RU2548609C1 - СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ pin-ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМ КОЛЬЦОМ НА ВЫСОКООМНОМ р-КРЕМНИИ - Google Patents
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ pin-ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМ КОЛЬЦОМ НА ВЫСОКООМНОМ р-КРЕМНИИ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2548609C1 RU2548609C1 RU2013154063/28A RU2013154063A RU2548609C1 RU 2548609 C1 RU2548609 C1 RU 2548609C1 RU 2013154063/28 A RU2013154063/28 A RU 2013154063/28A RU 2013154063 A RU2013154063 A RU 2013154063A RU 2548609 C1 RU2548609 C1 RU 2548609C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- layer
- windows
- guard ring
- contact
- Prior art date
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Способ изготовления pin-фотодиодов с охранным кольцом (ОК) на высокоомном р-кремнии включает термическое окисление исходной пластины р-кремния или эпитаксиальной структуры, содержащей слой высокоомного р-кремния, вскрытие «окон» в термическом окисном слое, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окислением, для формирования планарных n+-р переходов рабочей области и области ОК, создание на обратной стороне пластины геттерирующего слоя и проведение геттерирования, стравливание геттерирующего слоя и подлегирование подконтактной области базы атомами бора для создания омического контакта р+-р типа, вскрытие в окисном слое контактных «окон» к рабочей области и охранному кольцу и зондовый контроль их темновых токов, отбор пластин, не соответствующих заданным значениям темнового тока, стравливание с них термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С, вскрытие контактных «окон» в нанесенном слое и повторный зондовый контроль темновых токов и при соответствии темнового тока заданным значениям - нанесение металлизации, формирование контактного рисунка и вжигание металла, а при несоответствии заданным значениям темнового тока - повторение операций до получения заданных значений темнового тока. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных фотодиодов за счет снижения уровня темнового тока рабочей области и области ОК до заданных значений. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам создания планарных диффузионных pin-фотодиодов с охранным кольцом (ОК) на основе высокоомного (удельное сопротивление более 1 кОм·см) р-кремния с низким уровнем темновых токов.
Известен способ изготовления планарных диффузионных pin-фотодиодов с ОК на высокооомном р-кремнии, в котором для минимизации темновых токов рабочей области и ОК сначала формируют габариты кристаллов отдельных pin-фотодиодов, затем на кристаллах термическим окислением выращивают слой окиси кремния, стравливают этот слой с обратной и торцевой сторон кристалла и проводят в них диффузию бора, затем исходный окисел и образовавшееся стекло стравливают и проводят второе термическое окисление для формирования на рабочей стороне нового слоя окиси кремния, после этого с применением метода обратной фотолитографии вскрывают «окна» в новом слое для создания n+-р переходов рабочей области и ОК и проводят в них диффузию фосфора, затем повторно снимают окись кремния с обратной и торцевых сторон кристалла и в них проводят диффузию бора (см. Ащеулов А.А., Годованюк В.Н., Добровольский Ю.Г., Рюхтин В.В., Романюк И.С. «Оптимизация надежности кремниевых pin-фотодиодов по темновом току», Технология и конструирование в электронной аппаратуре, №1, 1999 г., с.35-38).
Такой способ позволяет получать удельные значения темнового тока при напряжении 20 В в пределах
при выходе годных кристаллов до 50%. Однако э тот способ является сложным, малопроизводительным и обладает высокой трудоемкостью и энергоемкостью из-за необходимости работать с отдельными кристаллами, а не с пластинами, содержащими от 5 до 15 шт. таких кристаллов, повторения энергоемких операций термического окисления и диффузии бора вместе с повторными операциями фотолитографии, применения нетрадиционной для технологии таких приборов обратной фотолитографии.
Более простым, менее трудоемким и энергоемким является наиболее близкий к предлагаемому способ изготовления планарных диффузионных pin-фотодиодов с ОК на высокоомном р-кремнии, включающий термическое окисление исходной кремниевой пластины для формирования слоя окиси кремния, обеспечивающего маскирование при диффузии и защиту поверхности планарных n+-р переходов рабочей области и ОК, вскрытие «окон» в термическом окисном слое на рабочей стороне пластины, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окислением, для формирования планарных n+-р переходов рабочей области и ОК, стравливание термического окисного слоя с обратной стороны пластины, загонку в нее атомов фосфора и их разгонку, совмещенную с окислением, для создания геттерирующего слоя и проведения геттерирования, стравливание геттерирующего слоя и подлегирование обратной стороны загонкой атомов бора для создания омического контакта p+-р типа к базе, вскрытие в окисном слое контактных «окон» к рабочей области и ОК и зондовый контроль их темновых токов для отбраковки пластин, нанесение металлизации, формирование контактного рисунка и вжигание металла (см. техническую документацию ОАО «МЗ «САПФИР» ЖИАЮ. 432235.012, ЖИАЮ. 432235.037, 2009 г.).
Однако такой способ не обеспечивает стабильный и высокий уровень годных кристаллов по темновому току из-за поверхностных утечек.
Задачей, решаемой предлагаемым способом, и техническим результатом при его использовании является повышение выхода годных фотодиодов за счет снижения уровня темнового тока рабочей области и ОК до заданных значений.
Указанный технический результат достигается тем, что способ изготовления pin-фотодиодов с ОК на высокоомном р-кремнии включает термическое окисление исходной пластины р-кремния или эпитаксиальной структуры, содержащей слой высокоомного р-кремния, вскрытие «окон» в термическом окисном слое, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окислением, для формирования планарных n+-р переходов рабочей области и ОК, создание на обратной стороне пластины геттерирующего слоя и проведение геттерирования, стравливание геттерирующего слоя и подлегирование подконтактной области базы атомами бора для создания омического контакта р+-р типа, вскрытие в окисном слое контактных «окон» к рабочей области и ОК и зондовый контроль их темновых токов, отбор пластин, не соответствующих заданным значениям темнового тока, стравливание с них термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°C, вскрытие контактных «окон» в нанесенном слое и повторный зондовый контроль темновых токов и при соответствии темнового тока заданным значениям - нанесение металлизации, формирование контактного рисунка и вжигание металла, а при несоответствии заданным значениям темнового тока - повторное стравливание термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С с последующим вскрытием «окон» и измерением темновых токов до получения их заданных значений. В частном случае выполнения нанесение нового защитного слоя окиси кремния после стравливания термического окисного слоя проводят методом низкотемпературного разложения молекул металлоорганических соединений, например гексаметилдисилаксана или тетраэтоксисилана, в плазме аргона.
Новым в предложенном способе является то, что после измерения темновых токов, с превышающими их допустимые значения фотодиодами проводят операции стравливания термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°C. При этом происходит удаление встроенного заряда, в результате чего исчезают или ослабляются поверхностные каналы утечки. При нанесении нового защитного слоя окиси кремния при температурах не выше 300°C величина встроенного заряда оказывается недостаточной для образования каналов, что обеспечивает резкое уменьшение темновых токов и увеличение выхода годных приборов. Это объясняется следующим образом.
При создании планарных pin-фотодиодов с ОК на высокоомном р-кремнии необходимо обеспечение низкого уровня темновых токов рабочей области и ОК, которые обусловлены генерацией носителей заряда дефектными центрами в области пространственного заряда (ОПЗ) планарных n+-p переходов и утечками по инверсным каналам на поверхности р-базы за пределами планарных границ n+-области. Дефектные центры в ОПЗ в той или иной мере могут быть удалены в результате создания геттерирующего слоя и проведения процесса геттерирования. При успешном геттерировании темновой ток, обусловленный генерацией в ОПЗ, становится существенно меньше тока утечек по поверхностным инверсным каналам. Последние наводятся положительным эффективным поверхностным зарядом, который складывается из зарядов, локализованных непосредственно на поверхностных центрах, и зарядов, встроенных в поверхностный защитный диэлектрический слой на расстоянии до 100 Å от границы кремний-диэлектрик. При достаточно высоком качестве обработки поверхности кристалла в случае применения для защиты поверхности слоя окиси кремния, полученного термическим окислением, положительный эффективный поверхностный заряд является, в основном, встроенным, и его величина определяется условиями роста окисного слоя и охлаждения после проведения этого процесса. При упущениях в контроле условий проведения процесса окисления и охлаждения после процесса, например в случае попадания воздуха в реактор печи с контролируемой атмосферой азота, осушенного и очищенного от кислорода, при охлаждении может происходить значительное увеличение встроенного заряда. Аналогичный эффект возможен при охлаждении после других термических процессов (загонка-разгонка фосфора, загонка бора).
Поскольку обсуждаемый заряд встроен в защитный слой окисла, то он исчезает при стравливании этого слоя, уменьшая токи поверхностных утечек, однако для сохранения такого состояния требуется нанести новый защитный слой с минимальным встроенным зарядом.
Наиболее пригодными для защиты поверхности планарных кремниевых приборов являются слои именно окиси кремния, в которых встроенный заряд определяется вакансиями кислорода. Последние активно формируются в растущем и готовом окисном слое при температурах 400-700°С при наличии даже «следов» кислорода в атмосфере, контактирующей с образцами. По этой причине безопасными для приборных структур на высокоомном кремнии являются температуры не выше 300°C. Поэтому для нанесения нового защитного слоя окиси кремния наиболее пригодны низкотемпературные (при температурах не выше 300°C) методы, из которых в наибольшей мере безопасным для поверхности и отработанным является метод разложения молекул металлоорганических соединений, например гексаметилдисилаксана или тетраэтоксисилана, в плазме аргона.
Таким образом, технический результат достигается за счет того, что защитный слой термической окиси кремния с повышенным встроенным зарядом удаляют вместе с этим зарядом, в результате чего исчезают или ослабляются поверхностные каналы, и на место удаленного слоя наносят новый защитный слой окиси кремния в условиях, когда величина встроенного заряда оказывается недостаточной для образования каналов, что имеет место при температурах нанесения не выше 300°C. При этом темновой ток резко уменьшается.
Согласно предложению была изготовлена партия №1 кристаллов pin-фотодиодов на пластинах р-кремния ⌀60 мм с удельным сопротивлением (10÷15) кОм·см. На аналогичном материале изготовлены также партия №2 с отступлением от предложения и партия №3 - по прототипу. Каждая партия состояла из 10 шт. пластин, на каждой из которых размещалось до 5 шт. кристаллов размером 22×22 мм с планарными n+-р переходами рабочей центральной области ⌀14 мм и окружающего ее на расстоянии 0,2 мм ОК с внешним ⌀15,6 мм, защитным слоем окиси кремня на рабочей стороне пластины, омическим контактом p+-p типа на обратной стороне пластины и контактами из системы Cr+Au ко всем областям кристалла. Для всех партий температура окисления составляла 1150°C (режим: сухой-влажный-сухой кислород), температуры загонки и разгонки фосфора при формировании рабочей области, ОК и геттерирующего слоя составляли соответственно 950°C и 1130°С, источник при загонке - POCl3; температура загонки бора - 980°C, источник - пластины нитрида бора.
В партии №1 после стравливания термического окисного слоя наносился слой окиси кремния разложением паров гексаметилдисилаксана в плазме аргона при температуре 200°C, в партии №2 - при 350°C (отступление от предложения). При этом в обеих партиях слой термического окисла стравливали в буферном травителе (HF:H2O=1:10). После формирования контактной системы пластины разрезали на кристаллы, на которых с помощью прижимных зондов при температуре (22±2)°C и обратных напряжениях 20 В и 150 В измеряли темновые токи OK (
и
) и рабочей области при параллельном подключении ОК (I20 и I150). По результатам измерений на годных кристаллах определяли средние значения всех указанных параметров (
,
,
и
) и выход годных для обоих напряжений (η20 и η150), считая, что допустимыми значениями являются
и
В таблице представлены полученные результаты, из которых следует, что за счет применения предложения выход годных pin-фотодиодов по темновому току при рабочем напряжении 20 В возрос в ~2 раза, а при 150 В - в ~6 раз. При этом средний уровень темновых токов рабочей области и ОК годных фотодиодов практически не изменился.
Таблица | ||||||
№ партии | Выход годных, η20, % | Средний темновой ток ОК, |
Средний темновой ток рабочей области, |
Выход годных, η150, % | Средний темновой ток ОК, |
Средний темновой ток рабочей области, |
1 | 48 | 9,3 | 0,92 | 41 | 110 | 7,7 |
2 | 20 | 8,8 | 0,98 | 9 | 106 | 8,3 |
3 | 22 | 9,5 | 0,89 | 7 | 120 | 2,8 |
Поскольку возникновение повышенных токов утечки при изготовлении фотодиодов во многом обусловлено возможной нестабильностью условий проведения технологических операций, с образцами, не ставшими годными по темновому току, были проведены повторные операции стравливания термического окисного слоя и нанесения на свободную поверхность слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С, с последующим вскрытием «окон» и измерением темновых токов, получение значения которых показали, что выход годных фотодиодов увеличился еще на ~20%. При этом для оставшихся негодных фотодиодов сохраняется возможность проведения операций повторного стравливания и нанесения слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С с последующим контролем темновых токов, что позволяет дополнительно увеличить выход годных фотодиодов и является экономически целесообразным, поскольку стоимость операций стравливания и нанесения окиси кремния значительно ниже стоимости исходного материала - пластин р-кремния или эпитаксиальных структур.
Claims (2)
1. Способ изготовления pin-фотодиодов с охранным кольцом на высокоомном р-кремнии, включающий термическое окисление исходной пластины р-кремния или эпитаксиальной структуры, содержащей слой высокоомного р-кремния, вскрытие «окон» в термическом окисном слое, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окислением, для формирования планарных n+-р переходов рабочей области и охранного кольца, создание на обратной стороне пластины геттерирующего слоя и проведение геттерирования, стравливание геттерирующего слоя и подлегирование подконтактной области базы атомами бора для создания омического контакта р+-р типа, вскрытие в окисном слое контактных «окон» к рабочей области и охранному кольцу и зондовый контроль их темновых токов, отбор пластин, не соответствующих заданным значениям темнового тока, стравливание с них термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С, вскрытие контактных «окон» в нанесенном слое и повторный зондовый контроль темновых токов и при соответствии темновых токов заданным значениям - нанесение металлизации, формирование контактного рисунка и вжигание металла, а при несоответствии заданным значениям темнового тока - повторное стравливание термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°C с последующим вскрытием «окон» и измерением темновых токов до получения их заданных значений.
2. Способ изготовления планарных диффузионных pin-фотодиодов с охранным кольцом на высокоомном р-кремнии по п.1, отличающийся тем, что нанесение нового защитного слоя окиси кремния после стравливания термического окисного слоя проводят методом низкотемпературного разложения молекул металлоорганических соединений, например гексаметилдисилаксана или тетраэтоксисилана, в плазме аргона.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013154063/28A RU2548609C1 (ru) | 2013-12-06 | 2013-12-06 | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ pin-ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМ КОЛЬЦОМ НА ВЫСОКООМНОМ р-КРЕМНИИ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013154063/28A RU2548609C1 (ru) | 2013-12-06 | 2013-12-06 | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ pin-ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМ КОЛЬЦОМ НА ВЫСОКООМНОМ р-КРЕМНИИ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2548609C1 true RU2548609C1 (ru) | 2015-04-20 |
Family
ID=53289411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013154063/28A RU2548609C1 (ru) | 2013-12-06 | 2013-12-06 | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ pin-ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМ КОЛЬЦОМ НА ВЫСОКООМНОМ р-КРЕМНИИ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2548609C1 (ru) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU178061U1 (ru) * | 2017-08-01 | 2018-03-21 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Кремниевый pin-фотодиод с повышенным уровнем чувствительности к длине волны 1,06 мкм |
RU181785U1 (ru) * | 2018-02-19 | 2018-07-26 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Многоплощадочный кремниевый pin-фотодиод |
RU184980U1 (ru) * | 2018-08-29 | 2018-11-15 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Кремниевый p-i-n-фоточувствительный элемент с повышенным уровнем чувствительности к длине волны 1,06 мкм |
RU188680U1 (ru) * | 2019-02-25 | 2019-04-22 | Акционерное общество "Московский завод "САПФИР" | Планарный одно- или многоплощадочный фотодиод из антимонида индия |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5410175A (en) * | 1989-08-31 | 1995-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Monolithic IC having pin photodiode and an electrically active element accommodated on the same semi-conductor substrate |
US6303967B1 (en) * | 1998-02-05 | 2001-10-16 | Integration Associates, Inc. | Process for producing an isolated planar high speed pin photodiode |
US6458619B1 (en) * | 1998-02-05 | 2002-10-01 | Integration Associates, Inc. | Process for producing an isolated planar high speed pin photodiode with improved capacitance |
RU56069U1 (ru) * | 2005-11-21 | 2006-08-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" (ФГУП "НПО "ОРИОН") | Кремниевый pin-фотодиод большой площади |
RU82381U1 (ru) * | 2009-02-11 | 2009-04-20 | Открытое акционерное общество "Московский завод "САПФИР" | КРЕМНИЕВЫЙ pin-ФОТОДИОД |
US8298854B2 (en) * | 2007-07-09 | 2012-10-30 | Texas Instruments Incorporated | Method of manufacturing PIN photodiode |
RU126195U1 (ru) * | 2012-10-02 | 2013-03-20 | Открытое акционерное общество "Московский завод "САПФИР" | Многоплощадочный планарный кремниевый pin-фотодиод |
-
2013
- 2013-12-06 RU RU2013154063/28A patent/RU2548609C1/ru active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5410175A (en) * | 1989-08-31 | 1995-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Monolithic IC having pin photodiode and an electrically active element accommodated on the same semi-conductor substrate |
US6303967B1 (en) * | 1998-02-05 | 2001-10-16 | Integration Associates, Inc. | Process for producing an isolated planar high speed pin photodiode |
US6458619B1 (en) * | 1998-02-05 | 2002-10-01 | Integration Associates, Inc. | Process for producing an isolated planar high speed pin photodiode with improved capacitance |
RU56069U1 (ru) * | 2005-11-21 | 2006-08-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" (ФГУП "НПО "ОРИОН") | Кремниевый pin-фотодиод большой площади |
US8298854B2 (en) * | 2007-07-09 | 2012-10-30 | Texas Instruments Incorporated | Method of manufacturing PIN photodiode |
RU82381U1 (ru) * | 2009-02-11 | 2009-04-20 | Открытое акционерное общество "Московский завод "САПФИР" | КРЕМНИЕВЫЙ pin-ФОТОДИОД |
RU126195U1 (ru) * | 2012-10-02 | 2013-03-20 | Открытое акционерное общество "Московский завод "САПФИР" | Многоплощадочный планарный кремниевый pin-фотодиод |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU178061U1 (ru) * | 2017-08-01 | 2018-03-21 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Кремниевый pin-фотодиод с повышенным уровнем чувствительности к длине волны 1,06 мкм |
RU181785U1 (ru) * | 2018-02-19 | 2018-07-26 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Многоплощадочный кремниевый pin-фотодиод |
RU184980U1 (ru) * | 2018-08-29 | 2018-11-15 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Кремниевый p-i-n-фоточувствительный элемент с повышенным уровнем чувствительности к длине волны 1,06 мкм |
RU188680U1 (ru) * | 2019-02-25 | 2019-04-22 | Акционерное общество "Московский завод "САПФИР" | Планарный одно- или многоплощадочный фотодиод из антимонида индия |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2548609C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ pin-ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМ КОЛЬЦОМ НА ВЫСОКООМНОМ р-КРЕМНИИ | |
JP6006796B2 (ja) | 異なってドープされた領域のパターンの形成方法 | |
US8841170B2 (en) | Methods for scribing of semiconductor devices with improved sidewall passivation | |
Mandelkorn et al. | Fabrication and Characteristics of Phosphorous‐Diffused Silicon Solar Cells | |
CN105118807B (zh) | 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 | |
US20080277768A1 (en) | Silicon member and method of manufacturing the same | |
CN114525489A (zh) | 一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法 | |
JP5434491B2 (ja) | 半導体基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
CN104637811B (zh) | 晶体管制造方法和晶体管 | |
JP2013118213A (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
CN105448673A (zh) | 一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法 | |
JP5436299B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR101765412B1 (ko) | 수소 센서 및 이의 제조방법 | |
RU2546856C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых свч приборов | |
RU2544869C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ pin-ФОТОДИОДОВ БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ НА ВЫСОКООМНОМ p-КРЕМНИИ | |
CN109473369B (zh) | 一种监控高温炉管内掺杂浓度的方法 | |
RU2654961C1 (ru) | Способ изготовления многоплощадочного быстродействующего кремниевого pin-фоточувствительного элемента | |
RU2054209C1 (ru) | Способ изготовления диодов с s-образной вольтамперной характеристикой | |
RU2575939C1 (ru) | Способ изготовления сенсора ионизирующего излучения | |
RU2716036C1 (ru) | Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента с низким уровнем темновых токов | |
JP2014063785A (ja) | 半導体基板の金属汚染評価方法および半導体基板の製造方法 | |
JP7501392B2 (ja) | シリコン単結晶のdlts評価方法 | |
Tuovinen | Processing of radiation hard particle detectors on Czochralski silicon | |
KR20070065730A (ko) | 에피택셜 웨이퍼 및 그 금속오염 검출방법 | |
JP2018082053A (ja) | 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD4A | Correction of name of patent owner |