RU2017122605A - Новые комплексы металлов с n-аминогуанидинатом, предназначенные для применения для изготовления тонких пленок и для катализа - Google Patents
Новые комплексы металлов с n-аминогуанидинатом, предназначенные для применения для изготовления тонких пленок и для катализа Download PDFInfo
- Publication number
- RU2017122605A RU2017122605A RU2017122605A RU2017122605A RU2017122605A RU 2017122605 A RU2017122605 A RU 2017122605A RU 2017122605 A RU2017122605 A RU 2017122605A RU 2017122605 A RU2017122605 A RU 2017122605A RU 2017122605 A RU2017122605 A RU 2017122605A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- anion
- metal complex
- group
- linear
- carbon atoms
- Prior art date
Links
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims 32
- -1 N-pyrrolidinyl Chemical group 0.000 claims 24
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 18
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims 14
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims 10
- LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N methanide Chemical compound [CH3-] LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 6
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 claims 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 5
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- HAMNKKUPIHEESI-UHFFFAOYSA-N aminoguanidine Chemical compound NNC(N)=N HAMNKKUPIHEESI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims 3
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 claims 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000000719 pyrrolidinyl group Chemical group 0.000 claims 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 claims 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims 2
- 150000003334 secondary amides Chemical class 0.000 claims 2
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005913 hydroamination reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/006—Palladium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/06—Aluminium compounds
- C07F5/069—Aluminium compounds without C-aluminium linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C281/00—Derivatives of carbonic acid containing functional groups covered by groups C07C269/00 - C07C279/00 in which at least one nitrogen atom of these functional groups is further bound to another nitrogen atom not being part of a nitro or nitroso group
- C07C281/16—Compounds containing any of the groups, e.g. aminoguanidine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/006—Palladium compounds
- C07F15/0066—Palladium compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/02—Iron compounds
- C07F15/025—Iron compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/003—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/06—Zinc compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/003—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/02—Boron compounds
- C07F5/022—Boron compounds without C-boron linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/02—Boron compounds
- C07F5/027—Organoboranes and organoborohydrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/02—Boron compounds
- C07F5/05—Cyclic compounds having at least one ring containing boron but no carbon in the ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/06—Aluminium compounds
- C07F5/061—Aluminium compounds with C-aluminium linkage
- C07F5/065—Aluminium compounds with C-aluminium linkage compounds with an Al-H linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F10/00—Homopolymers and copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F4/00—Polymerisation catalysts
- C08F4/42—Metals; Metal hydrides; Metallo-organic compounds; Use thereof as catalyst precursors
- C08F4/44—Metals; Metal hydrides; Metallo-organic compounds; Use thereof as catalyst precursors selected from light metals, zinc, cadmium, mercury, copper, silver, gold, boron, gallium, indium, thallium, rare earths or actinides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Claims (111)
1. Комплекс металла, содержащий по меньшей мере один N-аминогуанидинатный лиганд, где этот комплекс металла имеет приведенную ниже формулу 1а или 1b
в которой
М обозначает металл, выбранный из группы, включающей металлы групп 1-15 Периодической системы элементов (РТЕ), лантаниды или актиниды,
R1 обозначает водород или циклический, линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 5 атомов углерода, NH2, NH(СН3), N(CH3)2, N(C2H5)2 или N-пирролидинил, или R1 и R2 вместе с атомом азота, к которому они присоединены, образуют пирролидинильное кольцо;
R2 обозначает водород или циклический, линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 5 атомов углерода, или R2 и R1 вместе с атомом азота, к которому они присоединены, образуют пирролидинильное кольцо;
R3 обозначает водород или циклический, линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 8 атомов углерода, NH2, NH(CH3), N(СН3)2, N(C2H5)2 или N-пирролидинил, или группу SiMe3,
R4 и R5 независимо друг от друга обозначают водород или линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 4 атомов углерода, или R4 и R5 вместе с атомом азота, к которому они присоединены, образуют пирролидинильное кольцо;
X обозначает моноанионный солиганд, выбранный из гидрид-аниона (Н-), из группы включающей галогениды, из группы включающей циклические, линейные или разветвленные алкилиды, содержащие до 8 атомов углерода, из группы включающей замещенные или незамещенные арилиды или гетероарилиды, содержащие до 10 атомов С, из группы включающей алкоксилатные лиганды, из группы включающей алкилтиолатные или алкилселенатные лиганды, или из группы включающей вторичные амидные лиганды,
Y обозначает дианионный солиганд, выбранный из оксогруппы [О]2-, сульфидной группы [S]2- или имидной группы [NR6]2-, где R6 обозначает циклический, разветвленный или линейный алкил, содержащий до 8 атомов углерода, или замещенный или незамещенный арил, содержащий до 20 атомов углерода,
L обозначает нейтральный лиганд, являющийся донором 2 электронов,
а обозначает целое число, равное от 1 до 4, и
n, m и р каждый независимо друг от друга равен 0, 1, 2, 3 или 4.
2. Комплекс металла по п. 1, в котором
М обозначает металл, выбранный из группы, включающей металлы групп 1-15 Периодической системы элементов (РТЕ), лантаниды или актиниды,
R1 обозначает водород или циклический, линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 5 атомов углерода, NH2, N(СН3)2 или N(C2H5)2,
R2 обозначает водород или циклический, линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 5 атомов углерода, NH2, N(СН3)2 или N(C2H5)2,
R3 обозначает водород или циклический, линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 8 атомов углерода, NH2, N(СН3)2 или N(C2H5)2,
R4 и R5 независимо друг от друга обозначают водород или линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 4 атомов углерода,
X обозначает моноанионный солиганд, выбранный из гидрид-аниона (Н-), из группы включающей галогениды, из группы включающей циклические, линейные или разветвленные алкилиды, содержащие до 8 атомов углерода, из группы включающей замещенные или незамещенные арилиды или гетероарилиды, содержащие до 10 атомов С, из группы включающей алкоксилатные лиганды, из группы включающей алкилтиолатные или алкилселенатные лиганды, или из группы включающей вторичные амидные лиганды,
Y обозначает дианионный солиганд, выбранный из оксигруппы [О]2- или имидной группы [NR6]2-, где R6 обозначает циклический, разветвленный или линейный алкил, содержащий до 8 атомов углерода, или замещенный или незамещенный арил, содержащий до 20 атомов углерода,
L обозначает нейтральный лиганд, являющийся донором 2 электронов,
а обозначает целое число, равное от 1 до 4, и
n, m и р каждый независимо друг от друга равен 0, 1, 2, 3 или 4.
3. Комплекс металла по п. 1 или 2, в котором
R1 обозначает водород или циклический, линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 5 атомов углерода,
R2 обозначает водород или циклический, линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 5 атомов углерода,
R3 обозначает водород или циклический, линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 5 атомов углерода, NH2, N(СН3)2 или N(C2H5)2,
R4 и R5 независимо друг от друга обозначают водород или линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 3 атомов углерода,
X обозначает гидрид-анион (Н-), метилид (СН3 -), этилид (С2Н5 -), изопропилид (изо-С3Н7 -), трет-бутилид (трет-С4Н9 -), фенилид-анион (С6Н5 -), орто-, мета- или пара-толилид-анион [С6Н4СН3)]-, тиофен-2-илид-анион (C4H3S-), метилат-анион (МеО-), этилат-анион (EtO-), трет-бутилат-анион (трет-BuO-), MeS-, MeSe-, (трет-Bu)S-, (трет-Bu)Se-, диметиламид-анион (NMe2 -), диэтиламид-анион (NEt2 -), метилэтиламид-анион (NMeEt-), N-пирролилид [NC4H8]-, хлорид-анион (Cl-) или бромид-анион (Br-),
Y обозначает оксогруппу [О]2- или имидную группу [NR6]2- где R6 обозначает циклический, разветвленный или линейный алкил, содержащий до 6 атомов С, или замещенный или незамещенный арил, содержащий до 12 атомов С.
4. Комплекс металла по п. 1, 2 или 3, в котором
R1 обозначает водород или линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 4 атомов углерода,
R2 обозначает водород или линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 4 атомов углерода,
R3 обозначает водород, СН3, С2Н5, NH2, N(СН3)2 или N(C2H5)2,
R4 и R5 независимо друг от друга обозначают водород, СН3 или С2Н5,
X обозначает гидрид-анион (Н-), метилид (СН3 -), этилид (С2Н5 -), фенилид-анион (С6Н5 -), орто-, мета- или пара-толилид-анион [C6H4(CH3)]-, метилат-анион (МеО-), этилат-анион (EtO-), MeS-, MeSe-, диметиламид-анион (NMe2 -), диэтиламид-анион (NEt2 -), метилэтиламид-анион (NMeEt-), хлорид-анион (Cl-) или бромид-анион (Br-),
Y обозначает оксогруппу [О]2- или имидную группу [NR6]2-, где R6 обозначает разветвленный или линейный алкил, содержащий до 5 атомов С, или замещенный или незамещенный арил, содержащий до 8 атомов С.
5. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов, в котором
R1 обозначает водород или линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 3 атомов углерода,
R2 обозначает водород или линейный или разветвленный алкильный радикал, содержащий до 3 атомов углерода,
R3 обозначает СН3, С2Н5, N(CH3)2 или N(C2H5)2,
R4 и R5 независимо друг от друга обозначают СН3 или С2Н5,
X обозначает гидрид-анион (Н-), метилид (СН3 -), этилид (С2Н5 -), фенилид-анион (С6Н5 -), орто-, мета- или пара-толилид-анион [С6Н4СН3)]-, метилат-анион (MeO-), MeS-, диметиламид-анион (NMe2 -), диэтиламид-анион (NEt2 -) или хлорид-анион (Cl-),
Y обозначает имидную группу [NR6]2-, где R6 обозначает линейный или разветвленный алкил, содержащий до 4 атомов С.
6. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов, в котором
R1 и R2 независимо друг от друга оба обозначают линейный алкильный радикал, содержащий до 3 атомов углерода,
R3 обозначает СН3, С2Н5 или N[(СН3)2,
R4 и R5 независимо друг от друга обозначают СН3 или С2Н5,
X обозначает гидрид-анион (Н-), метилид (СН3 -), этилид (С2Н5 -), изопропилид (изо-С3Н7 -),
Y обозначает имидную группу [Nt Bu]2-.
7. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов формулы 2
в которой
М обозначает В, Al, Ga, In, Fe, Zn или Pd,
R3 обозначает CH3 или N(СН3)2,
X обозначает гидрид-анион (Н-) или метилид (СН3 -),
а равно 1 или 2, и
n равно 0, 1 или 2.
8. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов, где комплекс металла имеет приведенную ниже формулу 3
в которой
М обозначает В, Al, Ga, In, Zn, Fe или Pd,
X обозначает гидрид-анион (H-) или метилид (СН3 -),
а равно 1 или 2, и
n равно 0, 1 или 2.
9. Комплекс металла по п. 8, в котором N-аминогуанидинатным лигандом является N-диметиламино-N',N''-триметилгуанидинат (datg).
10. Комплекс металла по п. 8 или 9, в котором М обозначает В, Al, Ga, In или Pd.
11. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов, где комплекс металла имеет приведенную ниже формулу 4
в которой
М обозначает В, Al, Ga, In, Zn, Fe или Pd,
X обозначает гидрид-анион (H-) или метилид (СН3 -),
а равно 1 или 2, и
n равно 0, 1 или 2.
12. Комплекс металла по п. 11, в котором N-аминогуанидинатным лигандом является N,N'-бисдиметиламино-N''-диметилгуанидинат (bdmg).
13. Комплекс металла по п. 11 или 12, в котором М обозначает Ga, Zn или Fe.
14. Комплекс металла по любому из пп. 11-13, в котором X обозначает метилид, а и n оба равны 1 или 2.
15. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов, где комплекс металла имеет приведенную ниже формулу 5
в которой
М обозначает La, Се, Pr, Nd, Sm или Yb;
R3 обозначает СН3 или N(СН3)2;
X обозначает гидрид-анион (H-) или метилид (СН3 -);
а равно 1, 2 или 3; и
n равно 0, 1 или 2.
16. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов, где комплекс металла имеет приведенную ниже формулу 6
в которой
М обозначает Се, Pr, Nd, Sm или Yb;
X обозначает гидрид-анион (Н-) или метилид (СН3 -);
а равно 1, 2 или 3; и
n равно 0, 1 или 2.
17. Комплекс металла по п. 16, в котором М обозначает Се, Pr, Nd, Sm или Yb, n равно 0 и а равно 3.
18. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов, в котором L выбран из пиридина, диоксана, NH3, THF, СО, алкилфосфина или арилфосфина.
19. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов, в котором L выбран из пиридина, NH3, СО, РМе3, PCy3 и PPh3.
20. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов, в котором L выбран из NH3 и СО.
21. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов, в котором М выбран из группы, включающей бор (В), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In), кремний (Si), германий (Ge), олово (Sn), мышьяк (As), сурьму (Sb), титан (Ti), цирконий (Zr), гафний (Hf), хром (Cr), марганец (Mn), железо (Fe), кобальт (Со), никель (Ni), медь (Cu), цинк (Zn), рутений (Ru), родий (Rh), палладий (Pd) и платину (Pt).
22. Комплекс металла по любому из предыдущих пунктов, в котором М выбран из группы, включающей бор (В), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In) и палладий (Pd).
23. Способ получения комплекса металла по любому из предыдущих пунктов, включающий стадии
1) получения N-аминогуанидинового лиганда;
2) получения комплекса металла из N-аминогуанидинового лиганда.
24. Способ по п. 23, в котором стадия (2) включает следующие стадии реакции:
a) необязательно депротонорование N-аминогуанидинового лиганда с получением N-аминогуанидинатного лиганда;
b) приготовление смеси для получения комплекса металла, которая содержит N-аминогуанидиновый лиганд или N-аминогуанидинатный лиганд, полученный на необязательной стадии (а), по меньшей мере одно исходное соединение металла и использующийся в реакции растворитель;
c) инкубирование приготовленной смеси для получения комплекса металла при необязательном перемешивании;
d) выпаривание использующегося в реакции растворителя;
e) необязательно очистка оставшегося продукта реакции, предпочтительно путем промывки промывочным растворителем.
25. Способ по п. 23, в котором использующийся в реакции растворитель выбран из группы, включающей пентан, гексан, гептан, бензол, толуол, дихлорметан, хлороформ, диэтиловый эфир, тетрагидрофуран, метанол, этанол, изопропанол и их смеси.
26. Применение комплекса металла по любому из пп. 1-22 в качестве предшественника в методиках осаждения тонких пленок, в качестве катализатора для гидроаминирования олефина, в качестве катализатора для полимеризации олефина или в их комбинации.
27. Применение по п. 26, в котором методика осаждения тонких пленок выбрана из группы, включающей методики CVD, методики MO-CVD и методики ALD.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP14195515.3A EP3026055A1 (en) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | New metal N-aminoguanidinate complexes for use in thin film fabrication and catalysis |
| EP14195515.3 | 2014-11-28 | ||
| PCT/EP2015/077691 WO2016083471A1 (en) | 2014-11-28 | 2015-11-25 | New metal n-aminoguanidinate complexes for use in thin film fabrication and catalysis |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2017122605A true RU2017122605A (ru) | 2018-12-28 |
| RU2017122605A3 RU2017122605A3 (ru) | 2019-02-28 |
| RU2705362C2 RU2705362C2 (ru) | 2019-11-07 |
Family
ID=52000722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017122605A RU2705362C2 (ru) | 2014-11-28 | 2015-11-25 | Новые комплексы металлов с n-аминогуанидинатом, предназначенные для применения для изготовления тонких пленок и для катализа |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10093687B2 (ru) |
| EP (2) | EP3026055A1 (ru) |
| JP (1) | JP6662875B2 (ru) |
| KR (1) | KR20170090457A (ru) |
| CN (2) | CN110724157A (ru) |
| RU (1) | RU2705362C2 (ru) |
| WO (1) | WO2016083471A1 (ru) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI661072B (zh) | 2014-02-04 | 2019-06-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沈積 |
| US10047435B2 (en) | 2014-04-16 | 2018-08-14 | Asm Ip Holding B.V. | Dual selective deposition |
| US10428421B2 (en) | 2015-08-03 | 2019-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces |
| US10695794B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-06-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US11081342B2 (en) | 2016-05-05 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition using hydrophobic precursors |
| US10373820B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
| US10453701B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
| US11430656B2 (en) | 2016-11-29 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of oxide thin films |
| US11501965B2 (en) | 2017-05-05 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films |
| US11170993B2 (en) | 2017-05-16 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Selective PEALD of oxide on dielectric |
| TWI729285B (zh) * | 2017-06-14 | 2021-06-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 金屬薄膜的選擇性沈積 |
| CN109336916A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-02-15 | 山西大学 | 一种β-吡啶烯胺双齿铝配合物的合成及催化ε-己内酯开环聚合 |
| JP2020056104A (ja) | 2018-10-02 | 2020-04-09 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 選択的パッシベーションおよび選択的堆積 |
| EP3680247A1 (de) | 2019-01-08 | 2020-07-15 | Umicore Ag & Co. Kg | Metallorganische verbindungen |
| US11965238B2 (en) | 2019-04-12 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of metal oxides on metal surfaces |
| US11139163B2 (en) | 2019-10-31 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of SiOC thin films |
| TW202140832A (zh) | 2020-03-30 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽在金屬表面上之選擇性沉積 |
| TW202204658A (zh) | 2020-03-30 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 在兩不同表面上同時選擇性沉積兩不同材料 |
| TW202140833A (zh) | 2020-03-30 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 相對於金屬表面在介電表面上之氧化矽的選擇性沉積 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9919071D0 (en) * | 1999-08-12 | 1999-10-13 | Isis Innovation | Deposition compounds |
| WO2007005088A2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Honeywell International Inc. | Vaporizable metalorganic compounds for deposition of metals and metal-containing thin films |
| WO2009012341A2 (en) * | 2007-07-16 | 2009-01-22 | Advancaed Technology Materials, Inc. | Group iv complexes as cvd and ald precursors for forming metal-containing thin films |
| DE102011012515A1 (de) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Umicore Ag & Co. Kg | Metallkomplexe mit N-Amino-Amidinat-Liganden |
-
2014
- 2014-11-28 EP EP14195515.3A patent/EP3026055A1/en not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-11-25 EP EP15801766.5A patent/EP3224262B1/en active Active
- 2015-11-25 RU RU2017122605A patent/RU2705362C2/ru active
- 2015-11-25 CN CN201911073556.2A patent/CN110724157A/zh active Pending
- 2015-11-25 KR KR1020177017642A patent/KR20170090457A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-11-25 WO PCT/EP2015/077691 patent/WO2016083471A1/en active Application Filing
- 2015-11-25 US US15/529,390 patent/US10093687B2/en active Active
- 2015-11-25 JP JP2017527870A patent/JP6662875B2/ja active Active
- 2015-11-25 CN CN201580064393.5A patent/CN107001393A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018500296A (ja) | 2018-01-11 |
| KR20170090457A (ko) | 2017-08-07 |
| CN110724157A (zh) | 2020-01-24 |
| US20170260213A1 (en) | 2017-09-14 |
| CN107001393A (zh) | 2017-08-01 |
| EP3026055A1 (en) | 2016-06-01 |
| EP3224262A1 (en) | 2017-10-04 |
| US10093687B2 (en) | 2018-10-09 |
| WO2016083471A1 (en) | 2016-06-02 |
| JP6662875B2 (ja) | 2020-03-11 |
| RU2705362C2 (ru) | 2019-11-07 |
| EP3224262B1 (en) | 2020-08-26 |
| RU2017122605A3 (ru) | 2019-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2017122605A (ru) | Новые комплексы металлов с n-аминогуанидинатом, предназначенные для применения для изготовления тонких пленок и для катализа | |
| RU2013143202A (ru) | Комплексы металлов с n-аминоамидинатными лигандами | |
| JP6389220B2 (ja) | ヒドロシリル化触媒 | |
| Avent et al. | Synthesis and characterisation of bis (amino) silylene–nickel (0),–palladium (II),–platinum (0),–platinum (II) and copper (I) complexes | |
| Payet et al. | Phosphine-and thiophosphorane-amine ligands: Lithiation and coordination to Rh (I) | |
| Volbeda et al. | Preparation of chiral imidazolin-2-imine ligands and their application in ruthenium-catalyzed transfer hydrogenation | |
| Chen et al. | Nickel (II) complexes containing bidentate diarylamido phosphine chelates: Kumada couplings kinetically preferred to β-hydrogen elimination | |
| Mawnai et al. | Synthesis of strained complexes of arene d6 metals with benzoylthiourea and their spectral studies | |
| Tong et al. | A bulky silyl shift-directed synthesis of a silyl-linked amidinate-amidine and its Zr (IV) complex | |
| JP2022191351A (ja) | 二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体及びその製造方法、並びに二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体を用いるハロゲン化アリルのヒドロシリル化 | |
| Kim et al. | N, N′, X-bidentate versus N, N′, X-tridentate N-substituted 2-iminomethylpyridine-and 2-iminomethylquinoline-coordinated palladium (II) complexes | |
| John et al. | Highly efficient palladium precatalysts of homoscorpionate bispyrazolyl ligands for the more challenging Suzuki–Miyaura cross-coupling of aryl chlorides | |
| JP2015506916A5 (ru) | ||
| Kim et al. | Cyclotrimerization of phenylethynes to fulvene: reactivity of cis-dichloro (1, 1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene) palladium (II) | |
| Nakata et al. | Synthesis and crystal structures of the first stable mononuclear dihydrogermyl (hydrido) platinum (II) complexes | |
| JP2011201877A (ja) | テトラフルオロエチレンの還元体の製造方法 | |
| Carpenter-Warren et al. | Synthesis, metal coordination and structural studies of trisubstituted P {CH2-1-N (H) naphthyl} 3 ligands | |
| Someya et al. | Nickel Complexes Modified by O, N, O’‐Ligands as Synthons for the Straightforward Synthesis of Highly Efficient Precatalysts for C C Bond Formation | |
| Arii et al. | Syntheses of di-and trinuclear platinum complexes with multibridged germanium centers derived from unsymmetrical digermanes | |
| El-khateeb et al. | Half-sandwich ruthenium thiocarbonate complexes: Structures of CpRu (PPh3) 2SCO2Bun, CpRu (dppe) SCO2Bun and CpRu (PPh3)(CO) SCO2Bun | |
| Cucciolito et al. | Coordination modes of cis-P, P′-diphenyl-1, 4-diphospha-cyclohexane to metal ions of Groups 9 and 10 | |
| JP6842086B2 (ja) | アルケニルシランの製造方法 | |
| JP2003236386A (ja) | 水素化触媒及びアルケン化合物の製造方法 | |
| JP2019085352A (ja) | アリル化合物のヒドロシリル化による有機ケイ素化合物の製造方法 | |
| Sun et al. | Synthesis, structural characterization and reactivity towards phenol of a bis (silyl) platinum (II) complex |