RU2595927C1 - Bipolar-field operational amplifier - Google Patents
Bipolar-field operational amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- RU2595927C1 RU2595927C1 RU2015130622/08A RU2015130622A RU2595927C1 RU 2595927 C1 RU2595927 C1 RU 2595927C1 RU 2015130622/08 A RU2015130622/08 A RU 2015130622/08A RU 2015130622 A RU2015130622 A RU 2015130622A RU 2595927 C1 RU2595927 C1 RU 2595927C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- output
- transistor
- collector
- emitter
- auxiliary
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления широкополосных сигналов.The invention relates to the field of electronics and can be used as a precision device for amplifying broadband signals.
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение операционные усилители (ОУ) на полевых и биполярных транзисторах, выполненные на основе дифференциального каскада с симметричной активной нагрузкой в виде источников опорного тока [1-8]. Их основное достоинство - повышенный коэффициент усиления по напряжению, который обеспечивается двумя каскадами усиления.In modern electronic equipment, operational amplifiers (op amps) are used on field and bipolar transistors, made on the basis of a differential cascade with a symmetrical active load in the form of reference current sources [1-8]. Their main advantage is the increased voltage gain, which is provided by two amplification stages.
Для работы в условиях космического пространства в экспериментальной физике необходимы радиационно-стойкие ОУ с повышенным коэффициентом усиления по напряжению и максимальными амплитудами выходного напряжения , близкими к напряжению питания. Мировой опыт проектирования устройств данного класса показывает, что решение этих задач возможно с использованием биполярно-полевого технологического процесса [9], обеспечивающего формирование р-канальных полевых и высококачественных n-p-n биполярных транзисторов с радиационной стойкостью до 1 Мрад и потоком нейтронов до 1013 н/см2. Однако для таких ОУ необходима специальная схемотехника, учитывающая ограничения биполярно-полевой технологии [9-13].To work in outer space in experimental physics, radiation-resistant op-amps with a high voltage gain and maximum output voltage amplitudes are required close to the supply voltage. World experience in designing devices of this class shows that the solution to these problems is possible using a bipolar field process [9], which provides the formation of p-channel field and high-quality npn bipolar transistors with radiation resistance up to 1 Mrad and a neutron flux up to 10 13 n / cm 2 . However, for such an op-amp, a special circuitry is needed that takes into account the limitations of bipolar field technology [9-13].
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является операционный усилитель по патенту US 7.411.451, fig. 2. Он содержит (фиг. 1) входной дифференциальный каскад 1, общая истоковая цепь которого 2 связана с первой 3 шиной источника питания, первый 4 и второй 5 входы входного дифференциального каскада 1, первый 6 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с базой первого 7 выходного транзистора и коллектором первого 8 транзистора первого источника опорного тока, эмиттер которого связан со второй 9 шиной источника питания, второй 10 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с базой второго 11 выходного транзистора и коллектором второго 12 транзистора второго источника опорного тока, эмиттер которого связан со второй 9 шиной источника питания, цепь динамической нагрузки 13, согласованную с первой 3 шиной источника питания, вход которой 14 соединен с коллектором второго 11 выходного транзистора, а выход 15 связан с выходом устройства 16 и коллектором первого 7 выходного транзистора, причем базы первого 8 и второго 12 транзисторов первого и второго источников опорного тока соединены друг с другом, а эмиттеры первого 7 и второго 11 выходных транзисторов объединены друг с другом.The closest prototype (Fig. 1) of the claimed device is an operational amplifier according to the patent US 7.411.451, fig. 2. It contains (Fig. 1) the input
Существенный недостаток известного ОУ состоит в том, что в нем не обеспечивается широкий диапазон изменения выходного напряжения, что особенно проявляется при низковольтном питании (2,5÷5 В). Кроме этого, в диапазоне рабочих, прежде всего низких температур, а также при воздействии потока нейтронов он имеет повышенные значения напряжения смещения нуля (Uсм) (единицы-десятки милливольт). В конечном итоге это снижает прецизионность известного ОУ.A significant drawback of the known op-amp is that it does not provide a wide range of changes in the output voltage, which is especially evident with low-voltage power supply (2.5 ÷ 5 V). In addition, in the range of working, primarily low temperatures, and also when exposed to a neutron flux, it has increased values of zero bias voltage (U cm ) (several tens of millivolts). Ultimately, this reduces the precision of the known opamp.
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в расширении диапазона изменения выходного напряжения до уровней, близких к напряжениям на положительной (3) и отрицательной (9) шинах питания.The main objective of the invention is to expand the range of changes in the output voltage to levels close to the voltage on the positive (3) and negative (9) power buses.
Поставленная задача достигается тем, что в операционном усилителе фиг. 1, содержащем входной дифференциальный каскад 1, общая истоковая цепь которого 2 связана с первой 3 шиной источника питания, первый 4 и второй 5 входы входного дифференциального каскада 1, первый 6 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с базой первого 7 выходного транзистора и коллектором первого 8 транзистора первого источника опорного тока, эмиттер которого связан со второй 9 шиной источника питания, второй 10 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с базой второго 11 выходного транзистора и коллектором второго 12 транзистора второго источника опорного тока, эмиттер которого связан со второй 9 шиной источника питания, цепь динамической нагрузки 13, согласованную с первой 3 шиной источника питания, вход которой 14 соединен с коллектором второго 11 выходного транзистора, а выход 15 связан с выходом устройства 16 и коллектором первого 7 выходного транзистора, причем базы первого 8 и второго 12 транзисторов первого и второго источников опорного тока соединены друг с другом, а эмиттеры первого 7 и второго 11 выходных транзисторов объединены друг с другом, предусмотрены новые элементы и связи - объединенные эмиттеры первого 7 и второго 11 выходных транзисторов подключены ко входу 17 дополнительного неинвертирующего усилителя 18, выход которого 19 связан с базами первого 8 и второго 12 транзисторов первого и второго источников опорного тока, причем выходное статическое напряжение дополнительного неинвертирующего усилителя 18 превышает его входное статическое напряжение, измеренное относительно второй 9 шины источника питания.The problem is achieved in that in the operational amplifier of FIG. 1, containing the input
На чертеже фиг. 1 показана схема ОУ-прототипа, а на чертеже фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 1 shows a diagram of an op-amp prototype, and in the drawing of FIG. 2 is a diagram of the inventive device in accordance with
На чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 2, а на чертеже фиг. 4 - п. 3 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 3 shows a diagram of the inventive device in accordance with
На чертеже фиг. 5 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 4 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 5 presents a diagram of the inventive device in accordance with
На чертеже фиг. 6 приведена схема заявляемого устройства фиг. 4 в среде PSpice на радиационно-зависимых моделях интегральных транзисторов АБМК_1_4 НПО «Интеграл» (г. Минск).In the drawing of FIG. 6 is a diagram of the inventive device of FIG. 4 in the environment of PSpice on radiation-dependent models of integrated transistors ABMK_1_4 NPO Integral (Minsk).
На чертеже фиг. 7 показаны амплитудно-частотные характеристики операционного усилителя фиг. 6 без отрицательной обратной связи и со 100% отрицательной обратной связью.In the drawing of FIG. 7 shows the amplitude-frequency characteristics of the operational amplifier of FIG. 6 without negative feedback and with 100% negative feedback.
На чертеже фиг. 8 приведена зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 6 от температуры.In the drawing of FIG. 8 shows the dependence of the zero bias voltage of the op amp of FIG. 6 on temperature.
На чертеже фиг. 9 представлена схема заявляемого устройства фиг. 5 в среде PSpice на радиационно-зависимых моделях интегральных транзисторов АБМК_1_4 НПО «Интеграл» (г. Минск).In the drawing of FIG. 9 is a diagram of the inventive device of FIG. 5 in the environment PSpice on radiation-dependent models of integrated transistors ABMK_1_4 NPO Integral (Minsk).
На чертеже фиг. 10 представлены амплитудно-частотные характеристики замкнутого и разомкнутого ОУ фиг. 9.In the drawing of FIG. 10 shows the amplitude-frequency characteristics of a closed and open op amp of FIG. 9.
На чертеже фиг. 11 показана схема заявляемого устройства фиг. 5 в среде PSpice при выполнении токового зеркала 13 на основе р-n-р транзисторов АБМК_1_3, которые не отличаются высокой радиационной стойкостью [9].In the drawing of FIG. 11 shows a diagram of the inventive device of FIG. 5 in the environment of PSpice when performing a
На чертеже фиг. 12 приведена зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 11 от температуры в диапазоне минус 60-80°С (а) и потока нейтронов (б).In the drawing of FIG. 12 shows the dependence of the zero bias voltage of the op amp of FIG. 11 on temperature in the range of minus 60-80 ° C (a) and neutron flux (b).
Биполярно-полевой операционный усилитель фиг. 2 содержит входной дифференциальный каскад 1, общая истоковая цепь которого 2 связана с первой 3 шиной источника питания, первый 4 и второй 5 входы входного дифференциального каскада 1, первый 6 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с базой первого 7 выходного транзистора и коллектором первого 8 транзистора первого источника опорного тока, эмиттер которого связан со второй 9 шиной источника питания, второй 10 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с базой второго 11 выходного транзистора и коллектором второго 12 транзистора второго источника опорного тока, эмиттер которого связан со второй 9 шиной источника питания, цепь динамической нагрузки 13, согласованную с первой 3 шиной источника питания, вход которой 14 соединен с коллектором второго 11 выходного транзистора, а выход 15 связан с выходом устройства 16 и коллектором первого 7 выходного транзистора, причем базы первого 8 и второго 12 транзисторов первого и второго источников опорного тока соединены друг с другом, а эмиттеры первого 7 и второго 11 выходных транзисторов объединены друг с другом. Объединенные эмиттеры первого 7 и второго 11 выходных транзисторов подключены ко входу 17 дополнительного неинвертирующего усилителя 18, выход которого 19 связан с базами первого 8 и второго 12 транзисторов первого и второго источников опорного тока, причем выходное статическое напряжение дополнительного неинвертирующего усилителя 18 превышает его входное статическое напряжение, измеренное относительно второй 9 шины источника питания. В данной схеме входной дифференциальный каскад 1 выполнен на полевых транзисторах 20 и 21 и источнике опорного тока 22.The bipolar field operational amplifier of FIG. 2 contains an input
На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, вход 17 дополнительного неинвертирующего усилителя 18 подключен к эмиттеру первого 23 вспомогательного транзистора и через первый 24 вспомогательный резистор соединен со второй 9 шиной источника питания, база и коллектор первого 23 вспомогательного транзистора соединены с выходом 19 дополнительного неинвертирующего усилителя 18 и подключены к первому 25 вспомогательному источнику опорного тока, причем площадь эмиттерного перехода первого 23 вспомогательного транзистора значительно превышает площадь эмиттерных переходов первого 8 и второго 12 транзисторов первого и второго источников опорного тока.In the drawing of FIG. 3, in accordance with
На чертеже фиг. 4, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, вход 17 дополнительного неинвертирующего усилителя 18 подключен к эмиттеру второго 26 вспомогательного транзистора и через второй 27 вспомогательный резистор соединен со второй 9 шиной источника питания, база второго 26 вспомогательного транзистора соединена с выходом 19 дополнительного неинвертирующего усилителя 18 и эмиттером третьего 28 вспомогательного транзистора, коллектор которого соединен с первой 3 шиной источника питания, коллектор второго 26 вспомогательного транзистора соединен с базой третьего 28 вспомогательного транзистора и подключен ко второму 29 источнику опорного тока, причем площадь эмиттерного перехода второго 26 вспомогательного транзистора значительно превышает площадь эмиттерных переходов первого 8 и второго 12 транзисторов первого и второго источников опорного тока.In the drawing of FIG. 4, in accordance with
В схеме фиг. 4 для уменьшения выходного сопротивления может использоваться буферный усилитель 30, у которого выходное сопротивление относительно выхода 31 мало.In the circuit of FIG. 4, a
На чертеже фиг. 5, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, вход 17 дополнительного неинвертирующего усилителя 18 соединен с коллектором четвертого 32 вспомогательного транзистора и через последовательно соединенные прямосмещенный р-n-переход 33 и третий 34 вспомогательный резистор подключен к базе пятого 35 вспомогательного транзистора, эмиттер которого подключен к базе четвертого 32 вспомогательного транзистора и выходу 19 дополнительного неинвертирующего усилителя 18, коллектор пятого 35 вспомогательного транзистора соединен с первой 3 шиной источника питания, а его база связана с третьим 36 источником опорного тока, причем эмиттер четвертого 32 вспомогательного транзистора подключен ко второй 9 шине источника питания.In the drawing of FIG. 5, in accordance with
Рассмотрим работу ОУ, фиг. 3.Consider the operation of the op-amp, FIG. 3.
Статический режим транзисторов схемы (фиг. 3) устанавливается источником опорного тока 22 и первым 25 вспомогательным источником опорного тока. При этом токи стока (Ici) и токи коллекторов (Iкi) транзисторов схемы определяются уравнениями:The static mode of the transistors of the circuit (Fig. 3) is set by the reference
где Iс20, Ic21 - токи стока полевых транзисторов 20 и 21;where I c20 , I c21 - drain currents of
I0 - некоторый заданный опорный ток, например I0=1 мА;I 0 is a given reference current, for example, I 0 = 1 mA;
Iк8, Iк12 - токи коллекторов первого 8 и второго 12 транзисторов первого и второго источников опорного тока.I k8 , I k12 - collector currents of the first 8 and second 12 transistors of the first and second sources of the reference current.
Если выбрать I25=I0, а отношение площадей эмиттерных переходов первого 23 вспомогательного транзистора и первого 8 (второго 12) транзистора первого (второго) источника опорного тока обозначить как N=S23/S8, то можно получить, что токи эмиттеров первого 7 и второго 11 выходных транзисторов зависят от N и сопротивления R24 первого 24 вспомогательного резистора:If I 25 = I 0 , and the ratio of the areas of the emitter junctions of the first 23 auxiliary transistors and the first 8 (second 12) transistors of the first (second) reference current source is denoted as N = S 23 / S 8 , then we can obtain that the currents of the emitters of the first 7 and the second 11 output transistors depend on N and the resistance R 24 of the first 24 auxiliary resistor:
где φт≈26 мВ - температурный потенциал.where φ t ≈26 mV is the temperature potential.
Амплитуда отрицательного выходного напряжения ОУ (фиг. 3) определяется напряжением коллектор-база (Uкб.7) первого 7 выходного транзистора в статическом режиме:The amplitude of the negative output voltage of the op-amp (Fig. 3) determined by the collector-base voltage (U kb.7 ) of the first 7 output transistor in static mode:
где иэб.8 - напряжение эмиттер-база первого 8 транзистора первого источника опорного тока;where eb. 8 is the emitter-base voltage of the first 8 transistor of the first reference current source;
Uэб.7 - напряжение эмиттер-база первого 7 выходного транзистора;U eb. 7 - emitter-base voltage of the first 7 output transistor;
Uэб.23 - напряжение эмиттер-база первого 23 вспомогательного транзистора;U eb.23 - voltage emitter-base of the first 23 auxiliary transistor;
Е9 - напряжение на второй 9 шине источника питания.E 9 - voltage on the second 9 bus power source.
В схеме ОУ-прототипа (фиг. 1) этот параметрIn the scheme of the op-amp prototype (Fig. 1), this parameter
Таким образом, заявляемое устройство имеет на 0,7 В более широкий диапазон изменения отрицательного выходного напряжения , что достаточно актуально при низковольтном электропитании [Е9=(1.5÷3) В].Thus, the claimed device has a 0.7 V wider range of variation of the negative output voltage , which is quite relevant for low-voltage power supply [E 9 = (1.5 ÷ 3) V].
Аналогичные улучшения по амплитуде реализуются в схемах фиг. 4, фиг. 5.Similar amplitude improvements implemented in the diagrams of FIG. 4, FIG. 5.
Предлагаемые схемотехнические решения обеспечивают высокую стабильность напряжения смещения нуля ОУ (фиг. 8, фиг. 12).The proposed circuit solutions provide high stability of the zero-offset voltage of the op-amp (Fig. 8, Fig. 12).
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST
1. Патент US 7.411.451, fig. 2.1. Patent US 7.411.451, fig. 2.
2. Патент US 4.607.232.2. Patent US 4.607.232.
3. Патент US 3.614.645, fig. 1, fig. 2.3. Patent US 3.614.645, fig. 1, fig. 2.
4. Патент US 5.963.085, fig. 3.4. Patent US 5.963.085, fig. 3.
5. Патент US 4.271.394, fig. 3.5. Patent US 4,271,394, fig. 3.
6. Патент US 4.069.460, fig. 1.6. Patent US 4.069.460, fig. one.
7. Патент US 4.359.693, fig. 1.7. Patent US 4.359.693, fig. one.
8. Патент US 4.348.602, fig. 1.8. Patent US 4.348.602, fig. one.
9. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т. экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.9. The element base of radiation-resistant information-measuring systems: monograph / N.N. Prokopenko, O.V. Dvornikov, S.G. Krutchinsky; under the general. ed. Doctor of Technical Sciences prof. N.N. Prokopenko; FSBEI HPE “South-Ros. state un-t economics and service. " - Mines: FSBEI HPE "URGUES", 2011. - 208 p.
10. Проблемы проектирования аналоговых устройств с входными полевыми транзисторами. Часть 1 / О. Дворников // Компоненты и технологии, №6, 200.5, http:/kit-e.ru/articles/device/2005_6_218.php10. Problems of designing analog devices with input field effect transistors.
11. Проблемы проектирования аналоговых устройств с входными полевыми транзисторами. Часть 2 / О. Дворников // Компоненты и технологии, №7, 2005, http.7/kit-e.ru/articles/device/2005_7_216.php11. Problems of designing analog devices with input field effect transistors.
12. Проблемы проектирования аналоговых устройств с входными полевыми транзисторами. Часть 3 / О. Дворников // Компоненты и технологии, №8, 2005, http://kit-e.ru/articles/device/2005_8_184.php12. Problems of designing analog devices with input field effect transistors.
13. Схемотехника биполярно-полевых аналоговых микросхем. Часть 4. Источники тока для особых применений / О. Дворников // Chip News, №3(96), 2005. - С. 66-68.13. Circuitry of bipolar-field analog circuits.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015130622/08A RU2595927C1 (en) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | Bipolar-field operational amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015130622/08A RU2595927C1 (en) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | Bipolar-field operational amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2595927C1 true RU2595927C1 (en) | 2016-08-27 |
Family
ID=56891933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015130622/08A RU2595927C1 (en) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | Bipolar-field operational amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2595927C1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2670777C1 (en) * | 2018-03-12 | 2018-10-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Bipolar-field buffer amplifier for operating at low temperatures |
RU2771316C1 (en) * | 2021-12-09 | 2022-04-29 | Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" | Gallium buffer amplifier |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6542030B2 (en) * | 1998-11-16 | 2003-04-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Amplifier with stabilization means |
US6801087B2 (en) * | 2000-06-28 | 2004-10-05 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit with an analog amplifier |
US7411451B2 (en) * | 2006-04-03 | 2008-08-12 | Texas Instruments Incorporated | Class AB folded cascode stage and method for low noise, low power, low-offset operational amplifier |
-
2015
- 2015-07-23 RU RU2015130622/08A patent/RU2595927C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6542030B2 (en) * | 1998-11-16 | 2003-04-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Amplifier with stabilization means |
US6801087B2 (en) * | 2000-06-28 | 2004-10-05 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit with an analog amplifier |
US7411451B2 (en) * | 2006-04-03 | 2008-08-12 | Texas Instruments Incorporated | Class AB folded cascode stage and method for low noise, low power, low-offset operational amplifier |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2670777C1 (en) * | 2018-03-12 | 2018-10-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Bipolar-field buffer amplifier for operating at low temperatures |
RU2670777C9 (en) * | 2018-03-12 | 2018-12-19 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Bipolar-field buffer amplifier for operating at low temperatures |
RU2771316C1 (en) * | 2021-12-09 | 2022-04-29 | Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" | Gallium buffer amplifier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2523124C1 (en) | Multi-differential operational amplifier | |
RU2595927C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2615066C1 (en) | Operational amplifier | |
RU2615068C1 (en) | Bipolar-field differential operational amplifier | |
RU2615070C1 (en) | High-precision two-stage differential operational amplifier | |
RU2640744C1 (en) | Cascode differential operational amplifier | |
RU2568384C1 (en) | Precision operational amplifier based on radiation resistant bipolar and field process | |
RU2583760C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2439780C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2321159C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2589323C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2595926C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2642337C1 (en) | Bipolar-field operating amplifier | |
RU2571579C1 (en) | Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process | |
RU2439778C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output | |
RU2604684C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier based on "bent" cascade | |
RU2419187C1 (en) | Cascode differential amplifier with increased zero level stability | |
RU2412530C1 (en) | Complementary differential amplifier | |
RU2432666C1 (en) | Differential operational amplifier with low supply voltage | |
RU2595923C1 (en) | High-speed operational amplifier based on "bent" cascode | |
RU2613842C1 (en) | Differential operating amplifier with low power supply voltage | |
RU2444114C1 (en) | Operational amplifier with low-resistance load | |
RU2412529C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2592429C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier on basis of "bent" cascode | |
RU2627094C1 (en) | Low-temperature radiation-resistant multidifferential operating amplifier |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170724 |