UA77914C2 - Method for ion-plasma sputtering electricity-conductive coatings - Google Patents
Method for ion-plasma sputtering electricity-conductive coatings Download PDFInfo
- Publication number
- UA77914C2 UA77914C2 UAA200511679A UAA200511679A UA77914C2 UA 77914 C2 UA77914 C2 UA 77914C2 UA A200511679 A UAA200511679 A UA A200511679A UA A200511679 A UAA200511679 A UA A200511679A UA 77914 C2 UA77914 C2 UA 77914C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- action
- plasma
- ion
- positive
- time
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 title claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Винахід відноситься до області іонно-плазмового напилювання і може бути використаний при нанесенні 2 захисних і декоративних покриттів на різні вироби.The invention relates to the field of ion-plasma spraying and can be used when applying 2 protective and decorative coatings to various products.
Відомі способи вакуумного іонно-плазмового напилювання матеріалів під дією високоенергетичних плазмових і іонних потоків, що засновані на процесах генерації матеріалу катодною плямою вакуумної дуги - потужнострумового низьковольтного розряду, що розвивається винятково в парах матеріалу катода (11.There are known methods of vacuum ion-plasma sputtering of materials under the action of high-energy plasma and ion streams, which are based on the processes of material generation by the cathode spot of a vacuum arc - a high-current low-voltage discharge that develops exclusively in pairs of the cathode material (11.
Найближчим за технічною суттю є спосіб викладений у (21. 70 Для реалізації способа використовують вакуумну камеру, випарники з катодом і анодом, вузол підпалювання вакуумної дуги, арматуру з нагрівачами для виробів, що підлягають напилюванню, засоби іонного очищення, відкачну вакуумну систему, блоки живлення і управління, блок опорної напруги, фокусуючі соленоїди та ін.The closest in terms of technical essence is the method described in (21. 70) To implement the method, a vacuum chamber, evaporators with a cathode and anode, a vacuum arc ignition unit, fittings with heaters for products to be sprayed, ionic cleaning agents, a pumping vacuum system, power supply units are used and control, reference voltage unit, focusing solenoids, etc.
Процес нанесення покриттів полягає в переведенні матеріалу катоду (наприклад титану) у плазмовий стан (при тиску у камері -2.107Па), прискоренні руху квазінейтральної металевої плазми в напрямку арматури з виробами, т забезпеченні плазмохімічної реакції з реактивним газом (М»о, О» - азотом, або киснем ) для синтезу нітриду або оксиду титану (ТІМ, ТіО»). Технологічний алгоритм виглядає таким чином: в камері створюється робочий тиск 74.1071Па реактивного газу при накладанні силової напруги (біля - 708 між анодом і катодом) і ініціюванні розряду за допомогою вузла підпалювання, між анодом і катодом виникає дуговий електричний розряд. При цьому відбувається ерозія катоду в катодних мікроплямах. Матеріал катоду з великою енергією і швидкістю біля км/с викидається з мікроплямами у вигляді так званих катодних струменів. Металева плазма, що утворюється в процесі генерації, в результаті взаємодії з електричним і магнітними полями додатково іонізується, частково автосепарується і її рух прискорюється за рахунок негативного потенціалу, що прикладається до арматури з виробами; позитивні іони при влученні на вироби додатково прискорюються в дебаєвському подвійному шарі суThe process of applying coatings consists in transferring the material of the cathode (for example, titanium) to the plasma state (at a pressure in the chamber of -2.107Pa), accelerating the movement of quasi-neutral metal plasma in the direction of the armature with products, and ensuring a plasma-chemical reaction with a reactive gas (M»o, О» - nitrogen or oxygen) for the synthesis of titanium nitride or titanium oxide (TIM, TiO"). The technological algorithm looks like this: a working pressure of 74.1071 Pa of reactive gas is created in the chamber when a power voltage is applied (near - 708 between the anode and the cathode) and the discharge is initiated with the help of the ignition unit, an electric arc discharge occurs between the anode and the cathode. At the same time, cathode erosion occurs in cathode microspots. The material of the cathode with great energy and a speed of about km/s is ejected with microspots in the form of so-called cathode jets. As a result of the interaction with electric and magnetic fields, the metal plasma formed in the generation process is additionally ionized, partially autoseparates, and its movement is accelerated due to the negative potential applied to the armature with the products; positive ions, upon hitting the products, are additionally accelerated in the Debye double layer of SU
Подача в камеру азоту (або кисню) призводить до плазмохімічної реакції з утворенням нітриду (оксиду) титану, що конденсується на виробах. і9)Feeding nitrogen (or oxygen) into the chamber leads to a plasma-chemical reaction with the formation of titanium nitride (oxide), which condenses on the products. i9)
Одержані вище приведеним способом покриття мають ряд недоліків, найістотнішим з них є надмірна напруженість, що при товщі покриття більше як 5-7мкм розтріскуються. Для придания покриттям еластичності вдаються до багатошарових покриттів ІЗ). Наприклад ТітімктітіМ ж... у співвідношенні по товщині 1:10 (0,1мкм «КЕ Тінмкм ТІМ), а також Со, 2тг та ін. (4). Однак природа явища залишається незмінною, тому що конденсуючись на виробах іонно-плазмовий потік позитивних іонів формує недосконалі шари плівок, у яких нагромаджуються -- дефекти структури, вакансії і дислокації. Наявні у плазмі електрони переходять до стінок камери, яка має Ге») позитивний (нульовий потенціал).Coatings obtained by the above method have a number of disadvantages, the most significant of which is excessive tension, which cracks when the thickness of the coating is more than 5-7 microns. In order to give elasticity to the coating, multi-layer coatings are used (IZ). For example, TitimktitiM... in the thickness ratio of 1:10 (0.1μm "KE Tinmkm TIM), as well as So, 2tg, etc. (4). However, the nature of the phenomenon remains unchanged, because the ion-plasma flow of positive ions condensing on the products forms imperfect layers of films in which structure defects, vacancies and dislocations accumulate. The electrons present in the plasma pass to the walls of the chamber, which has a positive (zero potential).
В основу винаходу поставлена задача одержання плівок надтвердих матеріалів керованої напруженості (або в еластичності). Для виконання цієї задачі пропонується новий спосіб нанесення іонно-плазмових покриттів ча програмованої еластичності, у якому відбувається фізичне конденсування покриття із газової фази іонізованої пари квазінейтральної плазми; при цьому на вироби подають електронну і іонну частини газової плазми рознесеними у часі зі сталою частотою (наприклад, промислової частоти), змінюючи потенціал опорної напруги позитивний на негативний, при цьому час дії позитивного потенціалу до часу дії негативного потенціалу може « 70 бути змінений у різному співвідношенні. Таким чином, спосіб, що пропонується, дозволяє у режимі так званої шThe invention is based on the task of obtaining films of superhard materials of controlled tension (or elasticity). To fulfill this task, a new method of applying ion-plasma coatings with programmable elasticity is proposed, in which the coating is physically condensed from the gas phase of the ionized vapor of a quasi-neutral plasma; at the same time, the electronic and ionic parts of the gas plasma are applied to the products spaced in time with a constant frequency (for example, industrial frequency), changing the potential of the reference voltage from positive to negative, while the time of action of the positive potential to the time of action of the negative potential can be changed in different ratios Thus, the proposed method allows in the mode of the so-called sh
Гані широтно-імпульсної і амплітудної модуляції обробляти вироби електронною і іонною частинами газової квазінейтральної плазми, рознесеними у часі. Обробка електронними потоками (при подачі на вироби позитивного )» потенціалу, дозволяє зняти надмірне напруження у конденсованому шарі покриття). При цьому частина електронів рекомбінується і деяка частина атомів покриття із іонів перетворюється у нейтральні атоми (5).In the case of pulse-width and amplitude modulation, products are treated with electronic and ion parts of a gas quasi-neutral plasma spaced in time. Treatment with electronic flows (when a positive potential is applied to the products, allows to remove excessive tension in the condensed layer of the coating). At the same time, part of the electrons recombines and some of the coating atoms turn from ions into neutral atoms (5).
Спосіб реалізовано на стандартному обладнанні, наприклад, установці ВУ2 МБС із модернізацією блока -І опорної напруги, який може генерувати різнополярні імпульси керовані за амплітудою і часом дії, які мають сталу частоту (наприклад, 50 або 100 Гц). При цьому один полюс генератора закріплюється на камері, а другий 7 на арматурі з виробами. (Те) Технологічний алгоритм в основному відповідає вищенаведеному (21), за винятком деяких робочих стадій: у шу 50 камеру завантажуються вироби, що підлягають напилюванню; проводять вакуумування до тиску 72.1072Па, далі нагрівають їх до температури х2509С, потім в атмосфері інертного газу проводять іонну чистку у режиміThe method is implemented on standard equipment, for example, the VU2 MBS installation with the modernization of the reference voltage unit -I, which can generate multipolar pulses controlled by the amplitude and duration of action, which have a constant frequency (for example, 50 or 100 Hz). At the same time, one pole of the generator is fixed on the chamber, and the other 7 on the armature with products. (Te) The technological algorithm basically corresponds to the above (21), with the exception of some working stages: products to be sprayed are loaded into the shu 50 chamber; vacuum is carried out to a pressure of 72.1072 Pa, then they are heated to a temperature of x2509С, then in an inert gas atmosphere, ion cleaning is carried out in the mode
Я» активного тліючого розряду (при напрузі на виробах - 15008 по відношенню до камери т).I" of an active glow discharge (when the voltage on the products is 15008 in relation to the chamber t).
Після цього переходять до іонно-плазмової чистки виробів у парах, що генеруються електродуговим титановим випарником із током «180А, а на вироби від блоку опорної напруги подають різнополярні імпульси, керовані за амплітудою і часом дії, які мають сталу частоту 5ОГц. При цьому за час дії негативного імпульсу на вироби о спрямовується іонна частина квазінейтральної плазми, а за час дії позитивного імпульсу на вироби спрямовується електронна частина квазінейтральної плазми. При чому час дії імпульсів відноситься як 1:1 таким іме) чином 1Омс позитивний, 1Омс негативний; а амплітуда обох імпульсів плавно зростає у часі від 50 до 5008 за час, приблизно 5хв. Далі амплітуду встановлюють у діапазоні 50 - 15088 і подають реактивний газ азот. Час 60 реактивного напилювання приблизно 30-60 хвилин, товщина покриття ТІМ, приблизно 3-бмкм.After that, they proceed to ion-plasma cleaning of the products in pairs generated by an electric arc titanium vaporizer with a current of 180A, and the products are supplied with multipolar pulses controlled by the amplitude and duration of action, which have a constant frequency of 5ΩHz, from the reference voltage unit. At the same time, during the action of the negative pulse, the ionic part of the quasi-neutral plasma is directed at the products, and during the action of the positive pulse, the electronic part of the quasi-neutral plasma is directed at the products. What is more, the duration of the pulses is related as 1:1, i.e. 1 Ohms is positive, 1 Ohms is negative; and the amplitude of both pulses increases smoothly in time from 50 to 5008 in time, approximately 5 min. Next, the amplitude is set in the range of 50 - 15088 and nitrogen reactive gas is supplied. The time of 60 reactive sputtering is approximately 30-60 minutes, the thickness of the TIM coating is approximately 3-bm.
Сформоване таким чином покриття має значно досконалішу структуру, що не має надмірного напруження у конденсованому шарі за рахунок того, що частина електронів рекомбінують і деяка частина атомів покриття із іонів стають нейтральними.The coating formed in this way has a much more perfect structure, which does not have excessive stress in the condensed layer due to the fact that some of the electrons recombine and some of the atoms of the ion coating become neutral.
Джерела інформації: 65 1. Дороднов А.М., Петросов В.А. Про фізичні принципи і типи вакуумних технологічних плазмових пристроївSources of information: 65 1. Dorodnov A.M., Petrosov V.A. About the physical principles and types of vacuum technological plasma devices
Журнал технічної фізики. - Т. 51.-Вип.3.-1981.Journal of technical physics. - Vol. 51.-Issue 3.-1981.
2. Патент Великобританії Мо 1322670. - 1973 р. 3. Патент України Мо 11269. - 1996 р. 4. Патент РФ Мо 2061090, МПК 6 С 23 С 14/32, опубл. 27.05.1996г.2. Great Britain patent Mo 1322670. - 1973. 3. Ukrainian patent Mo 11269. - 1996. 4. Russian patent Mo 2061090, IPC 6 C 23 C 14/32, publ. 05/27/1996
Бюл.Bul.
Мо 15. 5. Плазменннієе ускорители.Mo 15. 5. Plasma accelerators.
Под ред.Ed.
Л.L.
А.AND.
Арцимовича.-М.: Машиностроение.-1973Г.Artsymovicha.-M.: Mashinostroenie.-1973.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAA200511679A UA77914C2 (en) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | Method for ion-plasma sputtering electricity-conductive coatings |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAA200511679A UA77914C2 (en) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | Method for ion-plasma sputtering electricity-conductive coatings |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA77914C2 true UA77914C2 (en) | 2007-01-15 |
Family
ID=37725543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UAA200511679A UA77914C2 (en) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | Method for ion-plasma sputtering electricity-conductive coatings |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
UA (1) | UA77914C2 (en) |
-
2005
- 2005-12-08 UA UAA200511679A patent/UA77914C2/en unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2826917C (en) | Remote arc discharge plasma assisted processes | |
JP6101238B2 (en) | Coating apparatus for coating a substrate and method for coating a substrate | |
Grigoriev et al. | Plasma-and beam-assisted deposition methods | |
US9812299B2 (en) | Apparatus and method for pretreating and coating bodies | |
JP3060876B2 (en) | Metal ion implanter | |
Anders | High power impulse magnetron sputtering and related discharges: Scalable plasma sources for plasma-based ion implantation and deposition | |
JP5647337B2 (en) | Coating device with HIPIMS power supply | |
JP5306198B2 (en) | Electrical insulation film deposition method | |
US6352627B2 (en) | Method and device for PVD coating | |
JP6561048B2 (en) | Method for coating a workpiece with a layer containing TiB2 | |
WO2010026860A1 (en) | Sputter device | |
JP2005248322A (en) | Process for depositing composite coating on surface | |
JP7026464B2 (en) | Method for depositing layers using magnetron sputtering equipment | |
US6083356A (en) | Method and device for pre-treatment of substrates | |
JPH01129958A (en) | Formation of titanium nitride film having high adhesive strength | |
JP6896691B2 (en) | Low temperature arc discharge ion plating coating | |
Burcalova et al. | Ion energy distributions and efficiency of sputtering process in HIPIMS system | |
US20070009670A9 (en) | Sputter method or device for the production of natural voltage optimized coatings | |
UA77914C2 (en) | Method for ion-plasma sputtering electricity-conductive coatings | |
US10083822B2 (en) | Physical vapour deposition coating device as well as a physical vapour deposition method | |
RU144198U1 (en) | DEVICE FOR APPLICATION OF THIN FILM COATINGS | |
KR101883369B1 (en) | Device for coating Multilayer Thin Film | |
CZ309606B6 (en) | A method of creating a pulsed magnetron discharge together with arc evaporation | |
JP6569900B2 (en) | Sputtering apparatus and film forming method | |
KR100701365B1 (en) | Apparatus for improving sputtering effect according to plasma source in pvd |