RU2054209C1 - Способ изготовления диодов с s-образной вольтамперной характеристикой - Google Patents
Способ изготовления диодов с s-образной вольтамперной характеристикой Download PDFInfo
- Publication number
- RU2054209C1 RU2054209C1 SU4872246A RU2054209C1 RU 2054209 C1 RU2054209 C1 RU 2054209C1 SU 4872246 A SU4872246 A SU 4872246A RU 2054209 C1 RU2054209 C1 RU 2054209C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diodes
- crystals
- manufacture
- stage
- ampere characteristic
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Использование: изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на основе кремния и может быть использовано для изготовления туннельных диодов, приборов с отрицательными сопротивлениями. Сущность изобретения: кремниевую пластину режут на кристаллы. Отжигают их в вакууме в три этапа. На первом этапе отжиг ведут 2 ч при 800oС, на втором - 2 ч при 1200oС, а на третьем - 2 ч при 800oС. Отожженные кристаллы химически полируют. Наносят выпрямляющий и омический контакты.
Description
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых микроэлектронных и интегральных схем на основе кремния и может быть использовано в технологии получения МОП-(металл-окисел-полупроводник)-структур, а также для получения туннельных диодов, приборов с отрицательными сопротивлениями.
Известен способ получения приборов с S вольтамперной характеристикой (ВАХ), при тепловом пробое при обратном включении p-n-стрктур [1]
Недостатком данного способа является применение многоразовых диффузионных технологических процессов, которые приводят к изменению электрофизических параметров подложки.
Недостатком данного способа является применение многоразовых диффузионных технологических процессов, которые приводят к изменению электрофизических параметров подложки.
Известен способ получения диодов с S-ВАХ с двумя областями, первая область получается при компенсации глубокими уровнями золота, а вторая высокоомная область соответствует высокоомному проводнику [2]
Недостатком данного способа является неустойчивость нагрузочных точек в ВАХ при эксплуатации полученного диода.
Недостатком данного способа является неустойчивость нагрузочных точек в ВАХ при эксплуатации полученного диода.
Наиболее близким к заявляемому относится способ получения S-ВАХ диодов [3]
Недостатком способа является сложный механизм технологического изготовления, применение нескольких операций.
Недостатком способа является сложный механизм технологического изготовления, применение нескольких операций.
Целью изобретения является упрощение технологии изготовления диодов.
Эта цель достигается тем, что в способе получения диодов с S-образной вольтамперной характеристики, включающей резку на кристаллы пластин кремния n-типа с кристаллографической ориентацией <III> с удельным сопротивлением 8-12 Ом · см. Затем в вакууме не ниже 10-4 Торр производят отжиг в кварциевой ампуле в три этапа: в начальном этапе при 800оС в течение 2 ч, затем температуру отжига повышают до 1200оС и отжигают в течение 2 ч, на последнем этапе температуру устанавливают первоначальную, т. е. 800оС и отжигают в течении 2 ч образцы. Затем проводят выявление дислокационных ямок путем химической полировки в травителе состава 1 НF + 3НNO3 в течение 2 мин с последующим травлением в селективном травителе 1НF + 3HNO3 + 6CH3COOH в течение 3 ч. Плотность дислокации определяем под микроскопом при увеличении в 150 раз, после чего на дислокационные ямки устанавливают вольфрамовой зонд с диаметром 14 мкм, а в качестве омического контакта использовали сплав индий-галлий.
Дислокации могут проходить сквозь кристаллы или заканчиваться на некотором расстоянии от поверхности. Диоды с S-образной вольтамперной характеристикой получается именно на несквозных дислокациях. Дислокации сами дает глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника.
Таким образом, диоды с S-образной вольтамперной характеристикой получаются только в том случае, когда дислокации являются несквозными.
Способ осуществляют следующим образом.
Пластинки кремния разрезаются на кристаллики (5х5х1 мм3) помещают в кварцевой трубке (рабочий объем), затем откачивают до вакуума 10-4 Торр, производят термоотжиг в трех этапах (800, 1200, 800оС) по 2 ч на каждом этапе, затем выявляют дислокации этих образцов (сперва травление в плавково-азотной кислоте 1НF + 3НNO3 в течение 2 мин, затем травление в селективном травителе 1НF + 3HNO3 + 6СН3СООН в течение 3 ч). Для проверки вида ВАХ определяют плотность дислокации при помощи микроскопа МИН-9 с увеличением в 150 раз, после чего на дислокационные ямки устанавливают вольфрамовый зонд с диаметром 1-4 мкм, на противоположной стороне кристаллов в качестве омического контакта используют сплав индий-галлий.
Таким образом, в данном способе технологический режим изготовления S-ВАХ диодов обладает принципиальными отличиями режима технологической операции процесса изготовления.
Claims (1)
- СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ С S-ОБРАЗНОЙ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ, включающий резку кремниевой пластины на кристаллы, химическую полировку кристаллов и нанесение на кристаллы выпрямляющего и омического контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления диодов, после резки проводят отжиг кристаллов в вакууме не ниже 10- 4 Торр в три этапа по два часа каждый, причем на первом этапе кристаллы отжигают при 800oС, на втором при 1200oС, а на третьем также при 800oС.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4872246 RU2054209C1 (ru) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | Способ изготовления диодов с s-образной вольтамперной характеристикой |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4872246 RU2054209C1 (ru) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | Способ изготовления диодов с s-образной вольтамперной характеристикой |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2054209C1 true RU2054209C1 (ru) | 1996-02-10 |
Family
ID=21539427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4872246 RU2054209C1 (ru) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | Способ изготовления диодов с s-образной вольтамперной характеристикой |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2054209C1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2445724C1 (ru) * | 2010-12-07 | 2012-03-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет (ТГУ) | Импульсный лавинный s-диод |
RU2609916C1 (ru) * | 2015-10-20 | 2017-02-07 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) | Импульсный лавинный S-диод |
RU175209U1 (ru) * | 2017-05-31 | 2017-11-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) | Устройство для фотоэлектрического переключения лавинного импульсного s-диода |
-
1990
- 1990-10-11 RU SU4872246 patent/RU2054209C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Викулин И.М. и др. Физика полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1980, с.296. 2. Викулин И.М. и др. "Электронная техника", серия 2, "Полупроводниковые приборы", 1986, вып. 3 (182), с.44-48. 3. Богданов А.В. и др. "Электронная техника", серия 2, "Полупроводниковые приборы", 1986, вып. 6 (185), с.3-5. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2445724C1 (ru) * | 2010-12-07 | 2012-03-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет (ТГУ) | Импульсный лавинный s-диод |
RU2609916C1 (ru) * | 2015-10-20 | 2017-02-07 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) | Импульсный лавинный S-диод |
RU175209U1 (ru) * | 2017-05-31 | 2017-11-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) | Устройство для фотоэлектрического переключения лавинного импульсного s-диода |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2619414A (en) | Surface treatment of germanium circuit elements | |
KR100475040B1 (ko) | 실리콘카바이드상의산화막결함저감방법 | |
US5834322A (en) | Heat treatment of Si single crystal | |
US4033788A (en) | Ion implanted gallium arsenide semiconductor devices fabricated in semi-insulating gallium arsenide substrates | |
US20110006310A1 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
US4247859A (en) | Epitaxially grown silicon layers with relatively long minority carrier lifetimes | |
DE19520782A1 (de) | Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben | |
US3982269A (en) | Semiconductor devices and method, including TGZM, of making same | |
JPS62500414A (ja) | 3−v及び2−6族化合物半導体の被覆 | |
US3988762A (en) | Minority carrier isolation barriers for semiconductor devices | |
US3914784A (en) | Ion Implanted gallium arsenide semiconductor devices fabricated in semi-insulating gallium arsenide substrates | |
US4032955A (en) | Deep diode transistor | |
RU2054209C1 (ru) | Способ изготовления диодов с s-образной вольтамперной характеристикой | |
Meek et al. | Silicon surface contamination: polishing and cleaning | |
Ginley | Modification of grain boundaries in polycrystalline silicon with fluorine and oxygen | |
JPH0521448A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US4031607A (en) | Minority carrier isolation barriers for semiconductor devices | |
JP3313344B2 (ja) | SiC/Siヘテロ構造半導体スイッチ及びその製造方法 | |
JPH02253622A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
US3771028A (en) | High gain, low saturation transistor | |
US3988757A (en) | Deep diode zeners | |
US5262338A (en) | Method for fabrication of semiconductor device | |
US4266990A (en) | Process for diffusion of aluminum into a semiconductor | |
US3986904A (en) | Process for fabricating planar scr structure | |
US3988769A (en) | High voltage diodes |