RU2019120219A - Композиция и способ получения пикокристаллических искусственных атомов борана - Google Patents

Композиция и способ получения пикокристаллических искусственных атомов борана Download PDF

Info

Publication number
RU2019120219A
RU2019120219A RU2019120219A RU2019120219A RU2019120219A RU 2019120219 A RU2019120219 A RU 2019120219A RU 2019120219 A RU2019120219 A RU 2019120219A RU 2019120219 A RU2019120219 A RU 2019120219A RU 2019120219 A RU2019120219 A RU 2019120219A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
compound
boron
substrate
oxygen
composition
Prior art date
Application number
RU2019120219A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2019120219A3 (ru
RU2744435C2 (ru
Inventor
Патрик КАРРЭН
Original Assignee
Семиньюклиар, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Семиньюклиар, Инк. filed Critical Семиньюклиар, Инк.
Publication of RU2019120219A3 publication Critical patent/RU2019120219A3/ru
Publication of RU2019120219A publication Critical patent/RU2019120219A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2744435C2 publication Critical patent/RU2744435C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B35/00—Boron; Compounds thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B35/00—Boron; Compounds thereof
    • C01B35/08—Compounds containing boron and nitrogen, phosphorus, oxygen, sulfur, selenium or tellurium
    • C01B35/10—Compounds containing boron and oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/20—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B35/00—Boron; Compounds thereof
    • C01B35/02—Boron; Borides
    • C01B35/026—Higher boron hydrides, i.e. containing at least three boron atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B6/00—Hydrides of metals including fully or partially hydrided metals, alloys or intermetallic compounds ; Compounds containing at least one metal-hydrogen bond, e.g. (GeH3)2S, SiH GeH; Monoborane or diborane; Addition complexes thereof
    • C01B6/06—Hydrides of aluminium, gallium, indium, thallium, germanium, tin, lead, arsenic, antimony, bismuth or polonium; Monoborane; Diborane; Addition complexes thereof
    • C01B6/10—Monoborane; Diborane; Addition complexes thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B6/00—Hydrides of metals including fully or partially hydrided metals, alloys or intermetallic compounds ; Compounds containing at least one metal-hydrogen bond, e.g. (GeH3)2S, SiH GeH; Monoborane or diborane; Addition complexes thereof
    • C01B6/06—Hydrides of aluminium, gallium, indium, thallium, germanium, tin, lead, arsenic, antimony, bismuth or polonium; Monoborane; Diborane; Addition complexes thereof
    • C01B6/10—Monoborane; Diborane; Addition complexes thereof
    • C01B6/11—Preparation from boron or inorganic compounds containing boron and oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/38—Borides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Claims (65)

1. Твердое соединение, состоящее по существу из химических элементов бора, кремния, водорода и необязательно кислорода, причем бор присутствует в большей атомной концентрации, чем другие элементы.
2. Соединение по п. 1, имеющее стехиометрический состав (B12Hw)xSiyOz, где 0<w≤5, 2≤x≤4, 2≤y≤5 и 0≤z≤3.
3. Соединение по п. 2, в котором w=4, x=3, y=5 и z=0.
4. Соединение по п. 2, в котором w=4, x=2, y=4 и z=2.
5. Соединение по п. 1, дополнительно содержащее существенную следовую примесь монетного металла.
6. Соединение по п. 1, дополнительно содержащее существенную следовую примесь золота.
7. Соединение по любому из пп. 1-6, в котором атомная концентрация бора составляет от примерно 63% до примерно 89%.
8. Твердое соединение со стехиометрическим составом (B12Hw)xSiyOz, где 0<w≤5, 2≤x≤4, 2≤y≤5 и 0≤z≤3.
9. Соединение по п. 8, в котором w=4, x=3, y=5 и z=0.
10. Соединение по п. 8, в котором w=4, x=2, y=4 и z=2.
11. Соединение по п. 8, в котором атомная концентрация бора составляет от примерно 63% до примерно 89%.
12. Химическая композиция, в которой соединение по п. 8 образовано на подложке, содержащей монокристаллический кремний.
13. Твердое соединение, образованное путем химического осаждения из паровой фазы, состоящее по существу из бора, кремния, кислорода и водорода.
14. Соединение по п. 13, в котором бор присутствует в большей атомной концентрации, чем другие элементы.
15. Соединение по п. 13, причем упомянутое химическое осаждение из паровой фазы проводится при температурах от примерно 200°C до примерно 350°C и давлениях от примерно 1 торра до примерно 30 торр.
16. Соединение по п. 13, причем упомянутое химическое осаждение выполняется на подложку.
17. Соединение по п. 16, причем упомянутая подложка представляет собой монокристаллический кремний.
18. Твердое соединение, образованное самосборкой, содержащее бор и кремний, причем бор присутствует в большей атомной концентрации, чем другие элементы.
19. Соединение по п. 18, в котором упомянутый бор присутствует по существу в форме икосаэдра.
20. Соединение по п. 18, дополнительно содержащее существенную следовую примесь золота.
21. Продукт, полученный способом:
a) нагревания подложки до температуры от примерно 200°C до примерно 350°C в вакуумной камере;
b) введения в упомянутую камеру газов, содержащих элементы бор, водород и кремний; и
c) образования пленки на упомянутой подложке из таких газов.
22. Продукт по п. 21, причем упомянутая вакуумная камера поддерживается при давлении от примерно 1 торра до примерно 30 торр.
23. Продукт по п. 21, причем упомянутая температура поддерживается ниже примерно 300°C.
24. Продукт по п. 21, причем способ включает дополнительное использование газа, содержащего золото.
25. Продукт по п. 24, причем упомянутое золото вводится посредством смеси водорода и ацетата диметилзолота(III) ((CH3)2Au(OAc)).
26. Продукт по п. 25, образованный с использованием камеры химического осаждения металлоорганического соединения из паровой фазы.
27. Продукт по п. 25, образованный с использованием камеры быстрого термохимического осаждения.
28. Продукт по п. 21, причем упомянутые газы выбраны из группы, состоящей из закиси азота (N2O), диборана (B2H6), моносилана (SiH4), воды (H2O) и газообразного водорода (H2).
29. Продукт по п. 21, в котором полученная в результате пленка имеет относительную атомную концентрацию бора примерно 80%.
30. Продукт по п. 21, в котором упомянутая подложка содержит монокристаллический кремний.
31. Способ получения химической композиции, включающий:
a) обеспечение подложки в закрытой камере;
b) контролируемое введение в камеру газовой смеси, содержащей водород, бор и кремний;
c) нагревание подложки до температуры в диапазоне от примерно 200°C до примерно 350°C с образованием композиции на упомянутой подложке, причем упомянутая композиция имеет формулу:
(B12Hw)xSiyOz,
где 0<w≤5, 2≤x≤4, 2≤y≤5 и 0≤z≤3.
32. Способ по п. 31, дополнительно включающий этап введения газа, содержащего золото.
33. Способ по п. 31, причем упомянутая подложка представляет собой кремний.
34. Способ по п. 31, дополнительно включающий этап минимизации гидратации путем изолирования закрытой камеры от влаги окружающей среды.
35. Способ по п. 31, причем упомянутая композиция образована в виде эпитаксиального слоя на упомянутой подложке.
36. Способ образования композиции на основе бора с богатыми кислородом областями, включающий:
a) обеспечение подложки в закрытой камере;
b) нагревание подложки до температуры в диапазоне от примерно 200°C до примерно 350°C;
c) контролируемое введение в камеру газовой смеси, содержащей водород, бор, кремний и необязательно кислород;
d) контролируемое изменение во времени введения газообразного кислорода для образования композиции, имеющей по существу свободные от кислорода области и области с содержанием кислорода.
37. Способ по п. 36, причем композиция на основе бора имеет области с и без кислорода, все в пределах формулы:
(B12Hw)xSiyOz, где 0<w≤5, 2≤x≤4, 2≤y≤5 и 0≤z≤3.
38. Способ по п. 37, причем композиция образована в виде многослойной пленки, содержащей по существу свободный от кислорода первый слой и второй слой с содержанием кислорода.
39. Твердое соединение, содержащее бор в качестве основного химического элемента, водород в качестве неосновного химического элемента, и характеризующееся:
a) отсутствием резкого рентгенодифракционного пика для угла дифракции 2θ при исследовании упомянутого соединения рентгеновской дифракцией ω-2θ, причем угол падения рентгеновских лучей ω поддерживается на уровне половины угла дифракции 2θ, который изменяется в интервале 7°≤2θ≤80°;
b) одним широким рентгенодифракционным пиком в диапазоне углов дифракции 32°<2θ<36° при исследовании упомянутого соединения рентгеновской дифракцией ω-2θ, причем угол падения рентгеновских лучей ω поддерживается на уровне половины угла дифракции 2θ, который изменяется в интервале 7°≤2θ≤80°;
c) одним широким рентгенодифракционным пиком в диапазоне углов дифракции 12°<2θ<16° при исследовании упомянутого соединения рентгеновской дифракцией ω-2θ, причем угол падения рентгеновских лучей ω поддерживается на уровне половины угла дифракции 2θ, который изменяется в интервале 7°≤2θ≤80°; и
d) резким рентгенодифракционным пиком для фиксированного угла падения рентгеновский лучей ω, который соответствует половине угла дифракции 2θ в диапазоне 12°<2θ<16° при исследовании упомянутого соединения рентгеновской дифракцией при скользящем падении, причем угол падения рентгеновских лучей зафиксирован на угол ω≤8°, а угол дифракции изменяется в диапазоне 7°≤2θ≤80°.
40. Соединение по п. 39, в частности имеющее стехиометрический состав (B12Hw)xSiyOz с 0<w≤5, 2≤x≤4, 2≤y≤5 и 0≤z≤3.
41. Соединение по п. 39, в котором имеется такое изотопное обогащение, что отношение бора 11 5B к бору 10 5B меньше, чем встречающееся в природе.
42. Соединение по п. 1, в котором присутствует кислород.
43. Соединение по п. 39, имеющее стехиометрический состав (B12Hw)xSiyOz, где 0<w≤5, 2≤x≤4, 2≤y≤5 и 0<z≤3.
44. Соединение по п. 43, в котором w=4, x=2, y=4 и z=2.
45. Соединение по п. 44, дополнительно содержащее существенную следовую примесь монетного металла.
46. Соединение по п. 44, дополнительно содержащее существенную следовую примесь золота.
47. Соединение по любому из пп. 42-46, в котором атомная концентрация бора составляет от примерно 63% до примерно 89%.
48. Соединение по п. 1, в котором атомная концентрация по меньшей мере бора, кремния и какого-либо необязательно присутствующего кислорода измеряется методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.
RU2019120219A 2016-11-29 2016-11-29 Композиция и способ получения пикокристаллических искусственных атомов борана RU2744435C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2016/063933 WO2018101905A1 (en) 2016-11-29 2016-11-29 Composition and method for making picocrystalline artificial borane atoms

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2019120219A3 RU2019120219A3 (ru) 2021-01-14
RU2019120219A true RU2019120219A (ru) 2021-01-14
RU2744435C2 RU2744435C2 (ru) 2021-03-09

Family

ID=62242251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019120219A RU2744435C2 (ru) 2016-11-29 2016-11-29 Композиция и способ получения пикокристаллических искусственных атомов борана

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP3548433A4 (ru)
JP (1) JP7070871B2 (ru)
KR (1) KR20190086762A (ru)
CN (1) CN110267915B (ru)
CA (1) CA3043998C (ru)
IL (1) IL266967A (ru)
MX (1) MX2019006275A (ru)
RU (1) RU2744435C2 (ru)
WO (1) WO2018101905A1 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111326220B (zh) * 2020-04-16 2023-08-15 重庆大学 一种高强韧锆钛基合金的设计方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB986047A (en) * 1963-09-03 1965-03-17 Du Pont Organic sulphide-dodecaborane addition compounds, derivatives and salts thereof
US3455745A (en) * 1966-07-08 1969-07-15 Dow Corning Coating of objects with tetraboron silicide
US3607367A (en) * 1968-04-01 1971-09-21 Gen Technologies Corp High-strength, high-modulus, low density, boron silicide monofilaments, and method of making same
JPS52113724A (en) * 1976-03-22 1977-09-24 Foster Electric Co Ltd Electroacoustic transducer vibrator plate
JPS6144703A (ja) * 1984-08-09 1986-03-04 Tdk Corp 耐摩耗層
US4689104A (en) * 1985-06-24 1987-08-25 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Method of bonding two substrate faces utilizing boron-silicon-hydrogen alloy films
US4818625A (en) * 1985-06-24 1989-04-04 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Boron-silicon-hydrogen alloy films
JPH03155173A (ja) * 1989-11-14 1991-07-03 Toshio Hirai 熱電変換素子
US6274116B1 (en) * 1993-06-03 2001-08-14 Reagents Of The University Of California Compositions for boron delivery to mammalian tissue
JP2001267611A (ja) * 2000-01-13 2001-09-28 Sharp Corp 薄膜太陽電池及びその製造方法
US6841456B2 (en) * 2001-04-09 2005-01-11 Stephen D. Hersee Method of making an icosahedral boride structure
JP3624244B2 (ja) * 2001-10-30 2005-03-02 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類ホウケイ化物とその製造方法
GB2383534A (en) * 2001-12-28 2003-07-02 Psimei Pharmaceuticals Plc Delivery of neutron capture elements for neutron capture therapy
US8337950B2 (en) * 2007-06-19 2012-12-25 Applied Materials, Inc. Method for depositing boron-rich films for lithographic mask applications
US7824473B2 (en) * 2007-07-27 2010-11-02 Northwestern University Metal-organic framework materials based on icosahedral boranes and carboranes
JP5710975B2 (ja) 2007-11-02 2015-04-30 セメクイップ， インコーポレイテッド クラスターボロンの調製方法
JP5572307B2 (ja) * 2007-12-28 2014-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法
EP2368276A4 (en) 2009-06-10 2013-07-03 Thinsilicon Corp PV MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING A PV MODULE WITH MULTIPLE SEMICONDUCTOR LAYERING PLATES
CA2774405C (en) * 2009-09-18 2017-10-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Solar cell, method for manufacturing solar cell, and solar cell module
US8344337B2 (en) * 2010-04-21 2013-01-01 Axcelis Technologies, Inc. Silaborane implantation processes
US8664629B2 (en) * 2010-08-18 2014-03-04 Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, Llc Boron cage compound materials and composites for shielding and absorbing neutrons
US20160351286A1 (en) 2015-05-28 2016-12-01 SemiNuclear, Inc. Composition and method for making picocrystalline artificial carbon atoms

Also Published As

Publication number Publication date
EP3548433A4 (en) 2020-11-11
JP2020500830A (ja) 2020-01-16
MX2019006275A (es) 2019-08-21
WO2018101905A1 (en) 2018-06-07
KR20190086762A (ko) 2019-07-23
CN110267915A (zh) 2019-09-20
RU2019120219A3 (ru) 2021-01-14
IL266967A (en) 2019-07-31
JP7070871B2 (ja) 2022-05-18
EP3548433A1 (en) 2019-10-09
CA3043998C (en) 2024-05-14
CA3043998A1 (en) 2018-06-07
CN110267915B (zh) 2023-04-25
RU2744435C2 (ru) 2021-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Papadimitropoulos et al. Deposition and characterization of copper oxide thin films
CN1834288A (zh) 一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法
WO2012107138A1 (en) METHOD OF DEPOSITION OF Al2O3/SiO2 STACKS, FROM ALUMINIUM AND SILICON PRECURSORS
KR101875183B1 (ko) 신규한 아미노실릴아민 화합물 및 원자층 증착법을 이용한 Si-N 결합을 포함하는 절연막의 제조방법
Tynell et al. Hybrid inorganic–organic superlattice structures with atomic layer deposition/molecular layer deposition
KR20190059250A (ko) 실리콘 함유 박막 증착용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법
Huang et al. Tuning the morphology and composition of ultrathin cobalt oxide films via atomic layer deposition
EP2484801B1 (en) Method of deposition of Al2O3/SiO2 stacks, from TMA or TEA and silicon precursors
TW201113392A (en) Raw material for chemical vapor deposition and method for forming silicon-containing thin film using the raw material
RU2019120219A (ru) Композиция и способ получения пикокристаллических искусственных атомов борана
CN109790036B (zh) 氯二硅氮烷
Han et al. Atomic layer deposition of stoichiometric Co3O4 films using bis (1, 4-di-iso-propyl-1, 4-diazabutadiene) cobalt
Chen et al. IR studies of SiCN films deposited by RF sputtering method
Nandi et al. Atomic layer deposition of molybdenum oxide for solar cell application
JP2005252238A (ja) 金属含有膜形成材料及び該材料から作製された金属含有膜
CN112979318B (zh) 一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法
EP2484803B1 (en) Method of deposition of Al2O3/SiO2 stacks, from aluminium and silicon precursors
Kim et al. Temperature effect on the growth rate and physical characteristics of SnO2 thin films grown by atomic layer deposition
Tulenin et al. Chemical bath deposition of In 2 S 3 thin films
EP2484802B1 (en) Method of deposition of Al2O3/SiO2 stacks from DMAI and silicon precursors
CN107287569B (zh) 一种光缆及其制备方法
Smirnova et al. Composition and structure of films deposited from silyl derivatives of asymmetrical dimethylhydrazine
CN110431253A (zh) 由铱配合物构成的化学气相沉积用原料及使用该化学气相沉积用原料的化学气相沉积法
TWI700385B (zh) 製備薄膜的方法
RU2378739C2 (ru) Способ получения боросодержащих пленок