JPH065566A - 順テーパー形状を得るエッチング方法 - Google Patents
順テーパー形状を得るエッチング方法Info
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- JPH065566A JPH065566A JP18306992A JP18306992A JPH065566A JP H065566 A JPH065566 A JP H065566A JP 18306992 A JP18306992 A JP 18306992A JP 18306992 A JP18306992 A JP 18306992A JP H065566 A JPH065566 A JP H065566A
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- etching
- gas
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- etched
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来困難であった順テーパー形状を容易に得
ることができるエッチング方法を提供する。 【構成】 Ｃｌ系ガス等イオン主体のエッチングを進行
させるエッチャント（好ましくは４７．１％以上のＣｌ
系ガス流量比）によるエッチングの際、Ｓｉ等被エッチ
ング材１に堆積部３を形成するフッ化炭化水素系ガス等
の堆積性ガスを添加して被エッチング材１に順テーパー
形状を得るエッチング方法。
ることができるエッチング方法を提供する。 【構成】 Ｃｌ系ガス等イオン主体のエッチングを進行
させるエッチャント（好ましくは４７．１％以上のＣｌ
系ガス流量比）によるエッチングの際、Ｓｉ等被エッチ
ング材１に堆積部３を形成するフッ化炭化水素系ガス等
の堆積性ガスを添加して被エッチング材１に順テーパー
形状を得るエッチング方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、順テーパー形状を得る
エッチング方法に関する。本発明は、例えば電子材料
（半導体装置等）の形成の際のエッチング方法として利
用できる。被エッチング材について、順テーパー形状を
得たい場合があるが、本発明はこのような場合に有効に
用いられるエッチング方法を提供するものである。
エッチング方法に関する。本発明は、例えば電子材料
（半導体装置等）の形成の際のエッチング方法として利
用できる。被エッチング材について、順テーパー形状を
得たい場合があるが、本発明はこのような場合に有効に
用いられるエッチング方法を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、各種の分野でエッチングガス
を用いたエッチング技術が利用されている。例えば電子
材料形成の分野では、ラジカル主体のエッチング、即
ち、生成したラジカル種が主としてエッチングを進行さ
せるエッチャントを用いるエッチングや、あるいは、イ
オン主体のエッチング、即ち、生成したイオン種が主と
してエッチングを進行させるエッチャントを用いるエッ
チングが採用されている。また、エッチングを進行させ
るとともに、ポリマー等を被エッチング材に堆積させる
堆積性ガス（以下、適宜「デポガス」と称することもあ
る）が、側壁保護により良好なエッチング形状を得るた
めなどに用いられている。
を用いたエッチング技術が利用されている。例えば電子
材料形成の分野では、ラジカル主体のエッチング、即
ち、生成したラジカル種が主としてエッチングを進行さ
せるエッチャントを用いるエッチングや、あるいは、イ
オン主体のエッチング、即ち、生成したイオン種が主と
してエッチングを進行させるエッチャントを用いるエッ
チングが採用されている。また、エッチングを進行させ
るとともに、ポリマー等を被エッチング材に堆積させる
堆積性ガス（以下、適宜「デポガス」と称することもあ
る）が、側壁保護により良好なエッチング形状を得るた
めなどに用いられている。
【０００３】ところで、従来のラジカル主体のエッチャ
ントとデポガスとの混合ガスによる側壁保護エッチング
プロセスでは、エッチング速度が速く、また側壁ポリマ
ーへのラジカルのアタックが多いことが理由で、順テー
パー形状は得難かった。また、順テーパーを強めようと
デポガスを増やすと、平面部へのポリマー堆積が起こ
り、均一性の悪化、面荒れなどが生じてしまう。しか
し、ラジカル主体のエッチャントを用いる従来技術を用
いようとする限り、他の方法では順テーパー形状を得る
ことは無理である。
ントとデポガスとの混合ガスによる側壁保護エッチング
プロセスでは、エッチング速度が速く、また側壁ポリマ
ーへのラジカルのアタックが多いことが理由で、順テー
パー形状は得難かった。また、順テーパーを強めようと
デポガスを増やすと、平面部へのポリマー堆積が起こ
り、均一性の悪化、面荒れなどが生じてしまう。しか
し、ラジカル主体のエッチャントを用いる従来技術を用
いようとする限り、他の方法では順テーパー形状を得る
ことは無理である。
【０００４】この問題について更に述べると、以下のと
おりである。ドライエッチングでは、エッチング形状の
異方度は、反応ガスの種類、ガス圧力、出力、周波数な
どに依存する。ガスの種類について言えば、被エッチン
グ材が単結晶Ｓｉあるいは多結晶Ｓｉの場合、エッチャ
ントをＳＦ6 、ＣＦ4 、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＣＣｌ3 Ｆ、Ｃ
Ｃｌ4 、Ｃｌ2 と選ぶことにより、またＣＦ4 とＣｌ2
との混合比を変化させることにより、反応ガス中のＦと
Ｃｌの割合を変化させると、Ｃｌが多くなるにつれ等方
性から異方性エッチングに変化する。ガス圧力について
言えば、高圧では試料表面へ加速されるイオンは中性ガ
ス分子と衝突し、エネルギーが減少すると同時に、運動
量分布がより等方的になる。
おりである。ドライエッチングでは、エッチング形状の
異方度は、反応ガスの種類、ガス圧力、出力、周波数な
どに依存する。ガスの種類について言えば、被エッチン
グ材が単結晶Ｓｉあるいは多結晶Ｓｉの場合、エッチャ
ントをＳＦ6 、ＣＦ4 、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＣＣｌ3 Ｆ、Ｃ
Ｃｌ4 、Ｃｌ2 と選ぶことにより、またＣＦ4 とＣｌ2
との混合比を変化させることにより、反応ガス中のＦと
Ｃｌの割合を変化させると、Ｃｌが多くなるにつれ等方
性から異方性エッチングに変化する。ガス圧力について
言えば、高圧では試料表面へ加速されるイオンは中性ガ
ス分子と衝突し、エネルギーが減少すると同時に、運動
量分布がより等方的になる。
【０００５】一方、低圧になるに従い、イオンと中性分
子の散乱距離がシースの厚さよりも大きくなり、イオン
はシースに印加された電圧に等しいエネルギーで電界方
向に従って試料表面に垂直に入射するようになり、異方
性形状となる。
子の散乱距離がシースの厚さよりも大きくなり、イオン
はシースに印加された電圧に等しいエネルギーで電界方
向に従って試料表面に垂直に入射するようになり、異方
性形状となる。
【０００６】出力については、ガス圧力が高い領域では
低出力でも等方性になりやすく、一方ガス圧力が低い領
域では高出力密度ほど異方性が強くなる。
低出力でも等方性になりやすく、一方ガス圧力が低い領
域では高出力密度ほど異方性が強くなる。
【０００７】このような傾向を利用し、低圧においてＣ
ｌ2 を用いることで異方性は得ることができるが、低圧
でのエッチングレートの低下を防ぐため、マイクロ波あ
るいはマグネトロンによるサイクロトロン共鳴を利用し
た高密度プラズマの発生可能な装置が近年用いられてい
る。
ｌ2 を用いることで異方性は得ることができるが、低圧
でのエッチングレートの低下を防ぐため、マイクロ波あ
るいはマグネトロンによるサイクロトロン共鳴を利用し
た高密度プラズマの発生可能な装置が近年用いられてい
る。
【０００８】またＣを含むガス系では対ＳｉＯ2 選択比
が低下することが知られており、高選択比及び高速異方
性エッチングの要求から、本来、等方性となるＳＦ6 等
のＦラジカルを多く解離生成するガスと、フレオン等の
ＣＦ等のモノマーを生成しポリマーを堆積するデポガス
との混合系による側壁保護プロセスが、主流となりつつ
ある。
が低下することが知られており、高選択比及び高速異方
性エッチングの要求から、本来、等方性となるＳＦ6 等
のＦラジカルを多く解離生成するガスと、フレオン等の
ＣＦ等のモノマーを生成しポリマーを堆積するデポガス
との混合系による側壁保護プロセスが、主流となりつつ
ある。
【０００９】側壁保護プロセスは、イオンの入射がほと
んど無い側壁部にはデポガスによるポリマーが堆積して
ラジカルによる横方向のエッチングを防ぎ、またイオン
の入射がある平面部ではポリマーが除去されてエッチン
グが進行するという原理に基づいている。
んど無い側壁部にはデポガスによるポリマーが堆積して
ラジカルによる横方向のエッチングを防ぎ、またイオン
の入射がある平面部ではポリマーが除去されてエッチン
グが進行するという原理に基づいている。
【００１０】このように低圧でのＣｌ2 によるイオン主
体のエッチング、あるいはＳＦ6 等による側壁保護プロ
セスにより、異方性形状は得られる。しかしながら、異
方性形状でのステップカバレージの悪さ改善、あるいは
Ｒｅｃｅｓｓｅｄ ＬＯＣＯＳでの形状改善などを目的
に、近年、順テーパーな形状、特に強い順テーパー形状
の形成の要求が高まりつつある。
体のエッチング、あるいはＳＦ6 等による側壁保護プロ
セスにより、異方性形状は得られる。しかしながら、異
方性形状でのステップカバレージの悪さ改善、あるいは
Ｒｅｃｅｓｓｅｄ ＬＯＣＯＳでの形状改善などを目的
に、近年、順テーパーな形状、特に強い順テーパー形状
の形成の要求が高まりつつある。
【００１１】
【発明の目的】本発明は、上記のような事情に鑑みてな
されたもので、従来困難であった順テーパー形状を容易
に得ることができるエッチング方法を提供することを目
的とする。
されたもので、従来困難であった順テーパー形状を容易
に得ることができるエッチング方法を提供することを目
的とする。
【００１２】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、イオン主体のエッチングを進行させるエッチャン
トによるエッチングの際に、被エッチング材に堆積部を
形成する堆積性ガスを添加して被エッチング材に順テー
パー形状を得るエッチング方法であって、これにより上
記目的を達成するものである。
明は、イオン主体のエッチングを進行させるエッチャン
トによるエッチングの際に、被エッチング材に堆積部を
形成する堆積性ガスを添加して被エッチング材に順テー
パー形状を得るエッチング方法であって、これにより上
記目的を達成するものである。
【００１３】本出願の請求項２の発明は、堆積性ガスが
フッ化炭化水素系ガスであることを特徴とする請求項１
に記載の順テーパー形状を得るエッチング方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
フッ化炭化水素系ガスであることを特徴とする請求項１
に記載の順テーパー形状を得るエッチング方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
【００１４】本出願の請求項３の発明は、被エッチング
材がＳｉ系材料から成り、イオン主体のエッチングを進
行させるエッチャントがＣｌ系ガスであることを特徴と
する請求項２または３に記載の順テーパー形状を得るエ
ッチング方法であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
材がＳｉ系材料から成り、イオン主体のエッチングを進
行させるエッチャントがＣｌ系ガスであることを特徴と
する請求項２または３に記載の順テーパー形状を得るエ
ッチング方法であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
【００１５】本出願の請求項４の発明は、エッチングガ
スとしてＣｌ2 とＣＨ2 Ｆ2 混合ガスを用い、Ｃｌ2 の
ガス流量比を４７．１％以上としたことを特徴とする請
求項３に記載の順テーパー形状を得るエッチング方法で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
スとしてＣｌ2 とＣＨ2 Ｆ2 混合ガスを用い、Ｃｌ2 の
ガス流量比を４７．１％以上としたことを特徴とする請
求項３に記載の順テーパー形状を得るエッチング方法で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
【００１６】本発明において、イオン主体のエッチング
とは、生成したイオン種が主としてエッチングを進行さ
せるエッチャントを用いるエッチングを言う。
とは、生成したイオン種が主としてエッチングを進行さ
せるエッチャントを用いるエッチングを言う。
【００１７】本発明において、堆積性ガスとは、エッチ
ング時にポリマー等を生成してこれを被エッチング材に
堆積させる作用を示すものを言う。
ング時にポリマー等を生成してこれを被エッチング材に
堆積させる作用を示すものを言う。
【００１８】本発明において、フッ化炭化水素系ガスと
は、炭化水素の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子
で置換した化学構造を有するものを言い、いわゆるフレ
オン系ガス、フロン系ガスと称されるもを含む。
は、炭化水素の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子
で置換した化学構造を有するものを言い、いわゆるフレ
オン系ガス、フロン系ガスと称されるもを含む。
【００１９】本発明においてＳｉ系材料とは、単結晶・
多結晶・アモルファスＳｉなど各種のＳｉや、これらＳ
ｉを主成分とする合金、あるいはＳｉ酸化物や窒化物、
金属シリサイド等の化合物、あるいはこれらを主成分と
するものを総称する。
多結晶・アモルファスＳｉなど各種のＳｉや、これらＳ
ｉを主成分とする合金、あるいはＳｉ酸化物や窒化物、
金属シリサイド等の化合物、あるいはこれらを主成分と
するものを総称する。
【００２０】
【作用】本出願の各発明によるエッチング方法において
は、エッチングがイオン主体で進行するために、縦方
向、即ち被エッチング深さ方向のエッチングは抑えら
れ、かつ側壁へのポリマー堆積速度を増すことができる
ため、良好な、強い順テーパーエッチング形状が得られ
る。更に、平面部のポリマー堆積はイオン主体のために
スパッタにより除去されるため、くもり、面荒れ等の堆
積に起因する問題は生じにくい。
は、エッチングがイオン主体で進行するために、縦方
向、即ち被エッチング深さ方向のエッチングは抑えら
れ、かつ側壁へのポリマー堆積速度を増すことができる
ため、良好な、強い順テーパーエッチング形状が得られ
る。更に、平面部のポリマー堆積はイオン主体のために
スパッタにより除去されるため、くもり、面荒れ等の堆
積に起因する問題は生じにくい。
【００２１】本発明の好ましい態様にあっては、イオン
主体により異方性の得られるエッチング及びエッチャン
ト種に、フレオン等のデポガスを添加する。
主体により異方性の得られるエッチング及びエッチャン
ト種に、フレオン等のデポガスを添加する。
【００２２】本発明によれば、イオンによる異方性のエ
ッチングの進行及びデポガスからの側壁ポリマー形成と
の相乗効果によって、順テーパー形状が得られる。
ッチングの進行及びデポガスからの側壁ポリマー形成と
の相乗効果によって、順テーパー形状が得られる。
【００２３】本発明を用いて、イオンの入射の少ない側
壁に形成されるポリマーの堆積がイオンによる縦方向の
エッチングにより取り除かれながらも、ある程度の速度
を持って横方向に堆積し続けるように、ガス系、その他
のパラメータを選んでやれば、図１（ａ）に示すよう
に、側壁に堆積したポリマー３は、下部被エッチング材
１であるＳｉのエッチングをも防ぐため、即ち側壁に堆
積した堆積部３であるポリマーは図の横方向のみならず
ポリマー下部のエッチングも防ぐため、エッチング平面
と側壁との交点（図１（ｂ））は、側壁へのポリマー堆
積速度に依存して平面部のエッチングの進行とともに斜
め方向に移動し、その結果エッチング形状は順テーパー
になる。
壁に形成されるポリマーの堆積がイオンによる縦方向の
エッチングにより取り除かれながらも、ある程度の速度
を持って横方向に堆積し続けるように、ガス系、その他
のパラメータを選んでやれば、図１（ａ）に示すよう
に、側壁に堆積したポリマー３は、下部被エッチング材
１であるＳｉのエッチングをも防ぐため、即ち側壁に堆
積した堆積部３であるポリマーは図の横方向のみならず
ポリマー下部のエッチングも防ぐため、エッチング平面
と側壁との交点（図１（ｂ））は、側壁へのポリマー堆
積速度に依存して平面部のエッチングの進行とともに斜
め方向に移動し、その結果エッチング形状は順テーパー
になる。
【００２４】しかし、従来のラジカル主体ガスとデポガ
スとの混合ガスによる側壁保護プロセスは、エッチング
速度が速く、また側壁ポリマーへのラジカルのアタック
が多いために、順テーパー形状は得にくく、また順テー
パーを強めようとデポガスを増やすと平面部へのポリマ
ーの堆積が起き、均一性の悪化、面荒れなどが生じてし
まった。また側壁保護プロセス以外の方法では、順テー
パーは得られない。
スとの混合ガスによる側壁保護プロセスは、エッチング
速度が速く、また側壁ポリマーへのラジカルのアタック
が多いために、順テーパー形状は得にくく、また順テー
パーを強めようとデポガスを増やすと平面部へのポリマ
ーの堆積が起き、均一性の悪化、面荒れなどが生じてし
まった。また側壁保護プロセス以外の方法では、順テー
パーは得られない。
【００２５】これに対して本発明では、Ｃｌ2 等による
イオン主体エッチングガスをデポガスとによる側壁保護
プロセスにすることで、縦方向のエッチング速度は抑え
られ、かつ側壁へのポリマー堆積速度も増やすとがで
き、更に平面部のポリマーは、イオン主体のエッチング
であるため、スパッタにより除去できるので、良好な順
テーパーエッチングが可能となる。
イオン主体エッチングガスをデポガスとによる側壁保護
プロセスにすることで、縦方向のエッチング速度は抑え
られ、かつ側壁へのポリマー堆積速度も増やすとがで
き、更に平面部のポリマーは、イオン主体のエッチング
であるため、スパッタにより除去できるので、良好な順
テーパーエッチングが可能となる。
【００２６】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下
に記す実施例により限定をされるものではない。
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下
に記す実施例により限定をされるものではない。
【００２７】実施例１ この実施例は、本発明を、図２（ａ）（ｂ）に示すサン
プルについて、テーパーエッチングを行うように具体化
したものである。
プルについて、テーパーエッチングを行うように具体化
したものである。
【００２８】図２（ａ）中、１は本実施例における被エ
ッチング材であるＳｉ系材料であり、特にＮ基板である
単結晶Ｓｉである。２はフォトレジストであり、ここで
はＯＦＰＲ８００を用いた。図２（ｂ）中、１，２は上
記と同義であるが、この被エッチング材１上には、３０
０Å厚の熱酸化膜３及び１０００ÅのＬＰ−ＳｉＮ層４
が形成されている。
ッチング材であるＳｉ系材料であり、特にＮ基板である
単結晶Ｓｉである。２はフォトレジストであり、ここで
はＯＦＰＲ８００を用いた。図２（ｂ）中、１，２は上
記と同義であるが、この被エッチング材１上には、３０
０Å厚の熱酸化膜３及び１０００ÅのＬＰ−ＳｉＮ層４
が形成されている。
【００２９】本実施例では、ＲＦ印加型マイクロ波プラ
ズマエッチャーを用いて、下記条件でエッチングを行っ
た。 使用ガス：Ｃｌ2 ４５ｓｃｃｍ ＣＨ2 Ｆ2 ４０ｓｃｃｍ 圧 力： １０ｍＴｏｒｒ Ｒ Ｆ： ３２Ｗ μ 波： １９０ｍＡ Ｓｉエッチング速度： ２０００〜２２３０Å／ｍｉｎ
ズマエッチャーを用いて、下記条件でエッチングを行っ
た。 使用ガス：Ｃｌ2 ４５ｓｃｃｍ ＣＨ2 Ｆ2 ４０ｓｃｃｍ 圧 力： １０ｍＴｏｒｒ Ｒ Ｆ： ３２Ｗ μ 波： １９０ｍＡ Ｓｉエッチング速度： ２０００〜２２３０Å／ｍｉｎ
【００３０】この結果、エッチング形状として、テーパ
ー角６０°のテーパーエッチング形状が良好に得られ
た。かつ面内均一性は５．９〜９．３％、面間均一性は
３．４％であり、均一性にすぐれるエッチングを実現で
きた。面荒れ、くもりは無かった。また、予想外のこと
であったが、ダストの増加もなかった。図２（ｂ）に示
した被エッチング材部分のエッチング結果（厳密にはθ
＝６１°であった）を、図３（ａ）に一部斜視断面ＳＥ
Ｍ写真から起こした図で、図３（ｂ）に断面ＳＥＭ写真
から起こした図で示す。図示のように、良好な順テーパ
ー形状が得られている。
ー角６０°のテーパーエッチング形状が良好に得られ
た。かつ面内均一性は５．９〜９．３％、面間均一性は
３．４％であり、均一性にすぐれるエッチングを実現で
きた。面荒れ、くもりは無かった。また、予想外のこと
であったが、ダストの増加もなかった。図２（ｂ）に示
した被エッチング材部分のエッチング結果（厳密にはθ
＝６１°であった）を、図３（ａ）に一部斜視断面ＳＥ
Ｍ写真から起こした図で、図３（ｂ）に断面ＳＥＭ写真
から起こした図で示す。図示のように、良好な順テーパ
ー形状が得られている。
【００３１】実施例２ 本実施例では、エッチングの特性のガス流量比（Ｃｌ／
Ｆ流量比）依存性を検討した。即ち、実施例１と同じ条
件で、但し使用ガスはＣｌ2 ＋ＣＨ2 Ｆ2 ＝８５ｓｃｃ
ｍ一定のもとで流量比を変えて実施した。ガス流量比に
対するＳｉエッチング速度Ａ、面内均一性Ｂ、テーパー
角Ｃの依存性を、図４のグラフに示す。
Ｆ流量比）依存性を検討した。即ち、実施例１と同じ条
件で、但し使用ガスはＣｌ2 ＋ＣＨ2 Ｆ2 ＝８５ｓｃｃ
ｍ一定のもとで流量比を変えて実施した。ガス流量比に
対するＳｉエッチング速度Ａ、面内均一性Ｂ、テーパー
角Ｃの依存性を、図４のグラフに示す。
【００３２】図４からも理解されるように、Ｃｌ2 のガ
ス流量比４７．１％（Ｃｌ2 ＝４０ｓｃｃｍ、ＣＨ2 Ｆ
2 ＝４５ｓｃｃｍ）以下の堆積の多い条件では、被処理
材であるウエハーのセンター付近においてわずかではあ
るがくもりが生じ、これに伴って均一性が悪化する傾向
が見られた。しかし、それ以上Ｃｌ2 を増やした流量比
では、面荒れ、曇り等は、斜光、暗視野あるいはＳＥＭ
で見る限り見られず、均一性も６％程度と良好である。
Ｃｌ2 の増加に伴い面内均一性は良化し、流量比６４．
７％（Ｃｌ2 ＝５５ｓｃｃｍ、ＣＨ2 Ｆ2 ＝３５ｓｃｃ
ｍ）でのテーパー角はわずか３°程弱まるだけで、曇り
に対するマージンも増えた。
ス流量比４７．１％（Ｃｌ2 ＝４０ｓｃｃｍ、ＣＨ2 Ｆ
2 ＝４５ｓｃｃｍ）以下の堆積の多い条件では、被処理
材であるウエハーのセンター付近においてわずかではあ
るがくもりが生じ、これに伴って均一性が悪化する傾向
が見られた。しかし、それ以上Ｃｌ2 を増やした流量比
では、面荒れ、曇り等は、斜光、暗視野あるいはＳＥＭ
で見る限り見られず、均一性も６％程度と良好である。
Ｃｌ2 の増加に伴い面内均一性は良化し、流量比６４．
７％（Ｃｌ2 ＝５５ｓｃｃｍ、ＣＨ2 Ｆ2 ＝３５ｓｃｃ
ｍ）でのテーパー角はわずか３°程弱まるだけで、曇り
に対するマージンも増えた。
【００３３】
【発明の効果】本発明のエッチング方法によれば、従来
困難であった順テーパー形状を容易に得ることができる
という利点がもたらされる。
困難であった順テーパー形状を容易に得ることができる
という利点がもたらされる。
【図１】Ｓｉ系材料の被エッチング材を例にとって本発
明の作用を説明する図である。
明の作用を説明する図である。
【図２】実施例１の被エッチングサンプルの断面図であ
る。
る。
【図３】実施例１のエッチング結果を示すもので、断面
ＳＥＭ写真から起こした図である。
ＳＥＭ写真から起こした図である。
【図４】実施例２における検討結果を示すもので、ガス
流量比依存性を示すグラフである。
流量比依存性を示すグラフである。
１ 被エッチング材（Ｓｉ基板） ２ フォトレジスト θ テーパー角
Claims (4)
- 【請求項１】イオン主体のエッチングを進行させるエッ
チャントによるエッチングの際に、被エッチング材に堆
積部を形成する堆積性ガスを添加して被エッチング材に
順テーパー形状を得るエッチング方法。 - 【請求項２】堆積性ガスがフッ化炭化水素系ガスである
ことを特徴とする請求項１に記載の順テーパー形状を得
るエッチング方法。 - 【請求項３】被エッチング材がＳｉ系材料から成り、イ
オン主体のエッチングを進行させるエッチャントがＣｌ
系ガスであることを特徴とする請求項２または３に記載
の順テーパー形状を得るエッチング方法。 - 【請求項４】エッチングガスとしてＣｌ2 とＣＨ2 Ｆ2
混合ガスを用い、Ｃｌ2 のガス流量比を４７．１％以上
としたことを特徴とする請求項３に記載の順テーパー形
状を得るエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18306992A JPH065566A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 順テーパー形状を得るエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18306992A JPH065566A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 順テーパー形状を得るエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065566A true JPH065566A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16129208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18306992A Pending JPH065566A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 順テーパー形状を得るエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065566A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009044031A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Seiko Epson Corp | 微細構造の形成方法及び流体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP2017007086A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム | 少なくとも１つの面取りを有するシリコン系構成部品及びその製作方法 |
| WO2022234640A1 (ja) * | 2021-05-07 | 2022-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
-
1992
- 1992-06-17 JP JP18306992A patent/JPH065566A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009044031A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Seiko Epson Corp | 微細構造の形成方法及び流体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP2017007086A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム | 少なくとも１つの面取りを有するシリコン系構成部品及びその製作方法 |
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