RU2016134923A - Способ образования тонких неорганических пленок - Google Patents
Способ образования тонких неорганических пленок Download PDFInfo
- Publication number
- RU2016134923A RU2016134923A RU2016134923A RU2016134923A RU2016134923A RU 2016134923 A RU2016134923 A RU 2016134923A RU 2016134923 A RU2016134923 A RU 2016134923A RU 2016134923 A RU2016134923 A RU 2016134923A RU 2016134923 A RU2016134923 A RU 2016134923A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- general formula
- compound
- integer
- independently
- solid substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 3
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/04—Nickel compounds
- C07F15/045—Nickel compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/06—Cobalt compounds
- C07F15/065—Cobalt compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/003—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table without C-Metal linkages
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Claims (31)
1. Способ образования тонкой пленки на твердом субстрате, причем способ включает перевод в газообразное или аэрозольное состояние соединения общей формулы (I)
где
R1, R2, R3, R4, R5 и R6 независимо друг от друга представляют собой водород, алкильную группу или триалкилсилильную группу,
n является целым числом от 1 до 3,
М представляет собой металл или полуметалл,
X представляет собой лиганд, который координируется с М, и
m является целым числом от 0 до 4,
и осаждение соединения общей формулы (I) из газообразного или аэрозольного состояния на твердый субстрат.
2. Способ по п. 1, в котором соединение общей формулы (I) хемисорбировано на поверхности твердого субстрата.
3. Способ по п. 1, в котором осажденное соединение общей формулы (I) разлагается посредством удаления всех лигандов L и X.
4. Способ по п. 3, в котором на разложение влияет воздействие воды, кислородной плазмы или озона.
5. Способ по п. 3, в котором последовательность осаждения соединения общей формулы (I) на твердый субстрат и разложения осажденного соединения общей формулы (I) осуществляют по меньшей мере дважды.
6. Способ по любому из пп. 1-5, в котором М представляет собой Sr, Ва, Ni или Со.
7. Способ по любому из пп. 1-5, в котором R2 и R5 независимо друг от друга представляют собой водород или метил.
8. Соединение общей формулы (I), в котором
R1, R2, R3, R4, R5 и R6 независимо друг от друга представляют собой водород, алкильную группу или триалкилсилильную группу,
n является целым числом от 1 до 3,
М представляет собой Sr, Ва, Со или Ni,
X представляет собой лиганд, который координируется с М, и
m является целым числом от 0 до 4.
9. Соединение по п. 8, в котором R3 и R4 представляют собой водород.
10. Соединение по п. 8, в котором n равно 2 и m равно 0.
11. Соединение по любому из пп. 8-10, в котором R2 и R5 независимо друг от друга представляют собой водород или метил.
12. Применение соединения общей формулы (I), в котором
R1, R2, R3, R4, R5 и R6 независимо друг от друга представляют собой водород, алкильную группу или триалкилсилильную группу,
n является целым числом от 1 до 3,
М представляет собой металл или полуметалл,
X представляет собой лиганд, который координируется с М, и
m является целым числом от 0 до 4,
для способа образования пленки на твердом субстрате.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP14152683.0 | 2014-01-27 | ||
| EP14152683 | 2014-01-27 | ||
| PCT/EP2015/051181 WO2015110492A1 (en) | 2014-01-27 | 2015-01-22 | Process for the generation of thin inorganic films |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016134923A true RU2016134923A (ru) | 2018-03-05 |
| RU2016134923A3 RU2016134923A3 (ru) | 2018-10-23 |
Family
ID=49998177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016134923A RU2016134923A (ru) | 2014-01-27 | 2015-01-22 | Способ образования тонких неорганических пленок |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160348243A1 (ru) |
| EP (1) | EP3099837A1 (ru) |
| JP (1) | JP2017505858A (ru) |
| KR (1) | KR20160113667A (ru) |
| CN (1) | CN107075678A (ru) |
| IL (1) | IL246810A0 (ru) |
| RU (1) | RU2016134923A (ru) |
| SG (1) | SG11201606042SA (ru) |
| WO (1) | WO2015110492A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MX2017009473A (es) | 2015-01-20 | 2017-11-02 | Basf Coatings Gmbh | Proceso para la produccion de laminados flexibles organicos-inorganicos. |
| US10850982B2 (en) | 2015-04-29 | 2020-12-01 | Basf Se | Stabilization of sodium dithionite by means of various additives |
| WO2017129440A1 (en) | 2016-01-27 | 2017-08-03 | Basf Se | Process for the generation of thin inorganic films |
| WO2018015305A1 (en) * | 2016-07-18 | 2018-01-25 | Basf Se | Hapto-3-pentadienyl cobalt or nickel precursors and their use in thin film deposition processes |
| SG11202005468YA (en) * | 2017-12-20 | 2020-07-29 | Basf Se | Process for the generation of metal-containing films |
| EP3781577A1 (en) * | 2018-04-17 | 2021-02-24 | Basf Se | Aluminum precursor and process for the generation of metal-containing films |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001261638A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | ２，５−ジイミノメチルピロール骨格を有する配位子を有する新規金属錯体化合物及びこれを含むα−オレフィン重合用触媒 |
| WO2012057884A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods |
| US8691985B2 (en) * | 2011-07-22 | 2014-04-08 | American Air Liquide, Inc. | Heteroleptic pyrrolecarbaldimine precursors |
-
2015
- 2015-01-22 KR KR1020167023277A patent/KR20160113667A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-01-22 EP EP15701181.8A patent/EP3099837A1/en not_active Withdrawn
- 2015-01-22 RU RU2016134923A patent/RU2016134923A/ru not_active Application Discontinuation
- 2015-01-22 CN CN201580006067.9A patent/CN107075678A/zh active Pending
- 2015-01-22 JP JP2016548706A patent/JP2017505858A/ja not_active Withdrawn
- 2015-01-22 WO PCT/EP2015/051181 patent/WO2015110492A1/en active Application Filing
- 2015-01-22 SG SG11201606042SA patent/SG11201606042SA/en unknown
- 2015-01-22 US US15/114,666 patent/US20160348243A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-07-18 IL IL246810A patent/IL246810A0/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG11201606042SA (en) | 2016-08-30 |
| JP2017505858A (ja) | 2017-02-23 |
| KR20160113667A (ko) | 2016-09-30 |
| IL246810A0 (en) | 2016-08-31 |
| WO2015110492A1 (en) | 2015-07-30 |
| EP3099837A1 (en) | 2016-12-07 |
| RU2016134923A3 (ru) | 2018-10-23 |
| CN107075678A (zh) | 2017-08-18 |
| US20160348243A1 (en) | 2016-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2016134923A (ru) | Способ образования тонких неорганических пленок | |
| EP3095788A3 (en) | Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same | |
| TW201612354A (en) | Group 6 film forming compositions for vapor deposition of group 6 transition metal-containing films | |
| TW201612352A (en) | Method for hydrophobization of surface of silicon-containing film by ALD | |
| JP2017501303A5 (ru) | ||
| SG10201810679XA (en) | Vapor deposition processes for forming silicon- and nitrogen-containing thin films | |
| JP2015510502A5 (ru) | ||
| FI20105901L (fi) | Laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan muokkaamiseksi | |
| MY185883A (en) | Perovskite material layer processing | |
| JP2012162804A5 (ru) | ||
| JP2016520672A5 (ru) | ||
| JP2014193856A5 (ru) | ||
| WO2012158953A3 (en) | Coated electronic devices and associated methods | |
| JP2010235633A5 (ru) | ||
| MY182675A (en) | Antifouling paint composition, copolymer for antifouling paint composition and method for manufacturing same, and painted object having on surface antifouling paint film formed using said composition | |
| RU2017109679A (ru) | Имидазольное соединение, жидкость для обработки металлической поверхности, способ отбработки металлической поверхности и способ изготовления ламината | |
| TW201612214A (en) | Polymer, organic layer composition, organic layer, and method of forming patterns | |
| JP2015503441A5 (ru) | ||
| JP2017515885A5 (ru) | ||
| EA201892387A1 (ru) | Применение соединений затрудненных аминов на основе морфолина для селективного удаления сульфида водорода | |
| WO2015038267A3 (en) | Graphene synthesis by suppressing evaporative substrate loss during low pressure chemical vapor deposition | |
| FR3033554B1 (fr) | Procede de formation d'un dispositif en graphene | |
| IL275283B1 (en) | A process for the production of layers containing metal | |
| WO2016072850A3 (en) | Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus | |
| RU2016135995A (ru) | Атомно-слоевое осаждение германия или оксида германия |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20190212 |