JPH0548434U - 半導体回路のドライブ回路 - Google Patents

半導体回路のドライブ回路

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JPH0548434U
JPH0548434U JP9661691U JP9661691U JPH0548434U JP H0548434 U JPH0548434 U JP H0548434U JP 9661691 U JP9661691 U JP 9661691U JP 9661691 U JP9661691 U JP 9661691U JP H0548434 U JPH0548434 U JP H0548434U
Authority
JP
Japan
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turn
circuit
parallel
semiconductor
gate
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Application number
JP9661691U
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Inventor
忠夫 小林
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Meidensha Corp
Original Assignee
Meidensha Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 並列接続された半導体素子の制御電極間に制
御電流補償回路を接続することにより、並列半導体素子
のターンオン，ターンオフ過渡特性を改良する。 【構成】 並列接続された半導体素子間で、応答速度の
遅い素子には応答速度の速い素子の制御信号をバイパス
させ、並列接続素子間のターンオン，ターンオフ動作の
バラツキを抑えるものであるから、各半導体素子間のタ
ーンオン，ターンオン過渡特性が改善される。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は半導体回路のドライブ回路に係り、特に絶縁ゲートバイポーラトラン ジスタのゲートドライブ回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）を並列接続した場合のゲート ドライブ回路を図３に示す。図３において１ａ，１ｂは互いに並列接続されたＩ ＧＢＴ、２はドライブ信号発生回路、３ａはドライブ信号発生回路２とＩＧＢＴ １ａのゲートＧ間に接続された抵抗、３ｂはドライブ信号発生回路２とＩＧＢＴ １ｂのゲートＧ間に接続された抵抗である。
【０００３】 抵抗３ａ，３ｂは並列接続したＩＧＢＴ３ａ，３ｂのゲートＧ−エミッタＥ間 の容量により振動を防止するものである。抵抗値ＲはＩＧＢＴ素子によりその値 は異なるが、一般に数Ω〜数十Ωの値に選定される。ＩＧＢＴ１ａ，１ｂのター ンオン動作及びターンオフ動作はゲートＧ−エミッタＥ間の容量と抵抗値Ｒの時 定数に大きく左右され、抵抗値が小さいとターンオン，ターンオフ動作は速くな り、抵抗値が大きいと逆となる。
【０００４】 並列動作の場合、ターンオン，ターンオフ動作のバラツキはその等価ゲートエ ミッタ間容量として現れ、速度の速い素子は等価容量が小さく、速度の遅い素子 は等価容量が大きく動作する。この動作をゲート電流波形を基に図４に示す。図 ４は時間ｔに対する電流ｉを示すもので、曲線Ｌ1は速度の速い素子のゲート電 流ｉ1を示し、曲線Ｌ2は速度の遅い素子のゲート電流ｉ2を示す。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】
以上のように、ターンオン，ターンオフ動作時のバラツキが有ると、主電流が −素子に集中し並列接続効果が低下し、バラツキ幅△Ｔ1に応じて素子の電流定 格を低減して使用することとなり、コスト的に不利であり、かつ、装置が大形の ものとなる。
【０００６】 本考案は上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、並列接続された 半導体素子の制御電極間に制御電流補償回路を接続することにより、並列半導体 素子のターンオン，ターンオフ過渡特性を改良することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本考案は、上記目的を達成するために、制御電極を有する複数個の半導体素子 を並列接続してなる半導体回路の各半導体素子の制御電極間に、コンデンサと抵 抗を直列接続してなる制御電流補償回路を接続してドライブ回路を構成する。
【０００８】
【作用】
ドライブ信号発生回路からの制御電流が並列接続された各半導体素子の制御電 極に供給される。この場合、ターンオン，ターンオフ時間にバラツキのある素子 間では制御電流補償回路を通して制御電流を授受し合ってターンオン，ターンオ フ時間のバラツキが補償される。
【０００９】
【実施例】
以下に本考案の実施例を図１〜図２を参照しながら説明する。
【００１０】 図１は本考案の実施例によるＩＧＢＴのゲートドライブ回路を示すもので、本 実施例においてはＩＧＢＴ１ａのコレクタ電極はＩＧＢＴ１ｂのコレクタ電極に 接続されているとともに、またこれらのエミッタ電極同志が接続され、これらの ＩＧＢＴは並列接続されている。ＩＧＢＴ１ａのゲート電極は抵抗３ａを介して ドライブ信号発生回路２に接続され、ＩＧＢＴ１ｂのゲート電極は抵抗３ｂを介 してドライブ信号発生回路２に接続されている。さらに重要なことは、ＩＧＢＴ １ａのゲート電極と抵抗３ａの接続点とＩＧＢＴ１ｂのゲート電極と抵抗３ｂの 接続点間に、コンデンサ４と抵抗５直列接続してなる制御電流補償回路が接続さ れていることである。
【００１１】 上記構成のＩＧＢＴのゲートドライブ回路において、ＩＧＢＴ１ａが応答速度 が速く、ＩＧＢＴ１ｂは応答速度が遅いものとし、そのバラツキ時間を△Ｔ1と する。上記制御電流補償回路がない場合の動作モードは図４に示すものと同一と なり各素子とも個別動作し、△Ｔ1のバラツキ時間が生じる。
【００１２】 一方、上記補償回路を付加した場合の動作モードを図２に示す。応答速度の速 い素子は一旦ターンオン動作を完了すると、そのゲート−エミッタ間には、ゲー ト信号源電圧ＶEまで充電されるが、このとき補償回路のＣＲを介して、動作の 遅い素子のゲートにゲート電流ｉ3がバイパスされて充電される。この補償回路 により、ＩＧＢＴ１ｂのゲートは単独の場合よりも速く充電されることになり、 ターンオン動作のバラツキは△Ｔ1より小さい△Ｔ2に短縮される。
【００１３】 以上のように、ＩＧＢＴの動作時間のバラツキは抑制され、バラツキ補償はコ ンデンサと抵抗からなる簡単な回路であり、ターンオン遅れ、ターンオフ遅れい ずれの動作モードをも補償できる。また、並列接続された素子の特性が一致して 、バラツキが無い場合は、補償回路に電流が流れることは無く、ドライブ回路の 電流責務のアップ等の逆効果は全くない。
【００１４】
【考案の効果】
本考案は以上の如くであって、並列接続された半導体素子間で、応答速度の遅 い素子には応答速度の速い素子の制御信号をバイパスさせ、並列接続素子間のタ ーンオン，ターンオフ動作のバラツキを抑えるものであるから、各半導体素子間 のターンオン，ターンオフ過渡特性が改善される高性能なドライブ回路が得られ る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の実施例による半導体回路のドライブ回
路の回路図。
【図２】図１の回路のターンオン，ターンオフ特性図。
【図３】従来の半導体回路のドライブ回路の一例を示す
回路図。
【図４】図３の回路のターンオン，ターンオフ特性図。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ…ＩＧＢＴ、２…ドライブ信号発生回路、３
ａ，３ｂ…抵抗、４…コンデンサ、５…抵抗、６…制御
電流補償回路。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 制御電極を有する複数個の半導体素子を
    並列接続してなる半導体回路の各半導体素子の制御電極
    間に、コンデンサと抵抗を直列接続してなる制御電流補
    償回路を接続して構成したことを特徴とする半導体回路
    のドライブ回路。
JP9661691U 1991-11-26 1991-11-26 半導体回路のドライブ回路 Pending JPH0548434U (ja)

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