RU2316075C1 - Способ выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры - Google Patents

Способ выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры Download PDF

Info

Publication number
RU2316075C1
RU2316075C1 RU2006140700/28A RU2006140700A RU2316075C1 RU 2316075 C1 RU2316075 C1 RU 2316075C1 RU 2006140700/28 A RU2006140700/28 A RU 2006140700/28A RU 2006140700 A RU2006140700 A RU 2006140700A RU 2316075 C1 RU2316075 C1 RU 2316075C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
heterostructure
layer
template layer
semiconductor layers
Prior art date
Application number
RU2006140700/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Алексей Николаевич Алексеев
Юрий Васильевич Погорельский
Станислав Игоревич Петров
Дмитрий Михайлович Красовицкий
Виктор Петрович ЧАЛЫЙ
Алексей Петрович Шкурко
Original Assignee
Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост" filed Critical Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост"
Priority to RU2006140700/28A priority Critical patent/RU2316075C1/ru
Priority to DE112007002784T priority patent/DE112007002784T5/de
Priority to PCT/RU2007/000394 priority patent/WO2008060183A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2316075C1 publication Critical patent/RU2316075C1/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии выращивания нитридных полупроводниковых гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении различных оптических и электронных приборов и устройств. В способе выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры, содержащей подложку с темплетным слоем и вышележащими полупроводниковыми слоями, включающем нагрев подложки, нитридизацию поверхностного слоя подложки путем подачи потока аммиака на поверхность подложки, образование на поверхности подложки темплетного слоя путем одновременной подачи на нее потока атомов алюминия и потока аммиака до достижения заданной толщины темплетного слоя и последующее выращивание вышележащих полупроводниковых слоев методом молекулярно-пучковой эпитаксии, подложку нагревают до температуры 1100-1200°С, а потоки аммиака и алюминия подают в соотношении NH3/Al=100-400. В результате происходит снижение плотности собственных дефектов кристаллической решетки темплетного слоя и повышение качества вышележащих полупроводниковых слоев гетероструктуры. 1 ил.

Description

Изобретение относится к технологии выращивания нитридных полупроводниковых гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении различных оптических и электронных приборов и устройств.
Известен способ выращивания многослойной нитридной гетероструктуры, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои. Способ включает нагрев подложки в вакууме и подачу на нее потоков аммиака и атомов металлов III группы. Подложка выполняется из карбида кремния, сапфира, арсенида галлия, кремния, оксида цинка и других материалов. Выращивание полупроводниковых слоев осуществляется при t=550-850°C и давлении ~10-5 мм рт.ст. Подача аммиака осуществляется при объемном расходе 2-15 см3/мин, US 6146458. Недостатком этого способа является весьма высокая плотность собственных (не примесных) дефектов кристаллической решетки, обусловленная низкой температурой, при которой происходит выращивание полупроводниковых слоев гетероструктуры.
Известен способ выращивания многослойной нитридной гетероструктуры, включающей подложку, расположенный на ней темплетный слой и вышележащие полупроводниковые слои, включающий нагрев подложки до t=900°C, при этом на подложку подают аммиак для модификации поверхности подложки и получения поверхностной реконструкции (4×4); затем образуют темплетный слой, для чего на поверхность подложки подают поочередно поток атомов Al и поток NH3 до достижения поверхностной реконструкции (1×1); после этого подают поток атомов Al и поток NH3 совместно до достижения заданной толщины темплетного слоя, при этом поддерживают соотношение NH3/Al~60; далее выращивают вышележащие слои гетероструктуры методом МПЭ, US 6391748 В1. Данное техническое решение принято в качестве прототипа настоящего изобретения.
Недостатком прототипа является высокая плотность собственных дефектов кристаллической решетки темплетного слоя. Это объясняется тем, что при относительно невысокой температуре нагрева подложки (не выше 900°С) поверхностная подвижность атомов Al и атомов N, получаемых при разложении аммиака, недостаточна для эффективной коалесценции зародышевых островков в темплетном слое. Вместе с тем при предусмотренном в способе-прототипе соотношении NH3/Al~60 температура роста слоев гетероструктуры не может быть выше 900°С из-за огрубления поверхности слоев вследствие их термической нестабильности при указанном соотношении. Как известно, эпитаксия определяется условием сопряжения подложки и кристаллических слоев на ней, поэтому дефекты темплетного слоя неизбежно вызывают дефекты вышележащих полупроводниковых слоев, образуемых в процессе эпитаксии.
Задачей настоящего изобретения является снижение плотности собственных дефектов кристаллической решетки темплетного слоя и повышение тем самым качества вышележащих полупроводниковых слоев гетероструктуры.
Эта задача решается за счет того, что в способе выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры, содержащей подложку с темплетным слоем и вышележащими полупроводниковыми слоями, включающем нагрев подложки, нитридизацию поверхностного слоя подложки путем подачи потока аммиака на поверхность подложки, образование на поверхности подложки темплетного слоя путем одновременной подачи на нее потока атомов Al и потока NH3 до достижения заданной толщины темплетного слоя и последующее выращивание вышележащих полупроводниковых слоев методом молекулярно-пучковой эпитаксии, подложку нагревают до температуры 1100-1200°С, а потоки аммиака и алюминия подают в соотношении NH3/Al=100-400.
Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором изображена схема, иллюстрирующая реализацию способа.
В вакуумной камере 1 размещают кристаллическую подложку 2 многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры. Для поддержания высокого вакуума в ходе процесса используют криопанели 3 с жидким азотом. Маневрирование и нагрев подложкой 2 осуществляют при помощи манипулятора 4. Исходные реагенты в виде пучков атомов металлов III группы (Al, Ga, In) и легирующих примесей (Si, Mg) подают на подложку 2 из испарителей 5, а подача газообразного аммиака осуществляется через газовый ввод 6.
Сначала подложку 2 нагревают до температуры 1100-1200°С. Затем на нагретую поверхность подложки 2 подают поток аммиака через газовый ввод 6, при этом происходит нитридизация поверхностного слоя подложки. Далее на поверхности подложки 2 образуют темплетный слой, улучшающий сопряжение подложки с вышележащими полупроводниковыми слоями. Для этого на поверхность подложки 2 подают одновременно потоки атомов Al из испарителя 5 и газообразного аммиака через газовый ввод 6. Соотношение потоков NH3 и Al является безразмерной величиной, поддерживаемой в пределах 100-400. Данное соотношение представляет собой отношение количества частиц NH3 к числу атомов Al, поступающих на 1 см2 поверхности подложки за 1 с. Подачу потоков Al и NH3 прекращают по достижении заданной толщины темплетного слоя AlN. Выращивание вышележащих полупроводниковых слоев осуществляют известным методом МПЭ. При этом на поверхность темплетного слоя одновременно с потоком аммиака, подаваемым через газовый ввод 6, из испарителей 5 подают потоки реагентов и легирующих примесей в необходимых в каждом случае соотношениях.
Пример 1. На подложке из сапфира кристаллографической ориентации (0001) необходимо вырастить гетероструктуру с двумерным электронным газом (ДЭГ). Полупроводниковые слои гетероструктуры должны состоять из изолирующего слоя переменного состава AlGaN толщиной 0,5-1,0 мкм, канального слоя GaN толщиной 100 нм и слоя Al0,3Ga0,7N толщиной 25 нм. После нитридизации поверхности сапфировой подложки выращивают темплетный слой AlN при температуре 1150°С и соотношении потоков NH3/Al=200, а затем выращивают последующие слои методом МПЭ. Благодаря реализации отличительных признаков способ получения гетероструктуры характеризуется следующими параметрами: ширина на полувысоте кривой качания (FWHM(0002)), измеренная методом рентгеновской дифрактометрии активного слоя GaN, составляет 280-320 arcsec. Среднеквадратичное отклонение шероховатости поверхности (RMS), измеренное методом атомно-силовой микроскопии, составляет 5-7 нм. Плотность дефектов кристаллической решетки, оцененная по плотности прорастающих дислокации dthr, измеренной методом просвечивающей электронной микроскопии, составляет в данном примере ~5×108 см-2. Электрофизические свойства ДЭГ, измеренные методом Ван-дер-Пау, составили: слоевая концентрация электронов ns≈(1,5-1,7)×1013 см-2; подвижность электронов μ≈1100-1200 см2/В·с.
Параметры гетероструктур аналогичной конструкции, получаемых методом МПЭ с использованием способа-прототипа, составляют для сравнивания FWHM(0002)=500-600 arcsec, RMS=20-25 нм, dthr~5×109-1×1010 см-2; ns≈(1,2-1,4)×1013 см-2; μ≈500-600 см2/В·с. Таким образом, использование изобретения позволяет существенно уменьшить плотность дефектов и в целом улучшить качество многослойных нитридных гетероструктур.
Пример 2. На подложке из кремния кристаллографической ориентации (111) выращивают гетероструктуру с ДЭГ, аналогичную описанной в Примере 1. Температура нагрева подложки - 1150°С, соотношение потоков NH3/Al=200. Полученная гетероструктура характеризуется следующими параметрами: FWHM(0002)=300-330 arcsec; RMS 15-17 нм; dthr~(1-5)×109 см-2; ns≈(1,4-1,6)×1013 см-2; μ≈950-1050 см2/B·c. Таким образом, использование изобретения позволяет получать многослойные нитридные гетероструктуры улучшенного качества и на подложках Si(111), характеризующихся еще большей, чем сапфир (0001), степенью рассогласования кристаллической решетки со слоями нитридных гетероструктур, что без использования настоящего изобретения приводит к увеличенной плотности собственных дефектов.
Пример 3. На подложке из сапфира кристаллографической ориентации (0001) выращивают гетероструктуру с ДЭГ, аналогичную описанной в Примере 1. Темплетный слой AlN выращен при температуре 1100°С и соотношении потоков и NH3/Al=100. Полученная гетероструктура характеризуется следующими параметрами: FWHM(0002)=280-300 arcsec; RMS 8-10 нм; dthr~1×109 см-2; ns≈(1,5-1,7)×1013 см-2; μ≈1000-1050 см2/В·с. Таким образом, минимальные значения указанных в изобретении температуры нагрева подложки и соотношения потоков NH3/Al обеспечивают уменьшение плотности дефектов и улучшение свойств гетероструктур.
Пример 4. На подложке из сапфира кристаллографической ориентации (0001) выращивают гетероструктуру с ДЭГ, аналогичную описанной в Примере 1. Темплетный слой AlN выращен при температуре 1200°С и соотношении потоков и NH3/Al=400. Полученная гетероструктура характеризуется следующими параметрами: FWHM(0002)=250-290 arcsec; RMS 10-12 нм; dthr~5×108-1×109 см-2; ns≈(1,2-1,4)×1013 см-2; μ≈1120-1250 см2/В·с. Таким образом, максимальные значения указанных в изобретении температуры нагрева подложки и соотношения потоков NH3/Al обеспечивают уменьшение плотности дефектов и улучшение свойств гетероструктур.
Пример 5. На подложке из сапфира кристаллографической ориентации (0001) выращивают гетероструктуру с ДЭГ, аналогичную описанной в Примере 1 и отличающуюся тем, что темплетный слой AlN выращен при температуре 1250°С, NH3/Al=200. Полученная гетероструктура характеризуется следующими параметрами: FWHM(0002)=260-280 arcsec; RMS 25-37 нм; dthr~(1-5)×109 см-2; ns≈(1,4-1,6)×1013 см-2; μ≈1000-1050 см2/В·с. Несмотря на параметры ДЭГ и кристаллическое качество структуры, которые аналогичны полученным в Примере 1, шероховатость поверхности гетероструктуры неудовлетворительна для изготовления транзисторных каскадов с протяженностью периферии более 300 мкм. Таким образом, превышение верхнего предела температуры нагрева подложки ведет к ухудшению свойств гетероструктур.
Пример 6. На подложке из сапфира кристаллографической ориентации (0001) выращивают гетероструктуру с ДЭГ, аналогичную описанной в Примере 1 и отличающуюся тем, что темплетный слой AlN выращен при температуре 1050°С, NH3/Al=200. Полученная гетероструктура характеризуется следующими параметрами: FWHM(0002)=350-380 arcsec; RMS 6-8 нм; dthr~5×109-1×1010 см-2; ns≈(1,2-1,4)×1013 см-2; μ≈700-800 см2/В·с. Несмотря на уменьшенную по сравнению с примером 1 шероховатость поверхности гетероструктуры, кристаллическое качество и плотность дефектов в ней существенно хуже, что приводит к уменьшению подвижности электронов в ДЭГ. Таким образом, понижение температуры подложки ниже нижнего предела ведет к ухудшению свойств гетероструктур.
Пример 7. На подложке из сапфира кристаллографической ориентации (0001) выращивают гетероструктуру с ДЭГ, аналогичную описанной в Примере 1, темплетный слой AlN выращен при температуре нагрева подложки 1050°С и соотношении потоков NH3/Al=80. Полученная гетероструктура характеризуется следующими параметрами: FWHM(0002)=250-300 arcsec; RMS 36-40 нм; dthr~1×109 см-2; ns≈(1,2-1,4)×1013 см-2; μ≈500-600 см2/В·с. По сравнению с примером 1 шероховатость поверхности гетероструктуры существенно выше, что приведет к уменьшению подвижности электронов в ДЭГ. Таким образом, понижение соотношения потоков NH3/Al ниже нижнего предела ведет к ухудшению свойств гетероструктур.
Пример 8. На подложке из сапфира кристаллографической ориентации (0001) выращивают гетероструктуру с ДЭГ, аналогичную описанной в Примере 1; темплетный слой AlN выращен при температуре нагрева подложки 1050°С и соотношении потоков NH3/Al=420. В этом случае в ходе выращивания темплетного слоя наблюдается снижение скорости роста, связанное с нарушением режима бесстолкновительного (баллистического) пролета частиц при повышении общего давления в камере. Повышение давления приводит и к ухудшению поверхностной подвижности частиц на ростовой поверхности, что неизбежно ведет к деградации свойств гетероструктуры. Полученная гетероструктура характеризуется следующими параметрами: FWHM(0002)=350-400 arcsec; RMS 25-30 нм; dthr~(1-6)×109 см-2; ns≈(1,0-1,2)×1013 см-2; μ≈400-500 см2/В·с. Таким образом, повышение значения соотношения потоков NH3/Al выше верхнего предела ведет к ухудшению свойств гетероструктур и повышенному износу оборудования.

Claims (1)

  1. Способ выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры, содержащей подложку, с темплетным слоем и вышележащими полупроводниковыми слоями, включающий нагрев подложки, нитридизацию поверхностного слоя подложки путем подачи потока аммиака на поверхность подложки, образование на поверхности подложки темплетного слоя путем одновременной подачи на нее потока атомов алюминия и потока аммиака до достижения заданной толщины темплетного слоя и последующее выращивание вышележащих полупроводниковых слоев методом молекулярно-пучковой эпитаксии, отличающийся тем, что подложку нагревают до температуры 1100-1200°С, а потоки аммиака и алюминия подают в соотношении NH3/Al=100-400.
RU2006140700/28A 2006-11-14 2006-11-14 Способ выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры RU2316075C1 (ru)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006140700/28A RU2316075C1 (ru) 2006-11-14 2006-11-14 Способ выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры
DE112007002784T DE112007002784T5 (de) 2006-11-14 2007-07-12 Verfahren für die Züchtung einer mehrschichtigen Halbleiternitridheterostruktur
PCT/RU2007/000394 WO2008060183A1 (fr) 2006-11-14 2007-07-12 Procédé de croissance d'une hétérostructure semi-conductrice de nitrure multicouches

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006140700/28A RU2316075C1 (ru) 2006-11-14 2006-11-14 Способ выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2316075C1 true RU2316075C1 (ru) 2008-01-27

Family

ID=39110138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006140700/28A RU2316075C1 (ru) 2006-11-14 2006-11-14 Способ выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE112007002784T5 (ru)
RU (1) RU2316075C1 (ru)
WO (1) WO2008060183A1 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107299396B (zh) * 2017-06-30 2020-02-07 郑州大学 一种晶体制备方法及反应炉
CN114203865B (zh) * 2021-12-07 2023-08-01 宁波安芯美半导体有限公司 一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5278433A (en) * 1990-02-28 1994-01-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound with double layer structures for the n-layer and/or the i-layer
GB2323209A (en) 1997-03-13 1998-09-16 Sharp Kk Molecular beam epitaxy apparatus and method
RU2132890C1 (ru) * 1997-12-09 1999-07-10 Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" Способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы a3
US6391748B1 (en) 2000-10-03 2002-05-21 Texas Tech University Method of epitaxial growth of high quality nitride layers on silicon substrates

Also Published As

Publication number Publication date
DE112007002784T5 (de) 2009-10-29
WO2008060183A1 (fr) 2008-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6475882B1 (en) Method for producing GaN-based compound semiconductor and GaN-based compound semiconductor device
WO2019218581A1 (zh) 基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜及其生长方法和应用
CN104051232B (zh) 具有AlzGa1‑zN层的半导体晶片及其制造方法
JPH04297023A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
US9437688B2 (en) High-quality GaN high-voltage HFETs on silicon
US20110003420A1 (en) Fabrication method of gallium nitride-based compound semiconductor
US7625447B2 (en) Method of growing semiconductor crystal
RU2316075C1 (ru) Способ выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры
JP3274674B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Liliental-Weber et al. TEM study of defects in laterally overgrown GaN layers
JP2006324512A (ja) 窒化物半導体薄膜およびその製造方法
JP2018101701A (ja) 半導体基板およびその製造方法
JP3946805B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
JP2004296701A (ja) エピタキシャル基板ならびに半導体装置および窒化物系半導体の結晶成長方法
JP3564645B2 (ja) 窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法
JP2003224072A (ja) 半導体構造物およびその製造方法
JP4315271B2 (ja) 電子デバイス
Wang et al. The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD
JP2004039766A (ja) ３Ｃ−ＳｉＣ半導体又はＧａＮ半導体と、その製造方法
JP2003324068A (ja) Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体の層構造体、その製造方法
JP4545389B2 (ja) エピタキシャル基板およびｉｉｉ族窒化物層群の転位低減方法
KR102086725B1 (ko) 질화물 반도체 프리스탠딩 기판과 그 제조 장치 및 방법
KR101890750B1 (ko) 질화물 반도체층 성장 방법
JP4524630B2 (ja) Ｈｅｍｔ用エピタキシャルウェハの製造方法
KR20050037449A (ko) 질화물 막의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20191115