RU2716036C1 - Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента с низким уровнем темновых токов - Google Patents
Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента с низким уровнем темновых токов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2716036C1 RU2716036C1 RU2019117951A RU2019117951A RU2716036C1 RU 2716036 C1 RU2716036 C1 RU 2716036C1 RU 2019117951 A RU2019117951 A RU 2019117951A RU 2019117951 A RU2019117951 A RU 2019117951A RU 2716036 C1 RU2716036 C1 RU 2716036C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- phosphorus
- layer
- gettering
- substrate
- diffusion
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 24
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000000899 pressurised-fluid extraction Methods 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N phosphane silicic acid Chemical compound P.[Si](O)(O)(O)O OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XVNRSQASUCMHGX-UHFFFAOYSA-N O[Si](O)(O)O.OP(O)(O)=O Chemical compound O[Si](O)(O)O.OP(O)(O)=O XVNRSQASUCMHGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм. Они предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 не) при напряжениях смещения порядка 200 В. Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента включает ионную имплантацию бора и разгонку в тыльную поверхность подложки, термическое окисление, диффузию и разгонку фосфора для создания областей фоточувствительных площадок и охранного кольца с одновременным окислением формирования защитной пленки двуокиси кремния, ионную имплантацию аргона и диффузию фосфора в тыльную поверхность подложки для геттерирования, удаление геттерирующего слоя, диффузию бора в тыльную поверхность подложки для создания контактного слоя р+-типа проводимости, химическое травление пленки двуокиси кремния для получения просветляющего покрытия, создание двухслойных золотых омических контактов к фоточувствительным площадкам, охранному кольцу и тыльному слою р+-типа проводимости, при этом согласно изобретению проводится двухстадийное геттерирование для удаления загрязняющих примесей, включающее в себя загонку фосфора в тыльную сторону пластины при температуре 1100°С в течение 20 минут и последующий отжиг в течение 1 часа, удаление фосфоросиликатного стекла с тыльной стороны пластины, ионную имплантацию аргона в тыльную сторону пластины с дозой 2⋅1015 см-2 и энергией 100 кЭв, термический отжиг при температуре 1000°С в течение 1 часа. Изобретение обеспечивает снижение уровня темновых токов. 1 ил., 1 табл., 1 пр.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм. Они предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 не) при напряжениях смещения порядка 200 В. К такой аппаратуре относятся лазерные дальномеры, системы наведения по лучу, обнаружители лазерного излучения, системы защиты от лазерного оружия, высокоточное оружие и другие системы [А.М. Филачев, И.И. Таубкин, М.А. Тришенков. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы. М.: Физматкнига, 2007 г., 384 с].
Задачей предлагаемого изобретения является снижение уровня темновых токов, увеличение процента выхода годных.
Известен кремниевый pin-фотодиод [патент на полезную модель РФ №108883, заявитель ФГУП «НПО «Орион»], чувствительный к длине волны 1,06 мкм, способ изготовления которого принят в качестве прототипа.
Известен способ изготовления кремниевого многоплощадочного pin-фоточувствительного элемента (ФЧЭ) с низким уровнем темновых токов [патент на изобретение РФ №2654961, заявитель АО «НПО «Орион»], который принят в качестве ближайшего аналога. Изготовление ФЧЭ включает в себя следующие технологические операции:
- ионная имплантация бора в тыльную поверхность подложки;
- длительная разгонка бора;
- термическое окисление;
- диффузия фосфора для создания областей фоточувствительных площадок и охранного кольца;
- разгонка фосфора с одновременным окислением для выращивания защитной пленки двуокиси кремния;
- ионная имплантация аргона и диффузия фосфора в тыльную поверхность подложки для геттерирования загрязняющих примесей;
- удаление геттерирующего слоя;
- диффузия бора в тыльную поверхность подложки для создания контактного слоя р+-типа проводимости;
- химическое травление пленки двуокиси кремния для получения просветляющего покрытия;
- создание двухслойных омических контактов к фоточувствительным площадкам, охранному кольцу и тыльному слою р+-типа проводимости методом напыления пленки золота с подслоем хрома, причем толщина пленки хрома на тыльном слое составляет 5-6 нм.
Недостатком этих приборов является то, что величина темновых токов для некоторых применений не может обеспечить требуемую пороговую чувствительность фотоприемного устройства.
Предлагаемый способ изготовления позволяет снизить уровень темновых токов, а также повысить процент выхода годных ФЧЭ.
Известно, что примеси тяжелых металлов, таких как Au, Fe и Cu и микродефекты, декорированные этими примесями, вводят генерационно-рекомбинационные центры в запрещенной зоне кремния. Эти центры приводят к уменьшению времени жизни неосновных носителей заряда и увеличению темновых токов ФЧЭ. Для удаления микродефектов и примесей металлов из активной части приборов на пластине применяется процесс геттерирования.
В способе изготовления ФЧЭ - аналога используется комплексное геттерирование нарушенными слоями на тыльной поверхности подложки, созданными имплантацией аргона и загонкой фосфора при температуре Т=1000°С, и последующим отжигом в течение 1 часа при этой же температуре. В предлагаемом способе геттерирование проводится в две стадии.
На первой стадии проводится геттерирование фосфором, включающим в себя загонку фосфора при температуре Т=1100°С в течение 20 минут, отжиг при этой же температуре в течение 1 часа и последующее удаление образовавшегося фосфорно-силикатного стекла. На второй стадии проводится геттерирование имплантированным аргоном с последующим отжигом в течение 1 часа при температуре Т=1000°С.
Процесс геттерирования фосфором при повышенной температуре более эффективен, так как за счет более высокой поверхностной концентрации фосфора повышается плотность образующихся дислокаций несоответствия, которые геттерируют из пластины точечные дефекты и примеси. Измеренные глубина p-n-перехода на тыльной стороне пластины hj и поверхностное сопротивление n+-слоя Rs составляют 4 мкм и 1,2 Ом/кв. см соответственно. Тогда сопротивление n+-слоя р=RS*hj=1,2*4*10-4≈0,0005 Ом*см. Такому уровню сопротивления соответствует достаточно высокая плотность дислокаций (105-106) см-2 [К. Рейви «Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии», Москва, «Мир», 1984, стр. 79].
Эффективность геттерирования увеличивается также за счет того, что повышенная концентрация фосфора в n+-слое и слое фосфорно-силикатного стекла, образующемся во время геттерирования, обеспечивает большую растворимость в них примесей тяжелых металлов. При удалении фосфорно-силикатного стекла вместе с ним удаляются и растворенные в нем примеси.
Известна работа [А.К. Будтолаев, И.А. Евлентьев, Г.В. Либерова, С.Д. Сиваченко, В.Е. Степанюк, Журнал «Прикладная физика», 2015, №6, стр. 80-81], в которой проведено сравнение методов геттерирования нарушенными слоями и показано, что при изготовлении pin-фотодиодов наряду с диффузией фосфора также эффективен метод ионной имплантации аргона с последующим термическим отжигом.
Геттерирование аргоном в предлагаемом способе изготовления ФЧЭ может быть более эффективно по сравнению с аналогом за счет того, что:
- имплантация аргона проводится в поверхность, уже частично очищенную в процессе геттерирования фосфором;
- на структурные нарушения, создаваемые диффузией фосфора, накладываются нарушения, вносимые имплантацией аргона, и за счет этого во время повторного геттерирования эффективно удаляются примеси тяжелых металлов.
Режимы геттерирования: доза имплантации аргона D=2*1015 см-2; энергия Е=100 кэВ; температура отжига Т=1000°С, время отжига 1 час.
Предлагаемый способ изготовления pin-ФЧЭ включает в себя следующие технологические операции:
1 ионная имплантация бора в тыльную поверхность подложки;
2 длительная разгонка бора;
3 термическое окисление;
4 диффузия фосфора для создания областей фоточувствительных площадок и охранного кольца;
5 разгонка фосфора с одновременным окислением для выращивания защитной пленки двуокиси кремния;
6 геттерирование для удаления загрязняющих примесей, включающее в себя:
- загонку фосфора в тыльную сторону пластины при температуре 1100°С в течение 20 минут и последующий отжиг в течение 1 часа;
- удаление фосфорно-силикатного стекла с тыльной стороны пластины;
- ионную имплантацию аргона в обратную сторону пластины: доза D=2*1015 cm-2; энергия Е=100 кэВ;
- термический отжиг при температуре 1000°С в течение 1 часа;
7 удаление гетерирующего слоя.
8 диффузия бора в тыльную поверхность подложки для создания контактного слоя р+-типа проводимости;
9 химическое травление пленки двуокиси кремния для получения просветляющего покрытия;
10 создание двухслойных омических контактов к фоточувствительным площадкам, охранному кольцу и тыльному слою p+-типа проводимости методом напыления пленки золота с подслоем хрома, причем толщина пленки хрома на тыльном слое составляет 5-6 нм.
Структура ФЧЭ, представлена на рисунке фиг. 1, где 1 - фоточувствительная площадка n+-типа проводимости; 2- охранное кольцо n+-типа проводимости; 3, 4 - защитная и просветляющая пленки двуокиси кремния; 5 - база ФЧЭ; 6 - ОПЗ, 7 - контактный слой p+-типа проводимости; 8, 9 - контактная система Au-Cr к n+- и р+-областям.
Пример.
По предлагаемому способу были изготовлены 8-и площадочные фоточувствительные элементы на пластинах кремния p-типа проводимости. Для сравнения также были изготовлены ФЧЭ, у которых геттерирование проводилось стандартным методом и одностадийным методом загонки фосфора при температуре Т=1100°С и последующим отжигом при этой же температуре в течение 1 часа. В таблице 1. Приведены результаты измерения величины плотности темновых токов IT, а также процент выхода годных изделий.
Из данных таблицы следует, что:
- образцы, изготовленные по предлагаемому методу геттерирования превосходят по своим параметрам образцы, изготовленные по стандартному методу геттерирования и одностадийному методу геттерирования диффузией фосфора;
- геттерирование аргоном вносит существенный вклад в снижение величины плотности темновых токов.
Claims (1)
- Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента с низким уровнем темновых токов, включающий операции: ионная имплантация бора в тыльную поверхность подложки; длительная разгонка бора; термическое окисление; диффузия фосфора для создания областей фоточувствительных площадок и охранного кольца; разгонка фосфора с одновременным окислением для выращивания защитной пленки двуокиси кремния; ионная имплантация аргона и диффузия фосфора в тыльную поверхность подложки для геттерирования загрязняющих примесей; удаление геттерирующего слоя; диффузия бора в тыльную поверхность подложки для создания контактного слоя р+-типа проводимости; химическое травление пленки двуокиси кремния для получения просветляющего покрытия; создание двухслойных омических контактов к фоточувствительным площадкам, охранному кольцу и тыльному слою р+-типа проводимости методом напыления пленки золота с подслоем хрома, причем толщина пленки хрома на тыльном слое составляет 5-6 нм, отличающийся тем, что для снижения уровня темновых токов ФЧЭ и увеличения процента выхода годных проводится двухстадийное геттерирование для удаления загрязняющих примесей, включающее в себя загонку фосфора в тыльную сторону пластины при температуре 1100°С в течение 20 минут и последующий отжиг в течение 1 часа, удаление фосфоросиликатного стекла с тыльной стороны пластины, ионную имплантацию аргона в тыльную сторону пластины с дозой 2⋅1015 см-2 и энергией 100 кЭв, термический отжиг при температуре 1000°С в течение 1 часа.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019117951A RU2716036C1 (ru) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента с низким уровнем темновых токов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019117951A RU2716036C1 (ru) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента с низким уровнем темновых токов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2716036C1 true RU2716036C1 (ru) | 2020-03-05 |
Family
ID=69768423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019117951A RU2716036C1 (ru) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента с низким уровнем темновых токов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2716036C1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2537087C1 (ru) * | 2013-09-10 | 2014-12-27 | Открытое акционерное общество "НПО "Орион" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА |
| RU2541416C1 (ru) * | 2014-02-04 | 2015-02-10 | Открытое акционерное общество "НПО "Орион" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА |
| RU2544869C1 (ru) * | 2013-11-13 | 2015-03-20 | Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ pin-ФОТОДИОДОВ БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ НА ВЫСОКООМНОМ p-КРЕМНИИ |
| RU2654961C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-23 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ изготовления многоплощадочного быстродействующего кремниевого pin-фоточувствительного элемента |
-
2019
- 2019-06-10 RU RU2019117951A patent/RU2716036C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2537087C1 (ru) * | 2013-09-10 | 2014-12-27 | Открытое акционерное общество "НПО "Орион" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА |
| RU2544869C1 (ru) * | 2013-11-13 | 2015-03-20 | Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ pin-ФОТОДИОДОВ БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ НА ВЫСОКООМНОМ p-КРЕМНИИ |
| RU2541416C1 (ru) * | 2014-02-04 | 2015-02-10 | Открытое акционерное общество "НПО "Орион" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА |
| RU2654961C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-23 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ изготовления многоплощадочного быстродействующего кремниевого pin-фоточувствительного элемента |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10374109B2 (en) | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices | |
| US7576369B2 (en) | Deep diffused thin photodiodes | |
| US20100148040A1 (en) | Geiger-mode photodiode with integrated and adjustable quenching resistor, photodiode array, and manufacturing method thereof | |
| Hurwitz et al. | Planar InSb photodiodes fabricated by Be and Mg ion implantation | |
| EP1794804A2 (en) | Method for manufacturing of silicon-based detektors having laser-microstructured sulfur-doped surface layers | |
| RU101866U1 (ru) | Фотоэлектрический преобразователь электромагнитного излучения в электрический ток с градиентным профилем легирующей примеси | |
| US4141756A (en) | Method of making a gap UV photodiode by multiple ion-implantations | |
| RU2541416C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА | |
| Bao et al. | Germanium pn junctions by laser doping for photonics/microelectronic devices | |
| RU2716036C1 (ru) | Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента с низким уровнем темновых токов | |
| DE102010037355A1 (de) | Kristalline Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer solchen | |
| RU82381U1 (ru) | КРЕМНИЕВЫЙ pin-ФОТОДИОД | |
| Lim et al. | Improved planar InAs avalanche photodiodes with reduced dark current and increased responsivity | |
| RU2654961C1 (ru) | Способ изготовления многоплощадочного быстродействующего кремниевого pin-фоточувствительного элемента | |
| Schunck et al. | Efficient indium tin oxide/polycrystalline silicon solar cells | |
| RU2532594C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА | |
| JPS6155791B2 (ru) | ||
| US10622495B2 (en) | Method, process and fabrication technology for oxide layers | |
| CN109301025A (zh) | 一种低击穿电压雪崩光电探测器及其制备方法 | |
| RU2575939C1 (ru) | Способ изготовления сенсора ионизирующего излучения | |
| US3591431A (en) | Diffused p-n junction diodes and methods of diffusion therefor | |
| RU2432640C1 (ru) | Фотоэлектрический преобразователь электромагнитного излучения в электрический ток с градиентным профилем легирующей примеси и способ его изготовления | |
| RU2654998C1 (ru) | Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента | |
| Wagh et al. | Gallium‐implanted silicon | |
| Karimi | Characterization of Proton and Sulfur Implanted GaSb Photovoltaics and Materials |