RU2014117616A - Нанесение оксида кремния путем химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении - Google Patents

Нанесение оксида кремния путем химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении Download PDF

Info

Publication number
RU2014117616A
RU2014117616A RU2014117616/03A RU2014117616A RU2014117616A RU 2014117616 A RU2014117616 A RU 2014117616A RU 2014117616/03 A RU2014117616/03 A RU 2014117616/03A RU 2014117616 A RU2014117616 A RU 2014117616A RU 2014117616 A RU2014117616 A RU 2014117616A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon oxide
substrate
layer
forming
substrate according
Prior art date
Application number
RU2014117616/03A
Other languages
English (en)
Inventor
Райан С. СМИТ
Джеффри Л. СТРИКЕР
Original Assignee
Аркема Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Аркема Инк. filed Critical Аркема Инк.
Publication of RU2014117616A publication Critical patent/RU2014117616A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/0805—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising only Si, C or H atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0834—Compounds having one or more O-Si linkage
    • C07F7/0838—Compounds with one or more Si-O-Si sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/12—Organo silicon halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
    • C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/453—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating passing the reaction gases through burners or torches, e.g. atmospheric pressure CVD
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/213—SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/23—Mixtures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
    • C03C2218/1525—Deposition methods from the vapour phase by cvd by atmospheric CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0209—Pretreatment of the material to be coated by heating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

1. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке, включающий:(a) нагрев подложки;(b) испарение по меньшей мере одного предшественника, содержащего моноалкилсилан, имеющий алкильную группу с более чем двумя атомами углерода для образования потока испаренного предшественника; и(c) контактирование поверхности нагретой подложки с потоком испаренного предшественника при примерно атмосферном давлении для нанесения по меньшей мере одного слоя, содержащего оксид кремния, на поверхность подложки.2. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один содержащий оксид кремния слой имеет показатель преломления в диапазоне от примерно 1,4 до примерно 2,0.3. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один содержащий оксид кремния слой является практически прозрачным.4. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что моноалкилсилан выбирают из группы, состоящей из н-бутилсилана, н-гексилсилана, н-окстилсилана и их смесей.5. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем,что алкильная группа моноалкилсилана содержит по меньшей мере четыре атома углерода.6. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что подложку выбирают из группы, состоящей из стекла, фторполимерных смол, сложных полиэфиров, пол

Claims (23)

1. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке, включающий:
(a) нагрев подложки;
(b) испарение по меньшей мере одного предшественника, содержащего моноалкилсилан, имеющий алкильную группу с более чем двумя атомами углерода для образования потока испаренного предшественника; и
(c) контактирование поверхности нагретой подложки с потоком испаренного предшественника при примерно атмосферном давлении для нанесения по меньшей мере одного слоя, содержащего оксид кремния, на поверхность подложки.
2. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один содержащий оксид кремния слой имеет показатель преломления в диапазоне от примерно 1,4 до примерно 2,0.
3. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один содержащий оксид кремния слой является практически прозрачным.
4. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что моноалкилсилан выбирают из группы, состоящей из н-бутилсилана, н-гексилсилана, н-окстилсилана и их смесей.
5. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем,
что алкильная группа моноалкилсилана содержит по меньшей мере четыре атома углерода.
6. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что подложку выбирают из группы, состоящей из стекла, фторполимерных смол, сложных полиэфиров, полиакрилатов, полиамидов, полиимидов и поликарбонатов.
7. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один слой, наносимый на поверхность подложки, представляет собой практически чистый оксид кремния.
8. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один слой, наносимый на поверхность подложки, представляет собой смешанный оксид, содержащий оксид кремния.
9. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 8, характеризующийся тем, что смешанный оксид содержит оксид с высоким показателем преломления, выбранный из группы, состоящей из оксидов олова, оксидов титана, оксидов алюминия, оксидов цинка, оксидов индия и их смесей.
10. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что поток испаренного предшественника дополнительно содержит по меньшей мере одно из сухого воздуха, кислорода, азота и водяного пара.
11. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что поток испаренного предшественника не содержит активатора.
12. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что моноалкилсилан не является галогенированным.
13. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что подложку нагревают до температуры в диапазоне от примерно 400°C до примерно 800°C.
14. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один содержащий оксид кремния слой наносят на поверхность подложки со скоростью выше примерно 3 нм/с.
15. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что содержащий оксид кремния слой наносят на поверхность подложки со скоростью выше примерно 5 нм/с.
16. Содержащая оксид кремния тонкая пленка, получаемая с использованием химического процесса осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении, включающего:
(a) нагрев подложки; и
(b) контактирование поверхности нагретой подложки с газом-предшественником, содержащим испаренный моноалкилсилан, имеющий алкильную группу с более чем двумя атомами углерода, при примерно атмосферном давлении с получением содержащей оксид кремния пленки.
17. Содержащая оксид кремния тонкая пленка по п. 16, отличающаяся тем, что содержащая оксид кремния тонкая пленка содержит менее 10 вес.% остаточного углерода.
18. Содержащая оксид кремния тонкая пленка по п. 16, отличающаяся тем, что содержащая оксид кремния тонкая пленка содержит менее 1000 частей на миллион остаточного углерода.
19. Содержащая оксид кремния тонкая пленка по п.16, отличающаяся тем, что содержащая оксид кремния тонкая пленка имеет толщину в диапазоне от примерно 20 нм до примерно 500 нм.
20. Способ получения по меньшей мере одного антирадужного покрытия из оксида кремния на стеклянной подложке, включающий:
(a) нагрев стеклянной подложки;
(b) испарение по меньшей мере одного предшественника, содержащего моноалкилсилан, имеющий алкильную группу с более чем двумя атомами углерода с образованием потока испаренного предшественника; и
(c) контактирование поверхности нагретой стеклянной подложки с потоком испаренного предшественника и окислителем при примерно атмосферном давлении для нанесения по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя, имеющего показатель преломления в диапазоне от примерно 1,4 до примерно 2,0, на поверхность стеклянной подложки.
21. Способ получения по меньшей мере одного антирадужного покрытия из оксида кремния на стеклянной подложке по п. 20, характеризующийся тем, что окислитель вводят в виде по меньшей мере одного из сухого воздуха и водяного пара.
22. Способ получения по меньшей мере одного антирадужного
покрытия из оксида кремния на стеклянной подложке по п. 20, характеризующийся тем, что по меньшей мере один слой, наносимый на поверхность стеклянной подложки, представляет собой практически чистый оксид кремния.
23. Способ получения по меньшей мере одного антирадужного покрытия из оксида кремния на стеклянной подложке по п. 20, характеризующийся тем, что по меньшей мере один слой, наносимый на поверхность подложки, представляет собой смешанный оксид, содержащий оксид кремния и оксид, выбранный из группы, состоящей из оксидов олова, оксидов титана, оксидов алюминия, оксидов цинка и их смесей.
RU2014117616/03A 2011-09-30 2012-09-13 Нанесение оксида кремния путем химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении RU2014117616A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161541311P 2011-09-30 2011-09-30
US61/541,311 2011-09-30
PCT/US2012/055043 WO2013048751A1 (en) 2011-09-30 2012-09-13 Deposition of silicon oxide by atmospheric pressure chemical vapor deposition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2014117616A true RU2014117616A (ru) 2015-11-10

Family

ID=47996304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014117616/03A RU2014117616A (ru) 2011-09-30 2012-09-13 Нанесение оксида кремния путем химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20140227512A1 (ru)
EP (1) EP2761054B1 (ru)
JP (1) JP6117799B2 (ru)
CN (1) CN103958731B (ru)
RU (1) RU2014117616A (ru)
TW (1) TW201313946A (ru)
WO (1) WO2013048751A1 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011080202A1 (de) * 2011-08-01 2013-02-07 Gebr. Schmid Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten
US20130334089A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Michael P. Remington, Jr. Glass Container Insulative Coating
US9725802B2 (en) 2014-11-11 2017-08-08 Graham Packaging Company, L.P. Method for making pet containers with enhanced silicon dioxide barrier coating
CA2920646A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-12 Seastar Chemicals Inc. Organometallic compound and method
DE102018207101B4 (de) * 2018-05-08 2024-06-13 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Bodens einer Analysezelle zum Analysieren eines biochemischen Materials und Analysezelle
WO2020106445A1 (en) * 2018-11-20 2020-05-28 Corning Incorporated Organosilicate films to inhibit glass weathering
EA202191727A1 (ru) * 2018-12-21 2021-09-03 Агк Гласс Юроп Способ нанесения покрытия на металл
CN110335811B (zh) * 2019-07-09 2021-08-10 山东宝乘电子有限公司 一种含氧多晶硅钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的芯片
GB201910988D0 (en) * 2019-08-01 2019-09-18 Pilkington Group Ltd Touchenable coated substrate
EP4015467A1 (de) * 2020-12-16 2022-06-22 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas
EP4015468A1 (de) 2020-12-16 2022-06-22 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas
CN113149456A (zh) * 2021-03-16 2021-07-23 湖州维德光电科技有限公司 一种防止石英玻璃高温变形粘连的纳米氧化铝涂层工艺

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4206252A (en) * 1977-04-04 1980-06-03 Gordon Roy G Deposition method for coating glass and the like
CA1134214A (en) * 1978-03-08 1982-10-26 Roy G. Gordon Deposition method
US4981724A (en) * 1988-10-27 1991-01-01 Hochberg Arthur K Deposition of silicon oxide films using alkylsilane liquid sources
US5527629A (en) * 1990-12-17 1996-06-18 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process of depositing a layer of silicon oxide bonded to a substrate of polymeric material using high pressure and electrical discharge
HUT67158A (en) * 1991-12-26 1995-02-28 Atochem North America Elf Coated glass article
US5670224A (en) * 1992-11-13 1997-09-23 Energy Conversion Devices, Inc. Modified silicon oxide barrier coatings produced by microwave CVD deposition on polymeric substrates
GB9723222D0 (en) * 1997-11-04 1998-01-07 Pilkington Plc Coating glass
US6028014A (en) * 1997-11-10 2000-02-22 Lsi Logic Corporation Plasma-enhanced oxide process optimization and material and apparatus therefor
US5976991A (en) * 1998-06-11 1999-11-02 Air Products And Chemicals, Inc. Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride using bis(tertiarybutylamino) silane
US6303047B1 (en) * 1999-03-22 2001-10-16 Lsi Logic Corporation Low dielectric constant multiple carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures, and method of making same
US6524974B1 (en) * 1999-03-22 2003-02-25 Lsi Logic Corporation Formation of improved low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material by reaction of carbon-containing silane with oxidizing agent in the presence of one or more reaction retardants
JP2001291713A (ja) * 2000-04-07 2001-10-19 Canon Sales Co Inc 成膜方法及び半導体装置
US6716770B2 (en) * 2001-05-23 2004-04-06 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric constant material and method of processing by CVD
JP2003048753A (ja) * 2001-08-03 2003-02-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd 薄膜を備えたガラス基板およびその製造方法
JP4124430B2 (ja) * 2002-09-05 2008-07-23 大日本印刷株式会社 高親水性積層体
US20050044894A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-03 Douglas Nelson Deposition of silica coatings on a substrate
CN100567565C (zh) * 2006-03-08 2009-12-09 联华电子股份有限公司 含硅薄膜的形成方法与减少微粒数目的方法
JP2009538989A (ja) * 2006-05-30 2009-11-12 フジフィルム マニュファクチャリング ユーロプ ビー．ブイ． パルス化大気圧グロー放電を使用する堆積の方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140227512A1 (en) 2014-08-14
JP6117799B2 (ja) 2017-04-19
EP2761054A1 (en) 2014-08-06
WO2013048751A1 (en) 2013-04-04
TW201313946A (zh) 2013-04-01
EP2761054B1 (en) 2019-08-14
CN103958731A (zh) 2014-07-30
EP2761054A4 (en) 2015-09-30
CN103958731B (zh) 2016-12-21
JP2014532118A (ja) 2014-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014117616A (ru) Нанесение оксида кремния путем химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении
KR101706836B1 (ko) 표면 처리 조성물 및 그것을 사용해서 얻어지는 물품
JP2004537448A5 (ru)
CA2457791A1 (en) Coatings with low permeation of gases and vapors
JP2015508510A5 (ru)
KR20110030381A (ko) 가스 배리어 코팅 및 가스 배리어 필름
TWI834975B (zh) 超疏水膜層及其製備方法和產品
EA201490034A1 (ru) Способ получения оконного стекла, содержащего пористый слой
KR20140116540A (ko) 불소-함유 실란계 막을 갖는 물품의 제조 방법
KR20130024919A (ko) 기재 상에 니오븀-도핑된 티타니아 필름을 침착시키는 방법 및 이로써 제조된 코팅된 기재
ATE528420T1 (de) Tieftemperaturverfahren zur herstellung eines mit zinkoxid beschichteten gegenstands
CN105204685A (zh) 一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法
Huang et al. Investigation of atmospheric-pressure plasma deposited SiOx films on polymeric substrates
EA017910B1 (ru) Способ улучшения химической стойкости стеклянной подложки
Wang et al. Preparation methods and application of silicon oxide films
TW201137156A (en) Substrate coating and the method of forming the same
Sze et al. Effect of passivation layers by liquid phase deposition (LPD) on moisture and oxygen protection for flexible organic light-emitting diode (FOLED)
TWI532872B (zh) Production equipment of silicon dioxide film and its production method
CN104743892B (zh) 制备疏水层的方法、疏水组件以及玻璃
TWI848625B (zh) 一種ｄｌｃ塗層、其製備方法及設備及複合塗層、塗覆製品
US11384012B2 (en) Atomized anti-scratching nano-coating for glass surface and method of manufacturing thereof
TW201429908A (zh) 線上低輻射鍍膜玻璃的製造裝置及其製造方法
Zaleta-Alejandre et al. Optical characteristics of silica coatings deposited by ozone assisted spray pyrolysis technique
WO2024071414A1 (ja) 表面処理剤
JPWO2014069487A1 (ja) 薄膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20170127