RU2017137757A - Параллельное соединение силовых переключателей с применением дросселя в дифференциальном режиме в контуре возбуждения затвора - Google Patents

Параллельное соединение силовых переключателей с применением дросселя в дифференциальном режиме в контуре возбуждения затвора Download PDF

Info

Publication number
RU2017137757A
RU2017137757A RU2017137757A RU2017137757A RU2017137757A RU 2017137757 A RU2017137757 A RU 2017137757A RU 2017137757 A RU2017137757 A RU 2017137757A RU 2017137757 A RU2017137757 A RU 2017137757A RU 2017137757 A RU2017137757 A RU 2017137757A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gate
current path
winding
power
power switch
Prior art date
Application number
RU2017137757A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2017137757A3 (ru
Inventor
Карстен ФИНК
Кристоф ДУСТЕРТ
Андреас Фольке
Михель ХОРНКАМП
Мартин УЛЬБРИХ
Original Assignee
Пауэр Интегрэйшнс Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Пауэр Интегрэйшнс Гмбх filed Critical Пауэр Интегрэйшнс Гмбх
Publication of RU2017137757A3 publication Critical patent/RU2017137757A3/ru
Publication of RU2017137757A publication Critical patent/RU2017137757A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/12—Modifications for increasing the maximum permissible switched current
    • H03K17/122—Modifications for increasing the maximum permissible switched current in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0814—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
    • H03K17/08146—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in bipolar transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/12—Modifications for increasing the maximum permissible switched current
    • H03K17/127—Modifications for increasing the maximum permissible switched current in composite switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
    • H03K17/145—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/168—Modifications for eliminating interference voltages or currents in composite switches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Claims (117)

1. Устройство, содержащее:
первый силовой переключатель, имеющий первый затвор;
второй силовой переключатель, соединенный параллельно с первым силовым переключателем и имеющий второй затвор;
драйвер затвора для выдачи сигнала возбуждения затвора для возбуждения как первого затвора, так и второго затвора;
первый путь тока для подключения сигнала возбуждения затвора к первому затвору;
второй путь тока для подключения сигнала возбуждения затвора ко второму затвору; и
распределительный дроссель для распределения сигнала возбуждения затвора на первый и второй силовые переключатели, при этом распределительный дроссель имеет первую обмотку, расположенную на первом пути тока, и вторую обмотку, расположенную на втором пути тока, причем распределительный дроссель подключен в дифференциальном режиме.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что силовые переключатели представляют собой IGBT, MOSFET или НЕМТ.
3. Силовой модуль, содержащий:
первый силовой переключатель, имеющий первый затвор;
второй силовой переключатель, соединенный параллельно с первым силовым переключателем и имеющий второй затвор;
интегрированный драйвер затвора для выдачи сигнала возбуждения затвора для возбуждения как первого затвора, так и второго затвора;
первый путь тока для подключения сигнала возбуждения затвора к первому затвору;
второй путь тока для подключения сигнала возбуждения затвора ко второму затвору; и
распределительный дроссель для распределения сигнала возбуждения затвора на первый и второй силовые переключатели, при этом распределительный дроссель имеет первую обмотку, расположенную на первом пути тока, и вторую обмотку, расположенную на втором пути тока, причем распределительный дроссель подключен в дифференциальном режиме.
4. Силовой модуль, содержащий:
первый силовой переключатель, имеющий первый затвор;
второй силовой переключатель, соединенный параллельно с первым силовым переключателем и имеющий второй затвор;
электрод для подключения выхода внешнего сигнала драйвера затвора для возбуждения как первого затвора, так и второго затвора;
первый путь тока для подключения сигнала возбуждения затвора к первому затвору;
второй путь тока для подключения сигнала возбуждения затвора ко второму затвору; и
распределительный дроссель для распределения сигнала возбуждения затвора на первый и второй силовые переключатели, при этом распределительный дроссель имеет первую обмотку, расположенную на первом пути тока, и вторую обмотку, расположенную на втором пути тока, причем распределительный дроссель подключен в дифференциальном режиме.
5. Устройство по п. 1 или модуль по п. 3 или 4, отличающиеся тем, что дополнительно содержат второй распределительный дроссель для распределения сигнала возбуждения затвора, причем второй распределительный дроссель содержит третью обмотку, расположенную на первом пути тока.
6. Устройство или модуль по п. 5, отличающиеся тем, что дополнительно содержат:
третий силовой переключатель, соединенный параллельно с первым и вторым силовыми переключателями и имеющий третий затвор; и
третий путь тока для подключения сигнала возбуждения затвора к третьему затвору.
7. Устройство или модуль по п. 5, отличающиеся тем, что второй распределительный дроссель содержит четвертую обмотку, расположенную на третьем пути тока.
8. Устройство или модуль по п. 7, отличающиеся тем, что дополнительно содержат третий распределительный дроссель для распределения сигнала возбуждения затвора, причем третий распределительный дроссель содержит пятую обмотку, расположенную на третьем пути тока.
9. Устройство или модуль по п. 8, отличающиеся тем, что третий распределительный дроссель содержит шестую обмотку, расположенную на втором пути тока.
10. Устройство или модуль по любому из пп. 1-9, отличающиеся тем, что все части интегрированы в одном силовом модуле.
11. Устройство или модуль по любому из пп. 1-10, отличающиеся тем, что все силовые переключатели представляют собой IGBT.
12. Устройство или модуль по любому из пп. 1-10, отличающиеся тем, что все силовые переключатели представляют собой MOSFET.
13. Устройство или модуль по любому из пп. 1-10, отличающиеся тем, что все силовые переключатели представляют собой НЕМТ.
14. Устройство или модуль по любому из предыдущих пунктов, отличающиеся тем, что:
первый путь тока содержит первое сопротивление затвора; и
второй путь тока содержит второе сопротивление затвора.
15. Устройство или модуль по любому из предыдущих пунктов, отличающиеся тем, что:
первый путь тока и второй путь тока содержат общее сопротивление затвора.
16. Устройство или модуль по любому из предыдущих пунктов, отличающиеся тем, что:
общий драйвер силового переключателя представляет собой общий драйвер затвора, причем драйвер затвора содержит один или более выходов сигнала затвора или выполнен с отдельными Hi/Lo выходами затвора.
17. Устройство или силовой переключающий модуль по любому из предыдущих пунктов, отличающиеся тем, что:
устройство или силовой переключающий модуль содержат равное количество силовых переключателей, соединенных параллельно, и дросселей; и
каждый из путей тока содержит по меньшей мере две обмотки.
18. Силовой модуль, содержащий:
первое множество силовых переключателей, соединенных параллельно, причем каждый силовой переключатель имеет затвор;
драйвер затвора для выдачи сигнала возбуждения затвора для возбуждения каждого затвора;
путь тока для подключения сигнала возбуждения затвора к затвору каждого силового переключателя; и
первое множество распределительных дросселей для распределения сигнала возбуждения затвора на каждый затвор,
причем количество силовых переключателей равно количеству распределительных дросселей, каждый распределительный дроссель имеет первую обмотку и вторую обмотку, расположенные на первом пути тока и втором пути тока к затвору, каждый распределительный дроссель подключен в дифференциальном режиме,
причем сигнал возбуждения затвора распределяется на множество путей тока и на второе множество распределительных дросселей, и
причем количество распределительных дросселей во втором множестве на один меньше, чем количество распределительных дросселей в первом множестве.
19. Устройство, содержащее:
первый IGBT, имеющий первый затвор;
второй IGBT, соединенный параллельно с первым IGBT и имеющий второй затвор;
драйвер IGBT для выдачи сигнала возбуждения затвора для возбуждения как первого затвора, так и второго затвора;
первый путь тока для подключения сигнала возбуждения затвора к первому затвору;
второй путь тока для подключения сигнала возбуждения затвора ко второму затвору; и
распределительный дроссель для распределения сигнала возбуждения затвора на первый и второй IGBT, при этом распределительный дроссель имеет первую обмотку, расположенную на первом пути тока, и вторую обмотку, расположенную на втором пути тока, причем распределительный дроссель подключен в дифференциальном режиме.
20. Устройство по п. 19, отличающееся тем, что дополнительно содержит второй распределительный дроссель для распределения сигнала возбуждения затвора, причем второй распределительный дроссель содержит третью обмотку, расположенную на первом пути тока.
21. Устройство по п. 20, отличающееся тем, что дополнительно содержит:
третий IGBT, соединенный параллельно с первым и вторым IGBT и имеющий третий затвор; и
третий путь тока для подключения сигнала возбуждения затвора к третьему затвору.
22. Устройство по п. 21, отличающееся тем, что второй распределительный дроссель содержит четвертую обмотку, расположенную на третьем пути тока.
23. Устройство по п. 22, отличающееся тем, что дополнительно содержит третий распределительный дроссель для распределения сигнала возбуждения затвора, причем третий распределительный дроссель содержит пятую обмотку, расположенную на третьем пути тока.
24. Устройство по п. 23, отличающееся тем, что третий распределительный дроссель содержит шестую обмотку, расположенную на втором пути тока.
25. Устройство по п. 19, отличающееся тем, что:
первый путь тока содержит первое сопротивление затвора; и
второй путь тока содержит второе сопротивление затвора.
26. Устройство по п. 19, отличающееся тем, что:
первый путь тока и второй путь тока содержат один или более первых проводников между драйвером IGBT и распределительным дросселем;
первый путь тока содержит один или более вторых проводников между распределительным дросселем и первым затвором;
второй путь тока содержит один или более третьих проводников между распределительным дросселем и вторым затвором;
один или более вторых проводников длиннее, чем один или более первых проводников; и
один или более третьих проводников длиннее, чем один или более первых проводников.
27. Силовой переключающий модуль, содержащий:
первый управляемый напряжением силовой переключатель, имеющий затвор и пару основных электродов;
второй управляемый напряжением силовой переключатель, имеющий затвор и пару основных электродов, причем по одному из основных электродов каждого из первого и второго управляемых напряжением силовых переключателей соединены вместе;
дифференциальный дроссель, содержащий первую обмотку и вторую обмотку; и
драйвер силового переключателя, содержащий выход сигнала возбуждения затвора, подключенный первым путем тока к затвору первого управляемого напряжением силового переключателя и вторым путем тока к затвору второго управляемого напряжением силового переключателя,
причем первый путь тока содержит первую обмотку;
причем второй путь тока содержит вторую обмотку;
причем разность полного сопротивления первого пути тока между выходом сигнала возбуждения затвора и первой обмоткой и полного сопротивления второго пути тока между выходом сигнала возбуждения затвора и второй обмоткой меньше, чем разность полного сопротивления первого пути тока между первой обмоткой и затвором первого управляемого напряжением силового переключателя и полного сопротивления второго пути тока между второй обмоткой и затвором второго управляемого напряжением силового переключателя.
28. Силовой переключающий модуль по п. 27, отличающийся тем, что:
первый путь тока содержит первое сопротивление затвора, расположенное между первой обмоткой и затвором первого управляемого напряжением силового переключателя; и
второй путь тока содержит второе сопротивление затвора, расположенное между второй обмоткой и затвором второго управляемого напряжением силового переключателя.
29. Силовой переключающий модуль по п. 27, отличающийся тем, что дополнительно содержит второй дифференциальный дроссель, содержащий третью обмотку и четвертую обмотку, причем первый путь тока содержит третью обмотку.
30. Силовой переключающий модуль по п. 29, отличающийся тем, что дополнительно содержит:
третий управляемый напряжением силовой переключатель, имеющий затвор и пару основных электродов, причем один из основных электродов третьего управляемого напряжением силового переключателя соединен с соединенным электродом из основных электродов первого и второго управляемых напряжением силовых переключателей;
причем выход сигнала возбуждения затвора подключен третьим путем тока к затвору третьего управляемого напряжением силового переключателя, причем третий путь тока содержит четвертую обмотку.
31. Силовой переключающий модуль по любому из пп. 27-30, отличающийся тем, что:
силовые переключатели представляют собой IGBT; и
общий драйвер силового переключателя представляет собой общий драйвер IGBT.
32. Силовой переключающий модуль, содержащий:
три или более силовых переключателей, соединенных параллельно, каждый из которых имеет соответствующий управляющий электрод;
общий драйвер силового переключателя, содержащий один выход сигнала возбуждения затвора, подключенный к каждому из управляющих электродов силовых переключателей, соединенных параллельно, соответствующим путем тока; и
два или более дросселей, каждый из которых содержит пару обмоток, причем обмотки каждого дросселя расположены на разных путях тока в дифференциальном режиме, при этом по меньшей мере один из путей тока содержит по меньшей мере две обмотки.
33. Силовой переключающий модуль по п. 32, отличающийся тем, что:
силовые переключатели представляют собой IGBT; и
общий драйвер силового переключателя представляет собой общий драйвер IGBT.
34. Силовой переключающий модуль по любому из пп. 32-33, отличающийся тем, что пути тока содержат общее сопротивление затвора.
35. Силовой переключающий модуль по любому из пп. 32-34, отличающийся тем, что:
силовой переключающий модуль содержит равное количество силовых переключателей, соединенных параллельно, и дросселей; и
каждый из путей тока содержит по меньшей мере две обмотки.
36. Силовой переключающий модуль, содержащий:
по меньшей мере два силовых переключателя, соединенных параллельно, каждый из которых имеет соответствующий управляющий электрод;
общий драйвер силового переключателя, содержащий один выход сигнала возбуждения затвора, подключенный к каждому из управляющих электродов силовых переключателей, соединенных параллельно, соответствующим путем тока;
один или более дросселей, каждый из которых содержит пару обмоток, причем обмотки каждого дросселя расположены на разных путях тока в дифференциальном режиме, при этом по меньшей мере один из путей тока содержит по меньшей мере две обмотки; и
множество емкостей, подключенных между управляющими электродами силовых переключателей.
37. Силовой переключающий модуль по п. 36,
отличающийся тем, что имеется по меньшей мере один отдельный конденсатор для каждого пути тока.
38. Силовой переключающий модуль по любому из пп. 36-37,
отличающийся тем, что первый вывод каждой емкости соединен с управляющим электродом силового переключателя, и второй вывод каждой емкости соединен с другой емкостью.
39. Силовой переключающий модуль по любому из пп. 36-38,
отличающийся тем, что вторые выводы всех емкостей соединены вместе с формированием емкостной схемы фиксации уровня.
40. Силовой переключающий модуль по любому из пп. 36-39,
отличающийся тем, что резистор соединен с каждой емкостью.
41. Силовой переключающий модуль по п. 40, отличающийся тем, что первый вывод резистора соединен с первым выводом соответствующего конденсатора, а второй вывод резистора соединен со вторым выводом конденсатора.
RU2017137757A 2015-04-14 2016-04-14 Параллельное соединение силовых переключателей с применением дросселя в дифференциальном режиме в контуре возбуждения затвора RU2017137757A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562147419P 2015-04-14 2015-04-14
US62/147,419 2015-04-14
PCT/EP2016/058247 WO2016166228A1 (en) 2015-04-14 2016-04-14 Paralleling power switches using a differential mode choke in the gate drive loop

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2017137757A3 RU2017137757A3 (ru) 2019-05-14
RU2017137757A true RU2017137757A (ru) 2019-05-14

Family

ID=55794955

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017137757A RU2017137757A (ru) 2015-04-14 2016-04-14 Параллельное соединение силовых переключателей с применением дросселя в дифференциальном режиме в контуре возбуждения затвора

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10461733B2 (ru)
EP (1) EP3284173A1 (ru)
JP (1) JP6933982B2 (ru)
KR (1) KR20160122663A (ru)
DE (1) DE202016002337U1 (ru)
RU (1) RU2017137757A (ru)
TW (1) TW201703406A (ru)
WO (1) WO2016166228A1 (ru)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9852373B2 (en) 2014-06-02 2017-12-26 Westerngeco L.L.C. Properties link for simultaneous joint inversion
JP6545729B2 (ja) * 2017-01-16 2019-07-17 本田技研工業株式会社 半導体回路
US10389352B1 (en) 2018-02-25 2019-08-20 Ford Global Technologies, Llc Gate loop differential mode choke for parallel power device switching current balance
US10574223B1 (en) 2019-03-15 2020-02-25 Ford Global Technologies, Llc Paralleled power semiconductors with chokes in gate path
WO2021024432A1 (ja) * 2019-08-07 2021-02-11 オムロン株式会社 不均衡故障検知回路
JP7133524B2 (ja) * 2019-09-13 2022-09-08 株式会社 日立パワーデバイス 電力変換装置、鉄道車両電気システム
US10998843B2 (en) 2019-09-23 2021-05-04 Power Integrations, Inc. External adjustment of a drive control of a switch
US11437911B2 (en) 2020-12-22 2022-09-06 Power Integrations, Inc. Variable drive strength in response to a power converter operating condition
US11996795B2 (en) 2022-03-28 2024-05-28 Power Integrations, Inc. Motor alignment control

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57131123A (en) * 1980-10-15 1982-08-13 Jido Keisoku Gijutsu Kenkiyuukumiai Analog-to-digital converter
JPH01243721A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Fujitsu Denso Ltd パワーｍｏｓ　ｆｅｔ駆動回路
JP2576253B2 (ja) * 1990-02-09 1997-01-29 日本電気株式会社 Ｄ／ａ変換装置
JPH0548434U (ja) * 1991-11-26 1993-06-25 株式会社明電舎 半導体回路のドライブ回路
JP3283968B2 (ja) * 1993-06-29 2002-05-20 新日本無線株式会社 伝送線路スイッチ
JPH11178318A (ja) * 1997-12-04 1999-07-02 Toshiba Corp 電圧駆動型電力素子の駆動回路
JP4298012B2 (ja) * 1998-08-05 2009-07-15 株式会社エヌエフ回路設計ブロック 高耐圧増幅装置
JP2002094363A (ja) * 2000-09-18 2002-03-29 Toshiba Corp 絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路、絶縁ゲート型半導体素子およびそれらを用いた電力変換装置
JP2004096829A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Fuji Electric Holdings Co Ltd 並列接続された電圧駆動型半導体素子の制御装置
JP3887289B2 (ja) 2002-09-09 2007-02-28 本田技研工業株式会社 リヤシートの支持構造
US20040096829A1 (en) * 2002-11-14 2004-05-20 Allaire Normand E. Absolute quantitation of nucleic acids by RT-PCR
JP2004215416A (ja) 2003-01-06 2004-07-29 Fuji Electric Holdings Co Ltd 電圧駆動型半導体素子の異常検出方法
JP2005020869A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Fuji Electric Holdings Co Ltd 電圧駆動型半導体素子の駆動装置
SE0401780D0 (sv) 2004-07-02 2004-07-02 Scandinova Ab Skyddskrets
JP4631409B2 (ja) 2004-11-24 2011-02-16 富士電機ホールディングス株式会社 半導体スイッチ回路
US7567447B2 (en) * 2006-01-04 2009-07-28 General Electric Company Electrical switching device having current balanced transistors
JP2007221473A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Nissan Motor Co Ltd スイッチング回路の駆動回路及びスイッチング回路
ATE470983T1 (de) 2007-03-30 2010-06-15 Abb Research Ltd Schaltzelle sowie umrichterschaltung zur schaltung einer vielzahl von spannungsniveaus mit einer solchen schaltzelle
EP2445110B1 (en) * 2010-10-22 2014-05-14 ABB Research Ltd Gate driver unit for electrical switching device
CN103731127B (zh) * 2012-10-16 2016-12-21 通用电气公司 用于同步控制串联连接的电子开关的电路
US8847656B1 (en) * 2013-07-03 2014-09-30 Honeywell International Inc. Approach for driving multiple MOSFETs in parallel for high power solid state power controller applications
DE102013218207A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Siemens Aktiengesellschaft Modularer Mehrpunktstromrichter für hohe Spannungen

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160122663A (ko) 2016-10-24
RU2017137757A3 (ru) 2019-05-14
DE202016002337U1 (de) 2016-07-22
JP2018512838A (ja) 2018-05-17
JP6933982B2 (ja) 2021-09-08
TW201703406A (zh) 2017-01-16
EP3284173A1 (en) 2018-02-21
US20180123579A1 (en) 2018-05-03
WO2016166228A1 (en) 2016-10-20
US10461733B2 (en) 2019-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017137757A (ru) Параллельное соединение силовых переключателей с применением дросселя в дифференциальном режиме в контуре возбуждения затвора
JP2018512838A5 (ru)
US9712132B2 (en) Tunable capacitor integrated on one semiconductor die or on one module
US11171638B2 (en) Electronic apparatus
JP5500191B2 (ja) スイッチング素子の駆動装置
JP6623958B2 (ja) 駆動対象スイッチの駆動回路
US9461643B2 (en) High freuency semiconductor switch and wireless device
CN102832796A (zh) 缓冲电路和具有该缓冲电路的逆变器
EP3101810A1 (en) Apparatus for driving igbt
RU2706732C1 (ru) Возбуждающее устройство
US9042137B2 (en) Even-level inverter
US9577528B2 (en) Power converter
RU2014144982A (ru) Регулировочный трансформатор
RU2016116013A (ru) Многоуровневый инвертор
US9494963B2 (en) Multi-stage voltage division circuit
US20140218993A1 (en) High power converter with low power transistors connected in parallel
JP2014192812A (ja) 電源回路
KR101887266B1 (ko) 표류 인덕턴스 저감 기능을 갖는 버스 플레이트 및 이를 포함하는 파워 스택
JP6268939B2 (ja) ３レベル電力変換装置
US20180309386A1 (en) Power semiconductor device and power semiconductor drive system
US11387060B2 (en) Switching apparatus
EP2713496A2 (en) Gate driving circuit and inverter having the same
KR101874934B1 (ko) 고전압 스위칭 회로
KR101670172B1 (ko) 정류 장치
US20170264208A1 (en) Improvements in or relating to electrical assemblies for voltage source sub-modules

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20200402