BR112014011141B1 - Processo para deposição de sistemas de camada pvd compreendendo um processo hiplms - Google Patents

Processo para deposição de sistemas de camada pvd compreendendo um processo hiplms Download PDF

Info

Publication number
BR112014011141B1
BR112014011141B1 BR112014011141-3A BR112014011141A BR112014011141B1 BR 112014011141 B1 BR112014011141 B1 BR 112014011141B1 BR 112014011141 A BR112014011141 A BR 112014011141A BR 112014011141 B1 BR112014011141 B1 BR 112014011141B1
Authority
BR
Brazil
Prior art keywords
hipims
layer
layers
pulse
duration
Prior art date
Application number
BR112014011141-3A
Other languages
English (en)
Other versions
BR112014011141A2 (pt
Inventor
Siegfried Krassnitzer
Markus Lechthaler
Original Assignee
Oerlikon Surface Solutions Ag, Trübbach
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oerlikon Surface Solutions Ag, Trübbach filed Critical Oerlikon Surface Solutions Ag, Trübbach
Publication of BR112014011141A2 publication Critical patent/BR112014011141A2/pt
Publication of BR112014011141B1 publication Critical patent/BR112014011141B1/pt

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3435Applying energy to the substrate during sputtering
    • C23C14/345Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3485Sputtering using pulsed power to the target
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464Operating strategies
    • H01J37/3467Pulsed operation, e.g. HIPIMS
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

camadas de hiplms. a presente invenção refere-se a um processo para a deposição de sistemas de camadas pvd a partir da fase gasosa por meio de pulverização sobre pelo menos um substrato, sendo que o sistema de camadas compreende pelo menos uma primeira camada, caracterizado pelo fato de que, em pelo menos uma etapa do processo, é empregado um processo hipims com uma densidade de potência de pelo menos 250 w/cm2, sendo que é empregado um pulso cuja duração é de pelo menos 5 ms enquanto um viés de substrato é aplicado ao substrato.

Description

[001] A presente invenção se refere a camadas de materiaisduros, as quais são depositadas sobre peças por meio de revestimento físico a partir da fase gasosa (PVD = Physical Vapor Deposition) e de fato por pulverização suportada por Magnetron (MS = Magnetron Sputtering).
[002] Duas variantes de processo essenciais da pulverização porMagnetron são a clássica DC-MS e o processo HIPIMS.
[003] No HIPIMS uma densidade de corrente de descarga muitoelevada é aplicada sobre o alvo que fornece o material a ser pulverizado, de modo que é gerada no plasma uma elevada densidade de elétrons e as partículas pulverizadas são ionizadas em um elevado grau. Aqui são empregadas densidades de corrente entre 250W/cm2 e 2000W/cm2 e com isso são feitas exigências especiais aos geradores que fornecem a potência. Em particular não é possível aplicar uma tal potência de forma duradoura sobre o alvo, já que este superaquece e com isso poderia ser danificado. A potência precisa portanto ser pulsada. Ao longo do pulso de potência ocorrem densidades de corrente de descarga muito elevadas, desejadas, e o alvo se aquece, e durante a pausa do pulso o alvo pode se resfriar novamente. A duração do pulso e da pausa precisam ser ajustadas entre si de tal modo que a potência média aplicada sobre o alvo não exceda um valor limite. Para HIPIMS são portanto necessários geradores, que são capazes de fornecer pulsos com potências muito elevadas.
[004] Na maior parte das vezes no HIPIMS são portantoempregados geradores especiais que se baseiam no princípio da descarga de condensadores, o que conduz a uma corrente de descarga que varia durante o pulso. Um processo controlado com respeito à curva de corrente-tensão não pode ser obtido desta forma. De acordo com uma outra forma de execução, o plasma é primeiramente pré ionizado para depois então poder prolongar a duração do pulso no contexto do pulso de elevada potência. A corrente de descarga é controlada aqui por modulação da tensão aplicada. Dessa forma os pulsos podem ser mantidos adequadamente por até 4ms.
[005] A situação parece totalmente diversa quando pulveriza-secom uma densidade de potência baixa, por exemplo entre 5W/cm2 e 50W/cm2. Neste caso o alvo pode ser submetido à potência de forma duradoura. Podem ser empregados geradores simples, visto que nem é necessário fornecer elevadas potências nem o fornecimento da potência precisa ser pulsado. Neste caso trata-se do DC-MS clássico.
[006] Comparando-se camadas HIPIMS com camadas DC-MSnota-se grandes diferenças estruturais. Por exemplo os revestimentos TiAIN, em DC-MS, crescem essencialmente em uma estrutura de colunas (ver Figura 1). No processo HIPIMS, ao contrário, pode ser alcançada uma estrutura de camadas finas por ionização do metal evaporado essencialmente sem a inclusão de íons de gás de trabalho na camada visto que, no caso de um viés negativo aplicado ao substrato, os próprios átomos de metal ionizados são acelerados em direção ao substrato. É ainda vantajoso aqui que um viés de substrato negativo em HIPIMS, como consequência da elevada parcela de íons no material pulverizado, leva a uma forte elevação da densidade das camadas.
[007] As finas camadas HIPIMS, embora sejam mais duras edensas do que as camadas DC-MS em colunas brutas, apresentam entretanto também desvantagens com respeito a adesão das camadas e às propriedades mecânicas. Tais camadas HIPIMS finas de fato mostram, em comparação com as camadas DC-MS, um comportamento de desgaste aperfeiçoado, o que tem como consequência uma vida útil mais longa. É desvantajoso, além disso, que o desgaste, isto é o término da vida útil da camada, não se anuncia, mas ocorre de forma muito abrupta, supostamente graças às propriedades mecânicas, por exemplo na forma de uma ruptura. Com isso é muito difícil o usuário estimar quando a peça revestida deve ser trocada.
[008] A invenção tem, portanto, a tarefa de divulgar camadas asquais apresentam durezas típicas da tecnologia HIPIMS, porém cujo desgaste se anuncia para o usuário, por exemplo, devido a uma menor eficiência de trabalho com o passar do tempo, de forma que este tenha a possibilidade de trocar as peças correspondentes.
[009] Como acima indicado, hoje em dia são conhecidosgeradores de HIPIMS com os quais é possibilitada uma duração de pulso de no máximo até 4ms. Devido a um novo processo para disponibilização de pulsos de elevada potência é possível realizar sem problema durações de pulso de 25ms e mais.
[010] Procede-se no processo de tal modo que é operado umcatodo pulverizador PVD, que abrange um primeiro catodo parcial e um segundo catodo parcial, sendo que para os catodos parciais é pré- determinada uma aplicação média máxima de potência, sendo que a duração dos intervalos de pulso de potência é prédeterminada e o processo abrange as seguintes etapas:
[011] disponibilização de um gerador de preferência com pelomenos um fornecimento de potência constante após a partida e após o decurso de um intervalo de acumulação de potência
[012] partida do gerador
[013] conexão do primeiro catodo parcial no gerador, de modoque o primeiro catodo parcial é submetido à potência do gerador
[014] separação do gerador e do primeiro catodo parcial após o decurso de um primeiro intervalo de pulso de potência prédeterminado do primeiro catodo parcial
[015] conexão do segundo catodo parcial no gerador, de modoque o segundo catodo parcial é exposto à potência do gerador
[016] separação do gerador e do segundo catodo parcial após odecurso de um segundo intervalo de pulso de potência prédeterminado do segundo catodo parcial
[017] sendo que o primeiro intervalo de pulso de potênciacomeça no tempo antes do segundo intervalo de pulso de potência e o primeiro intervalo de pulso de potência termina no tempo antes do segundo intervalo de pulso de potência, e sendo que as etapas d) e e) são de tal forma executadas que o primeiro intervalo de pulso de potência e o segundo intervalo de pulso de potência se sobrepõem no tempo e todos os intervalos de pulso de potência em conjunto formam um primeiro grupo, de modo que o fornecimento de potência do gerador fica constante e continuamente sem interrupção do começo do primeiro intervalo de curso de potência até o final do segundo intervalo de pulso de potência e não ocorre um segundo intervalo de acúmulo de potência.
[018] No emprego desse processo, os inventores verificarampara sua surpresa que peças, que foram revestidas com camadas HIPIMS com uma duração de pulso de 5ms ou mais, ao final da vida útil da peça revestida, mostram um comportamento significativamente diferente daquele de peças que foram revestidas com camadas HIPIMS com durações de pulso mais curtas. Interessantemente as figuras SEM de cantos de ruptura das camadas aplicadas com os pulsos mais longos mostram uma morfologia mais grosseiramente disseminada, como é visível na Figura 3. Assim essa diferença na morfologia da camada pode ser modificada puramente pela variação do comprimento do pulso, sem modificação de outros parâmetros de influência.
[019] As camadas depositadas de acordo com a invenção comuma duração de pulso de 5ms ou mais apresentam, em comparação com as camadas depositadas com pulsos curtos, um módulo E elevado, assim como uma dureza maior.
[020] Por exemplo, camadas TiAIN foram depositadas pelosinventores por meio do processo HIPIMS por um lado com um comprimento de pulso de 250 μs e por outro lado com uma duração de pulso de 25000 μs. As camadas depositadas com durações de pulso de 250μs apresentaram um módulo E de cerca de 425GPa e tinham uma dureza de 2900HV, enquanto que as camadas depositadas com uma duração de pulso de 25000μs apresentaram um módulo E de 475GPa e uma dureza maior do que 3100HV.
[021] Visto que com o processo acima descrito, nadisponibilização de pulsos de potência, a duração de pulso é facilmente ajustável e variável, é possível ao longo de uma deposição construir um sistema de camadas no qual se alternam camadas HIPIMs com uma morfologia mais fina e com uma morfologia mais bruta. Isto é realizável de forma simples, pela deposição alternada de uma duração de pulso curta e com uma duração de pulso longa, alternadamente. Já que para ambos os tipos de deposição foram medidas aproximadamente as mesmas tensões de camadas, um tal sistema de camadas alternadas apresenta, de acordo com o esperado, propriedades muito boas tendo em vista a redução do desgaste. O sistema de camadas alternadas pode aqui apresentar transições abruptas, de modo que são formadas interfaces regulares entre camadas de grãos finos e camadas de grãos brutos. Também é possível realizar uma ou mais transições graduais, nas quais a duração do pulso não é variada abruptamente, mas continuamente.
[022] É feita menção ao fato de que a altura do pulso de potência também pode ser variada naturalmente no próprio processo de revestimento. Em particular pode-se selecionar por vezes alturas de pulso tão baixas, que são produzidas faixas de camadas com o crescimento colunar típico para DC-MS. Desta forma também é realizável um sistema de camadas alternadas de camadas HIPIMS e DC-MS, o que devido às diferentes tensões de camada pode contribuir para a estabilidade do sistema de camadas.

Claims (7)

1. Processo para deposição de sistemas de camada PVD a partir da fase gasosa por meio de pulverização sobre pelo menos um substrato, sendo que o sistema de camada compreende pelo menos uma primeira e uma segunda camada HIPIMS, que são depositadas por meio de um processo HIPIMS que permite operar pelo menos dois catodos parciais de tal modo que para a deposição de camadas HIPIMS com uma densidade de potência de 250W/cm2 ou mais, e comprimentos de pulso com duração de 5ms ou mais são usados, enquanto no substrato está presente um viés de substrato, caracterizado pelo fato de que a primeira ou a segunda camada HIPIMS é depositada em uma etapa do processo HIPIMS no qual uma densidade de potência de pelo menos 250W/cm2 é usada, em que um comprimento de pulso com duração de pelo menos 5ms é usado, enquanto no substrato está presente um viés de substrato, e para a deposição de outra camada HIPIMS, se aplicável da segunda ou da primeira camada HIPIMS, um comprimento de pulso com duração curta é usada de modo que a morfologia resultante da primeira camanda HIPIMS difere da morfologia da da segunda camada HIPIMS e a morfologia da camada HIPIMS depositada com um comprimento de pulso com duração mais longa é visivelmente mais grosseira do que a morfologia da camada HIPIMS depositada com um comprimento de pulso de duração menor.
2. Processo, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que o sistema de camadas compreende mais de duas camadas HIPIMS e durante a deposição das camadas HIPIMS uma duração de pulso curta e longa são utilizadas alternadamente.
3. Processo, de acordo com a reivindicação 1 ou 2, carac-terizado pelo fato de que o comprimento de pulso é variado pelo menos uma vez continuamente.
4. Processo, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 3, caracterizado pelo fato de que a altura do pulso de potência é variada.
5. Processo, de acordo com a reivindicação 4, caracterizado pelo fato de que uma altura do pulso de potência tão baixa é escolhida quando produz faixas de camadas com um crescimento colunar típico para DC-MS.
6. Processo, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 5, caracterizado pelo fato de que a densidade da potência não ultrapassa 2000W/cm2.
7. Processo, de acordo com qualquer uma das reivindicações 3 a 6, caracterizado pelo fato de que pelo menos uma variação do comprimento do pulso contínua é executada de tal modo que a transição entre as camadas de diferentes morfologias é uma transição gradual.
BR112014011141-3A 2011-11-09 2012-10-26 Processo para deposição de sistemas de camada pvd compreendendo um processo hiplms BR112014011141B1 (pt)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011117994A DE102011117994A1 (de) 2011-11-09 2011-11-09 HIPIMS-Schichten
DE102011117994.5 2011-11-09
PCT/EP2012/004498 WO2013068080A1 (de) 2011-11-09 2012-10-26 Hipims-schichten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BR112014011141A2 BR112014011141A2 (pt) 2017-05-16
BR112014011141B1 true BR112014011141B1 (pt) 2021-08-10

Family

ID=47263219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BR112014011141-3A BR112014011141B1 (pt) 2011-11-09 2012-10-26 Processo para deposição de sistemas de camada pvd compreendendo um processo hiplms

Country Status (16)

Country Link
US (1) US9416441B2 (pt)
EP (1) EP2777061B1 (pt)
JP (1) JP6236613B2 (pt)
KR (1) KR101929085B1 (pt)
CN (1) CN103918054B (pt)
AR (1) AR088700A1 (pt)
BR (1) BR112014011141B1 (pt)
CA (1) CA2854976C (pt)
DE (1) DE102011117994A1 (pt)
MX (1) MX364356B (pt)
MY (1) MY168656A (pt)
RU (1) RU2633672C2 (pt)
SG (1) SG11201402191VA (pt)
TR (1) TR201902881T4 (pt)
TW (1) TWI582258B (pt)
WO (1) WO2013068080A1 (pt)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102274981B1 (ko) * 2013-06-26 2021-07-09 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 페피콘 장식적 hipims 경질층
PL3212819T3 (pl) * 2014-09-17 2023-10-16 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Sposób wytwarzania narzędzia skrawającego powleczonego podwójną warstwą o polepszonej odporności na zużycie
EP3018233A1 (de) 2014-11-05 2016-05-11 Walter Ag Schneidwerkzeug mit mehrlagiger PVD-Beschichtung
EP3056587B1 (de) * 2015-02-13 2020-11-18 Walter AG VHM-Schaftfräser mit TiAlN-ZrN-Beschichtung
JP7292695B2 (ja) * 2016-08-17 2023-06-19 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター 機能性薄膜、その製造方法、積層構造体及びその製造方法
US11473189B2 (en) 2019-02-11 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Method for particle removal from wafers through plasma modification in pulsed PVD
DE102022003082A1 (de) 2022-08-23 2024-02-29 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Beschichtungsverfahren zur Abscheidung eines Schichtsystems auf einem Substrat, sowie ein Substrat mit einem Schichtsystem

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1580298A1 (fr) * 2004-03-22 2005-09-28 Materia Nova A.S.B.L Dépôt par pulverisation cathodique magnétron en régime impulsionnel avec préionisation
DE102005033769B4 (de) * 2005-07-15 2009-10-22 Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co.Kg Verfahren und Vorrichtung zur Mehrkathoden-PVD-Beschichtung und Substrat mit PVD-Beschichtung
US9605338B2 (en) * 2006-10-11 2017-03-28 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfaffikon Method for depositing electrically insulating layers
RU2339735C1 (ru) * 2007-02-12 2008-11-27 Закрытое акционерное общество "Нано-Плазменные Технологии" (ЗАО "НАНПЛАТЕК") Способ нанесения пленочного покрытия
US7966909B2 (en) * 2007-07-25 2011-06-28 The Gillette Company Process of forming a razor blade
SE532505C2 (sv) * 2007-12-12 2010-02-09 Plasmatrix Materials Ab Förfarande för plasmaaktiverad kemisk ångdeponering och plasmasönderdelningsenhet
WO2009132822A2 (de) * 2008-04-28 2009-11-05 Cemecon Ag Vorrichtung und verfahren zum vorbehandeln und beschichten von körpern
DE102008028140B3 (de) * 2008-06-13 2009-12-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer transparenten und leitfähigen Metalloxidschicht durch gepulstes, hochionisierendes Magnetronsputtern
US20100055826A1 (en) * 2008-08-26 2010-03-04 General Electric Company Methods of Fabrication of Solar Cells Using High Power Pulsed Magnetron Sputtering
DE202010001497U1 (de) 2010-01-29 2010-04-22 Hauzer Techno-Coating B.V. Beschichtungsvorrichtung mit einer HIPIMS-Leistungsquelle

Also Published As

Publication number Publication date
RU2633672C2 (ru) 2017-10-16
MX364356B (es) 2019-04-08
RU2014123354A (ru) 2015-12-20
EP2777061A1 (de) 2014-09-17
MY168656A (en) 2018-11-28
JP2015501876A (ja) 2015-01-19
KR20140099898A (ko) 2014-08-13
CA2854976C (en) 2019-07-30
TWI582258B (zh) 2017-05-11
SG11201402191VA (en) 2014-08-28
MX2014005722A (es) 2015-03-09
DE102011117994A1 (de) 2013-05-16
WO2013068080A1 (de) 2013-05-16
TR201902881T4 (tr) 2019-03-21
EP2777061B1 (de) 2018-12-12
AR088700A1 (es) 2014-06-25
BR112014011141A2 (pt) 2017-05-16
US9416441B2 (en) 2016-08-16
US20140305792A1 (en) 2014-10-16
CN103918054B (zh) 2017-02-15
KR101929085B1 (ko) 2018-12-13
JP6236613B2 (ja) 2017-11-29
TW201329271A (zh) 2013-07-16
CA2854976A1 (en) 2013-05-16
CN103918054A (zh) 2014-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BR112014011141B1 (pt) Processo para deposição de sistemas de camada pvd compreendendo um processo hiplms
JP6228731B2 (ja) ワークピース上に水素フリーのta−C層を堆積させる装置および方法ならびにワークピース
TWI545218B (zh) 產生電漿放電的方法以及磁控管濺鍍設備
JP2005248322A (ja) 表面上への複合コーティングの蒸着プロセス
JP6561048B2 (ja) TiB2を含有する層で工作物をコーティングする方法
WO2005089272A2 (en) Pulsed cathodic arc plasma source
US20050233089A1 (en) Sputter method or device for the production of natural voltage optimized coatings
US20150184284A1 (en) Method of coating by pulsed bipolar sputtering
US9905399B2 (en) Carbon spark evaporation
BR112014014793B1 (pt) Processo para revestimento físico da fase gasosa por meio de pulverização catódica em uma câmara de revestimento evacuada
JP6895432B2 (ja) エネルギーフローの最適化された分配のためのスパッタリング装置及びスパッタリング方法
US10626493B2 (en) Method for producing a double-layer coated cutting tool with improved wear resistance
KR101559006B1 (ko) 임플란트 픽스쳐 코팅방법
JP2003247066A (ja) スパッタ法を用いたイオン注入法及びその装置
CN116438623A (zh) 覆层设备和具有划分的脉冲的覆层方法
UA77914C2 (en) Method for ion-plasma sputtering electricity-conductive coatings
IL194399A (en) Elongated source of filtered laser plasma / iris laser plasma for coating
KR20050019070A (ko) 자연 전압 최적화 코팅층 제조를 위한 스퍼터 방법 또는장치

Legal Events

Date Code Title Description
B25D Requested change of name of applicant approved

Owner name: OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, TRUEBBACH (CH)

B06F Objections, documents and/or translations needed after an examination request according [chapter 6.6 patent gazette]
B06U Preliminary requirement: requests with searches performed by other patent offices: procedure suspended [chapter 6.21 patent gazette]
B09A Decision: intention to grant [chapter 9.1 patent gazette]
B350 Update of information on the portal [chapter 15.35 patent gazette]
B16A Patent or certificate of addition of invention granted [chapter 16.1 patent gazette]

Free format text: PRAZO DE VALIDADE: 20 (VINTE) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 26/10/2012, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS.

B25D Requested change of name of applicant approved

Owner name: OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, PFAEFFIKON (CH)

B25G Requested change of headquarter approved

Owner name: OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, PFAEFFIKON (CH)

B25L Entry of change of name and/or headquarter and transfer of application, patent and certificate of addition of invention: publication cancelled

Owner name: OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, PFAEFFIKON (CH)

Free format text: ANULADA A PUBLICACAO CODIGO 25.7 NA RPI NO 2649 DE 13/10/2021 POR TER SIDO INDEVIDA.

B25G Requested change of headquarter approved

Owner name: OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, PFAEFFIKON (CH)