RU2014123354A - Слои hipims - Google Patents
Слои hipims Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014123354A RU2014123354A RU2014123354/02A RU2014123354A RU2014123354A RU 2014123354 A RU2014123354 A RU 2014123354A RU 2014123354/02 A RU2014123354/02 A RU 2014123354/02A RU 2014123354 A RU2014123354 A RU 2014123354A RU 2014123354 A RU2014123354 A RU 2014123354A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- layers
- pulse duration
- morphology
- hipims
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
- C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/3467—Pulsed operation, e.g. HIPIMS
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
1. Способ осаждения систем слоев PVD из газовой фазы с помощью напыления по меньшей мере на одну подложку, при этом система слоев содержит по меньшей мере один первый слой, отличающийся тем, что по меньшей мере на одном этапе способа применяют способ HIPIMS с плотностью мощности по меньшей мере 250 Вт/см, при этом используют длину импульсов по меньшей мере с длительностью 5 мс, в то время как к подложке приложено напряжение смещения, так что возникающий во время этого этапа слой имеет морфологию, которая при рассматривании с помощью растрового электронного микроскопа имеет более грубый вид, чем морфология сравнимого слоя, который осажден при длительности импульсов 250 мкс при прочих равных условиях.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что плотность мощности не превышает 2000 Вт/см.3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что дополнительно по меньшей мере к одному первому слою наносят по меньшей мере один второй слой при более низком по величине напряжении смещения.4. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что длительность импульсов изменяют во время способа и за счет этого возникает система слоев со слоями HIPIMS различной морфологии.5 Способ по п. 3, отличающийся тем, что длительность импульсов изменяют во время способа и за счет этого возникает система слоев со слоями HIPIMS различной морфологии.6. Способ по п. 4, отличающийся тем, что длительность импульсов изменяют так, что переход между слоями различной морфологии по меньшей мере один раз является постепенным переходом.7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что длительность импульсов изменяют так, что переход между слоями различной морфологии по меньшей мере один раз является постепенным
Claims (7)
1. Способ осаждения систем слоев PVD из газовой фазы с помощью напыления по меньшей мере на одну подложку, при этом система слоев содержит по меньшей мере один первый слой, отличающийся тем, что по меньшей мере на одном этапе способа применяют способ HIPIMS с плотностью мощности по меньшей мере 250 Вт/см2, при этом используют длину импульсов по меньшей мере с длительностью 5 мс, в то время как к подложке приложено напряжение смещения, так что возникающий во время этого этапа слой имеет морфологию, которая при рассматривании с помощью растрового электронного микроскопа имеет более грубый вид, чем морфология сравнимого слоя, который осажден при длительности импульсов 250 мкс при прочих равных условиях.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что плотность мощности не превышает 2000 Вт/см2.
3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что дополнительно по меньшей мере к одному первому слою наносят по меньшей мере один второй слой при более низком по величине напряжении смещения.
4. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что длительность импульсов изменяют во время способа и за счет этого возникает система слоев со слоями HIPIMS различной морфологии.
5 Способ по п. 3, отличающийся тем, что длительность импульсов изменяют во время способа и за счет этого возникает система слоев со слоями HIPIMS различной морфологии.
6. Способ по п. 4, отличающийся тем, что длительность импульсов изменяют так, что переход между слоями различной морфологии по меньшей мере один раз является постепенным переходом.
7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что длительность импульсов изменяют так, что переход между слоями различной морфологии по меньшей мере один раз является постепенным переходом.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011117994A DE102011117994A1 (de) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | HIPIMS-Schichten |
DE102011117994.5 | 2011-11-09 | ||
PCT/EP2012/004498 WO2013068080A1 (de) | 2011-11-09 | 2012-10-26 | Hipims-schichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014123354A true RU2014123354A (ru) | 2015-12-20 |
RU2633672C2 RU2633672C2 (ru) | 2017-10-16 |
Family
ID=47263219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014123354A RU2633672C2 (ru) | 2011-11-09 | 2012-10-26 | Слои hipims |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9416441B2 (ru) |
EP (1) | EP2777061B1 (ru) |
JP (1) | JP6236613B2 (ru) |
KR (1) | KR101929085B1 (ru) |
CN (1) | CN103918054B (ru) |
AR (1) | AR088700A1 (ru) |
BR (1) | BR112014011141B1 (ru) |
CA (1) | CA2854976C (ru) |
DE (1) | DE102011117994A1 (ru) |
MX (1) | MX364356B (ru) |
MY (1) | MY168656A (ru) |
RU (1) | RU2633672C2 (ru) |
SG (1) | SG11201402191VA (ru) |
TR (1) | TR201902881T4 (ru) |
TW (1) | TWI582258B (ru) |
WO (1) | WO2013068080A1 (ru) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102274981B1 (ko) * | 2013-06-26 | 2021-07-09 | 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 페피콘 | 장식적 hipims 경질층 |
PL3212819T3 (pl) * | 2014-09-17 | 2023-10-16 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Sposób wytwarzania narzędzia skrawającego powleczonego podwójną warstwą o polepszonej odporności na zużycie |
EP3018233A1 (de) | 2014-11-05 | 2016-05-11 | Walter Ag | Schneidwerkzeug mit mehrlagiger PVD-Beschichtung |
EP3056587B1 (de) * | 2015-02-13 | 2020-11-18 | Walter AG | VHM-Schaftfräser mit TiAlN-ZrN-Beschichtung |
JP7292695B2 (ja) * | 2016-08-17 | 2023-06-19 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター | 機能性薄膜、その製造方法、積層構造体及びその製造方法 |
US11473189B2 (en) | 2019-02-11 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Method for particle removal from wafers through plasma modification in pulsed PVD |
DE102022003082A1 (de) | 2022-08-23 | 2024-02-29 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Beschichtungsverfahren zur Abscheidung eines Schichtsystems auf einem Substrat, sowie ein Substrat mit einem Schichtsystem |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1580298A1 (fr) * | 2004-03-22 | 2005-09-28 | Materia Nova A.S.B.L | Dépôt par pulverisation cathodique magnétron en régime impulsionnel avec préionisation |
DE102005033769B4 (de) * | 2005-07-15 | 2009-10-22 | Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co.Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Mehrkathoden-PVD-Beschichtung und Substrat mit PVD-Beschichtung |
US9605338B2 (en) * | 2006-10-11 | 2017-03-28 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfaffikon | Method for depositing electrically insulating layers |
RU2339735C1 (ru) * | 2007-02-12 | 2008-11-27 | Закрытое акционерное общество "Нано-Плазменные Технологии" (ЗАО "НАНПЛАТЕК") | Способ нанесения пленочного покрытия |
US7966909B2 (en) * | 2007-07-25 | 2011-06-28 | The Gillette Company | Process of forming a razor blade |
SE532505C2 (sv) * | 2007-12-12 | 2010-02-09 | Plasmatrix Materials Ab | Förfarande för plasmaaktiverad kemisk ångdeponering och plasmasönderdelningsenhet |
WO2009132822A2 (de) * | 2008-04-28 | 2009-11-05 | Cemecon Ag | Vorrichtung und verfahren zum vorbehandeln und beschichten von körpern |
DE102008028140B3 (de) * | 2008-06-13 | 2009-12-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer transparenten und leitfähigen Metalloxidschicht durch gepulstes, hochionisierendes Magnetronsputtern |
US20100055826A1 (en) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | General Electric Company | Methods of Fabrication of Solar Cells Using High Power Pulsed Magnetron Sputtering |
DE202010001497U1 (de) | 2010-01-29 | 2010-04-22 | Hauzer Techno-Coating B.V. | Beschichtungsvorrichtung mit einer HIPIMS-Leistungsquelle |
-
2011
- 2011-11-09 DE DE102011117994A patent/DE102011117994A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-10-26 US US14/357,003 patent/US9416441B2/en active Active
- 2012-10-26 TR TR2019/02881T patent/TR201902881T4/tr unknown
- 2012-10-26 KR KR1020147015487A patent/KR101929085B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-26 SG SG11201402191VA patent/SG11201402191VA/en unknown
- 2012-10-26 BR BR112014011141-3A patent/BR112014011141B1/pt active IP Right Grant
- 2012-10-26 EP EP12794175.5A patent/EP2777061B1/de active Active
- 2012-10-26 CN CN201280054937.6A patent/CN103918054B/zh active Active
- 2012-10-26 JP JP2014540343A patent/JP6236613B2/ja active Active
- 2012-10-26 CA CA2854976A patent/CA2854976C/en active Active
- 2012-10-26 MX MX2014005722A patent/MX364356B/es active IP Right Grant
- 2012-10-26 RU RU2014123354A patent/RU2633672C2/ru active
- 2012-10-26 WO PCT/EP2012/004498 patent/WO2013068080A1/de active Application Filing
- 2012-10-26 MY MYPI2014001366A patent/MY168656A/en unknown
- 2012-11-06 TW TW101141112A patent/TWI582258B/zh active
- 2012-11-08 AR ARP120104202A patent/AR088700A1/es active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2633672C2 (ru) | 2017-10-16 |
MX364356B (es) | 2019-04-08 |
EP2777061A1 (de) | 2014-09-17 |
MY168656A (en) | 2018-11-28 |
JP2015501876A (ja) | 2015-01-19 |
KR20140099898A (ko) | 2014-08-13 |
CA2854976C (en) | 2019-07-30 |
TWI582258B (zh) | 2017-05-11 |
SG11201402191VA (en) | 2014-08-28 |
MX2014005722A (es) | 2015-03-09 |
DE102011117994A1 (de) | 2013-05-16 |
WO2013068080A1 (de) | 2013-05-16 |
TR201902881T4 (tr) | 2019-03-21 |
EP2777061B1 (de) | 2018-12-12 |
AR088700A1 (es) | 2014-06-25 |
BR112014011141B1 (pt) | 2021-08-10 |
BR112014011141A2 (pt) | 2017-05-16 |
US9416441B2 (en) | 2016-08-16 |
US20140305792A1 (en) | 2014-10-16 |
CN103918054B (zh) | 2017-02-15 |
KR101929085B1 (ko) | 2018-12-13 |
JP6236613B2 (ja) | 2017-11-29 |
TW201329271A (zh) | 2013-07-16 |
CA2854976A1 (en) | 2013-05-16 |
CN103918054A (zh) | 2014-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2014123354A (ru) | Слои hipims | |
EP1970466A3 (en) | Method and control system for depositing a layer | |
ATE526432T1 (de) | Anwendung von hipims auf silicium durch metallisierung in einer dreidimensionalen wafer- verpackung | |
US20130049592A1 (en) | Method for controlling synchronization of pulsed plasma by applying dc power | |
US20090065350A1 (en) | Filtered cathodic arc deposition with ion-species-selective bias | |
RU2013151606A (ru) | Высокопроизводительный источник для процесса распыления | |
WO2020086891A3 (en) | Plasma resistant multi-layer coatings and methods of preparing same | |
RU2015131332A (ru) | Режущий инструмент с покрытием и способ изготовления режущего инструмента с покрытием | |
RU2013134893A (ru) | Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента | |
DE102010047963A1 (de) | Magnetron-Vorrichtung und Verfahren zum gepulsten Betreiben einer Magnetron-Vorrichtung | |
UA105795C2 (ru) | СПОСОБ СНИЖЕНИЯ ОТРАЖЕНИЯ СЛОЯ ЭЛЕКТРООСАЖДаемого ПОКРЫТИЯ | |
MY171167A (en) | High-power pulse coating method | |
CN108493081B (zh) | 基于抑制束流不稳定性的非对称脉冲电压调制电子束方法 | |
RU2013136443A (ru) | Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента | |
JP6895432B2 (ja) | エネルギーフローの最適化された分配のためのスパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
RU2014129572A (ru) | Способ гомогенного нанесения покрытий hipims | |
RU2013132573A (ru) | Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента (варианты) | |
WO2019156580A3 (en) | Cesium-niobium-chalcogenide compounds and semiconductor devices including the same | |
RU2013153916A (ru) | Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента | |
EP3969642A4 (en) | HIGH GROWTH RATE DEPOSIT FOR GROUP III/V MATERIALS | |
CN109355626A (zh) | 一种Ca掺杂MgO形成的复合薄膜的制备方法 | |
PL419939A1 (pl) | Sposób wytwarzania powłoki przeciwzużyciowej typu TiNX:Ag, do cięcia nerwów i tkanek miękkich | |
RU2016139248A (ru) | Способ формирования ступенчатой характеристики впрыскивания топлива | |
DE102010007515A1 (de) | Verfahren zum Betreiben einer großflächigen Kathode für Plasmaprozesse mit hohem Ionisierungsgrad | |
UA88430U (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ нитридной ПЛЕНКИ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant | ||
HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant |