JP2018500296A - 薄膜の製造及び触媒において使用するための新規金属n−アミノグアニジナート錯体 - Google Patents
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Abstract
Description
Mは、元素周期表(PTE)の第1族〜第15族、ランタニド、又はアクチニドから選択される金属であり、
R1は、水素、最大5個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキルラジカル、NH2、NH(CH3)、N(CH3)2、N(C2H5)2、又はN−ピロリジニルであるか、あるいは、R1及びR2は、これらが結合している窒素原子と共にピロリジニル環を形成し、
R2は、水素、最大5個までの炭素原子を有する環状、直鎖、又は分岐鎖アルキルラジカルであるか、あるいは、R2及びR1は、これらが結合している窒素原子と共にピロリジニル環を形成し、
R3は、水素、又は最大8個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキルラジカル、NH2、NH(CH3)、N(CH3)2、N(C2H5)2、又はN−ピロリジニル基若しくはSiMe3基であり、
R4及びR5は、水素、又は最大4個までの炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキルラジカルであるか、あるいは、R4及びR5は、これらが結合している窒素原子と共にピロリジニル環を形成し、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)から、ハライドの群から、最大8個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキリドの群から、最大10個までのC原子を有する置換若しくは無置換アリーリド及びヘテロアリーリドの群から、アルコキシラート配位子の群から、アルキルチオラート若しくはアルキルセレノラート配位子の群から、又は二級アミド配位子の群から選択されるモノアニオン性共配位子であり、
Yは、オキシド基[O]2−、スルフィド基[S]2−、又はイミド基[NR6]2−から選択されるジアニオン性共配位子であり、R6は、最大8個までの炭素原子を有する環状、分岐鎖、若しくは直鎖アルキルであるか、又は最大20個までの炭素原子を有する置換若しくは無置換アリールであり、
Lは、中性二電子ドナー配位子であり、
aは、1〜4の整数であり、
n、m、及びpはそれぞれ、互いに独立に、0、1、2、3、又は4である]によって表される。
Mは、B、Al、Ga、In、Zn、Fe、又はPdであり、
R3は、CH3又はN(CH3)2であり、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)又はメチリド(CH3 −)であり、
aは、1又は2であり、
nは、0、1、又は2である]を有する。
Mは、B、Al、Ga、In、Zn、Fe、又はPdであり、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)又はメチリド(CH3 −)であり、
aは、1又は2であり、
nは、0、1、又は2である]を有する。
Mは、B、Al、Ga、In、Zn、Fe、又はPdであり、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)又はメチリド(CH3 −)であり、
aは、1又は2であり、
nは、0、1、又は2である]を有する。
Mは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、又はYbであり、
R3は、CH3又はN(CH3)2であり、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)又はメチリド(CH3 −)であり、
aは、1、2、又は3であり、
nは、0、1、又は2である]を有する。
Mは、Ce、Pr、Nd、Sm、又はYbであり、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)又はメチリド(CH3 −)であり、
aは、1、2、又は3であり、
nは、0、1、又は2である]を有する。
1)N−アミノグアニジン配位子を調製する工程と、
2)N−アミノグアニジン配位子から金属錯体を調製する工程と、を含む。
a)N−アミノグアニジン配位子を任意選択的に脱プロトン化して、N−アミノグアニジナート配位子を形成する反応工程と、
b)N−アミノグアニジン配位子又は任意選択的な工程a)から得られたN−アミノグアニジナート配位子と、少なくとも1種の金属出発化合物と、反応溶媒と、を含む、金属錯体調製混合物を提供する反応工程と、
c)得られた金属錯体調製混合物を任意選択的な撹拌を伴って温置する反応工程と、
d)反応溶媒を蒸発させる反応工程と、
e)残留している反応生成物を、好ましくは、洗浄溶媒を用いる洗浄によって、任意選択的に精製するする反応工程と、を含む。
Me:メチル、−CH3
DCM:ジクロロメタン
DEE:ジエチルエーテル
MHz:メガヘルツ、106s−1
MeCN:アセトニトリル
ppm:100万分の1、NMR分光法における化学シフトの単位
THF:テトラヒドロフラン
TMS:テトラメチルシラン
s:一重線
bs:ブロードな一重線
d:二重線
IRスペクトルにおける強度は、以下のように略記される。
w:弱
m:中程度の強度
s:強
b:ブロード
全ての合成は、通常のシュレンクライン又は不活性ガスグローブボックス・ワークステーション(Braun)を使用するN2不活性ガス条件下で実施された。使用された窒素ガスは、P4O10樹脂を充填したカラムを使用して乾燥した。真空−不活性ガス配管は、回転ベーンポンプ(Vakuubrand)に接続された。
実施例1:
N−ジメチルアミノ−N’,N’’−トリメチルグアニジン(Hdatg)の調製
トリメチルチオウレア(11.85g、100mmol、1.00当量)を20mLのDCM中に0℃で懸濁させた。ヨウ化メチル(MeI)(6.40mL、103mmol、1.03当量)を滴下して加え、溶液を室温(RT)までゆっくりと昇温した。24時間後、中間生成物を真空で濃縮した。透明な黄色の高粘性オイルは、ゆっくりと結晶化した。MeIを10mLのTHFで溶解させた。他の全ての揮発性成分を真空で除去した。得られたスルホニウム塩を8mLのMeCNに溶解させた。N,N−ジメチルヒドラジン(8.5mL、112mmol、1.12当量)を加え、溶液を40℃で2時間、続いてRTで15分間撹拌した。メタンチオールをN2により除去した。MeCNを真空で除去した。残渣を濃KOHaqで洗浄し、DCMで抽出した。DCMを真空で除去し、生成物を蒸留した(35mbar、68℃〜73℃)。7.64g(53.0mmol、53%)の透明な生成物が得られた。
N,N’−ビス(ジメチルアミノ)−N’’−ジメチルグアニジン(Hbdmg)の調製:
N,N−ジメチルヒドラジン(0.47mL、6.16mmol、2.0当量)及びトリエチルアミン(1.50mL、10.80mmol、3.5当量)を5mLのTHF中のジクロロメチルエチレンジメチル−アンモニウムクロリド(500mg、3.08mmol、1.0当量)に−10℃で滴下して撹拌下でゆっくりと加えた。1時間後、溶液をRTまでゆっくりと昇温した。生じた沈殿をろ過で除き、揮発性成分を減圧下で除いた。生成物(517mg、2.98mmol、97%)が透明オイルとして得られた。
以下の実施例では、実施例3〜実施例5及び実施例7〜実施例9は、配位子datgを有する錯体を説明し、実施例6は、配位子bdmgを有する錯体を説明する。
[Pd(datg)2]の調製
KHMDS(219mg、1.1mmol、2.2当量)を5mLのトルエンに溶解し、Hdatg(159mg、1.1mmol、2.2当量)を撹拌下で滴下して加えた。反応混合物を15分間撹拌した。続いて、溶媒及びH−HMDSを真空で除いた。得られたKdatgを3mLのTHFに溶解し、3mLのTHF中の[PdCl2(MeCN)2](200mg、0.77mmol、1.0当量)に滴下してゆっくりと加えた。溶液を室温で30分、続いて40℃で30分撹拌した。KClを遠心分離で除き、溶媒を真空でオレンジ色の上澄みから除いた。得られた橙褐色の固体をヘキサンで洗浄し、真空で乾燥させた。87mg(0.22mmol、29%)の所望の生成物がオレンジ色の固体として得られた。
[Al(datg)Me2]の調製
5mLのトルエン中のHdatg(415mg、2.88mmol、1.01当量)を5mLのトルエン中のトリメチルアルミニウム(205mg、2.84mmol、1.00当量)に−78℃で滴下してゆっくりと加えた。1時間後、温度を0℃まで上げた。45分後、これをRTで12時間撹拌した。続いて、溶媒を真空で除き、10℃前後で結晶化したやや黄色のオイルが得られた。生成物は、40℃で気化させ、続いて凝縮させることによって移送した。無色結晶性固体(135mg、674μmol、24%)が得られ、その固体は、手で温めることによって容易に融解した。
[In(datg)Me2]の調製
3mLのトルエン中のHdatg(290mg、2.01mmol、1.00当量)を2.5mLのトルエン中のトリメチルインジウム(321mg、2.01mmol、1.00当量)に−78℃で滴下してゆっくりと加えた。45分後、温度を0℃まで上げた。更に45分後、これをRTで12時間撹拌した。続いて、溶媒を真空で除き、ややピンク色のオイルが得られた。生成物を40℃で気化させ、続いて凝縮させることによって移送した。無色の液体(233mg、809μmol、40%)が得られ、[In(datg)Me2]として同定された。
[Ga(bdmg)Me2]の調製
2mLのトルエン中のトリメチルガリウム(184mg、1.60mmol、1.00当量)を−78℃で3mLのトルエン中のHbdmg(275mg、1.60mmol、1.00当量)に滴下してゆっくりと加えた。1時間後、温度を0℃に上げた。更に45分後、これをRTで36時間撹拌した。続いて、溶媒を真空で除き、やや黄色のオイル(167mg、0.61mmol、38%)が得られ、所望の生成物として同定された。
[B(datg)H2]の調製
水素化ホウ素リチウム(150mg、6.8mmol、1当量)を10mLのTHFに懸濁させた。2.2mLの1M BCl3ヘキサン溶液(2.2mmol、0.3当量)を−78℃で懸濁液に滴下してゆっくりと加えた。反応混合物をRTで1時間撹拌した。続いて、混合物を−78℃に冷却し、Hdatg(1.7mL、12.7mmol、1.8当量)と混合した。これをRTまで昇温し、終夜撹拌した。沈殿をCelite(商標)を使用して反応混合物から除き、透明なろ液を高真空で乾燥させた。636mg(4.1mmol、60%)の生成物が無色の固体として得られた。
[Al(datg)H2]の調製
LiAlH4(164mg、4.3mmol、2.2当量)を−78℃で20mLのジエチルエーテルに溶解し、トリメチルアミン塩酸塩(392mg、4.1mmol、2当量)を分割して加えた。反応混合物を−78℃で1時間撹拌した。続いて、反応混合物をRTまで昇温し、RTで更に12時間撹拌した。Hdatg(0.26mL、2mmol、1当量)を0℃で一定の撹拌下で滴下して加えた。混合物をRTまで昇温し、12時間撹拌した。沈殿をCelite(商標)を使用して除き、透明なろ液を高真空で乾燥させた。残渣を10mLのヘキサン及び5mLのジエチルエーテル中に懸濁させた。不透明溶液をろ過し、透明なろ液の溶媒を高真空で除いた。165mg(0.9mmol、48%)の透明な固体が生成物として得られた。
[Ga(datg)H2]の調製
三塩化ガリウム(0.55g、2.6mmol、1当量)を−78℃で5mLのジエチルエーテルに溶解し、水素化リチウム(0.40g、50.3mmol、16当量)の−78℃に冷却した5mLのジエチルエーテル中の懸濁液に滴下して加えた。反応混合物を−78℃で更に2時間撹拌した。続いて、反応混合物をRTまで昇温し、これを終夜撹拌した。沈殿をろ過によって除き、透明なろ液を−78℃で三塩化ガリウム(0.40g、2.3mmol、0.7当量)のこれも−78℃に冷却した4mLのジエチルエーテル中の溶液と混合した。生じた懸濁液を0℃まで昇温し、続いてろ過した。ろ液を−78℃に冷却し、Hdatg(0.33mL、2.5mmol、0.8当量)と混合した。生じた懸濁液を0℃までゆっくりと昇温し、終夜撹拌した。反応混合物をCelite(商標)を使用してろ過し、透明なろ液を0℃で高真空で蒸発させることによって濃縮した。429mg(1.9mmol、64%)の生成物が白色の固体として得られた。
[Fe(bdmg)2]の合成
Hbdmg(300mg、1.73mmol、2.2eq)を室温でトルエン(10mL)中のKHMDS(345mg、1.73mmol、2.2eq)に滴下して加えた。混合物を1時間撹拌し、その間に白色の沈殿が生じ、その後、揮発性化合物を減圧下で除いた。トルエン(15mL)中のFeCl2(98.8mg、0.78mmol、1.0eq)を、トルエン(10mL)中のそのように調製したKbdmgに加えた。溶液を90℃で48h撹拌し、その間に溶液は、黄色に変化した。溶媒を減圧下で除き、暗黄色の残渣をヘキサン(25mL)に溶解し、Celiteによってろ過し、溶媒を減圧下で再び除いた。所望の生成物が暗黄色の固体の形状で得られた(136mg、0.34mmol、43%)。
[Zn(bdmg)2]の合成
Hbdmg(2.2g、12.7mmol、2.0eq)を室温でトルエン(10mL)中の[Zn(HMDS)2](2.44g、6.35mmol、1.0eq)に滴下して加えた。溶液を4時間撹拌し、その後、溶媒を減圧下で除いた。白色の固体の昇華により、2.31g(5.65mmol、89%)の所望の生成物が得られた。
[Yb(bdmg)3]の合成
Hbdmg(0.11g、0.65mmol、3.2eq)を5mLのTHF中のKHMDS(0.13g、0.65mmol、3.2eq)の溶液に加えた。混合物を1時間撹拌し、その後、揮発性化合物を減圧下で除いた。残渣を5mLのTHFに溶解し、THF(3mL)中の[YbCl3(thf)3](0.1g、0.20mmol、1.0eq)のスラリーを室温で加えた。溶液を12時間撹拌し、その後、溶媒を減圧下で除き、トルエンを残渣に加え、KClをろ過した。溶液を濃縮し、所望の生成物が黄色の結晶として得られた(62mg、0.09mmol、45%)。
Claims (27)
- 少なくとも1個のN−アミノグアニジナート配位子を有する金属錯体であって、この金属錯体は、以下の式1a又は式1b
Mは、元素周期表(PTE)の第1族〜第15族、ランタニド、又はアクチニドから選択される金属であり、
R1は、水素、又は最大5個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキルラジカル、NH2、NH(CH3)、N(CH3)2、N(C2H5)2、又はN−ピロリジニルであるか、あるいは、R1及びR2は、これらが結合している窒素原子と共にピロリジニル環を形成し、
R2は、水素、又は最大5個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキルラジカルであるか、あるいは、R2及びR1は、これらが結合している窒素原子と共にピロリジニル環を形成し、
R3は、水素、又は最大8個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキルラジカル、NH2、NH(CH3)、N(CH3)2、N(C2H5)2、若しくはN−ピロリジニル、又はSiMe3基であり、
R4及びR5は、互いに独立に、水素、又は最大4個までの炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキルラジカルであるか、あるいは、R4及びR5は、これらが結合している窒素原子と共にピロリジニル環を形成し、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)から、ハライドの群から、最大8個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキリドの群から、最大10個までのC原子を有する置換若しくは無置換アリーリド及びヘテロアリーリドの群から、アルコキシラート配位子の群から、アルキルチオラート配位子若しくはアルキルセレノラート配位子の群から、又は二級アミド配位子の群から選択されるモノアニオン性共配位子であり、
Yは、オキソ基[O]2−、スルフィド基[S]2−、又はイミド基[NR6]2−から選択されるジアニオン性共配位子であり、R6は、最大8個までの炭素原子を有する環状、分岐鎖、若しくは直鎖アルキルであるか、又は最大20個までの炭素原子を有する置換若しくは無置換アリールであり、
Lは、中性二電子ドナー配位子であり、
aは、1〜4の整数であり、
n、m、及びpはそれぞれ、互いに独立に、0、1、2、3、又は4である]の金属錯体である、金属錯体。 - Mは、元素周期表(PTE)の第1族〜第15族、ランタニド、又はアクチニドから選択される金属であり、
R1は、水素、又は最大5個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキルラジカル、NH2、N(CH3)2、又はN(C2H5)2であり、
R2は、水素、又は最大5個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキルラジカル、NH2、N(CH3)2、又はN(C2H5)2であり、
R3は、水素、又は最大8個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキルラジカル、NH2、N(CH3)2、又はN(C2H5)2であり、
R4及びR5は、互いに独立に、水素、又は最大4個までの炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキルラジカルであり、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)から、ハライドの群から、最大8個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキリドの群から、最大10個までのC原子を有する置換若しくは無置換アリーリド及びヘテロアリーリドの群から、アルコキシラート配位子の群から、アルキルチオラート配位子若しくはアルキルセレノラート配位子の群から、又は二級アミド配位子の群から選択されるモノアニオン性共配位子であり、
Yは、オキシド基[O]2−又はイミド基[NR6]2−から選択されるジアニオン性共配位子であり、R6は、最大8個までの炭素原子を有する環状、分岐鎖、若しくは直鎖アルキルであるか、又は最大20個までの炭素原子を有する置換若しくは無置換アリールであり、
Lは、中性二電子ドナー配位子であり、
aは、1〜4の整数であり、
n、m、及びpはそれぞれ、互いに独立に、0、1、2、3、又は4である、請求項1に記載の金属錯体。 - R1は、水素、又は最大5個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキルラジカルであり、
R2は、水素、又は最大5個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキルラジカルであり、
R3は、水素、又は最大5個までの炭素原子を有する環状、直鎖、若しくは分岐鎖アルキルラジカル、NH2、N(CH3)2、又はN(C2H5)2であり、
R4及びR5は、互いに独立に、水素、又は最大3個までの炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキルラジカルであり、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)、メチリド(CH3 −)、エチリド(C2H5 −)、イソプロピリド(iso−C3H7 −)、tert−ブチリド(tert−C4H9 −)、フェニリドアニオン(C6H5 −)、ortho−、meta−、若しくはpara−トリリドアニオン[C6H4(CH3)]−、チオフェン−2−イリドアニオン(C4H3S−)、メチラート(MeO−)、エチラート(EtO−)、tert−ブチラート(tert−BuO−)、MeS−、MeSe−、(tert−Bu)S−、(tert−Bu)Se−、ジメチルアミド(NMe2 −)、ジエチルアミド(NEt2 −)、メチルエチルアミド(NMeEt−)、N−ピロリジド[NC4H8]−、クロリド(Cl−)、又はブロミド(Br−)であり、
Yは、オキソ基[O]2−又はイミド基[NR6]2−であり、R6は、最大6個までのC原子を有する環状、分岐鎖、若しくは直鎖アルキルであるか、又は最大12個までのC原子を有する置換若しくは無置換アリールである、請求項1又は2に記載の金属錯体。 - R1は、水素、又は最大4個までの炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキルラジカルであり、
R2は、水素、又は最大4個までの炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキルラジカルであり、
R3は、水素、CH3、C2H5、NH2、N(CH3)2、又はN(C2H5)2であり、
R4及びR5は、互いに独立に、水素、CH3、又はC2H5であり、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)、メチリド(CH3 −)、エチリド(C2H5 −)、フェニリドアニオン(C6H5 −)、ortho−、meta−、若しくはpara−トリリドアニオン[C6H4(CH3)]−、メチラート(MeO−)、エチラート(EtO−)、MeS−、MeSe−、ジメチルアミド(NMe2 −)、ジエチルアミド(NEt2 −)、メチルエチルアミド(NMeEt−)、クロリド(Cl−)、又はブロミド(Br−)であり、
Yは、オキソ基[O]2−又はイミド基[NR6]2−であり、R6は、最大5個までのC原子を有する分岐鎖若しくは直鎖アルキルであるか、又は最大8個までのC原子を有する置換若しくは無置換アリールである、請求項1、2、又は3に記載の金属錯体。 - R1は、水素、又は最大3個までの炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキルラジカルであり、
R2は、水素、又は最大3個までの炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキルラジカルであり、
R3は、CH3、C2H5、N(CH3)2、又はN(C2H5)2であり、
R4及びR5は、互いに独立に、CH3又はC2H5であり、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)、メチリド(CH3 −)、エチリド(C2H5 −)、フェニリドアニオン(C6H5 −)、ortho−、meta−、若しくはpara−トリリドアニオン[C6H4(CH3)]−、メチラート(MeO−)、MeS−、ジメチルアミド(NMe2 −)、ジエチルアミド(NEt2 −)、又はクロリド(Cl−)であり、
Yは、イミド基[NR6]2−であり、R6は、最大4個までのC原子を有する直鎖又は分岐鎖アルキルである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の金属錯体。 - R1及びR2は、両方とも、互いに独立に、最大3個までの炭素原子を有する直鎖アルキルラジカルであり、
R3は、CH3、C2H5、又はN(CH3)2であり、
R4及びR5は、互いに独立に、CH3又はC2H5であり、
Xは、ヒドリドアニオン(H−)、メチリド(CH3 −)、エチリド(C2H5 −)、イソプロピリド(iso−C3H7 −)であり、
Yは、イミド基[NtBu]2−である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の金属錯体。 - 前記N−アミノグアジネート配位子は、N−ジメチルアミノ−N’,N’’−トリメチルグアジネート(datg)である、請求項8に記載の金属錯体。
- Mは、B、Al、Ga、In、又はPdである、請求項8又は9に記載の金属錯体。
- 前記N−アミノグアニジナート配位子は、N,N’−ビスジメチルアミノ−N’’−ジメチルグアニジナート(bdmg)である、請求項11に記載の金属錯体。
- Mは、Ga、Zn、又はFeである、請求項11又は12に記載の金属錯体。
- Xは、メチリドであり、a及びnは、両方とも1又は2である、請求項11〜13のいずれか一項に記載の金属錯体。
- Mは、Ce、Pr、Nd、Sm、又はYbであり、nは0であり、aは3である、請求項16に記載の金属錯体。
- Lは、ピリジン、ジオキサン、NH3、THF、CO、アルキルホスフィン、又はアリールホスフィンから選択される、請求項1〜17のいずれか一項に記載の金属錯体。
- Lは、ピリジン、NH3、CO、PMe3、PCy3、及びPPh3から選択される、請求項1〜18のいずれか一項に記載の金属錯体。
- Lは、NH3及びCOから選択される、請求項1〜19のいずれか一項に記載の金属錯体。
- Mは、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pa)、及び白金(Pt)の群から選択される、請求項1〜20のいずれか一項に記載の金属錯体。
- Mは、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、及びパラジウム(Pa)の群から選択される、請求項1〜21のいずれか一項に記載の金属錯体。
- 請求項1〜22のいずれか一項に記載の金属錯体を調製するためのプロセスであって、
1)N−アミノグアニジン配位子を調製する工程と、
2)前記N−アミノグアニジン配位子から前記金属錯体を調製する工程と、を含む、プロセス。 - 工程2)は、以下の、
a)前記N−アミノグアニジン配位子を任意選択的に脱プロトン化して、N−アミノグアニジナート配位子を形成する反応工程と、
b)前記N−アミノグアニジン配位子又は任意選択的な工程a)から得られた前記N−アミノグアニジナート配位子と、少なくとも1種の金属出発化合物と、反応溶媒と、を含む、金属錯体調製混合物を提供する反応工程と、
c)得られた前記金属錯体調製混合物を任意選択的な撹拌を伴って温置する反応工程と、
d)前記反応溶媒を蒸発させる反応工程と、
e)残留している反応生成物を、好ましくは、洗浄溶媒を用いる洗浄によって、任意選択的に精製する反応工程と、を含む、請求項23に記載のプロセス。 - 前記反応溶媒は、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、ジクロロメタン、クロロホルム、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、及びこれらの混合物から選択される、請求項23に記載のプロセス。
- 薄膜処理における前駆体として、オレフィンヒドロアミノ化用触媒として、オレフィン重合用触媒として、又はこれらの組み合わせとしての、請求項1〜22のいずれか一項に記載の金属錯体の使用。
- 前記薄膜処理は、CVDプロセス、MO−CVDプロセス、及びALDプロセスの群から選択される、請求項26に記載の使用。
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