RU2211812C2 - Оптическое волокно для оптического усилителя - Google Patents
Оптическое волокно для оптического усилителя Download PDFInfo
- Publication number
- RU2211812C2 RU2211812C2 RU2001110076/03A RU2001110076A RU2211812C2 RU 2211812 C2 RU2211812 C2 RU 2211812C2 RU 2001110076/03 A RU2001110076/03 A RU 2001110076/03A RU 2001110076 A RU2001110076 A RU 2001110076A RU 2211812 C2 RU2211812 C2 RU 2211812C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- level
- wavelength
- fluorescence
- optical fiber
- glass
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
- H01S3/06716—Fibre compositions or doping with active elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/041—Non-oxide glass compositions
- C03C13/042—Fluoride glass compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/041—Non-oxide glass compositions
- C03C13/043—Chalcogenide glass compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1608—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth erbium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1613—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth praseodymium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/17—Solid materials amorphous, e.g. glass
- H01S3/173—Solid materials amorphous, e.g. glass fluoride glass, e.g. fluorozirconate or ZBLAN [ ZrF4-BaF2-LaF3-AlF3-NaF]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
Оптическое волокно, используемое для оптического усилителя, которое формируется посредством легирования стекла ионами редкоземельных металлов. Ионы празеодимия (Pr+3) и ионы эрбия (Er+3) используются в качестве ионов редкоземельных металлов, и стекло является сульфидным стеклом системы Ge-As-Ga-S, Ge-Ga-S, Ge-As-S. Техническая задача изобретения - обеспечение возможности использования волокна на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм. Эффективность усиления света оптического усилителя, изготовленного из оптического волокна, можно увеличить по сравнению с оптическим усилителем, сформированным только из Pr+3 или только из Er+3. 3 з.п.ф-лы, 6 ил.
Description
Изобретение относится к оптическим волокнам для использования в оптическом усилителе, а более конкретно к оптическому волокну для использования в оптическом усилителе, который можно применять на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм.
Длина волны света, которая используется в оптической связи, имеет сдвиг относительно длины волны 1,3 мкм в сторону длины волны 1,55 мкм. Обычно ионы празеодимия (Pr+3), которые используются для легирования оптического волокна, применяются для усиления оптического сигнала, имеющего длину волны 1,3 мкм, тогда как ионы эрбия (Еr+3), которые используются для легирования оптического волокна, применяются для усиления оптического сигнала, имеющего длину волны 1,55 мкм.
В патенте США 5486947 раскрыто оптическое волокно для использования в оптическом усилителе, который может работать с достаточным оптическим коэффициентом усиления на длине волны 1,3 мкм. Оптическое волокно представляет собой оптическое волокно из фторидного стекла, в стеклянной сердцевине которого содержатся ионы редкоземельных металлов и в котором разность показателей преломления между сердцевиной и слоем оболочки превышает 1,4%, и стекло содержит дифторид свинца (PbF2) в пропорции 25 мол.% или менее, основанной на общем составе для формирования стекла.
В настоящее время излучение с длинами волн 1,3 мкм и 1,55 мкм используется во многих областях, связанных с оптической связью. Таким образом, различные части, которые подходят для каждой длины волны, требуются для построения оптической схемы, при этом дополнительно увеличивается стоимость разработки с учетом стоимости коммутационных блоков для коммутации длин волн.
Задача настоящего изобретения заключается в том, чтобы обеспечить оптическое волокно для использования в оптическом усилителе, которое можно применять в диапазонах 1,3 мкм и 1,55 мкм.
Согласно аспекту настоящего изобретения обеспечивается оптическое волокно для оптического усилителя, полученное из стекла, легированного ионами редкоземельных металлов Рr+3 и Еr+3, и стекло является германий-арсенид-галий-сульфидным (Ge- As-Ga-S), германий-галий-сульфидным (Ge-Ga-S) или германий- арсенид-сульфидным (Ge-As-S) стеклом.
При этом весовое отношение смешивания Рr+3 с Еr+3 составляет в пределах 1:1 и 1:3.
Кроме того, лазер, имеющий длину волны с возможностью поглощения Еr+3, используется в качестве источника света для возбуждения оптического волокна.
При этом в указанном волокне содержание Рr+3 составляет 100~1000 частей на миллион и содержание Рr+3 составляет 100~5000 частей на миллион.
Содержание Pr+3 предпочтительно составляет 100-1000 частей на миллион (ррm), и содержание Еr+3 - 100~5000 частей на миллион. Если содержание Pr+3 и Еr+3 превышает границы указанного диапазона, эффективность усиления света уменьшается незначительно. Кроме того, отношение смешивания Рr+3 к Еr+3 по весу может находиться в пределах 1:1 и 1:3. Если отношение Рr+3 к Еr+3 превышает вышеуказанное отношение, количество флуоресцентного излучения на длине волны 1,55 мкм уменьшается. И наоборот, если отношение Рr+3 к Еr+3 меньше вышеуказанного отношения, усиление на длине волны 1,3 мкм неблагоприятным образом уменьшается.
Сущность изобретения иллюстрируется ссылкой на сопроводительные чертежи, на которых:
фиг.1 изображает спектр флуоресцентного излучения на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм, соответствующий количеству Еr+3 в оптических волокнах, в случае, когда лазерный луч с длиной волны 980 нм облучает оптическое волокно, которое сформировано путем легирования стекла на основе Ge29As8Ga1S62 с примесями Рr+3 и Er+3, в котором флуоресцентное излучение на длине волны 1,3 мкм вызвано электронным переходом Рr+3 с уровня 1G4 на уровень 3Н5, в волокнах с примесями Pr+3, и флуоресцентное излучение на длине волны 1,55 мкм вызвано переходом 4I13/2-->4I15/2 в волокнах с примесями Еr+3;
фиг. 2 изображает график, показывающий время жизни флуоресценции Рr+3 на уровне 1G4 и Еr+3 на уровне 4I13/2 и уровне 4I11/2 в зависимости от количества Еr+3 в оптических волокнах в случае, когда лазерный луч, имеющий длину волны 980 нм, облучает оптическое волокно, сформированное путем легирования стекла на основе Ge29As8Ga1S62 с примесями Рr+3 и Еr+3;
фиг. 3 изображает схему, иллюстрирующую передачу энергии между ионами Pr+3 и Еr+3;
фиг.4 показывает спектр флуоресцентного излучения на длине волны 1,3 мкм при электронном переходе Рr+3 с уровня 1G4 на уровень 3H5, когда лазерный луч, имеющий длину волны 1020 нм, облучает оптическое волокно, сформированное путем легирования стекла на основе Ge29As8Ga1S62 с примесями Рr+3;
фиг. 5 изображает спектр флуоресцентного излучения на длине волны 1,55 мкм при электронном переходе Еr+3 с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2 в случае, когда лазерный луч, имеющий длину волны 980 нм, облучает оптическое волокно, сформированное путем легирования стекла Ge29As8Ga1S62 с примесями Er+3; и
фиг.6 изображает спектр флуоресцентного излучения на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм в соответствии с величиной Рr+3 в оптических волокнах, когда лазерный луч, имеющий длину волны 980 нм, попадает в оптическое волокно, которое сформировано путем легирования стекла Ge29As8Ga1S62 с примесями Рr+3 и Еr+3, в котором флуоресцентное излучение на длине волны 1,3 мкм происходит благодаря электронному переходу Рr+3 с уровня 1G4 на уровень 3Н5, и флуоресцентное излучение на длине волны 1,55 мкм происходит благодаря электронному переходу Er+3 с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2.
фиг.1 изображает спектр флуоресцентного излучения на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм, соответствующий количеству Еr+3 в оптических волокнах, в случае, когда лазерный луч с длиной волны 980 нм облучает оптическое волокно, которое сформировано путем легирования стекла на основе Ge29As8Ga1S62 с примесями Рr+3 и Er+3, в котором флуоресцентное излучение на длине волны 1,3 мкм вызвано электронным переходом Рr+3 с уровня 1G4 на уровень 3Н5, в волокнах с примесями Pr+3, и флуоресцентное излучение на длине волны 1,55 мкм вызвано переходом 4I13/2-->4I15/2 в волокнах с примесями Еr+3;
фиг. 2 изображает график, показывающий время жизни флуоресценции Рr+3 на уровне 1G4 и Еr+3 на уровне 4I13/2 и уровне 4I11/2 в зависимости от количества Еr+3 в оптических волокнах в случае, когда лазерный луч, имеющий длину волны 980 нм, облучает оптическое волокно, сформированное путем легирования стекла на основе Ge29As8Ga1S62 с примесями Рr+3 и Еr+3;
фиг. 3 изображает схему, иллюстрирующую передачу энергии между ионами Pr+3 и Еr+3;
фиг.4 показывает спектр флуоресцентного излучения на длине волны 1,3 мкм при электронном переходе Рr+3 с уровня 1G4 на уровень 3H5, когда лазерный луч, имеющий длину волны 1020 нм, облучает оптическое волокно, сформированное путем легирования стекла на основе Ge29As8Ga1S62 с примесями Рr+3;
фиг. 5 изображает спектр флуоресцентного излучения на длине волны 1,55 мкм при электронном переходе Еr+3 с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2 в случае, когда лазерный луч, имеющий длину волны 980 нм, облучает оптическое волокно, сформированное путем легирования стекла Ge29As8Ga1S62 с примесями Er+3; и
фиг.6 изображает спектр флуоресцентного излучения на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм в соответствии с величиной Рr+3 в оптических волокнах, когда лазерный луч, имеющий длину волны 980 нм, попадает в оптическое волокно, которое сформировано путем легирования стекла Ge29As8Ga1S62 с примесями Рr+3 и Еr+3, в котором флуоресцентное излучение на длине волны 1,3 мкм происходит благодаря электронному переходу Рr+3 с уровня 1G4 на уровень 3Н5, и флуоресцентное излучение на длине волны 1,55 мкм происходит благодаря электронному переходу Er+3 с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2.
Настоящее изобретение предусматривает оптическое волокно для использования в оптическом усилителе, который можно применять на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм, при использовании лазерного луча с длиной волны 980 нм в качестве источника света для возбуждения оптического волокна, сформированного на основе примесей Рr+3 и Еr+3. В настоящем изобретении термин "волокна" относится к формам волокон, имеющих широкий диапазон диаметров, а не только к тонким волокнам, например волокно может иметь диаметр 5-100 мм. В настоящем изобретении волокно содержит Pr+3 и Er+3, в котором максимальный пик поглощения Er+3 в лазерном луче с длиной волны 980 нм находится на уровне 4I11/2. В этом случае два иона возбуждаются одновременно, при этом Pr+3 излучает флуоресценцию на длине волны 1,3 мкм, и Er+3 излучает флуоресценцию на длине волны 1,55 мкм. В частности, как показано на фиг.3, время жизни флуоресценции Pr+3 на уровне 1G4 увеличивается благодаря переносу энергии от Er+3, при этом эффективность усиления света увеличивается по сравнению с известным оптическим волокном, который содержит только Pr+3.
В настоящем изобретении фторидное или сульфидное стекло предпочтительно используется для того, чтобы минимизировать релаксацию колебаний кристаллической решетки Pr+3 с уровня 1G4 на уровень 3F4. Фторидное стекло может быть стеклом ZBLAN, которое является фторидом, содержащим цирконий (Zr), барий (Ва), лантан (La), алюминий (Аl) и натрий (Na), и сульфидное стекло может быть стеклом на основе германий-арсенид-галий-серы (Ge-As-Ga-S) или Ge-As-S. В этом случае при использовании сульфидного стекла можно дополнительно минимизировать релаксацию колебаний решетки Pr+3 с уровня 1G4 на уровень 3F4 по сравнению со случаем использования фторидного стекла. Однако при использовании фторидного стекла, а не сульфидного стекла, обычно упрощается производство оптического волокна.
Для того чтобы максимизировать эффективность усиления света на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм, весовое отношение смешивания Рr+3 и Еr+3 регулируется в пределах 1:1 и 1:3.
Настоящее изобретение описывается с использованием следующих ниже примеров, однако эти примеры являются только иллюстративными и не ограничивают настоящее изобретение.
Сравнительный пример 1
Ge, As, Ga и S, имеющие чистоту 99,999% или более, были взвешены при атомном отношении 29:8:1:62 в защитной камере, где содержание группы гидроокиси (ОН) и кислорода поддерживалось на уровне 10 частей на миллион или менее, и порошок металла Рr добавляли в количестве 300 частей на миллион для того, чтобы добавить Pr+3.
Ge, As, Ga и S, имеющие чистоту 99,999% или более, были взвешены при атомном отношении 29:8:1:62 в защитной камере, где содержание группы гидроокиси (ОН) и кислорода поддерживалось на уровне 10 частей на миллион или менее, и порошок металла Рr добавляли в количестве 300 частей на миллион для того, чтобы добавить Pr+3.
После заполнения пробирки из SiO2 вышеупомянутым составом пробирка оставалась в условиях вакуума 0,1 мТорр в течение предварительно определенного периода времени. Затем пробирку делали воздухонепроницаемой путем запайки ее с помощью пропанокислородного пламени.
После этого пробирку вводили в качающуюся печь для окончательного перемешивания состава, который содержится в пробирке, и полученный в результате состав поддерживался при температуре 950oС в течение 12 часов. Затем пробирку закаляли на воздухе и нагревали в печи, в которой поддерживалась температура 400oС в течение 1 часа. После процесса нагревания пробирку медленно охлаждали до комнатной температуры и разламывали на куски, получая в результате оптическое волокно, сформированное из сульфидного стекла Ge29As8Ga1S62 с примесями Pr+3, в котором величина релаксации колебаний решетки была незначительной. Оптическое волокно вырезали в виде диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали.
Затем измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча, имеющего длину волны 1017 нм, в качестве источника возбуждения света. При этой длине волны Pr+3 на уровне 1G4 имел максимальное поглощение света.
В результате, флуоресцентное излучение наблюдалось на длине волны 1,3 мкм (фиг.4), что вызвано электронным переходом Рr+3 с уровня 1G4 на уровень 3H5, и время жизни флуоресценции составило 305 мкс (фиг.2).
Сравнительный пример 2
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что вместо Рr+3 использовался Er+3. В качестве источника Er+3 использовался Еr2S3. Затем оптическое волокно разрезали в форме диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. Затем измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча, имеющего длину волны 980 нм, в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Er+3 на уровне 4I11/2 имел максимальное поглощение света.
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что вместо Рr+3 использовался Er+3. В качестве источника Er+3 использовался Еr2S3. Затем оптическое волокно разрезали в форме диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. Затем измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча, имеющего длину волны 980 нм, в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Er+3 на уровне 4I11/2 имел максимальное поглощение света.
В результате наблюдалось (фиг.5) флуоресцентное излучение на длине волны 1,55 мкм, которое вызвано электронным переходом Еr+3 с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2, и время жизни флуоресценции на уровнях 4I11/2 и 4I13/2 составило соответственно 2100 мкс и 3400 мкс (фиг.2).
Пример 1
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что Er+3 был дополнительно добавлен в количестве 300 частей на миллион вместе с 300 частей на миллион Pr+3. Затем оптическое волокно разрезали в форме диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. После этого измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча, имеющего длину волны 980 нм, в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Еr+3 на уровне 4I11/2 показал максимальное поглощение света.
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что Er+3 был дополнительно добавлен в количестве 300 частей на миллион вместе с 300 частей на миллион Pr+3. Затем оптическое волокно разрезали в форме диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. После этого измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча, имеющего длину волны 980 нм, в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Еr+3 на уровне 4I11/2 показал максимальное поглощение света.
В результате, флуоресцентное излучение Рr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 1G4 на уровень 3H5, и флуоресцентное излучение Еr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2 наблюдалось одновременно на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм соответственно (фиг.1 - (а)). Интенсивность флуоресценции увеличивалась на каждой длине волны по сравнению со сравнительными примерами 1 и 2. Кроме того, время жизни флуоресценции Pr+3 на уровне 1G4 составило 605 мкс, и время жизни флуоресценции Еr+3 на уровнях 4I11/2 и 4I13/2 составило соответственно 824 мкс и 3120 мкс (фиг.2).
В соответствии с примером 1 (фиг.3) одновременное излучение флуоресценции на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм происходило благодаря эффективному переносу энергии, который показан "b". Таким образом, оптическое волокно, полученное в примере 1, можно использовать на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм.
Кроме того, время жизни флуоресценции Рr+3 на уровне 1G4 было значительно увеличено до 605 мкс по сравнению со сравнительным примером 1, и эффективность усиления света на длине волны 1,3 мкм была дополнительно увеличена путем добавления Рr+3 и Er+3. Однако время жизни флуоресценции Еr+3 на уровне 4I11/2 составило 3120 мкс, что меньше, чем в сравнительном примере 2, и, таким образом, ниже эффективность усиления света. Это происходит из-за переноса энергии, который показан "е".
Пример 2
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что 500 частей на миллион Еr+3 было дополнительно добавлено вместе с 300 частями на миллион Pr+3. Затем оптическое волокно разрезали на диски (имеющие диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. После этого измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча, имеющего длину волны 980 нм, в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Er+3 на уровне 4I11/2 показал максимальное поглощение света.
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что 500 частей на миллион Еr+3 было дополнительно добавлено вместе с 300 частями на миллион Pr+3. Затем оптическое волокно разрезали на диски (имеющие диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. После этого измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча, имеющего длину волны 980 нм, в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Er+3 на уровне 4I11/2 показал максимальное поглощение света.
В результате, флуоресцентное излучение Pr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 1G4 на уровень 3H5, и флуоресцентное излучение Er+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2, наблюдалось одновременно на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм соответственно (фиг.1 - (b)). Интенсивность флуоресценции была увеличена на каждой длине волны по сравнению со сравнительными примерами 1-2. Кроме того, время жизни флуоресценции Рr+3 на уровне 1G4 составило 760 мкс, и время жизни флуоресценции Еr+3 на уровнях 4I11/2 и 4I13/2 составило 1740 мкс и 2910 мкс соответственно (фиг.2).
Согласно примеру 2 (фиг. 3) одновременное флуоресцентное излучение на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм происходило благодаря эффективному переносу энергии, показанному с помощью "b". Кроме того, время жизни флуоресценции Рr+3 на уровне 1G4 было значительно увеличено до 760 мкс по сравнению со сравнительным примером 1 и примером 1, и время жизни флуоресценции Еr+3 на уровне 4I13/2 было уменьшено до 2910 мкс по сравнению со сравнительным примером 2 и примером 1.
Из приведенного выше результата можно увидеть, что перенос энергии, обозначенный с помощью "b" и "е", происходит более эффективно в том случае, когда содержание Еr+3 увеличивается. Однако время жизни флуоресценции Еr+3 на уровне 4I11/2 было увеличено до 1740 мкс по сравнению с примером 1. В результате, было сделано заключение, что так как Еr+3, который не участвует в переносе энергии, который показан с помощью "b", увеличивается, то степень переноса энергии в направлении, показанном с помощью "b", уменьшается.
Пример 3
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что 700 частей на миллион Еr+3 было дополнительно добавлено вместе с 300 частями на миллион Рr+3. Затем оптическое волокно вырезали в виде диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. После этого измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча, имеющего длину волны 980 нм, в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Еr+3 на уровне 4I11/2 показал максимальное поглощение света.
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что 700 частей на миллион Еr+3 было дополнительно добавлено вместе с 300 частями на миллион Рr+3. Затем оптическое волокно вырезали в виде диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. После этого измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча, имеющего длину волны 980 нм, в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Еr+3 на уровне 4I11/2 показал максимальное поглощение света.
В результате, флуоресцентное излучение Pr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 1G4 на уровень 3Н5, и флуоресцентное излучение Еr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2, наблюдалось одновременно на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм соответственно (фиг.1 - (с)). Интенсивность флуоресценции увеличивалась на каждой длине волны по сравнению с примерами 1-2. Кроме того, время жизни флуоресценции Pr+3 на уровне 1G4 составило 769 мкс, и время жизни флуоресценции Еr+3 на уровнях 4I11/2 и 4I13/2 составило 1760 мкс и 2920 мкс соответственно (фиг.2).
В соответствии с примером 3, так как содержание Еr+3 увеличилось, то время жизни флуоресценции Рr+3 на уровне 1G4 немного возросло. Это происходит из-за увеличения переноса энергии, которая обозначена как "b" (фиг.3). Однако Er+3 добавляли для увеличения времени жизни флуоресценции на уровнях 4I11/2 и 4I13/2, таким образом получая в результате небольшое увеличение времени жизни флуоресценции Pr+3 на уровне 1G4. То есть эффективность усиления света на длине волны 1,55 мкм имела тенденцию к увеличению при увеличении времени жизни флуоресценции Еr+3 на уровне 4I13/2.
Пример 4
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что 1000 частей на миллион Еr+3 было дополнительно добавлено вместе с 300 частями на миллион Pr+3. Затем оптическое волокно вырезали в виде диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. После этого измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча с длиной волны 980 нм в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Er+3 на уровне 4I11/2 показал максимальное поглощение света.
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что 1000 частей на миллион Еr+3 было дополнительно добавлено вместе с 300 частями на миллион Pr+3. Затем оптическое волокно вырезали в виде диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. После этого измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча с длиной волны 980 нм в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Er+3 на уровне 4I11/2 показал максимальное поглощение света.
В результате, флуоресцентное излучение Pr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 1G4 на уровень 3H5, и флуоресцентное излучение Еr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2, наблюдали одновременно на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм соответственно (фиг.1 - (d)). Интенсивность флуоресценции увеличилась на каждой длине волны по сравнению с примерами 1-3. Кроме того, время жизни флуоресценции Рr+3 на уровне 1G4 составило 881 мкс, и время жизни флуоресценции Er+3 на уровнях 4I11/2 и 4I13/2 составило соответственно 2030 мкс и 3340 мкс (фиг.2).
Согласно примеру 4 (фиг. 3) одновременное флуоресцентное излучение на длине волны 1,3 мкм с помощью Pr+3 на уровне 1G4 и на длине волны 1,55 мкм с помощью Er+3 на уровне 4I13/2 происходило благодаря эффективному переносу энергии, обозначенному как "b". Кроме того, время жизни флуоресценции Еr+3 на уровнях 4I11/2 и 4I13/2 показало максимальные уровни. Таким образом, можно увидеть, что соотношения смешивания Pr+3 и Еr+3 в этом варианте осуществления показывает максимальную эффективность усиления света на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм.
Пример 5
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что 1500 частей на миллион Еr+3 было дополнительно добавлено вместе с 300 частями на миллион Pr+3. Затем оптическое волокно вырезали в виде диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. После этого измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча с длиной волны 980 нм в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Еr+3 на уровне 4I11/2 проявлял максимальное поглощение света.
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в сравнительном примере 1, за исключением того, что 1500 частей на миллион Еr+3 было дополнительно добавлено вместе с 300 частями на миллион Pr+3. Затем оптическое волокно вырезали в виде диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. После этого измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча с длиной волны 980 нм в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Еr+3 на уровне 4I11/2 проявлял максимальное поглощение света.
В результате, флуоресцентное излучение Pr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 1G4 на уровень 3Н5, и флуоресцентное излучение Еr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2, наблюдалось одновременно на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм соответственно (фиг. 1 - (е)). Интенсивность флуоресценции была насыщенной, то есть на максимальном уровне при каждой длине волны. Кроме того, время жизни флуоресценции Рr+3 на уровне 1G4 составило 794 мкс, и время жизни флуоресценции Еr+3 на уровням 4I11/2 и 4I13/2 составило 1870 мкс и 3240 мкс соответственно (фиг.2).
В соответствии с примером 5 (фиг.3) одновременное флуоресцентное излучение на длине волны 1,3 мкм у Рr+3 на уровне 1G4 и на длине волны 1,55 мкм у Еr+3 на уровне 4I13/2 происходило благодаря эффективному переносу энергии, обозначенному как "b". Время жизни флуоресценции Еr+3 на уровнях 4I11/2 и 4I13/2 немного уменьшилось по сравнению с примером 4, так как передача энергии, показанная с помощью "b" и "е", была насыщенной.
Пример 6
Ge, Ga и S, имеющие чистоту 99,999% или более, были взвешены при атомном отношении 25:5:70 в защитной камере, где содержание гидроокиси группы (ОН) и кислорода поддерживалось на уровне 10 частей на миллион или менее, и было добавлено 300 частей на миллион Pr+3 и 300 частей на миллион Еr+3.
Ge, Ga и S, имеющие чистоту 99,999% или более, были взвешены при атомном отношении 25:5:70 в защитной камере, где содержание гидроокиси группы (ОН) и кислорода поддерживалось на уровне 10 частей на миллион или менее, и было добавлено 300 частей на миллион Pr+3 и 300 частей на миллион Еr+3.
После заполнения пробирки из SiO2 составом, пробирка находилась в условиях вакуума под давлением 0,1 мТорр в течение предварительно определенного периода времени. Затем пробирку герметизировали путем запайки ее при помощи пропанокислородного пламени.
После этого пробирку вводили в качающуюся печь для полного перемешивания состава, содержащегося в пробирке, и полученный в результате продукт поддерживался при температуре 950oС в течение 12 часов. Затем пробирку закаляли на воздухе и нагревали в печи, при температуре 260oС в течение 1 часа. После процесса нагревания пробирку медленно охлаждали до комнатной температуры и разламывали на куски, получая в результате оптическое волокно, сформированное из сульфидного стекла Ge25Ga5S70 с примесями Pr+3 и Er+3, в котором величина релаксации колебаний решетки была небольшой.
Оптическое волокно вырезали в виде диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. Затем измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча, имеющего длину волны 980 нм, в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Еr+3 на уровне 4I11/2 имел максимальное поглощение света.
В результате, флуоресцентное излучение Pr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 1G4 на уровень 3Н5, и флуоресцентное излучение Еr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2, наблюдали одновременно на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм соответственно (фиг.6 - (а)).
Из примера 6 видно, что стекло Ge-Ga-S с примесями Pr+3 и Еr+3 и стекло Ge-As-Ga-S с примесями Рr+3 и Еr+3 можно использовать в качестве материала оптического усилителя, который можно применять на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм.
Пример 7
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в примере 6, за исключением того, что количество Pr+3 было увеличено до 500 частей на миллион.
Оптическое волокно было изготовлено тем же самым способом, как и в примере 6, за исключением того, что количество Pr+3 было увеличено до 500 частей на миллион.
Затем оптическое волокно вырезали в виде диска (имеющего диаметр 10 мм и толщину 3 мм) и полировали. Затем измеряли полученный в результате спектр флуоресценции и время жизни флуоресценции с использованием лазерного луча, имеющего длину волны 980 нм, в качестве источника возбуждения света. На этой длине волны Еr+3 на уровне 4I11/2 имел максимальное поглощение света.
В результате, флуоресцентное излучение Pr+3, которое вызвано электронным переходом с уровня 1G4 на уровень 3H5, и флуоресцентное излучение Еr+3, которое было вызвано электронным переходом с уровня 4I13/2 на уровень 4I15/2, наблюдалось одновременно на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм соответственно (фиг. 6 - (b)). Кроме того, так как количество Pr+3 было увеличено, передача энергии в направлениях, показанных с помощью "b" и "е" (фиг. 3), увеличилась. В результате, интенсивность флуоресценции Pr+3 на уровне 1G4 увеличилась на длине волны 1, 3 мкм, тогда как интенсивность флуоресценции Еr+3 на уровне 4I13/2 уменьшилась на длине волны 1,55 мкм. Однако скорость, при которой интенсивность флуоресценции возрастает на длине волны 1,3 мкм, стала меньше, чем скорость, при которой интенсивность флуоресценции уменьшается на длине волны 1,55 мкм, и, таким образом, можно сделать вывод, что передача энергии, показанная с помощью "е", имеет большую скорость по сравнению со скоростью, показанной с помощью "b".
Суммируя результаты, ясно, что увеличение концентрации Рr+3 нежелательно.
Как описано выше, оптическое волокно, которое используется в оптическом усилителе согласно настоящему изобретению, можно применять на длинах волн 1,3 мкм и 1,55 мкм, увеличивая при этом эффективность усиления света по сравнению с известным волоконно-оптическим усилителем, содержащим только Pr+3.
Claims (4)
1. Оптическое волокно для оптического усилителя, полученное из стекла, легированного ионами редкоземельных металлов Рr+3 и Er+3, и стекло является германий-арсенид-галий-сульфидным (Ge-As-Ga-S), германий-галий-сульфидным (Ge- Ga -S) или германий-арсенид-сульфидным (Ge-As-S) стеклом.
2. Оптическое волокно по п. 1, отличающееся тем, что весовое отношение смешивания Рr+3 с Еr+3 составляет в пределах 1: 1 и 1: 3.
3. Оптическое волокно по п. 1, отличающееся тем, что лазер, имеющий длину волны с возможностью поглощения Еr+3, используется в качестве источника света для возбуждения оптического волокна.
4. Оптическое волокно по п. 1, отличающееся тем, что содержание Рr+3 составляет 100~ 1000 частей на миллион, и содержание Еr+3 составляет 100~ 5000 частей на миллион.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1998/42713 | 1998-10-13 | ||
KR1019980042713A KR100283954B1 (ko) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | 광증폭기용 광섬유 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2001110076A RU2001110076A (ru) | 2003-03-27 |
RU2211812C2 true RU2211812C2 (ru) | 2003-09-10 |
Family
ID=19553828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2001110076/03A RU2211812C2 (ru) | 1998-10-13 | 1999-10-11 | Оптическое волокно для оптического усилителя |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6347177B1 (ru) |
EP (1) | EP1129043B1 (ru) |
JP (1) | JP2002527332A (ru) |
KR (1) | KR100283954B1 (ru) |
CN (1) | CN1159244C (ru) |
AU (1) | AU747960B2 (ru) |
CA (1) | CA2346851C (ru) |
DE (1) | DE69919733T2 (ru) |
RU (1) | RU2211812C2 (ru) |
WO (1) | WO2000021898A1 (ru) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100383608B1 (ko) * | 2000-07-06 | 2003-05-16 | 삼성전자주식회사 | 알칼리 할로겐이 첨가된 광증폭기용 황화물 유리 및 그제조 방법 |
US6506289B2 (en) | 2000-08-07 | 2003-01-14 | Symmorphix, Inc. | Planar optical devices and methods for their manufacture |
US6654395B1 (en) * | 2000-09-05 | 2003-11-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | 589 nm laser |
US7200357B2 (en) * | 2000-10-20 | 2007-04-03 | Universal Electronics Inc. | Automotive storage and playback device and method for using the same |
US6533907B2 (en) | 2001-01-19 | 2003-03-18 | Symmorphix, Inc. | Method of producing amorphous silicon for hard mask and waveguide applications |
US7378356B2 (en) | 2002-03-16 | 2008-05-27 | Springworks, Llc | Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films |
US6884327B2 (en) | 2002-03-16 | 2005-04-26 | Tao Pan | Mode size converter for a planar waveguide |
US20070264564A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-11-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
US8535396B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-09-17 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
WO2004021532A1 (en) | 2002-08-27 | 2004-03-11 | Symmorphix, Inc. | Optically coupling into highly uniform waveguides |
US7959769B2 (en) | 2004-12-08 | 2011-06-14 | Infinite Power Solutions, Inc. | Deposition of LiCoO2 |
TWI331634B (en) | 2004-12-08 | 2010-10-11 | Infinite Power Solutions Inc | Deposition of licoo2 |
US20060212409A1 (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Ryan Steelberg | Method for placing advertisements in a broadcast system |
US7838133B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-11-23 | Springworks, Llc | Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications |
US8197781B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-06-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same |
KR20100102180A (ko) | 2007-12-21 | 2010-09-20 | 인피니트 파워 솔루션스, 인크. | 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법 |
KR101606183B1 (ko) | 2008-01-11 | 2016-03-25 | 사푸라스트 리써치 엘엘씨 | 박막 배터리 및 기타 소자를 위한 박막 캡슐화 |
EP2319101B1 (en) | 2008-08-11 | 2015-11-04 | Sapurast Research LLC | Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof |
KR101792287B1 (ko) | 2009-09-01 | 2017-10-31 | 사푸라스트 리써치 엘엘씨 | 집적된 박막 배터리를 갖는 인쇄 회로 보드 |
US20110300432A1 (en) | 2010-06-07 | 2011-12-08 | Snyder Shawn W | Rechargeable, High-Density Electrochemical Device |
JP5588534B1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-09-10 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 光ファイバ、及びこれを用いたレーザ発振器 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2675592B1 (fr) * | 1991-04-22 | 1993-07-16 | Alcatel Nv | Amplificateur optique dans le domaine spectral 1,26 a 1,34 mum. |
US5351335A (en) * | 1991-08-26 | 1994-09-27 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical fiber for optical amplifier |
JP3194213B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2001-07-30 | 日本電信電話株式会社 | 光増幅用ファイバの製造方法 |
US5629953A (en) * | 1995-05-05 | 1997-05-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Chalcogenide optical pumping system driven by broad absorption band |
US5847865A (en) * | 1997-02-18 | 1998-12-08 | Regents Of The University Of Minnesota | Waveguide optical amplifier |
US5973824A (en) * | 1997-08-29 | 1999-10-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Amplification by means of dysprosium doped low phonon energy glass waveguides |
-
1998
- 1998-10-13 KR KR1019980042713A patent/KR100283954B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-10-11 AU AU61254/99A patent/AU747960B2/en not_active Ceased
- 1999-10-11 JP JP2000575809A patent/JP2002527332A/ja active Pending
- 1999-10-11 WO PCT/KR1999/000609 patent/WO2000021898A1/en active IP Right Grant
- 1999-10-11 RU RU2001110076/03A patent/RU2211812C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1999-10-11 CN CNB998120456A patent/CN1159244C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-11 EP EP99947982A patent/EP1129043B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-11 DE DE69919733T patent/DE69919733T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-11 CA CA002346851A patent/CA2346851C/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-13 US US09/417,058 patent/US6347177B1/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Итоги науки и техники. Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов, т.2. - М., 1989, с.100-113. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU747960B2 (en) | 2002-05-30 |
AU6125499A (en) | 2000-05-01 |
DE69919733D1 (de) | 2004-09-30 |
CA2346851C (en) | 2005-08-09 |
EP1129043A1 (en) | 2001-09-05 |
WO2000021898A1 (en) | 2000-04-20 |
US6347177B1 (en) | 2002-02-12 |
KR100283954B1 (ko) | 2001-03-02 |
EP1129043B1 (en) | 2004-08-25 |
KR20000025572A (ko) | 2000-05-06 |
JP2002527332A (ja) | 2002-08-27 |
CN1159244C (zh) | 2004-07-28 |
CA2346851A1 (en) | 2000-04-20 |
CN1323282A (zh) | 2001-11-21 |
DE69919733T2 (de) | 2005-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2211812C2 (ru) | Оптическое волокно для оптического усилителя | |
WO2003002475A1 (en) | Thulium-doped germanate glass composition and device for optical amplification | |
JPH07149538A (ja) | プラセオジムを含有する光ファイバ増幅器用ガラス | |
EP0843424B1 (en) | Optical waveguide and 1.5um-band optical amplifier using same | |
US7440672B2 (en) | Optical fiber for optical amplifier and process for manufacturing thereof | |
US5337401A (en) | Optical functioning glass and method of manufacturing same, optical fiber, waveguide device, and laser device | |
US7493008B2 (en) | Glass for optical amplifier fiber | |
Zhang et al. | Effects of PbF2 doping on structure and spectroscopic properties of Ga2O3–GeO2–Bi2O3–PbO glasses doped with rare earths | |
KR100485749B1 (ko) | 광증폭특성을가지는GeGaS계유리조성물및상기유리조성물을이용하는통신용광증폭장치 | |
Park et al. | Pr3+/Er3+ Codoped Ge‐As‐Ga‐S Glasses as Dual‐Wavelength Fiber‐optic Amplifiers for 1.31 and 1.55 μm Windows | |
JP2755280B2 (ja) | 光増幅用希土類ドープ光ファイバ | |
KR100383608B1 (ko) | 알칼리 할로겐이 첨가된 광증폭기용 황화물 유리 및 그제조 방법 | |
WO2004028992A1 (en) | Tellurite glass, optical fibre, optical amplifier and light source | |
Clare | Rare earths in glasses for laser applications | |
KR102022976B1 (ko) | 형광 장수명 특성을 갖는 능동소자용 불소인산염계 유리 | |
WO1998001401A1 (en) | Optical glass and waveguide devices | |
KR100322129B1 (ko) | 광증폭기용 광섬유 | |
JP3149119B2 (ja) | 光増幅用光ファイバ | |
JPH08217490A (ja) | 波長変換ガラス材 | |
JPH08217489A (ja) | 波長変換ガラス材 | |
JPH08217491A (ja) | 波長変換ガラス材 | |
JPH1135339A (ja) | フッ化物ガラス組成物 | |
JPH08217488A (ja) | 波長変換ガラス材 | |
JPH10273337A (ja) | 波長変換ガラス材 | |
KR20010017731A (ko) | 복합 이온 첨가 낮은 포논 에너지 유리 및 광섬유 증폭기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20061012 |