RU2337876C1 - Способ и устройство получения чистого кремния - Google Patents

Способ и устройство получения чистого кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2337876C1
RU2337876C1 RU2007114282/15A RU2007114282A RU2337876C1 RU 2337876 C1 RU2337876 C1 RU 2337876C1 RU 2007114282/15 A RU2007114282/15 A RU 2007114282/15A RU 2007114282 A RU2007114282 A RU 2007114282A RU 2337876 C1 RU2337876 C1 RU 2337876C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
containing compounds
molten
khz
frequency
Prior art date
Application number
RU2007114282/15A
Other languages
English (en)
Inventor
Виталий Викторович Заддэ (RU)
Виталий Викторович Заддэ
Дмитрий Семенович Стребков (RU)
Дмитрий Семенович Стребков
Original Assignee
Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) filed Critical Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ)
Priority to RU2007114282/15A priority Critical patent/RU2337876C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2337876C1 publication Critical patent/RU2337876C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к химической и электронной промышленности и может использоваться при получении кремния высокой чистоты. Кремнийсодержащее вещество подается в тигель с расплавом кремния через систему трубопроводов с отверстиями 0,1-5 мм2 для получения пузырьков газа. Происходит термическое разложение кремнийсодержащего газа, при этом полученный кремний пополняет расплав. Предложенное изобретение позволяет повысить производительность процесса и чистоту полученного кремния при снижении стоимости оборудования и затрат энергии. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Изобретение относится к процессам и аппаратам для получения кремния высокой чистоты.
Известен способ получения кремния высокой чистоты в Сименс-реакторе путем термического разложения кремнийсодержащих соединений в газовой фазе и осаждения кремния на поверхности нагреваемых электрическим током стержнях из кремния до температуры около 1100°С в случае трихлорсилана (Пат. США №3286685) и около 800°С для моносилана (Пат. США №4148814 и 4150168). Недостатком известного способа является низкая скорость получения кремния из-за малой площади стержней из кремния и, как следствие, большие суммарные затраты энергии.
Для увеличения осаждаемой поверхности и скорости получения кремния ведут процесс в кипящем слое, в котором кремнийсодержащий газ разлагается до кремния на поверхности большого числа нагретых мелких кристаллических частиц кремния, находящихся в псевдокипящем слое (Пат. США 3102861, 3102862, 4207360 и 3963838). Недостатком известного способа является недостаточно высокая степень чистоты получаемого кремния и трудности последующего переплава кремния в процессе выращивания монокристаллов.
Известен способ получения кремния путем термического разложения моносилана (SiH4) или водородного восстановления хлорсодержащих соединений кремния путем нагрева частиц кремния в реакторе с кипящим слоем микроволновым излучением СВЧ-плазмы с частотой 915-2450 МГц через кварцевые охлаждаемые стенки реактора (Пат. США №4900411). Недостатком известного способа является недостаточная чистота получаемого кремния и низкая производительность процесса.
Наиболее близким по технической сущности является способ получения кремния путем пропускания кремнийсодержащего газа через наклонную трубу из графита, нагретую до температуры плавления кремния («Review on 2-nd Solar Silicon Conference» Photon International. May. 2005. pp.24-35). Кремний осаждается на трубу с высокой скоростью, плавится и стекает в приемную камеру. Недостатком известного способа является недостаточная чистота получаемого кремния из-за образования большого количества включений карбида кремния.
Задачей предлагаемого изобретения является повышение чистоты получаемого кремния, снижение стоимости используемого оборудования и затрат энергии, увеличение производительности процесса получения кремния.
Технический результат достигается тем, что в способе получения кремния путем термического разложения кремнийсодержащих соединений в газовой фазе кремнийсодержащие соединения пропускают в дисперсном состоянии через слой расплавленного кремния.
Дополнительное увеличение производительности достигается тем, что кремнийсодержащие соединения барботируют через слой расплавленного кремния и создают в зоне барботажа УЗ-колебания интенсивностью 0,1-10 Вт/см2 с частотой 20-60 кГц.
Дополнительное увеличение степени диспергирования достигается тем, что кремнийсодержащие соединения пропускают по газопроводу, где возбуждают акустические колебания с частотой 10-60 кГц, и барботируют через слой расплавленного кремния.
В устройстве для получения кремния высокой чистоты путем термического разложения кремнийсодержащих соединений в газовой фазе, содержащем реакционную камеру с системой подачи кремнийсодержащих соединений, реакционная камера выполнена в виде тигля с расплавленным кремнием и тигель содержит систему трубопроводов с отверстиями размером 0,1-5 мм2 для выхода кремнийсодержащих соединений в расплавленный кремний.
Для повышения степени диспергирования кремнийсодержащих соединений система трубопроводов соединена с волноводом, излучающим УЗ-колебания интенсивностью 0,1-10 Вт/см2 с частотой 20-60 кГц.
Для упрощения устройства диспергирования кремнийсодержащих соединений система трубопроводов содержит генератор акустических колебаний с частотой 10-60 кГц.
Способ изготовления кремния высокой чистоты и устройство для его осуществления схематично иллюстрируются на чертежах, где на фиг.1 показан простейший вариант конструкции устройства для барботирования кремнийсодержащих соединений через расплавленный кремний, на фиг.2 показано устройство для барботирования кремнийсодержащих соединений через расплавленный кремний с использованием УЗ-колебаний и на фиг.3 - устройство для барботирования кремнийсодержащих соединений через расплавленный кремний с использованием генератора акустических колебаний.
На фиг.1 тигель 1 с расплавленным кремнием 2 нагревают с помощью нагревателя 3. В расплав кремния погружен трубопровод 4 с множеством отверстий 5. Компрессор 6 создает давление, необходимое для выхода кремнийсодержащего вещества в расплавленный кремний. Конфигурация отверстий 5 и величина давления обеспечивают получение большого числа мелких газовых пузырьков 7 в объеме расплавленного кремния, имеющего точку плавления 1417°С. Вообще кремнийсодержащей газ может вводиться и сквозь отверстия в дне тигля.
Под действием температуры кремнийсодержащий газ разлагается с выделением кремния, пополняя объем расплавленного кремния. Скорость процесса разложения можно легко увеличить, повысив температуру расплавленного кремния, а количество получаемого кремния увеличивается с ростом расхода кремнийсодержащего газа и повышения степени его диспергирования - снижения размера пузырьков.
В варианте конструкции устройства на фиг.2 дополнительное диспергирование кремнийсодержащих веществ достигается путем подсоединения к трубопроводу 4 с множеством отверстий 5 волновода 8, через который от генератора 9 в расплавленный кремний 2 передаются ультразвуковые колебания интенсивностью 0,1-10 Вт/см2 с частотой 20-60 кГц.
В варианте конструкции устройства на фиг.3 дополнительное диспергирование кремнийсодержащего газа, по сравнению с устройством на фиг.1, достигается тем, что после компрессора 6 газ проходит через генератор 10, создающий акустические колебания в трубопроводе 4 с частотой 10-60 кГц.
Пример реализации способа и устройства получения чистого кремния
Тигель 1 и трубопровод 4 выполняют из высокочистого инертного по отношению к расплавленному кремнию материала, имеющего точку плавления выше, чем у кремния, например кварц, силицированный графит, карбид или нитрид кремния. В начале и конце цикла нагревания тигля в трубопровод нагнетают под высоким давлением инертный газ, препятствуя проникновению во внутренний объем кремния. После расплавления кремния с помощью графитового нагревателя 3 в трубопровод подают моносилан под давлением, превышающим вес столба расплавленного кремния. В расплавленном кремнии образуются газовые полости размером в несколько миллиметров, в которых идет реакция разложения моносилана на кремний и водород. За время подъема газовых пузырьков на поверхность происходит полное 100% разложение моносилана. В результате кремний пополняет объем расплавленного кремния, а водород выходит из расплавленного кремния. Диспергирование пузырьков моносилана достигается, или генерацией УЗ-колебаний с помощью магнитострикционного преобразователя, или созданием акустических колебаний в трубопроводе за счет формирования в нем специальной геометрии и пульсации давления.
С целью экономии электроэнергии целесообразно тигель 1 с расплавленным кремнием 2 соединить дополнительным трубопроводом с тиглем установки, где происходит процесс выращивания слитков моно- или мультикристаллического кремния. Это позволяет создать установку с непрерывным процессом выращивания слитков кремния с одновременной подпиткой объема расплавленного кремния.

Claims (6)

1. Способ получения кремния путем термического разложения кремнийсодержащих соединений в газовой фазе, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения пропускают в дисперсном состоянии через слой расплавленного кремния.
2. Способ получения кремния по п.1, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения барботируют через слой расплавленного кремния и создают в зоне барботажа УЗ-колебания интенсивностью 0,1-10 Вт/см2 с частотой 20-60 кГц.
3. Способ получения кремния по п.1, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения пропускают по газопроводу, где возбуждают акустические колебания с частотой 10-60 кГц, и барботируют через слой расплавленного кремния.
4. Устройство для получения кремния высокой чистоты путем термического разложения кремнийсодержащих соединений в газовой фазе, содержащее реакционную камеру с системой подачи кремнийсодержащих соединений, отличающееся тем, что реакционная камера выполнена в виде тигля с расплавленным кремнием, и тигель содержит систему трубопроводов с отверстиями размером 0,1-5 мм2 для выхода кремнийсодержащих соединений в расплавленный кремний.
5. Устройство для получения кремния высокой чистоты по п.4, отличающееся тем, что система трубопроводов соединена с волноводом, излучающим УЗ-колебания интенсивностью 0,1-10 Вт/см2 с частотой 20-60 кГц.
6. Устройство для получения кремния высокой чистоты по п.4, отличающееся тем, что система трубопроводов содержит генератор акустических колебаний с частотой 10-60 кГц.
RU2007114282/15A 2007-04-17 2007-04-17 Способ и устройство получения чистого кремния RU2337876C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007114282/15A RU2337876C1 (ru) 2007-04-17 2007-04-17 Способ и устройство получения чистого кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007114282/15A RU2337876C1 (ru) 2007-04-17 2007-04-17 Способ и устройство получения чистого кремния

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2337876C1 true RU2337876C1 (ru) 2008-11-10

Family

ID=40230263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007114282/15A RU2337876C1 (ru) 2007-04-17 2007-04-17 Способ и устройство получения чистого кремния

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2337876C1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100411180B1 (ko) 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치
US10081003B2 (en) Fluidized bed reactor and a process using same to produce high purity granular polysilicon
US6221155B1 (en) Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
JP3518869B2 (ja) 発熱反応を利用したポリシリコンの調製方法
KR19990023573A (ko) 고순수 실리콘 입자의 제조방법
US20090289390A1 (en) Direct silicon or reactive metal casting
JP5886831B2 (ja) 単結晶半導体材料の生成
JP5339945B2 (ja) 多結晶シリコンの製法
CN101748482B (zh) 制备高致密结构多晶硅的改进方法和装置
JP4692247B2 (ja) 高純度多結晶シリコンの製造方法
JP5040716B2 (ja) 高純度多結晶シリコンの製造装置および製造方法
EP2294005B1 (en) Method and skull reactor for producing silicon or a reactive metal
JP4692324B2 (ja) 高純度多結晶シリコンの製造装置
RU2337876C1 (ru) Способ и устройство получения чистого кремния
KR100966755B1 (ko) 금속실리콘의 정제방법 및 그 정제장치
JP2003002628A (ja) シリコン製造装置および製造方法
JP2014080315A (ja) 多結晶シリコン製造用原料ガスの供給方法および多結晶シリコン
JP2008266127A (ja) クロロシラン類含有ガスの水素還元方法およびクロロシラン類の水素還元用装置
JP2012180233A (ja) ポリシリコン製造装置及びポリシリコンの製造方法
JP2003020216A (ja) シリコンの製造方法
CN201665537U (zh) 用于连续生产液体硅的装置
WO2024124127A1 (en) Float-zone boule growth using gas precursors
KR101871019B1 (ko) 폴리실리콘의 제조 장치 및 이를 이용한 폴리실리콘 제조방법
JPS63139013A (ja) 多結晶シリコンの製造方法
JPH07118006A (ja) シリコン積層体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20100418