the remote control (figure 2).
Статический режим по току транзисторов 1, 2 и 8, 11 предлагаемого ДУ устанавливается двухполюсниками 6, 13 и 15:The static current mode of the
, ,
, ,
, ,
где Ic1, Ic2 - токи стока (коллектора) транзисторов 1 и 2,where I c1 , I c2 are the drain currents (collector) of
I17=I0, I13, I15, I6 - токи двухполюсников 17, 13, 15, 6.I17= I0, I13, Ififteen, I6 - currents of two-
В соответствии со вторым законом Киргофа статические напряжения на выходах 14 и 16 ДУ:In accordance with the second law of Kirgoff, the static voltage at the
где Uэб.17=Uэб.5 - напряжения «эмиттер-база» транзистора 5 и р-n перехода 17;where U eb.17 = U eb.5 - voltage "emitter-base" of the
Iб - ток базы транзистора 5.I b - base current of the
С учетом типовых численных значений Iб и R19=R20 практических схем ДУ из уравнения (2) можно сделать вывод о том, что в заявляемом ДУ статические выходные напряжения U14=U16 близки к единицам милливольт.Given the typical numerical values of I b and R 19 = R 20 of the practical control circuits from equation (2), we can conclude that in the claimed control circuit, the static output voltages U 14 = U 16 are close to millivolts.
Дальнейшее уменьшение U14=U16 возможно за счет рационального выбора сопротивлений резисторов 19 и 20.A further decrease in U 14 = U 16 is possible due to a rational choice of the resistances of the
В зависимости от количества р-n переходов 17 в ДУ (фиг.2) можно установить и другие заданные величины статического выходного синфазного напряжения.Depending on the number of
Таким образом, заявляемый дифференциальный операционный усилитель имеет малый нулевой уровень выходного синфазного напряжения. Это весьма существенно для его согласования с последующими функциональными узлами различных систем на кристалле, а также для получения более широкого диапазона изменения выходных противофазных напряжений.Thus, the claimed differential operational amplifier has a small zero level of the output common mode voltage. This is very important for its coordination with the subsequent functional units of various systems on the chip, as well as for obtaining a wider range of output antiphase voltages.
Библиографический списокBibliographic list
1. Budyakov, A. Design of Fully Differential OpAmps for GHz Range Applications [Текст] / Budyakov A., Schmalz K., Prokopenko N., Scheytt C., Ostrovskyy P. // Проблемы современной аналоговой микросхемотехники: сб. материалов VI Международного научно-практического семинара. В 3-х ч. Ч.1. Функциональные узлы аналоговых интегральных схем и сложных функциональных блоков / под ред. Н.Н.Прокопенко. - Шахты: Изд-во ЮРГУЭС, 2007 - С.106-110.1. Budyakov, A. Design of Fully Differential OpAmps for GHz Range Applications [Text] / Budyakov A., Schmalz K., Prokopenko N., Scheytt C., Ostrovskyy P. // Problems of modern analog microcircuitry: collection. materials of the VI International scientific and practical seminar. In 3 hours,
2. S.P.Voinigescu, et al., "Design Methodology and Applications of SiGe BiCMOS Cascode Opamps with up to 37-GHz Unity Gain Bandwidth," IEEE CSICS, Techn. Digest, pp.283-286, Nov. 2005, фиг.2.2. S.P. Voinigescu, et al., "Design Methodology and Applications of SiGe BiCMOS Cascode Opamps with up to 37-GHz Unity Gain Bandwidth," IEEE CSICS, Techn. Digest, pp. 283-286, Nov. 2005, FIG. 2.
3. S.P.Voinigescu, et al., "SiGe BiCMOS for Analog, High-Speed Digital and Millimetre-Wave Applications Beyond 50 GHz", IEEE BCTM, pp.1-8, Oct.2006.3. S.P. Voinigescu, et al., "SiGe BiCMOS for Analog, High-Speed Digital and Millimetre-Wave Applications Beyond 50 GHz", IEEE BCTM, pp. 1-8, Oct. 2006.
4. Патент США №5.684.4194. US Patent No. 5,684,419
5. Патентная заявка WO 2009/042474, fig.55. Patent application WO 2009/042474, fig.5
6. Патентная заявка WO 96/212716. Patent application WO 96/21271
7. Патентная заявка США 2010/0019946, fig.37. US Patent Application 2010/0019946, fig. 3
8. Патент США №6.693.4898. US Patent No. 6,693.489
9. Патентная заявка WO 2005/074136, fig.19. Patent application WO 2005/074136, fig. 1
10. Патентная заявка США 2006/0038616, fig.110. US Patent Application 2006/0038616, fig. 1
11. Патентная заявка США 2010/0102884, fig.211. US Patent Application 2010/0102884, fig. 2
12. Патент США №6.285.245, fig.112. US Patent No. 6,285.245, fig. 1
13. Патент США №4.517.52413. US Patent No. 4,517.524
14. Патент США №4.276.485, fig.114. US Patent No. 4,276,485, fig. 1
15. Патентная заявка США 2005/008823215. US patent application 2005/0088232
16. Патент Франции №2409640, fig.116. French Patent No. 2409640, fig. 1
17. Патентная заявка США 2005/0110571, fig.717. US Patent Application 2005/0110571, fig. 7
18. Патентная заявка США 2009/108882, fig.318. US Patent Application 2009/108882, fig. 3
19. Патентная заявка США №2009/0221259, fig.1319. US patent application No. 2009/0221259, fig.13
20. Патентная заявка США №2005/020041420. US patent application No. 2005/0200414
21. Патент США №4.680.553, fig.1321. US Patent No. 4,680.553, fig.13
22. Патентная заявка США №2004/0046592, fig.222. US patent application No. 2004/0046592, fig. 2
23. Патент JP №54079553, fig.123. JP Patent No. 54079553, fig. 1
24. Патент GB №2008883, fig.124. GB Patent No. 20088883, fig. 1
25. Патент США №6.462.61825. US Patent No. 6,462.618
26. Патент США №3.541.46426. US Patent No. 3,541.464
27. Патентная заявка WO 2004/10278927. Patent application WO 2004/102789
28. Патент США №5.389.89328. US Patent No. 5,389.893
29. Патент Японии JP 53-14284929. Japanese Patent JP 53-142849
30. А.св. СССР 110201930. A. St. USSR 1102019
31. Патентная заявка WO 2005/07752531. Patent application WO 2005/077525
32. Патентная заявка США №2006/018134832. US patent application No. 2006/0181348
33. Патент Англии GB 241905233. England patent GB 2419052
34. Патентная заявка США №2008/029094134. US patent application No. 2008/0290941
35. Патент Японии JP 5503021835. Japan patent JP 55030218
36. Патент Англии GB 135035236. England patent GB 1350352
37. Патент Японии JP 54-4746737. Japanese Patent JP 54-47467
38. Патент Японии JP 5509981038. Japanese Patent JP 55099810
39. Патент ФРГ DE 282194239. German patent DE 2821942
Claims (2)
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2481698C1 true RU2481698C1 (en) | 2013-05-10 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2419197C1 (en) | Differential amplifier with increased amplification factor as to voltage | |
RU2364020C1 (en) | Differential amplifier with negative in-phase signal feedback | |
RU2346382C1 (en) | Differential amplifier with paraphase output | |
RU2421887C1 (en) | Differential amplifier with paraphase output | |
RU2413355C1 (en) | Differential amplifier with paraphase output | |
RU2416146C1 (en) | Differential amplifier with increased amplification factor | |
RU2390916C1 (en) | Precision operational amplifier | |
RU2481698C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output | |
RU2321159C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2475941C1 (en) | Differential amplifier with complementary input cascade | |
RU2452077C1 (en) | Operational amplifier with paraphase output | |
RU2595927C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2615068C1 (en) | Bipolar-field differential operational amplifier | |
RU2384936C1 (en) | Controlled two-stage differential amplifier with inphase negative feedback | |
RU2435293C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output | |
RU2439778C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output | |
RU2383099C2 (en) | Differential amplifier with low-resistance inputs | |
RU2439780C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2390912C2 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2642337C1 (en) | Bipolar-field operating amplifier | |
RU2419187C1 (en) | Cascode differential amplifier with increased zero level stability | |
RU2321158C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2432667C1 (en) | Differential operational amplifier with low supply voltage | |
RU2436226C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output | |
RU2419193C1 (en) | Differential amplifier with paraphase output |