RU2304322C2 - Способ изготовления магнитодиода - Google Patents
Способ изготовления магнитодиода Download PDFInfo
- Publication number
- RU2304322C2 RU2304322C2 RU2005133015/28A RU2005133015A RU2304322C2 RU 2304322 C2 RU2304322 C2 RU 2304322C2 RU 2005133015/28 A RU2005133015/28 A RU 2005133015/28A RU 2005133015 A RU2005133015 A RU 2005133015A RU 2304322 C2 RU2304322 C2 RU 2304322C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetic
- sensitivity
- parameters
- type
- conductivity
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации. Изобретение направлено на увеличение выхода годных магнитодиодов, повышение точности подгонки параметров магнитодиодов по чувствительности, расширение диапазона магниточувствительности с одной партии, улучшение технологичности способа, уменьшение затрат при его реализации с сохранением параметров магнитодиодов, изготовленных известными способами. Сущность изобретения: в способе изготовления магнитодиода, включающем формирование на лицевой стороне высокоомной полупроводниковой подложки первого типа проводимости инжекционных областей магнитодиодов второго типа проводимости, формирование приконтактных областей первого типа проводимости с повышенной концентрацией примеси и подгонку параметров магнитодиодов по чувствительности, инжекционные области второго типа проводимости формируют в виде меза-структур, путем диффузии фосфора по всей поверхности подложки и дальнейшего локального стравливания легированного слоя вне инжекционных областей, а подгонку параметров магнитодиодов по чувствительности производят путем формирования кристаллов, содержащих более одного магнитодиода с различной длиной базы и выбора магнитодиода с необходимым значением магниточувствительности из представленного диапазона. 4 ил.
Description
Предлагаемое техническое решение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации.
Известен способ изготовления магнитодиода, характеризующийся тем, что на кремниевой пластине методами ионного легирования или сплавной технологии создают области первого и второго типа проводимости с дальнейшей активацией примесей [1].
Недостатком известного способа является большое количество операций, низкий процент выхода годных магнитодиодов, невозможность подгонки чувствительности магнитодиодов в пределах одной партии.
Изобретение направлено на увеличение выхода годных магнитодиодов, повышение точности подгонки параметров магнитодиодов по чувствительности, расширение диапазона магниточувствительности с одной партии, улучшение технологичности способа, уменьшение затрат при его реализации с сохранением параметров магнитодиодов, изготовленных известными способами.
Согласно способу изготовления магнитодиодов, включающего формирование на лицевой стороне высокоомной полупроводниковой подложки первого типа проводимости инжекционных областей магнитодиодов второго типа проводимости, формирование приконтактных областей первого типа проводимости с повышенной концентрацией примеси и подгонку параметров магнитодиодов по чувствительности, инжекционные области второго типа проводимости формируют в виде меза-структур путем диффузии фосфора по всей поверхности подложки и дальнейшего локального стравливания легированного слоя вне инжекционных областей, а подгонку параметров магнитодиодов по чувствительности производят путем формирования кристаллов, содержащих более одного магнитодода с различной длиной базы, то есть с различным расстоянием между инжекционной и приконтактной областями, и выбора магнитодиода с необходимым значением магниточувствительности из представленного диапазона.
Введение предложенного способа изготовления, включающего формирование инжекционных областей второго типа проводимости, происходящее в виде меза-структур, создаваемых диффузией фосфора по всей поверхности подложки и дальнейшим локальным стравливанием легированного слоя вне инжекционных областей, позволяет исключить необходимость создания маскирующего от диффузии слоя диэлектрика и проведение процесса ионного легирования, то есть необходимость наличия дорогостоящих установок типа "Везувий" и "Оксин", а также позволяет повысить чувствительность магнитодиода, во-первых, за счет стравливания в базе магнитодиода кремния с повышением качества поверхности, то есть уменьшением поверхностной концентрации центров рекомбинации носителей на дефектах, во-вторых, за счет уменьшения количества термических обработок на операциях формирования окисла и отжига, снижающего дефектность в теле магнитодиодов. Кроме того, формирование кристаллов, содержащих более одного магнитодиода с различной длиной базы, позволяет увеличить выход годных магнитодиодов, повысить точность подгонки параметров магнитодиодов по чувствительности и расширить диапазон магниточувствительности с одной партии за счет возможности выбора необходимого значения из диапазона с разной длиной базы, когда минимальная магниточувствительность наблюдается при минимальной длине базы.
Предлагаемый способ изготовления поясняется на фиг.1-4.
На фиг.1 изображена полупроводниковая подложка (1) первого типа проводимости со сформированным на ней слоем второго типа проводимости (2) методом диффузии фосфора. На фиг.2 изображена полупроводниковая подложка (1) первого типа проводимости со сформированной на ней инжекционной областью второго типа проводимости (3) в виде меза-структуры методом локального стравливания легированного слоя вне инжекционной области. На фиг.3 изображена полупроводниковая подложка (1) первого типа проводимости со сформированными на ней инжекционной областью (3) и приконтактной областью (4) и представляющая, таким образом, магнитодиод. На фиг.4 изображен кристалл (6) с несколькими магнитодиодами (5), имеющими различную длину базы (b) и, следовательно, различную магниточувствительность.
Способ изготовления магнитодиода поясняется на примере.
Пример. На одной стороне пластины р-типа проводимости методом загонки при температуре T1=820°С за время t1=40 минут формируют сплошной слой n-типа проводимости от жидкого источника трихлорида фосфора PCl3 с удельным поверхностным сопротивлением Rs1 не более 
Далее методами фотолитографии и травления в травителе состава (объемн. частей): HF-2; HNO3-15; СН3СООН-5 создают меза-структуру из сформированного слоя n-типа проводимости высотой h=3-5 мкм, представляющую собой инжекционную область. Далее методами фотолитографии, ионного легирования бором и отжига создают приконтактную область р+ типа проводимости с удельным поверхностным сопротивлением Rs2 не менее 
Причем в процессе проведения операций фотолитографии по созданию меза-структуры и фотолитографии по созданию приконтактной области р+ типа проводимости на одном кристалле создают несколько топологических слоев магнитодиодов, отличающихся друг от друга длиной базы, то есть расстоянием между инжекционной и приконтактной областями, с целью дальнейшего выбора магнитодиода с необходимым значением магниточувствительности из представленного диапазона.
Технико-экономическими преимуществами предлагаемого способа по сравнению с известными являются:
- улучшение технологичности способа;
- уменьшение затрат при его реализации с сохранением параметров магнитодиодов, изготовленных другими способами;
- увеличение выхода годных магнитодиодов;
- повышение точности подгонки параметров магнитодиодов по чувствительности;
- расширение диапазона магниточувствительности с одной партии.
Источники информации
1. Егиазарян Г.А., Стафеев В.И. Магнитодиоды, магнитотранзисторы и их применение. - М.: Радио и связь, 1987.-88 с.: ил.
Claims (1)
- Способ изготовления магнитодиода, включающий формирование на лицевой стороне высокоомной полупроводниковой подложки первого типа проводимости инжекционных областей магнитодиодов второго типа проводимости, формирование приконтактных областей первого типа проводимости с повышенной концентрацией примеси и подгонку параметров магнитодиодов по чувствительности, отличающийся тем, что инжекционные области второго типа проводимости формируют в виде меза-структур, путем диффузии фосфора по всей поверхности подложки и дальнейшего локального стравливания легированного слоя вне инжекционных областей, а подгонку параметров магнитодиодов по чувствительности производят путем формирования кристаллов, содержащих более одного магнитодиода с различной длиной базы, то есть с различным расстоянием между инжекционной и приконтактной областями, и выбора магнитодиода с необходимым значением магниточувствительности из представленного диапазона.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005133015/28A RU2304322C2 (ru) | 2005-10-26 | 2005-10-26 | Способ изготовления магнитодиода |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005133015/28A RU2304322C2 (ru) | 2005-10-26 | 2005-10-26 | Способ изготовления магнитодиода |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2304322C2 true RU2304322C2 (ru) | 2007-08-10 |
Family
ID=38510950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005133015/28A RU2304322C2 (ru) | 2005-10-26 | 2005-10-26 | Способ изготовления магнитодиода |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2304322C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2744931C1 (ru) * | 2020-06-09 | 2021-03-17 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого" | Магнитоэлектрический диод с внутренним магнитным полем |
-
2005
- 2005-10-26 RU RU2005133015/28A patent/RU2304322C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2744931C1 (ru) * | 2020-06-09 | 2021-03-17 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого" | Магнитоэлектрический диод с внутренним магнитным полем |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105874607B (zh) | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | |
| CN107957299B (zh) | 一种碳化硅线性温度传感器及其测温方法和制造方法 | |
| US7759139B2 (en) | Method for manufacturing silicon device | |
| KR20170005139A (ko) | 반도체 디바이스에서의 단순화된 전하 균형 | |
| US4419681A (en) | Zener diode | |
| US9287497B2 (en) | Integrated circuits with hall effect sensors and methods for producing such integrated circuits | |
| US9142624B2 (en) | Semiconductor device | |
| RU2304322C2 (ru) | Способ изготовления магнитодиода | |
| RU2548609C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ pin-ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМ КОЛЬЦОМ НА ВЫСОКООМНОМ р-КРЕМНИИ | |
| JP2011205040A (ja) | 半導体基板および光電変換素子ならびにそれらの製造方法 | |
| US9577034B2 (en) | Compensation devices | |
| JP3303914B2 (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
| RU2054209C1 (ru) | Способ изготовления диодов с s-образной вольтамперной характеристикой | |
| JP2002502115A (ja) | ダイオードの製造方法 | |
| JP2020136583A (ja) | Ｃｖ測定に用いるための抵抗率校正用半導体ウェーハ及びその作製方法 | |
| CN106356434B (zh) | 多孔硅发光器件及其制造方法 | |
| JPH0982768A (ja) | 半導体ウエハの評価方法 | |
| US7241699B2 (en) | Wide bandgap semiconductor device construction | |
| RU2716036C1 (ru) | Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента с низким уровнем темновых токов | |
| Aytac et al. | Diffusion-profile measurement in InP with Schottky diodes | |
| KR100578268B1 (ko) | 다이오드들의 제조 방법 | |
| JP3355334B2 (ja) | 可変容量ダイオードの製造方法 | |
| JPH11126911A (ja) | ｐｎ接合ダイオード及びそれを用いた半導体基板の評価方法 | |
| JP2024043993A (ja) | 半導体試料の評価方法 | |
| GB2338828A (en) | Integrated circuit with multiple base width bipolar transistors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161027 |