RU2016125516A - Компонент на кремниевой основе, имеющий по меньшей мере одну фаску, и способ его изготовления - Google Patents

Компонент на кремниевой основе, имеющий по меньшей мере одну фаску, и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2016125516A
RU2016125516A RU2016125516A RU2016125516A RU2016125516A RU 2016125516 A RU2016125516 A RU 2016125516A RU 2016125516 A RU2016125516 A RU 2016125516A RU 2016125516 A RU2016125516 A RU 2016125516A RU 2016125516 A RU2016125516 A RU 2016125516A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
etching
micromechanical component
order
protective layer
stage
Prior art date
Application number
RU2016125516A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2710522C1 (ru
Inventor
Алекс ГАНДЕЛЬМАН
Original Assignee
Ниварокс-Фар С.А.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ниварокс-Фар С.А. filed Critical Ниварокс-Фар С.А.
Publication of RU2016125516A publication Critical patent/RU2016125516A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2710522C1 publication Critical patent/RU2710522C1/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04D—APPARATUS OR TOOLS SPECIALLY DESIGNED FOR MAKING OR MAINTAINING CLOCKS OR WATCHES
    • G04D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00523—Etching material
    • B81C1/00531—Dry etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B1/00—Devices without movable or flexible elements, e.g. microcapillary devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00087—Holes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00103—Structures having a predefined profile, e.g. sloped or rounded grooves
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
    • B81C99/008—Manufacture of substrate-free structures separating the processed structure from a mother substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B17/00—Mechanisms for stabilising frequency
    • G04B17/04—Oscillators acting by spring tension
    • G04B17/06—Oscillators with hairsprings, e.g. balance
    • G04B17/066—Manufacture of the spiral spring
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B19/00—Indicating the time by visual means
    • G04B19/06—Dials
    • G04B19/12—Selection of materials for dials or graduations markings
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B37/00—Cases
    • G04B37/22—Materials or processes of manufacturing pocket watch or wrist watch cases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03—Microengines and actuators
    • B81B2201/035—Microgears
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0369—Static structures characterized by their profile
    • B81B2203/0384—Static structures characterized by their profile sloped profile
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0128—Processes for removing material
    • B81C2201/013—Etching
    • B81C2201/0132—Dry etching, i.e. plasma etching, barrel etching, reactive ion etching [RIE], sputter etching or ion milling
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0128—Processes for removing material
    • B81C2201/013—Etching
    • B81C2201/0135—Controlling etch progression
    • B81C2201/0138—Monitoring physical parameters in the etching chamber, e.g. pressure, temperature or gas composition
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0128—Processes for removing material
    • B81C2201/013—Etching
    • B81C2201/0135—Controlling etch progression
    • B81C2201/014—Controlling etch progression by depositing an etch stop layer, e.g. silicon nitride, silicon oxide, metal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Claims (24)

1. Способ (11) изготовления микромеханического компонента (101, 111), полученного из материала на кремниевой основе, включающий следующие далее стадии:
a) обеспечение подложки (40) на кремниевой основе;
b) формирование маски (43), пронизанной отверстиями (45), на горизонтальной части подложки (40);
c) протравливание в травильной камере предварительно определенных наклонных стенок (46) на части толщины подложки (40) от отверстий (45) в маске (43) в целях формирования верхних фасочных поверхностей (106) микромеханического компонента (101, 111);
d) протравливание в указанной травильной камере по существу вертикальных стенок (47) на по меньшей мере части толщины подложки (40) от дна области (49), представляющей собой результат травления, полученной на стадии с), в целях получения периферийных стенок (105) микромеханического компонента (101, 111) под верхними фасочными поверхностями (106);
e) освобождение микромеханического компонента (101, 111) от подложки (40) и маски (43).
2. Способ (11) по п. 1, отличающийся тем, что стадию с) осуществляют в результате перемешивания травильного газа и пассивирующего газа в травильной камере в целях получения указанных предварительно определенных наклонных стенок (46).
3. Способ (11) по п. 2, отличающийся тем, что на стадии с) непрерывные потоки травильного и пассивирующего газов подают в режиме пульсации для улучшения пассивирования на уровне дна.
4. Способ (11) по п. 1, отличающийся тем, что стадию d) осуществляют в результате чередования потока травильного газа и потока пассивирующего газа в травильной камере в целях получения указанных по существу вертикальных стенок (47).
5. Способ (11) по п. 1, отличающийся тем, что между стадией d) и стадией е) способ дополнительно включает следующие далее стадии:
f) формирование защитного слоя (52) на указанных предварительно определенных наклонных стенках (46) и указанных по существу вертикальных стенках (47), оставляя при этом дно области (51), представляющей собой результат травления, полученной на стадии d), без какого-либо защитного слоя;
g) протравливание в указанной травильной камере вторых предварительно определенных наклонных стенок (48) на оставшейся толщине подложки (40) от дна области (51), представляющей собой результат травления, полученной на стадии d), без какого-либо защитного слоя в целях формирования нижних фасочных поверхностей (109) микромеханического компонента (101, 111).
6. Способ (11) по п. 5, отличающийся тем, что стадию g) осуществляют в результате перемешивания травильного газа и пассивирующего газа в травильной камере в целях получения указанных вторых предварительно определенных наклонных стенок (48).
7. Способ (11) по п. 6, отличающийся тем, что на стадии g) непрерывные потоки травильного и пассивирующего газов подают в режиме пульсации для улучшения травления на уровне дна.
8. Способ (11) по п. 5, отличающийся тем, что стадия f) включает следующие далее фазы:
f1) окисление указанных предварительно определенных наклонных стенок (46) и указанных по существу вертикальных стенок (47) для формирования защитного слоя (52) диоксида кремния;
f2) направленное травление указанного защитного слоя (52) диоксида кремния в целях селективного удаления только части защитного слоя (52) со дна области (51), представляющей собой результат травления, полученной на стадии d).
9. Способ (11) по п. 5, отличающийся тем, что перед стадией е) способ (11) дополнительно включает следующую далее стадию:
h) заполнение полости (53), созданной во время указанных травлений микромеханического компонента (101, 111), образованной верхней фасочной поверхностью (106), периферийной стенкой (105) и нижней фасочной поверхностью (109), металлом или металлическим сплавом в целях придания средства присоединения микромеханическому компоненту (101, 111).
10. Микромеханический компонент (101, 111), полученный при использовании способа по п. 1, отличающийся тем, что он содержит тело (103) на кремниевой основе, по существу вертикальная периферийная стенка (105) которого граничит с горизонтальной верхней поверхностью (104) через верхнюю фасочную поверхность (106).
11. Микромеханический компонент (101, 111) по п. 10, отличающийся тем, что указанная по существу вертикальная периферийная стенка (105) тела (103) также граничит с горизонтальной нижней поверхностью (108) через нижнюю фасочную поверхность (109).
12. Микромеханический компонент (101, 111) по п. 10, отличающийся тем, что он дополнительно содержит по меньшей мере одну полость (110), имеющую по существу вертикальную внутреннюю стенку, также содержащую промежуточные верхнюю и нижнюю фасочные поверхности между горизонтальными верхней и нижней поверхностями.
13. Микромеханический компонент (101, 111) по п. 12, отличающийся тем, что указанная по меньшей мере одна полость (110) по меньшей мере частично заполнена металлом или металлическим сплавом (112) для придания средства присоединения микромеханическому компоненту (101, 111).
14. Микромеханический компонент (101, 111) по любому из пп. 10-13, отличающийся тем, что микромеханический компонент (101, 111) образует весь элемент или часть элемента движущихся или наружных деталей часов.
RU2016125516A 2015-06-25 2016-06-24 Компонент на кремниевой основе, имеющий по меньшей мере одну фаску, и способ его изготовления RU2710522C1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15173823.4 2015-06-25
EP15173823 2015-06-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2016125516A true RU2016125516A (ru) 2017-12-26
RU2710522C1 RU2710522C1 (ru) 2019-12-26

Family

ID=53496483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016125516A RU2710522C1 (ru) 2015-06-25 2016-06-24 Компонент на кремниевой основе, имеющий по меньшей мере одну фаску, и способ его изготовления

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10197973B2 (ru)
EP (1) EP3109199B1 (ru)
JP (1) JP6381586B2 (ru)
CN (1) CN106276779B (ru)
RU (1) RU2710522C1 (ru)
TW (1) TWI736533B (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107934905B (zh) * 2017-11-24 2020-02-28 中国矿业大学 一种微机电系统的运动部件及其加工方法
EP3543795A1 (fr) * 2018-03-20 2019-09-25 Patek Philippe SA Genève Procede de fabrication de composants horlogers en silicium
CH715242A2 (fr) * 2018-08-09 2020-02-14 Nivarox Sa Composant notamment horloger avec une topologie de surface et son procédé de fabrication.
EP3709102A1 (fr) * 2019-03-14 2020-09-16 Omega SA Composant d'horlogerie ou de bijouterie a base ceramique et a decor structure
JP6908064B2 (ja) * 2019-03-14 2021-07-21 セイコーエプソン株式会社 時計用部品、時計用ムーブメントおよび時計
TWI727285B (zh) * 2019-03-22 2021-05-11 瑞士商尼瓦克斯 法爾公司 矽游絲的製造方法
US10818625B1 (en) * 2019-06-19 2020-10-27 Nanya Technology Corporation Electronic device
EP3764169B1 (fr) * 2019-07-10 2023-03-15 Patek Philippe SA Genève Procede pour depolir par endroits un composant horloger en silicium
JP7238657B2 (ja) * 2019-07-16 2023-03-14 セイコーエプソン株式会社 時計用部品、時計用ムーブメントおよび時計
TW202129077A (zh) * 2019-10-11 2021-08-01 日商聯合精密科技股份有限公司 金屬加工部件及其製造方法、具備該金屬加工部件的部件搭載模組
US11712766B2 (en) * 2020-05-28 2023-08-01 Toyota Motor Engineering And Manufacturing North America, Inc. Method of fabricating a microscale canopy wick structure having enhanced capillary pressure and permeability

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065566A (ja) * 1992-06-17 1994-01-14 Sony Corp 順テーパー形状を得るエッチング方法
CH698837B1 (fr) 2003-02-06 2009-11-13 Eta Sa Mft Horlogere Suisse Spiral de résonateur balancier-spiral et son procédé de fabrication.
EP1557875A1 (en) * 2003-12-29 2005-07-27 STMicroelectronics S.r.l. Process for forming tapered trenches in a dielectric material
ATE512452T1 (de) * 2005-11-28 2011-06-15 Abb Research Ltd Kontaktkonfigurationen für mems-relais und mems- schalter und herstellungsverfahren dafür
US7829465B2 (en) * 2006-08-09 2010-11-09 Shouliang Lai Method for plasma etching of positively sloped structures
EP1921042A1 (fr) * 2006-11-10 2008-05-14 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Procédé de fabrication de pièces de micromécanique multiniveaux en silicium et pièces ainsi obtenues
RU2010130570A (ru) * 2007-12-21 2012-01-27 Солвей Флуор Гмбх (De) Способ получения микроэлектромеханических систем
US20100013060A1 (en) * 2008-06-22 2010-01-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming a conductive trench in a silicon wafer and silicon wafer comprising such trench
CH699476B1 (fr) * 2008-08-29 2013-03-28 Patek Philippe Sa Geneve Procédé de fabrication d'un composant horloger en silicium.
EP2189854A1 (fr) * 2008-11-21 2010-05-26 Nivarox-FAR S.A. Procédé de fabrication d'une pièce de micromécanique
EP2230207A1 (fr) * 2009-03-13 2010-09-22 Nivarox-FAR S.A. Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication
EP2263971A1 (fr) * 2009-06-09 2010-12-22 Nivarox-FAR S.A. Pièce de micromécanique composite et son procédé de fabrication
US8847400B2 (en) * 2010-09-15 2014-09-30 Ps4 Luxco S.A.R.L. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and data processing device
EP2484628A1 (fr) * 2011-02-03 2012-08-08 Nivarox-FAR S.A. Pièce de micromécanique à faible ruguosité de surface
JP5613620B2 (ja) * 2011-05-27 2014-10-29 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
US8481341B2 (en) * 2011-11-05 2013-07-09 Tokyo Electron Limited Epitaxial film growth in retrograde wells for semiconductor devices
FR2984594A1 (fr) * 2011-12-20 2013-06-21 St Microelectronics Crolles 2 Procede de realisation d'une tranchee profonde dans un substrat de composant microelectronique
CN103578967A (zh) * 2012-07-19 2014-02-12 上海华虹Nec电子有限公司 改善沟槽型igbt 栅极击穿能力的制备方法
US8765609B2 (en) * 2012-07-25 2014-07-01 Power Integrations, Inc. Deposit/etch for tapered oxide
CN103035561B (zh) * 2012-08-31 2015-04-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 深沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法
JP5725052B2 (ja) * 2013-02-01 2015-05-27 セイコーエプソン株式会社 ノズルプレートの製造方法及び流体噴射ヘッドの製造方法
JP6025201B2 (ja) * 2013-02-22 2016-11-16 セイコーインスツル株式会社 回転部品、ムーブメント、時計、及び回転部品の製造方法
CH708453B1 (fr) * 2013-08-20 2017-05-15 Sigatec Sa Procédé de fabrication d'une pièce de micro-mécanique et pièce fabriquée à l'aide de ce procédé.
CN103456620B (zh) * 2013-09-11 2016-03-02 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
US9496337B2 (en) * 2013-12-19 2016-11-15 Infineon Technologies Austria Ag Method for producing a semiconductor device having a beveled edge termination

Also Published As

Publication number Publication date
RU2710522C1 (ru) 2019-12-26
EP3109199A1 (fr) 2016-12-28
CN106276779A (zh) 2017-01-04
CN106276779B (zh) 2019-04-16
TW201712745A (zh) 2017-04-01
EP3109199B1 (fr) 2022-05-11
US20160378064A1 (en) 2016-12-29
US10197973B2 (en) 2019-02-05
JP6381586B2 (ja) 2018-08-29
TWI736533B (zh) 2021-08-21
JP2017007086A (ja) 2017-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2016125516A (ru) Компонент на кремниевой основе, имеющий по меньшей мере одну фаску, и способ его изготовления
RU2016125427A (ru) Микромеханический компонент, характеризующийся уменьшенной поверхностью контакта, и способ его изготовления
MY186577A (en) Sic wafer producing method
WO2008135817A3 (fr) Composant horloger et son procédé de fabrication
MY186677A (en) Sic wafer producing method
MY187221A (en) Sic wafer producing method
MY175831A (en) Wafer producing method
MY180541A (en) Wafer producing method
RU2015137085A (ru) Лопатка ротора газотурбинного двигателя
FR2940173B1 (fr) Procede de fabrication d'une piece de forme par tissage 3d et piece de forme ainsi obtenue.
MY177494A (en) Wafer producing method
MY171644A (en) Wafer producing method
RU2016118544A (ru) Способ получения детали часов или ювелирных изделий из композиционного материала и деталь из композиционного материала, полученная таким способом
WO2010105617A3 (de) Tiegel zum schmelzen und kristallisieren eines metalls, eines halbleiters oder einer metalllegierung, bauteil für einen tiegelgrundkörper eines tiegels und verfahren zum herstellen eines bauteils
JP2011077434A5 (ru)
RU2017125136A (ru) Способ изготовления лопатки газотурбинного двигателя, содержащей вершину со сложной полостью
EP2538436A3 (en) Hermetically Sealed Wafer Packages
EP2784600A3 (fr) Procédé de fabrication d'une pièce micro-mécanique essentiellement plane, et pièce micro-mécanique comportant au moins une portion formée d'oxyde de silicium
TWI530449B (zh) 複合微機電系統晶片及其製作方法
US10981783B2 (en) Component especially for horology with surface topology and method for manufacturing the same
MY168105A (en) Method for manufacturing a silicon monocrystal seed and a silicon-wafer, silicon-wafer and silicon solar-cell
WO2011117181A3 (de) Verfahren zur herstellung einer mikroelektromechanischen vorrichtung und mikroelektromechanische vorrichtung
ATE370264T1 (de) Verfahren zur herstellung von substraten, insbesondere für die optik, elektronik und optoelektronik
JP2018022926A5 (ru)
PL410172A1 (pl) Surowy odlew ciśnieniowy ze stopów metali nieżelaznych oraz sposób wykonania surowego odlewu ciśnieniowego ze stopów metali nieżelaznych