RU2571579C1 - Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process - Google Patents
Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process Download PDFInfo
- Publication number
- RU2571579C1 RU2571579C1 RU2014145403/08A RU2014145403A RU2571579C1 RU 2571579 C1 RU2571579 C1 RU 2571579C1 RU 2014145403/08 A RU2014145403/08 A RU 2014145403/08A RU 2014145403 A RU2014145403 A RU 2014145403A RU 2571579 C1 RU2571579 C1 RU 2571579C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- current
- input
- output
- transistor
- balanced
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники и автоматики и может быть использовано в измерительной технике в качестве прецизионного устройства усиления сигналов различных сенсоров.The invention relates to the field of radio engineering and automation and can be used in measurement technology as a precision device for amplifying the signals of various sensors.
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение операционные усилители (ОУ) на полевых и биполярных транзисторах, которые содержат отрицательную обратную связь по синфазному сигналу [1-5].In modern electronic equipment, operational amplifiers (op amps) are used on field and bipolar transistors, which contain negative feedback on the common mode signal [1-5].
Для работы в условиях космического пространства, в экспериментальной физике необходимы радиационно-стойкие ОУ с малым напряжением смещения нуля (Uсм). Опыт проектирования устройств данного класса показывает, что решение этих задач возможно с использованием биполярно-полевого технологического процесса [6], обеспечивающего формирование p-канальных полевых и высококачественных n-p-n биполярных транзисторов с радиационной стойкостью до 1 Мрад и потоком нейтронов до 1013 н/см2.To work in outer space, experimental physics requires radiation-resistant op-amps with a low zero bias voltage (U cm ). Experience in designing devices of this class shows that the solution to these problems is possible using a bipolar field process [6], which provides the formation of p-channel field and high-quality npn bipolar transistors with radiation resistance up to 1 Mrad and a neutron flux up to 10 13 n / cm 2 .
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является операционный усилитель по патенту US 3959733. Он содержит (фиг. 1) входной параллельно-балансный каскад 1, первый 2 и второй 3 противофазные токовые выходы которого соединены с первой 4 шиной источника питания через соответствующие первый 5 и второй 6 токостабилизирующие двухполюсники, первый 7 и второй 8 вспомогательные транзисторы, коллекторы которых объединены и соединены со второй 9 шиной источника питания через третий 10 токостабилизирующий двухполюсник и связаны с общей истоковой цепью 11 входного параллельно-балансного каскада 1, база первого 7 вспомогательного транзистора соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, база транзистора 8 соединена со вторым 3 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, первый 12 выходной транзистор, база которого соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан со входом токового зеркала 13, согласованным со второй 9 шиной источника питания, второй 14 выходной транзистор, база которого подключена ко второму 3 токовому выходу входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан с выходом токового зеркала 13 и входом выходного буферного усилителя 15, причем эмиттеры первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, а также эмиттеры первого 12 и второго 14 выходных транзисторов связаны с первой 4 шиной источника питания.The closest prototype (Fig. 1) of the claimed device is the operational amplifier according to the patent US 3959733. It contains (Fig. 1) an input parallel-
Существенный недостаток известного ОУ состоит в том, что в диапазоне рабочих температур, а также при воздействии потока нейтронов он имеет повышенные значения напряжения смещения нуля (Uсм). В конечном итоге это снижает прецизионность известного ОУ.A significant drawback of the known op-amp is that in the range of operating temperatures, as well as when exposed to a neutron flux, it has increased zero bias voltage (U cm ). Ultimately, this reduces the precision of the known opamp.
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в уменьшении напряжения смещения нуля. Дополнительная задача - повышение коэффициента ослабления входного синфазного сигнала.The main objective of the invention is to reduce the bias voltage of zero. An additional task is to increase the attenuation coefficient of the input common-mode signal.
Поставленные задачи достигаются тем, что в операционном усилителе фиг. 1, содержащем входной параллельно-балансный каскад 1, первый 2 и второй 3 противофазные токовые выходы которого соединены с первой 4 шиной источника питания через соответствующие первый 5 и второй 6 токостабилизирующие двухполюсники, первый 7 и второй 8 вспомогательные транзисторы, коллекторы которых объединены и соединены со второй 9 шиной источника питания через третий 10 токостабилизирующий двухполюсник и связаны с общей истоковой цепью 11 входного параллельно-балансного каскада 1, база первого 7 вспомогательного транзистора соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, база транзистора 8 соединена со вторым 3 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, первый 12 выходной транзистор, база которого соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан со входом токового зеркала 13, согласованным со второй 9 шиной источника питания, второй 14 выходной транзистор, база которого подключена ко второму 3 токовому выходу входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан с выходом токового зеркала 13 и входом выходного буферного усилителя 15, причем эмиттеры первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, а также эмиттеры первого 12 и второго 14 выходных транзисторов связаны с первой 4 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - коллектор первого 12 выходного транзистора связан со входом токового зеркала 13 через дополнительную цепь коррекции нулевого уровня 16.The objectives are achieved in that in the operational amplifier of FIG. 1, containing an input parallel-
На чертеже фиг. 1 показана схема ОУ-прототипа, а на чертеже фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 1 shows a diagram of an op-amp prototype, and in the drawing of FIG. 2 is a diagram of the inventive device in accordance with
На чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 2 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 3 shows a diagram of the inventive device in accordance with
На чертеже фиг. 4 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 2 формулы изобретения при конкретном выполнении дополнительного неинвертирующего усилителя тока 24.In the drawing of FIG. 4 shows a diagram of the inventive device in accordance with
На чертеже фиг. 5 приведена схема ОУ фиг. 2 в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов АБМК_1_3 НПО «Интеграл» (г. Минск).In the drawing of FIG. 5 is a diagram of the opamp of FIG. 2 in a computer simulation environment PSpice on integrated transistor models ABMK_1_3 of NPO Integral (Minsk).
На чертеже фиг. 6 показана зависимость напряжения смещения нуля (Uсм) ОУ фиг. 5 при изменениях температуры в диапазоне t=-60…+120°C, токах I2=I1=1 мА, I3=3 мА (в обозначениях фиг. 5), а также отсутствии дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 (нулевом напряжении между узлами 22, 23 U22-23=V3=0 В).In the drawing of FIG. 6 shows the dependence of the zero bias voltage (Ucm) of the op-amp of FIG. 5 with temperature changes in the range t = -60 ... + 120 ° C, currents I2 = I1 = 1 mA, I3 = 3 mA (in the notation of Fig. 5), as well as the absence of an additional correction circuit of zero level 16 (zero voltage between
На чертеже фиг. 7 показан график изменения напряжения смещения нуля ОУ фиг. 5 в диапазоне потока нейтронов Fn=0,2·108…1018 н/м2 и токах I3=3 мА, I1=I2=2 мА, при температуре окружающей среды t=27°C, а также отсутствии дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 (нулевом напряжении между узлами 22, 23 U22-23=V3=0 В).In the drawing of FIG. 7 shows a graph of the change in the zero bias voltage of the opamp of FIG. 5 in the neutron flux range Fn = 0.2 · 10 8 ... 10 18 n / m 2 and currents I3 = 3 mA, I1 = I2 = 2 mA, at ambient temperature t = 27 ° C, as well as the absence of an additional correction circuit zero level 16 (zero voltage between
На чертеже фиг. 8 приведена зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 5 при различных значениях напряжения U22-23=V3=0…5 В на дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 и токах I2=I1=1 мА, I3=3 мА, а также температуре окружающей среды t=27°C.In the drawing of FIG. 8 shows the dependence of the zero bias voltage of the op amp of FIG. 5 at various voltage values U 22-23 = V3 = 0 ... 5 V on the additional correction circuit of zero
На чертеже фиг. 9 представлена зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 5 при различных значениях напряжения U22-23=V3=0…5 В на дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 и токах I2=I1=1 мА, I3=3 мА, а также температуре окружающей среды t=-60°C.In the drawing of FIG. 9 shows the dependence of the zero bias voltage of the op amp of FIG. 5 at various voltage values U 22-23 = V3 = 0 ... 5 V on the additional correction circuit of zero
На чертеже фиг. 10 показана зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 5 при различных значениях напряжения U22-23=V3=0…5 В на дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 и токах I2=I1=1 мА, I3=3 мА, а также температуре окружающей среды t=120°C.In the drawing of FIG. 10 shows the dependence of the zero bias voltage of the opamp of FIG. 5 at different voltage values U 22-23 = V3 = 0 ... 5 V on the additional correction circuit of zero
На чертеже фиг. 11 приведена схема ОУ фиг. 2 в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях транзисторов АБМК_1_3 для исследования свойств заявляемой схемы ОУ в широком диапазоне температур (t=-60…+120°C) и воздействии потока нейтронов.In the drawing of FIG. 11 is a diagram of the opamp of FIG. 2 in a computer simulation environment PSpice on transistor models ABMK_1_3 to study the properties of the claimed op-amp circuit in a wide temperature range (t = -60 ... + 120 ° C) and the influence of a neutron flux.
На чертеже фиг. 12 представлена зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 11 при различных значениях температуры t=-60…-420°C и токах I2=I1=1 мА, I3=3 мА.In the drawing of FIG. 12 shows the dependence of the zero bias voltage of the opamp of FIG. 11 at various temperatures t = -60 ... -420 ° C and currents I2 = I1 = 1 mA, I3 = 3 mA.
На чертеже фиг. 13 показана зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 11 при воздействии потока нейтронов в диапазоне Fn=0,2·108…1018 н/м2 и токах I3=1.0741 мА, I1=I2=2 мА, а также температуре окружающей среды t=27°C.In the drawing of FIG. 13 shows the dependence of the zero bias voltage of the opamp of FIG. 11 when exposed to a neutron flux in the range Fn = 0.2 · 10 8 ... 10 18 n / m 2 and currents I3 = 1.0741 mA, I1 = I2 = 2 mA, and also the ambient temperature t = 27 ° C.
На чертеже фиг. 14 представлены частные варианты практической реализации дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16.In the drawing of FIG. 14 shows particular options for the practical implementation of an additional zero-
Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого техпроцесса фиг. 2 содержит входной параллельно-балансный каскад 1, первый 2 и второй 3 противофазные токовые выходы которого соединены с первой 4 шиной источника питания через соответствующие первый 5 и второй 6 токостабилизирующие двухполюсники, первый 7 и второй 8 вспомогательные транзисторы, коллекторы которых объединены и соединены со второй 9 шиной источника питания через третий 10 токостабилизирующий двухполюсник и связаны с общей истоковой цепью 11 входного параллельно-балансного каскада 1, база первого 7 вспомогательного транзистора соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, база транзистора 8 соединена со вторым 3 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, первый 12 выходной транзистор, база которого соединена с первым 2 токовым выходом входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан со входом токового зеркала 13, согласованным со второй 9 шиной источника питания, второй 14 выходной транзистор, база которого подключена ко второму 3 токовому выходу входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор связан с выходом токового зеркала 13 и входом выходного буферного усилителя 15, причем эмиттеры первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, а также эмиттеры первого 12 и второго 14 выходных транзисторов связаны с первой 4 шиной источника питания. Коллектор первого 12 выходного транзистора связан со входом токового зеркала 13 через дополнительную цепь коррекции нулевого уровня 16.The precision operational amplifier for radiation-resistant bipolar-field process technology of FIG. 2 contains an input parallel-
Заявляемое устройство фиг. 2 имеет также выход 17, связанный с выходом выходного буферного усилителя 15. Входной параллельно-балансный каскад 1 в данной схеме реализован на полевых транзисторах 18 и 19 радиационно-стойкого АБМК_1_3. Входами устройства 20 и 21 являются затворы соответствующих транзисторов 18 и 19.The inventive device of FIG. 2 also has an
На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, коллекторы первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов связаны с общей истоковой цепью 11 входного параллельно-балансного каскада 1 через дополнительный неинвертирующий усилитель тока 24. Кроме этого, в схеме фиг. 3 дополнительная цепь коррекции нулевого уровня 16 имеет соответствующие выводы 22 и 23.In the drawing of FIG. 3, in accordance with
На чертеже фиг. 4, соответствующем чертежу фиг. 3, дополнительный неинвертирующий усилитель тока 24 реализован на полевом транзисторе 25, а третий 10 токостабилизирующий двухполюсник выполнен в виде резистора 26.In the drawing of FIG. 4 corresponding to the drawing of FIG. 3, an additional non-inverting
В схемах фиг. 14 дополнительная цепь коррекции нулевого уровня 16 реализуется на основе транзисторов 27 и 28 (а) или транзистора 29 и резисторов 30, 31 (б), или стабилитрона 32 (в). Возможны и другие специальные построения дополнительной цепи коррекции Uсм 16, при которых в ОУ реализуются дополнительные эффекты компенсации Uсм.In the diagrams of FIG. 14, an additional zero-
Рассмотрим работу МОУ фиг. 2.Consider the operation of the MOA of FIG. 2.
Статический режим транзисторов схемы фиг. 2 устанавливается за счет цепи отрицательной обратной связи по синфазному сигналу, которая организуется транзисторами 7, 8, общей истоковой цепью 11 входного параллельно-балансного каскада 1, транзисторами 18, 19, а также первым 2 и вторым 3 противофазными токовыми выходами входного параллельно-балансного каскада 1. При этом токи стока и токи коллекторов транзисторов определяются уравнениямиThe static mode of the transistors of the circuit of FIG. 2 is established due to the negative phase feedback circuit for the common-mode signal, which is organized by
где I5, I6, I10 - токи двухполюсников 5, 6, 10.where I 5 , I 6 , I 10 - currents of two-
Отрицательная обратная связь повышает коэффициент ослабления входного синфазного напряжения ОУ фиг. 2.Negative feedback increases the attenuation coefficient of the input common-mode voltage of the op-amp of FIG. 2.
Анализ графиков фиг. 8, фиг. 9 и фиг. 10 показывает, что введение в схеме фиг. 2 дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16, в соответствии с п. 1 формулы изобретения, уменьшает Uсм практически до нуля (независимо от воздействия температуры и потока нейтронов). Причем оптимальное значение напряжения V3=U22-23 на дополнительной цепи коррекции нулевого уровня 16 соответствует величине напряжений питания .The graph analysis of FIG. 8, FIG. 9 and FIG. 10 shows that the introduction to the circuit of FIG. 2 of the additional zero-
Введение дополнительного неинвертирующего усилителя тока 24 увеличивает усиление по петле отрицательной обратной связи по синфазному сигналу и повышает синфазную помехоустойчивость ОУ [7].The introduction of an additional non-inverting
Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с прототипом.Thus, the claimed device has significant advantages in comparison with the prototype.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST
1. Патент US №3959733.1. US patent No. 3959733.
2. Патент US №6157255.2. US patent No. 6157255.
3. Патент RU №2331970 fig. 1.3. Patent RU No. 2331970 fig. one.
4. Патентная заявка US 2007/0096814.4. Patent application US 2007/0096814.
5. Патент US №5610547.5. US patent No. 5610547.
6. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т. экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.6. The elemental base of radiation-resistant information-measuring systems: monograph / N.N. Prokopenko, O.V. Dvornikov, S.G. Krutchinsky; under the general. ed. Doctor of Technical Sciences prof. N.N. Prokopenko; FSBEI HPE “South-Ros. state un-t economics and service. " - Mines: FSBEI HPE "URGUES", 2011. - 208 p.
7. Операционные усилители с непосредственной связью каскадов / В.И. Анисимов, М.В. Капитонов, Н.Н. Прокопенко, Ю.М. Соколов. - Л.: Энергия. Ленингр. отд-ние, 1979. - 151 с.7. Operational amplifiers with direct connection of cascades / V.I. Anisimov, M.V. Kapitonov, N.N. Prokopenko, Yu.M. Sokolov. - L .: Energy. Leningra. Otdel, 1979.- 151 p.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014145403/08A RU2571579C1 (en) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014145403/08A RU2571579C1 (en) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2571579C1 true RU2571579C1 (en) | 2015-12-20 |
Family
ID=54871412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014145403/08A RU2571579C1 (en) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2571579C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2677401C1 (en) * | 2018-03-02 | 2019-01-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Bipolar-field buffer amplifier |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2117384C1 (en) * | 1996-02-20 | 1998-08-10 | Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Narrow-band active piezoelectric filter |
USRE37589E1 (en) * | 1985-10-21 | 2002-03-19 | Papst Licensing Gmbh & Co. Kg | Collectorless direct current motor, driver circuit for a drive and method of operating a collectorless direct current motor |
EP1693956A1 (en) * | 2003-12-10 | 2006-08-23 | Sony Corporation | Amplifier and communication apparatus |
RU81859U1 (en) * | 2008-11-24 | 2009-03-27 | Негосударственное научно-образовательное учреждение "Саранский Дом науки и техники Российского Союза научных и инженерных общественных организаций" (ННОУ "Саранский Дом науки и техники РСНИИОО") | ANALOG-DIGITAL ADDITIVE TRIANGULAR SIGNAL SHAPER |
RU2396697C2 (en) * | 2008-03-13 | 2010-08-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | High-frequency differential amplifier |
-
2014
- 2014-11-11 RU RU2014145403/08A patent/RU2571579C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE37589E1 (en) * | 1985-10-21 | 2002-03-19 | Papst Licensing Gmbh & Co. Kg | Collectorless direct current motor, driver circuit for a drive and method of operating a collectorless direct current motor |
RU2117384C1 (en) * | 1996-02-20 | 1998-08-10 | Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Narrow-band active piezoelectric filter |
EP1693956A1 (en) * | 2003-12-10 | 2006-08-23 | Sony Corporation | Amplifier and communication apparatus |
RU2396697C2 (en) * | 2008-03-13 | 2010-08-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | High-frequency differential amplifier |
RU81859U1 (en) * | 2008-11-24 | 2009-03-27 | Негосударственное научно-образовательное учреждение "Саранский Дом науки и техники Российского Союза научных и инженерных общественных организаций" (ННОУ "Саранский Дом науки и техники РСНИИОО") | ANALOG-DIGITAL ADDITIVE TRIANGULAR SIGNAL SHAPER |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2677401C1 (en) * | 2018-03-02 | 2019-01-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Bipolar-field buffer amplifier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2523124C1 (en) | Multi-differential operational amplifier | |
RU2571578C1 (en) | Input stage of multidifferential operational amplifier for radiation-resistant bipolar-field process | |
RU2571579C1 (en) | Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process | |
RU2595927C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2615070C1 (en) | High-precision two-stage differential operational amplifier | |
RU2568384C1 (en) | Precision operational amplifier based on radiation resistant bipolar and field process | |
RU2615066C1 (en) | Operational amplifier | |
RU2615068C1 (en) | Bipolar-field differential operational amplifier | |
RU2640744C1 (en) | Cascode differential operational amplifier | |
RU2583760C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2642337C1 (en) | Bipolar-field operating amplifier | |
RU2624585C1 (en) | Low temperature radiation resistant multidifferencial operation amplifier | |
RU2589323C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2595926C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2416155C1 (en) | Differential operating amplifier | |
RU2595923C1 (en) | High-speed operational amplifier based on "bent" cascode | |
RU2604684C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier based on "bent" cascade | |
RU2441316C1 (en) | Differential amplifier with low supply voltage | |
RU2568318C1 (en) | Multidifferential operating amplifier with low zero offset voltage | |
RU2439780C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2446554C1 (en) | Differential operational amplifier with paraphase output | |
RU2615071C1 (en) | Bipolar-field multidifferential operational amplifier | |
RU2616573C1 (en) | Differential operation amplifier | |
RU2613842C1 (en) | Differential operating amplifier with low power supply voltage | |
RU2592429C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier on basis of "bent" cascode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161112 |