RU2571579C1 - Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process - Google Patents

Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process Download PDF

Info

Publication number
RU2571579C1
RU2571579C1 RU2014145403/08A RU2014145403A RU2571579C1 RU 2571579 C1 RU2571579 C1 RU 2571579C1 RU 2014145403/08 A RU2014145403/08 A RU 2014145403/08A RU 2014145403 A RU2014145403 A RU 2014145403A RU 2571579 C1 RU2571579 C1 RU 2571579C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
current
input
output
transistor
balanced
Prior art date
Application number
RU2014145403/08A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Олег Владимирович Дворников
Анна Витальевна Бугакова
Николай Владимирович Бутырлагин
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2014145403/08A priority Critical patent/RU2571579C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2571579C1 publication Critical patent/RU2571579C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: radio engineering, communication.
SUBSTANCE: precision operational amplifier comprises: an input parallel-balancing stage, the first and second antiphase current outputs of which are connected to a first power supply bus through corresponding first and second current-stabilising two-terminal elements, first and second auxiliary transistors, the collectors of which are combined and connected to a second power supply bus through a third current-stabilising two-terminal element and coupled to the common source circuit of the input parallel-balancing stage, the base of the first auxiliary transistor is connected to the first current output of the input parallel-balancing stage, the base of the transistor is connected to the second current output of the input parallel-balancing stage, a first output transistor, the base of which is connected to the first current output of the input parallel-balancing stage, and the collector is connected to an input current mirror, which is matched with the second power supply bus.
EFFECT: high attenuation factor of the input in-phase signal.
2 cl, 14 dwg

Description

Изобретение относится к области радиотехники и автоматики и может быть использовано в измерительной технике в качестве прецизионного устройства усиления сигналов различных сенсоров.The invention relates to the field of radio engineering and automation and can be used in measurement technology as a precision device for amplifying the signals of various sensors.

В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение операционные усилители (ОУ) на полевых и биполярных транзисторах, которые содержат отрицательную обратную связь по синфазному сигналу [1-5].In modern electronic equipment, operational amplifiers (op amps) are used on field and bipolar transistors, which contain negative feedback on the common mode signal [1-5].

Для работы в условиях космического пространства, в экспериментальной физике необходимы радиационно-стойкие ОУ с малым напряжением смещения нуля (Uсм). Опыт проектирования устройств данного класса показывает, что решение этих задач возможно с использованием биполярно-полевого технологического процесса [6], обеспечивающего формирование p-канальных полевых и высококачественных n-p-n биполярных транзисторов с радиационной стойкостью до 1 Мрад и потоком нейтронов до 1013 н/см2.To work in outer space, experimental physics requires radiation-resistant op-amps with a low zero bias voltage (U cm ). Experience in designing devices of this class shows that the solution to these problems is possible using a bipolar field process [6], which provides the formation of p-channel field and high-quality npn bipolar transistors with radiation resistance up to 1 Mrad and a neutron flux up to 10 13 n / cm 2 .

Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является операционный усилитель по патенту US 3959733. Он содержит (фиг. 1) входной параллельно-балансный каскад 1, первый 2 и второй 3 противофазные токовые выходы которого соединены с первой 4 шиной источника питания через соответствующие первый 5 и второй 6 токостабилизирующие двухполюсники, первый 7 и второй 8 вспомогательные транзисторы, коллекторы которых объединены и соединены со второй 9 шиной источника питания через третий 10 токостабилизирующий двухполюсник и связаны с общей истоковой цепью 11 входного параллельно-балансного каскада 1, база первого 7 вспомогательного транзистора соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, база транзистора 8 соединена со вторым 3 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, первый 12 выходной транзистор, база которого соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан со входом токового зеркала 13, согласованным со второй 9 шиной источника питания, второй 14 выходной транзистор, база которого подключена ко второму 3 токовому выходу входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан с выходом токового зеркала 13 и входом выходного буферного усилителя 15, причем эмиттеры первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, а также эмиттеры первого 12 и второго 14 выходных транзисторов связаны с первой 4 шиной источника питания.The closest prototype (Fig. 1) of the claimed device is the operational amplifier according to the patent US 3959733. It contains (Fig. 1) an input parallel-balanced stage 1, the first 2 and second 3 antiphase current outputs of which are connected to the first 4 bus of the power source through the corresponding first 5 and second 6 current-stabilizing two-terminal, the first 7 and second 8 auxiliary transistors, the collectors of which are combined and connected to the second 9 bus power supply through the third 10 current-stabilizing two-terminal and connected to a common source circuit 11 of the input parallel-balanced stage 1, the base of the first 7 auxiliary transistor is connected to the first 2 current output of the input parallel-balanced stage 1, the base of the transistor 8 is connected to the second 3 current output of the input parallel-balanced stage 1, the first 12 output transistor, the base of which connected to the first 2 current output of the input parallel-balanced stage 1, and the collector is connected to the input of the current mirror 13, coordinated with the second 9 bus power source, the second 14 output transistor, the base of which is connected to the second 3 current output of the input parallel-balanced stage 1, and the collector is connected to the output of the current mirror 13 and the input of the output buffer amplifier 15, the emitters of the first 7 and second 8 auxiliary transistors, as well as the emitters of the first 12 and second 14 output transistors the first 4 bus power supply.

Существенный недостаток известного ОУ состоит в том, что в диапазоне рабочих температур, а также при воздействии потока нейтронов он имеет повышенные значения напряжения смещения нуля (Uсм). В конечном итоге это снижает прецизионность известного ОУ.A significant drawback of the known op-amp is that in the range of operating temperatures, as well as when exposed to a neutron flux, it has increased zero bias voltage (U cm ). Ultimately, this reduces the precision of the known opamp.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в уменьшении напряжения смещения нуля. Дополнительная задача - повышение коэффициента ослабления входного синфазного сигнала.The main objective of the invention is to reduce the bias voltage of zero. An additional task is to increase the attenuation coefficient of the input common-mode signal.

Поставленные задачи достигаются тем, что в операционном усилителе фиг. 1, содержащем входной параллельно-балансный каскад 1, первый 2 и второй 3 противофазные токовые выходы которого соединены с первой 4 шиной источника питания через соответствующие первый 5 и второй 6 токостабилизирующие двухполюсники, первый 7 и второй 8 вспомогательные транзисторы, коллекторы которых объединены и соединены со второй 9 шиной источника питания через третий 10 токостабилизирующий двухполюсник и связаны с общей истоковой цепью 11 входного параллельно-балансного каскада 1, база первого 7 вспомогательного транзистора соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, база транзистора 8 соединена со вторым 3 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, первый 12 выходной транзистор, база которого соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан со входом токового зеркала 13, согласованным со второй 9 шиной источника питания, второй 14 выходной транзистор, база которого подключена ко второму 3 токовому выходу входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан с выходом токового зеркала 13 и входом выходного буферного усилителя 15, причем эмиттеры первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, а также эмиттеры первого 12 и второго 14 выходных транзисторов связаны с первой 4 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - коллектор первого 12 выходного транзистора связан со входом токового зеркала 13 через дополнительную цепь коррекции нулевого уровня 16.The objectives are achieved in that in the operational amplifier of FIG. 1, containing an input parallel-balanced stage 1, the first 2 and second 3 antiphase current outputs of which are connected to the first 4 bus of the power supply through the corresponding first 5 and second 6 current-stabilizing two-terminal, the first 7 and second 8 auxiliary transistors, the collectors of which are combined and connected to the second 9 bus power source through the third 10 current-stabilizing two-pole and connected to a common source circuit 11 of the input parallel-balanced stage 1, the base of the first 7 auxiliary transistor is connected to by the first 2 current output of the parallel-balanced input stage 1, the base of the transistor 8 is connected to the second 3 current output of the parallel-balanced input stage 1, the first 12 is the output transistor whose base is connected to the first 2 current output of the parallel-balanced input stage 1, and the collector is connected with the input of the current mirror 13, coordinated with the second 9 bus of the power source, the second 14 output transistor, the base of which is connected to the second 3 current output of the input parallel-balanced stage 1, and the collector is connected to the output of t a shackle 13 and the input of the output buffer amplifier 15, the emitters of the first 7 and second 8 auxiliary transistors, as well as the emitters of the first 12 and second 14 output transistors connected to the first 4 bus of the power source, new elements and communications are provided - the collector of the first 12 output transistor is connected with the input of the current mirror 13 through an additional correction circuit of the zero level 16.

На чертеже фиг. 1 показана схема ОУ-прототипа, а на чертеже фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 1 shows a diagram of an op-amp prototype, and in the drawing of FIG. 2 is a diagram of the inventive device in accordance with paragraph 1 of the claims.

На чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 2 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 3 shows a diagram of the inventive device in accordance with paragraph 2 of the claims.

На чертеже фиг. 4 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 2 формулы изобретения при конкретном выполнении дополнительного неинвертирующего усилителя тока 24.In the drawing of FIG. 4 shows a diagram of the inventive device in accordance with paragraph 2 of the claims with a specific implementation of an additional non-inverting current amplifier 24.

На чертеже фиг. 5 приведена схема ОУ фиг. 2 в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов АБМК_1_3 НПО «Интеграл» (г. Минск).In the drawing of FIG. 5 is a diagram of the opamp of FIG. 2 in a computer simulation environment PSpice on integrated transistor models ABMK_1_3 of NPO Integral (Minsk).

На чертеже фиг. 6 показана зависимость напряжения смещения нуля (Uсм) ОУ фиг. 5 при изменениях температуры в диапазоне t=-60…+120°C, токах I2=I1=1 мА, I3=3 мА (в обозначениях фиг. 5), а также отсутствии дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 (нулевом напряжении между узлами 22, 23 U22-23=V3=0 В).In the drawing of FIG. 6 shows the dependence of the zero bias voltage (Ucm) of the op-amp of FIG. 5 with temperature changes in the range t = -60 ... + 120 ° C, currents I2 = I1 = 1 mA, I3 = 3 mA (in the notation of Fig. 5), as well as the absence of an additional correction circuit of zero level 16 (zero voltage between nodes 22, 23 U 22-23 = V3 = 0 V).

На чертеже фиг. 7 показан график изменения напряжения смещения нуля ОУ фиг. 5 в диапазоне потока нейтронов Fn=0,2·108…1018 н/м2 и токах I3=3 мА, I1=I2=2 мА, при температуре окружающей среды t=27°C, а также отсутствии дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 (нулевом напряжении между узлами 22, 23 U22-23=V3=0 В).In the drawing of FIG. 7 shows a graph of the change in the zero bias voltage of the opamp of FIG. 5 in the neutron flux range Fn = 0.2 · 10 8 ... 10 18 n / m 2 and currents I3 = 3 mA, I1 = I2 = 2 mA, at ambient temperature t = 27 ° C, as well as the absence of an additional correction circuit zero level 16 (zero voltage between nodes 22, 23 U 22-23 = V3 = 0 V).

На чертеже фиг. 8 приведена зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 5 при различных значениях напряжения U22-23=V3=0…5 В на дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 и токах I2=I1=1 мА, I3=3 мА, а также температуре окружающей среды t=27°C.In the drawing of FIG. 8 shows the dependence of the zero bias voltage of the op amp of FIG. 5 at various voltage values U 22-23 = V3 = 0 ... 5 V on the additional correction circuit of zero level 16 and currents I2 = I1 = 1 mA, I3 = 3 mA, as well as the ambient temperature t = 27 ° C.

На чертеже фиг. 9 представлена зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 5 при различных значениях напряжения U22-23=V3=0…5 В на дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 и токах I2=I1=1 мА, I3=3 мА, а также температуре окружающей среды t=-60°C.In the drawing of FIG. 9 shows the dependence of the zero bias voltage of the op amp of FIG. 5 at various voltage values U 22-23 = V3 = 0 ... 5 V on the additional correction circuit of zero level 16 and currents I2 = I1 = 1 mA, I3 = 3 mA, as well as the ambient temperature t = -60 ° C.

На чертеже фиг. 10 показана зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 5 при различных значениях напряжения U22-23=V3=0…5 В на дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 и токах I2=I1=1 мА, I3=3 мА, а также температуре окружающей среды t=120°C.In the drawing of FIG. 10 shows the dependence of the zero bias voltage of the opamp of FIG. 5 at different voltage values U 22-23 = V3 = 0 ... 5 V on the additional correction circuit of zero level 16 and currents I2 = I1 = 1 mA, I3 = 3 mA, as well as the ambient temperature t = 120 ° C.

На чертеже фиг. 11 приведена схема ОУ фиг. 2 в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях транзисторов АБМК_1_3 для исследования свойств заявляемой схемы ОУ в широком диапазоне температур (t=-60…+120°C) и воздействии потока нейтронов.In the drawing of FIG. 11 is a diagram of the opamp of FIG. 2 in a computer simulation environment PSpice on transistor models ABMK_1_3 to study the properties of the claimed op-amp circuit in a wide temperature range (t = -60 ... + 120 ° C) and the influence of a neutron flux.

На чертеже фиг. 12 представлена зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 11 при различных значениях температуры t=-60…-420°C и токах I2=I1=1 мА, I3=3 мА.In the drawing of FIG. 12 shows the dependence of the zero bias voltage of the opamp of FIG. 11 at various temperatures t = -60 ... -420 ° C and currents I2 = I1 = 1 mA, I3 = 3 mA.

На чертеже фиг. 13 показана зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 11 при воздействии потока нейтронов в диапазоне Fn=0,2·108…1018 н/м2 и токах I3=1.0741 мА, I1=I2=2 мА, а также температуре окружающей среды t=27°C.In the drawing of FIG. 13 shows the dependence of the zero bias voltage of the opamp of FIG. 11 when exposed to a neutron flux in the range Fn = 0.2 · 10 8 ... 10 18 n / m 2 and currents I3 = 1.0741 mA, I1 = I2 = 2 mA, and also the ambient temperature t = 27 ° C.

На чертеже фиг. 14 представлены частные варианты практической реализации дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16.In the drawing of FIG. 14 shows particular options for the practical implementation of an additional zero-level correction circuit 16.

Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого техпроцесса фиг. 2 содержит входной параллельно-балансный каскад 1, первый 2 и второй 3 противофазные токовые выходы которого соединены с первой 4 шиной источника питания через соответствующие первый 5 и второй 6 токостабилизирующие двухполюсники, первый 7 и второй 8 вспомогательные транзисторы, коллекторы которых объединены и соединены со второй 9 шиной источника питания через третий 10 токостабилизирующий двухполюсник и связаны с общей истоковой цепью 11 входного параллельно-балансного каскада 1, база первого 7 вспомогательного транзистора соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, база транзистора 8 соединена со вторым 3 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, первый 12 выходной транзистор, база которого соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан со входом токового зеркала 13, согласованным со второй 9 шиной источника питания, второй 14 выходной транзистор, база которого подключена ко второму 3 токовому выходу входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан с выходом токового зеркала 13 и входом выходного буферного усилителя 15, причем эмиттеры первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, а также эмиттеры первого 12 и второго 14 выходных транзисторов связаны с первой 4 шиной источника питания. Коллектор первого 12 выходного транзистора связан со входом токового зеркала 13 через дополнительную цепь коррекции нулевого уровня 16.The precision operational amplifier for radiation-resistant bipolar-field process technology of FIG. 2 contains an input parallel-balanced stage 1, the first 2 and second 3 antiphase current outputs of which are connected to the first 4 bus of the power supply through the corresponding first 5 and second 6 current-stabilizing two-terminal devices, the first 7 and second 8 auxiliary transistors, the collectors of which are combined and connected to the second 9 by a power supply bus through a third 10 current-stabilizing bipolar and connected to a common source circuit 11 of the input parallel-balanced stage 1, the base of the first 7 auxiliary transistor is connected to the first the second 2 current output of the input parallel-balanced stage 1, the base of the transistor 8 is connected to the second 3 current output of the input parallel-balanced stage 1, the first 12 output transistor, the base of which is connected to the first 2 current output of the input parallel-stage 1, and the collector is connected with the input of the current mirror 13, coordinated with the second 9 bus of the power source, the second 14 output transistor, the base of which is connected to the second 3 current output of the input parallel-balanced stage 1, and the collector is connected to the current output Vågå mirror 13 and the input of the output buffer amplifier 15, the emitters of the first 7 and second 8 subsidiary transistors, and the emitters of the first 12 and second 14 output transistors 4 connected to the first power supply bus. The collector of the first 12 output transistor is connected to the input of the current mirror 13 through an additional zero-level correction circuit 16.

Заявляемое устройство фиг. 2 имеет также выход 17, связанный с выходом выходного буферного усилителя 15. Входной параллельно-балансный каскад 1 в данной схеме реализован на полевых транзисторах 18 и 19 радиационно-стойкого АБМК_1_3. Входами устройства 20 и 21 являются затворы соответствующих транзисторов 18 и 19.The inventive device of FIG. 2 also has an output 17 associated with the output of the output buffer amplifier 15. The input parallel-balanced stage 1 in this circuit is implemented on field-effect transistors 18 and 19 of radiation-resistant ABMK_1_3. The inputs of the device 20 and 21 are the gates of the corresponding transistors 18 and 19.

На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, коллекторы первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов связаны с общей истоковой цепью 11 входного параллельно-балансного каскада 1 через дополнительный неинвертирующий усилитель тока 24. Кроме этого, в схеме фиг. 3 дополнительная цепь коррекции нулевого уровня 16 имеет соответствующие выводы 22 и 23.In the drawing of FIG. 3, in accordance with claim 2, the collectors of the first 7 and second 8 auxiliary transistors are connected to a common source circuit 11 of the input parallel-balanced stage 1 through an additional non-inverting current amplifier 24. In addition, in the circuit of FIG. 3, an additional zero level correction circuit 16 has corresponding terminals 22 and 23.

На чертеже фиг. 4, соответствующем чертежу фиг. 3, дополнительный неинвертирующий усилитель тока 24 реализован на полевом транзисторе 25, а третий 10 токостабилизирующий двухполюсник выполнен в виде резистора 26.In the drawing of FIG. 4 corresponding to the drawing of FIG. 3, an additional non-inverting current amplifier 24 is implemented on the field-effect transistor 25, and the third 10 current-stabilizing two-terminal is made in the form of a resistor 26.

В схемах фиг. 14 дополнительная цепь коррекции нулевого уровня 16 реализуется на основе транзисторов 27 и 28 (а) или транзистора 29 и резисторов 30, 31 (б), или стабилитрона 32 (в). Возможны и другие специальные построения дополнительной цепи коррекции Uсм 16, при которых в ОУ реализуются дополнительные эффекты компенсации Uсм.In the diagrams of FIG. 14, an additional zero-level correction circuit 16 is implemented based on transistors 27 and 28 (a) or transistor 29 and resistors 30, 31 (b), or zener diode 32 (c). Other special constructions of an additional correction circuit U cm 16 are possible, in which additional compensation effects U cm are realized in the op amp.

Рассмотрим работу МОУ фиг. 2.Consider the operation of the MOA of FIG. 2.

Статический режим транзисторов схемы фиг. 2 устанавливается за счет цепи отрицательной обратной связи по синфазному сигналу, которая организуется транзисторами 7, 8, общей истоковой цепью 11 входного параллельно-балансного каскада 1, транзисторами 18, 19, а также первым 2 и вторым 3 противофазными токовыми выходами входного параллельно-балансного каскада 1. При этом токи стока и токи коллекторов транзисторов определяются уравнениямиThe static mode of the transistors of the circuit of FIG. 2 is established due to the negative phase feedback circuit for the common-mode signal, which is organized by transistors 7, 8, a common source circuit 11 of the input parallel-balanced stage 1, transistors 18, 19, as well as the first 2 and second 3 antiphase current outputs of the input parallel-balanced stage 1. In this case, the drain currents and collector currents of transistors are determined by the equations

Figure 00000001
Figure 00000001

где I5, I6, I10 - токи двухполюсников 5, 6, 10.where I 5 , I 6 , I 10 - currents of two-terminal networks 5, 6, 10.

Отрицательная обратная связь повышает коэффициент ослабления входного синфазного напряжения ОУ фиг. 2.Negative feedback increases the attenuation coefficient of the input common-mode voltage of the op-amp of FIG. 2.

Анализ графиков фиг. 8, фиг. 9 и фиг. 10 показывает, что введение в схеме фиг. 2 дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16, в соответствии с п. 1 формулы изобретения, уменьшает Uсм практически до нуля (независимо от воздействия температуры и потока нейтронов). Причем оптимальное значение напряжения V3=U22-23 на дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 соответствует величине напряжений питания

Figure 00000002
.The graph analysis of FIG. 8, FIG. 9 and FIG. 10 shows that the introduction to the circuit of FIG. 2 of the additional zero-level correction circuit 16, in accordance with paragraph 1 of the claims, reduces U cm to almost zero (regardless of the effect of temperature and neutron flux). Moreover, the optimal voltage value V3 = U 22-23 on the additional zero-correction circuit 16 corresponds to the value of the supply voltage
Figure 00000002
.

Введение дополнительного неинвертирующего усилителя тока 24 увеличивает усиление по петле отрицательной обратной связи по синфазному сигналу и повышает синфазную помехоустойчивость ОУ [7].The introduction of an additional non-inverting current amplifier 24 increases the gain in the loop of the negative feedback from the common-mode signal and increases the common-mode noise immunity of the op-amp [7].

Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с прототипом.Thus, the claimed device has significant advantages in comparison with the prototype.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST

1. Патент US №3959733.1. US patent No. 3959733.

2. Патент US №6157255.2. US patent No. 6157255.

3. Патент RU №2331970 fig. 1.3. Patent RU No. 2331970 fig. one.

4. Патентная заявка US 2007/0096814.4. Patent application US 2007/0096814.

5. Патент US №5610547.5. US patent No. 5610547.

6. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т. экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.6. The elemental base of radiation-resistant information-measuring systems: monograph / N.N. Prokopenko, O.V. Dvornikov, S.G. Krutchinsky; under the general. ed. Doctor of Technical Sciences prof. N.N. Prokopenko; FSBEI HPE “South-Ros. state un-t economics and service. " - Mines: FSBEI HPE "URGUES", 2011. - 208 p.

7. Операционные усилители с непосредственной связью каскадов / В.И. Анисимов, М.В. Капитонов, Н.Н. Прокопенко, Ю.М. Соколов. - Л.: Энергия. Ленингр. отд-ние, 1979. - 151 с.7. Operational amplifiers with direct connection of cascades / V.I. Anisimov, M.V. Kapitonov, N.N. Prokopenko, Yu.M. Sokolov. - L .: Energy. Leningra. Otdel, 1979.- 151 p.

Claims (2)

1. Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого техпроцесса, содержащий входной параллельно-балансный каскад (1), первый (2) и второй (3) противофазные токовые выходы которого соединены с первой (4) шиной источника питания через соответствующие первый (5) и второй (6) токостабилизирующие двухполюсники, первый (7) и второй (8) вспомогательные транзисторы, коллекторы которых объединены и соединены со второй (9) шиной источника питания через третий (10) токостабилизирующий двухполюсник и связаны с общей истоковой цепью (11) входного параллельно-балансного каскада (1), база первого (7) вспомогательного транзистора соединена с первым (2) токовым выходом входного параллельно-балансного каскада (1), база транзистора (8) соединена со вторым (3) токовым выходом входного параллельно-балансного каскада (1), первый (12) выходной транзистор, база которого соединена с первым (2) токовым выходом входного параллельно-балансного каскада (1), а коллектор связан со входом токового зеркала (13), согласованным со второй (9) шиной источника питания, второй (14) выходной транзистор, база которого подключена ко второму (3) токовому выходу входного параллельно-балансного каскада (1), а коллектор связан с выходом токового зеркала (13) и входом выходного буферного усилителя (15), причем эмиттеры первого (7) и второго (8) вспомогательных транзисторов, а также эмиттеры первого (12) и второго (14) выходных транзисторов связаны с первой (4) шиной источника питания, отличающийся тем, что коллектор первого (12) выходного транзистора связан со входом токового зеркала (13) через дополнительную цепь коррекции нулевого уровня (16).1. A precision operational amplifier for a radiation-resistant bipolar field technology process, comprising an input parallel-balanced cascade (1), the first (2) and second (3) antiphase current outputs of which are connected to the first (4) bus of the power source through the corresponding first ( 5) and the second (6) current-stabilizing bipolar, the first (7) and second (8) auxiliary transistors, the collectors of which are combined and connected to the second (9) bus of the power supply through the third (10) current-stabilizing bipolar and connected to a common source circuit I drink (11) the input parallel-balanced stage (1), the base of the first (7) auxiliary transistor is connected to the first (2) current output of the input parallel-balanced stage (1), the base of the transistor (8) is connected to the second (3) current output parallel-balanced input stage (1), the first (12) output transistor, the base of which is connected to the first (2) current output of the parallel-balanced input stage (1), and the collector is connected to the input of the current mirror (13), matched with the second ( 9) power supply bus, second (14) output transistor, base which is connected to the second (3) current output of the input parallel-balanced stage (1), and the collector is connected to the output of the current mirror (13) and the input of the output buffer amplifier (15), the emitters of the first (7) and second (8) auxiliary transistors and also the emitters of the first (12) and second (14) output transistors are connected to the first (4) bus of the power source, characterized in that the collector of the first (12) output transistor is connected to the input of the current mirror (13) through an additional zero-level correction circuit (16). 2. Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого техпроцесса по п. 1, отличающийся тем, что коллекторы первого (7) и второго (8) вспомогательных транзисторов связаны с общей истоковой цепью (11) входного параллельно-балансного каскада (1) через дополнительный неинвертирующий усилитель тока (24). 2. A precision operational amplifier for a radiation-resistant bipolar-field process according to claim 1, characterized in that the collectors of the first (7) and second (8) auxiliary transistors are connected to a common source circuit (11) of the input parallel-balanced cascade (1) through an additional non-inverting current amplifier (24).
RU2014145403/08A 2014-11-11 2014-11-11 Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process RU2571579C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014145403/08A RU2571579C1 (en) 2014-11-11 2014-11-11 Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014145403/08A RU2571579C1 (en) 2014-11-11 2014-11-11 Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2571579C1 true RU2571579C1 (en) 2015-12-20

Family

ID=54871412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014145403/08A RU2571579C1 (en) 2014-11-11 2014-11-11 Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2571579C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2677401C1 (en) * 2018-03-02 2019-01-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Bipolar-field buffer amplifier

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2117384C1 (en) * 1996-02-20 1998-08-10 Омский научно-исследовательский институт приборостроения Narrow-band active piezoelectric filter
USRE37589E1 (en) * 1985-10-21 2002-03-19 Papst Licensing Gmbh & Co. Kg Collectorless direct current motor, driver circuit for a drive and method of operating a collectorless direct current motor
EP1693956A1 (en) * 2003-12-10 2006-08-23 Sony Corporation Amplifier and communication apparatus
RU81859U1 (en) * 2008-11-24 2009-03-27 Негосударственное научно-образовательное учреждение "Саранский Дом науки и техники Российского Союза научных и инженерных общественных организаций" (ННОУ "Саранский Дом науки и техники РСНИИОО") ANALOG-DIGITAL ADDITIVE TRIANGULAR SIGNAL SHAPER
RU2396697C2 (en) * 2008-03-13 2010-08-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") High-frequency differential amplifier

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE37589E1 (en) * 1985-10-21 2002-03-19 Papst Licensing Gmbh & Co. Kg Collectorless direct current motor, driver circuit for a drive and method of operating a collectorless direct current motor
RU2117384C1 (en) * 1996-02-20 1998-08-10 Омский научно-исследовательский институт приборостроения Narrow-band active piezoelectric filter
EP1693956A1 (en) * 2003-12-10 2006-08-23 Sony Corporation Amplifier and communication apparatus
RU2396697C2 (en) * 2008-03-13 2010-08-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") High-frequency differential amplifier
RU81859U1 (en) * 2008-11-24 2009-03-27 Негосударственное научно-образовательное учреждение "Саранский Дом науки и техники Российского Союза научных и инженерных общественных организаций" (ННОУ "Саранский Дом науки и техники РСНИИОО") ANALOG-DIGITAL ADDITIVE TRIANGULAR SIGNAL SHAPER

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2677401C1 (en) * 2018-03-02 2019-01-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Bipolar-field buffer amplifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2523124C1 (en) Multi-differential operational amplifier
RU2571578C1 (en) Input stage of multidifferential operational amplifier for radiation-resistant bipolar-field process
RU2571579C1 (en) Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process
RU2595927C1 (en) Bipolar-field operational amplifier
RU2615070C1 (en) High-precision two-stage differential operational amplifier
RU2568384C1 (en) Precision operational amplifier based on radiation resistant bipolar and field process
RU2615066C1 (en) Operational amplifier
RU2615068C1 (en) Bipolar-field differential operational amplifier
RU2640744C1 (en) Cascode differential operational amplifier
RU2583760C1 (en) Bipolar-field operational amplifier
RU2642337C1 (en) Bipolar-field operating amplifier
RU2624585C1 (en) Low temperature radiation resistant multidifferencial operation amplifier
RU2589323C1 (en) Bipolar-field operational amplifier
RU2595926C1 (en) Bipolar-field operational amplifier
RU2416155C1 (en) Differential operating amplifier
RU2595923C1 (en) High-speed operational amplifier based on "bent" cascode
RU2604684C1 (en) Bipolar-field operational amplifier based on "bent" cascade
RU2441316C1 (en) Differential amplifier with low supply voltage
RU2568318C1 (en) Multidifferential operating amplifier with low zero offset voltage
RU2439780C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2446554C1 (en) Differential operational amplifier with paraphase output
RU2615071C1 (en) Bipolar-field multidifferential operational amplifier
RU2616573C1 (en) Differential operation amplifier
RU2613842C1 (en) Differential operating amplifier with low power supply voltage
RU2592429C1 (en) Bipolar-field operational amplifier on basis of "bent" cascode

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20161112