RU2014103710A - Катриджный реактор для производства материалов посредством процесса химического осаждения паров - Google Patents
Катриджный реактор для производства материалов посредством процесса химического осаждения паров Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014103710A RU2014103710A RU2014103710/02A RU2014103710A RU2014103710A RU 2014103710 A RU2014103710 A RU 2014103710A RU 2014103710/02 A RU2014103710/02 A RU 2014103710/02A RU 2014103710 A RU2014103710 A RU 2014103710A RU 2014103710 A RU2014103710 A RU 2014103710A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- container
- deposition
- reactor
- flow
- heated
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Способ производства материалов посредством процесса химического осаждения паров, в котором:a. обеспечивают контейнер, который может быть герметизирован от окружающего свободного пространства,b. обеспечивают поверхности осаждения, которые могут быть нагреты и которые могут быть размещены внутри контейнера,c. обеспечивают течение газовой смеси осаждения в контейнер, в то же время, предотвращая течение газовой смеси осаждения в свободное пространство, окружающее контейнер,d. обеспечивают течение отводимого газа из контейнера, в то же время, предотвращая течение отводимого газа в свободное пространство, окружающее контейнер,e. размещают поверхности осаждения внутри контейнера, герметизируют контейнер от окружающего свободного пространства, нагревают поверхности осаждения, обеспечивают течение газовой смеси осаждения в контейнер и обеспечивают течение отводимого газа из контейнера так, что осаждают корки материала на поверхностях осаждения и, по существу, заполняют свободный объем контейнера,f. останавливают и продувают поток газовой смеси осаждения внутрь контейнера, и продолжают производственный цикл любым из следующих путей:i. в случае, если поверхности осаждения выполнены из того же материала, что и осажденный материал, просто осуществляют разгерметизацию контейнера и извлекают контейнер, по существу, заполненный корками материала, для дальнейшей обработки,ii. в случае, если поверхности осаждения выполнены из материала или комбинации материалов с более высокой температурой плавления, чем у производимого материала, и необходимо получить твердый продукт:1. Дополнительно нагревают поверхности осаж�
Claims (4)
1. Способ производства материалов посредством процесса химического осаждения паров, в котором:
a. обеспечивают контейнер, который может быть герметизирован от окружающего свободного пространства,
b. обеспечивают поверхности осаждения, которые могут быть нагреты и которые могут быть размещены внутри контейнера,
c. обеспечивают течение газовой смеси осаждения в контейнер, в то же время, предотвращая течение газовой смеси осаждения в свободное пространство, окружающее контейнер,
d. обеспечивают течение отводимого газа из контейнера, в то же время, предотвращая течение отводимого газа в свободное пространство, окружающее контейнер,
e. размещают поверхности осаждения внутри контейнера, герметизируют контейнер от окружающего свободного пространства, нагревают поверхности осаждения, обеспечивают течение газовой смеси осаждения в контейнер и обеспечивают течение отводимого газа из контейнера так, что осаждают корки материала на поверхностях осаждения и, по существу, заполняют свободный объем контейнера,
f. останавливают и продувают поток газовой смеси осаждения внутрь контейнера, и продолжают производственный цикл любым из следующих путей:
i. в случае, если поверхности осаждения выполнены из того же материала, что и осажденный материал, просто осуществляют разгерметизацию контейнера и извлекают контейнер, по существу, заполненный корками материала, для дальнейшей обработки,
ii. в случае, если поверхности осаждения выполнены из материала или комбинации материалов с более высокой температурой плавления, чем у производимого материала, и необходимо получить твердый продукт:
1. Дополнительно нагревают поверхности осаждения до или выше температуры плавления материала так, так происходит ожижение тонкого слоя материала на границах раздела с поверхностью осаждения и отсоединение корок материала.
2. Осуществляют разгерметизацию контейнера и отделяют нагретые поверхности осаждения от отсоединенных корок материала в контейнере.
3. Извлекают контейнер, по существу, заполненный корками материала, для дальнейшей обработки.
iii. в случае, если поверхности осаждения выполнены из материала или комбинации материалов с более высокой температурой плавления, чем у производимого материала, и необходимо получить расплавленный продукт:
1. Дополнительно нагревают поверхности осаждения до или выше температуры плавления материала и обеспечивают контакт поверхностей осаждения с материалом, пока материал не расплавится.
2. Осуществляют разгерметизацию контейнера и отделяют нагретые поверхности осаждения от расплавленного материала в контейнере.
3. Извлекают контейнер, по существу, заполненный расплавленным материалом, для дальнейшей обработки.
iv. в случае, если поверхности осаждения выполнены из материала или комбинации материалов с более высокой температурой плавления, чем у производимого материала, и необходимо получить кристаллический продукт:
1. Дополнительно нагревают поверхности осаждения до или выше температуры плавления материала и обеспечивают контакт поверхностей осаждения с материалом, пока материал не расплавится.
2. Осуществляют разгерметизацию контейнера и отделяют нагретые поверхности осаждения от расплавленного материала с управляемой скоростью так, что происходит заданное охлаждение и кристаллизация материала.
3. Извлекают контейнер, по существу, заполненный кристаллизованным материалом, для дальнейшей обработки.
2. Способ и реактор для производства материалов посредством процесса химического осаждения паров, в которых:
а. обеспечивают реактор, который может быть герметизирован от окружающего свободного пространства,
b. обеспечивают контейнер, который может быть помещен внутрь реактора и может быть герметизирован от остального свободного пространства внутри реактора,
c. обеспечивают поверхности осаждения, которые могут быть нагреты и которые могут быть размещены внутри контейнера,
d. обеспечивают течение газовой смеси осаждения извне реактора внутрь контейнера, находящегося внутри реактора, в то же время, предотвращая течение газовой смеси осаждения в остальное свободное пространство внутри реактора,
e. обеспечивают течение отводимого газа из внутреннего объема контейнера, находящегося внутри реактора, наружу из реактора, в то же время, предотвращая течение отводимого газа в остальное свободное пространство внутри реактора,
f. размещают контейнер внутри реактора и герметизируют реактор от окружающего свободного пространства,
g. размещают поверхности осаждения внутри контейнера и герметизируют контейнер от остального свободного пространства внутри реактора,
h. нагревают поверхности осаждения, обеспечивают течение газовой смеси осаждения в контейнер и обеспечивают течение отводимого газа из контейнера так, что осаждают на поверхности осаждения корки материала и, по существу, заполняют свободный объем контейнера,
i. останавливают и продувают поток газовой смеси осаждения в контейнер и продолжают производственный цикл одним из следующих путей:
i. в случае если поверхности осаждения выполнены из того же материала, что и осажденный материал, просто осуществляют разгерметизацию контейнера, разгерметизацию реактора и извлекают контейнер, по существу, заполненный корками материала, для дальнейшей обработки,
ii. в случае если поверхности осаждения выполнены из материала или комбинации материалов с более высокой температурой плавления, чем у производимого материала, и необходимо получить твердый продукт:
1. Дополнительно нагревают поверхности осаждения до или выше температуры плавления материала так, что происходит ожижение тонкого слоя материала на границах раздела с поверхностью осаждения и отсоединение корок материала.
2. Осуществляют разгерметизацию контейнера и отделяют нагретые поверхности осаждения от отсоединенных корок материала в контейнере.
3. Осуществляют разгерметизацию реактора и извлекают контейнер, по существу, заполненный корками материала, для дальнейшей обработки.
iii. в случае, если поверхности осаждения выполнены из материала или комбинации материалов с более высокой температурой плавления, чем у производимого материала, и необходимо получить расплавленный продукт:
1. Дополнительно нагревают поверхности осаждения до или выше температуры плавления материала и обеспечивают контакт поверхностей осаждения с материалом, пока материал не расплавится.
2. Осуществляют разгерметизацию контейнера и отделяют нагретые поверхности осаждения от расплавленного материала в контейнере.
3. Осуществляют разгерметизацию реактора и извлекают контейнер, по существу, заполненный расплавленным материалом, для дальнейшей обработки.
iv. в случае если поверхности осаждения выполнены из материала или комбинации материалов с более высокой температурой плавления, чем у производимого материала, и необходимо получить кристаллический продукт:
1. Дополнительно нагревают поверхности осаждения до или выше температуры плавления материала так, что происходит ожижение тонкого слоя материала на границах раздела с поверхностью осаждения и отсоединение корок материала.
2. Плавят материал одним из следующих путей:
a. плавят с помощью поверхностей осаждения, обеспечивая контакт пластин осаждения с материалом, пока материал не расплавится,
b. плавят с помощью нагревателя, внешнего по отношению к контейнеру, но внутреннего по отношению к реактору, при этом:
i. осуществляют разгерметизацию контейнера и отделяют нагретые поверхности осаждения от отсоединенных корок материала в контейнере,
ii. плавят материал в контейнере с помощью нагревателя, внешнего по отношению к контейнеру, но внутреннего по отношению к реактору,
3. Кристаллизуют расплавленный материал одним из следующих путей:
a. осуществляют разгерметизацию контейнера и отделяют нагретые поверхности осаждения от расплавленного материала с управляемой скоростью так, что происходит заданное охлаждение и кристаллизация материала,
b. обеспечивают с помощью нагревателя, внешнего по отношению к контейнеру, но внутреннего по отношению к реактору, нагрев с управляемой скоростью так, что происходит заданное охлаждение и кристаллизация материала,
c. обеспечивают охладитель, внешний по отношению к контейнеру, но внутренний по отношению к реактору, и обеспечивают охлаждение указанным охладителем с управляемой скоростью так, что происходит заданное охлаждение и кристаллизация материала,
d. обеспечивают вращающийся вытяжной стержень, который погружают в расплавленный материал и вытягивают из расплавленного материала с управляемой скоростью так, что происходит кристаллизация материала,
4. Осуществляют разгерметизацию реактора и извлекают контейнер, по существу, заполненный кристаллизованным материалом, для дальнейшей обработки.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161504148P | 2011-07-01 | 2011-07-01 | |
| US201161504145P | 2011-07-01 | 2011-07-01 | |
| US61/504,145 | 2011-07-01 | ||
| US61/504,148 | 2011-07-01 | ||
| PCT/US2012/045177 WO2013006523A1 (en) | 2011-07-01 | 2012-07-01 | Cartridge reactor for production of materials via the chemical vapor deposition process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014103710A true RU2014103710A (ru) | 2015-08-10 |
Family
ID=47437386
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014103710/02A RU2014103710A (ru) | 2011-07-01 | 2012-07-01 | Катриджный реактор для производства материалов посредством процесса химического осаждения паров |
| RU2014103707/02A RU2014103707A (ru) | 2011-07-01 | 2012-07-01 | Картридж осаждения для производства материалов посредством процесса химического осаждения из газовой фазы |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014103707/02A RU2014103707A (ru) | 2011-07-01 | 2012-07-01 | Картридж осаждения для производства материалов посредством процесса химического осаждения из газовой фазы |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (2) | EP2726645A1 (ru) |
| JP (2) | JP2014522799A (ru) |
| KR (2) | KR20140082638A (ru) |
| CN (2) | CN103958732A (ru) |
| IN (1) | IN2014MN00197A (ru) |
| RU (2) | RU2014103710A (ru) |
| TW (2) | TW201305376A (ru) |
| WO (2) | WO2013006522A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2534192B (en) * | 2015-01-16 | 2019-10-23 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Ltd | Surface Processing Apparatus and Method |
| JP2018123033A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の製造方法および多結晶シリコン棒 |
| JP6969917B2 (ja) | 2017-07-12 | 2021-11-24 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒および多結晶シリコン棒の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4710260A (en) * | 1982-12-22 | 1987-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Deposition of silicon at temperatures above its melting point |
| US5320680A (en) * | 1991-04-25 | 1994-06-14 | Silicon Valley Group, Inc. | Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow |
| CN101218175A (zh) * | 2005-04-10 | 2008-07-09 | 瑞科硅公司 | 多晶硅的制备 |
| CN101707871B (zh) * | 2007-04-25 | 2013-06-12 | 卡甘·塞兰 | 通过大表面积气-固或气-液界面及液相再生沉积高纯硅 |
| JP5428303B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2014-02-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン製造方法 |
| US8399072B2 (en) * | 2009-04-24 | 2013-03-19 | Savi Research, Inc. | Process for improved chemcial vapor deposition of polysilicon |
| KR101115697B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2012-03-06 | 웅진폴리실리콘주식회사 | 에너지 효율을 높여주는 복사열 차단막을 갖는 화학기상증착 반응기 |
-
2012
- 2012-07-01 CN CN201280042301.XA patent/CN103958732A/zh active Pending
- 2012-07-01 KR KR1020147002798A patent/KR20140082638A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-07-01 JP JP2014519212A patent/JP2014522799A/ja active Pending
- 2012-07-01 JP JP2014519213A patent/JP2014523488A/ja active Pending
- 2012-07-01 WO PCT/US2012/045176 patent/WO2013006522A1/en active Application Filing
- 2012-07-01 EP EP12807788.0A patent/EP2726645A1/en not_active Withdrawn
- 2012-07-01 WO PCT/US2012/045177 patent/WO2013006523A1/en active Application Filing
- 2012-07-01 RU RU2014103710/02A patent/RU2014103710A/ru not_active Application Discontinuation
- 2012-07-01 RU RU2014103707/02A patent/RU2014103707A/ru not_active Application Discontinuation
- 2012-07-01 KR KR1020147002797A patent/KR20140082637A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-07-01 EP EP12808029.8A patent/EP2726646A1/en not_active Withdrawn
- 2012-07-01 CN CN201280042405.0A patent/CN103998648A/zh active Pending
- 2012-07-02 TW TW101123832A patent/TW201305376A/zh unknown
- 2012-07-02 TW TW101123695A patent/TWI472654B/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-01-30 IN IN197MUN2014 patent/IN2014MN00197A/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2726646A1 (en) | 2014-05-07 |
| EP2726645A1 (en) | 2014-05-07 |
| JP2014522799A (ja) | 2014-09-08 |
| KR20140082638A (ko) | 2014-07-02 |
| IN2014MN00197A (ru) | 2015-08-21 |
| TW201305400A (zh) | 2013-02-01 |
| WO2013006522A1 (en) | 2013-01-10 |
| TW201305376A (zh) | 2013-02-01 |
| TWI472654B (zh) | 2015-02-11 |
| RU2014103707A (ru) | 2015-08-10 |
| KR20140082637A (ko) | 2014-07-02 |
| JP2014523488A (ja) | 2014-09-11 |
| WO2013006522A9 (en) | 2013-02-14 |
| CN103998648A (zh) | 2014-08-20 |
| CN103958732A (zh) | 2014-07-30 |
| WO2013006523A1 (en) | 2013-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2015131829A (ru) | Обработка материалов через оптически прозрачный шлак | |
| RU2014103710A (ru) | Катриджный реактор для производства материалов посредством процесса химического осаждения паров | |
| CN202989330U (zh) | 新型多晶炉加热装置 | |
| JP2014527013A5 (ru) | ||
| EA201300969A1 (ru) | Способ очистки воды методом перекристаллизации и теплообменная емкость (варианты) для его осуществления | |
| CN204198422U (zh) | 高纯无氧硒真空精馏制备装置 | |
| JP2014521577A5 (ru) | ||
| CN106048262A (zh) | 一种镓的提纯方法及装置 | |
| CN106676624B (zh) | 一种片状蓝宝石的导模加工方法 | |
| CN103184510A (zh) | 单晶炉的热场 | |
| CN102912416A (zh) | 新型多晶炉加热装置 | |
| TWI411579B (zh) | A method for purifying potassium nitrate from waste from the glass hardening process | |
| CN207727190U (zh) | 具有交变温场的水热结晶装置 | |
| JP5475708B2 (ja) | チタンの製造方法及び製造装置 | |
| CN101235535A (zh) | 一种晶体生长方法及其设备 | |
| TWI732376B (zh) | 連續直拉單晶生長設備 | |
| RU2011143444A (ru) | Способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия | |
| RU2146185C1 (ru) | Способ изготовления направленной кристаллизацией детали с монокристаллической структурой и устройство для его осуществления | |
| RU2330903C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ LiNbO3 И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | |
| MD4095C1 (ru) | Способ получения сверхпроводящих монокристаллов халькогенидов железа общей формулы FeTe0,5Se0,5 | |
| KR20170022306A (ko) | 저융점 금속의 고순도화 장치 | |
| RU2631372C1 (ru) | Способ получения кремниевых мишеней для магнетронного распыления | |
| TWI452182B (zh) | 鑄造晶碇之方法 | |
| TWI589526B (zh) | High quality ingot mass production methods | |
| US20140131911A1 (en) | Cartridge Reactor for Production of Materials via the Chemical Vapor Deposition Process |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20150702 |