CN103958732A - 用于通过化学气相沉积方法制造材料的沉积盒 - Google Patents

Abstract

一种在通过化学气相沉积方法制造材料过程中使用的电加热沉积盒，其具有：（i）比籽棒对高的表面积与体积比；（ii）比籽棒对高的起始有效沉积表面积与最终有效沉积表面积比；以及（iii）比基础沉积板高的有效沉积表面积与总表面积比，这些通过在沉积盒的所有期望表面上达到并保持期望温度来实现，而这又通过在沉积盒的所有期望横截面积上通过期望量的电流分布来实现。

Description

用于通过化学气相沉积方法制造材料的沉积盒

本专利申请通过参考将2009年10月22日提交的美国专利申请No.12/597,151（“‘151专利申请”）、“Deposition of high-purity siliconvia high-surface-area gas-solid or gas-liquid interfaces and recovery vialiquid phase”整体结合入本文。本申请还通过参考将与本申请同时提交的名称为“CARTRIDGE REACTOR FOR PRODUCTION OFMATERIALS VIA THE CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONPROCESS”的共同未决申请（其申请号No._____一旦知晓便会增入）整体结合入本文。本专利申请还要求2011年7月1日提交的美国临时专利申请No.61504148（“‘148临时专利申请”）、“Depositioncartridge for production of high-purity amorphous and crystalline siliconand other materials”以及2011年7月1日提交的美国临时专利申请No.61504145（“‘145临时专利申请”）、“Cartridge reactor forproduction of high-purity amorphous and crystalline silicon and othermaterials”的权益，这两者整体结合入本文中。在‘151专利申请中，术语“沉积板”被定义为硅沉积到其上的表面，但是在描述本专利申请中的实际物理部件时为了更加清楚的目的，“沉积表面”被定义为材料沉积到其上的表面，并且“沉积板”被定义为实际的物理平板（具有相对于其边缘显著较大的侧面上的表面积的物体），材料沉积在其上，优选沉积在两个侧面上以及一个或多个边缘上。因此，沉积板的侧面和边缘为沉积表面。术语“沉积盒”被定义为分配棒和固体沉积板的组合体，或者简单定义为曲折模式的沉积板，每种都可结合有绝缘层或间隔件。术语“西门子反应器”被定义为初始设计为使用籽棒的沉积反应器。

背景技术

‘151专利申请描述了西门子反应器的缺陷，包括:

1.多晶硅棒的低平均表面积，这导致低的体积沉积率和由此低的西门子反应器生产率（通过在给定的时间周期制造的多晶硅质量来测量，通常为公吨每年）。

2.多晶硅棒的低表面积与体积比，这导致为了保持实现在所需的延长时间周期沉积所需的表面温度以获得有意义的沉积体积而带来的高能耗。

3.棒收获过程的劳动密集和易于污染特性。

‘151专利申请中描述的发明通过提供高表面积电加热沉积板克服了上述前两个缺陷。硅以高体积速率通过CVD（化学气相沉积）方法沉积到这些板上并接着通过对这些板附加加热回收出来（recover）。附加加热导致在板界面处的非常薄的一层沉积多晶硅液化，并且沉积的多晶硅的固体外皮可通过机械方式或重力从板脱离。在西门子反应器中使用大尺寸板相对于使用传统籽棒增加了反应器的生产率，而使用较小尺寸板在保持相对于使用籽棒的相同生产率的同时减小了反应器的能耗。

但是，单独使用沉积板并没有解决收获过程的劳动密集和易于污染特性的上述第三个缺陷。为了克服该缺陷，‘151专利申请中描述的发明还提供了与板一起使用的新沉积反应器，能够在反应器中发生沉积和回收。

尽管相对于传统籽棒而言有显著优点，但是‘151专利申请中描述的沉积板有其自身的一些缺陷。‘151专利申请要求使用许多适当材料来构建那些沉积板，诸如钨、氮化硅、碳化硅、石墨、合金、复合物、及其混合物，其将这些沉积板描述为数个毫米厚并且长度和高度达数米。其还将这些板描述为通过将负极连接到板的一个端部并且正极连接到另一个端部来通电。

考虑到这种布置结构由于短路很难分配电流均匀流过沉积板的整个横截面积，并且因此很难实现将整个板表面均匀加热到期望温度。如果正被沉积在沉积板的未绝缘表面上的材料是在高温下导电的半导体、诸如多晶硅，则这种短路只会加重。因此板的有效沉积表面积比板的总体表面积小（虽然仍然显著高于多晶硅棒的平均沉积表面积）。由于沉积速率、即生产速率与平均沉积表面积成比例，能够适应这些沉积板的总体尺寸的反应器的生产速率没有被最大化，因为沉积表面积与总体表面积的比未最大化。以这种生产速率操作的反应器因此产生未最小化的生产成本。

沉积板不能在其整个表面积上达到最佳沉积温度还会在外皮的回收过程中产生影响。可能存在沉积板的区域已经达到小于最佳沉积温度但是仍然高到足以进行一些外皮形成的温度。在外皮提取过程中，可能不能将沉积板的这些区域迅速加热到或者高于材料的熔化温度，导致适当加热区域中的外皮的过度熔化，或者导致仅部分分离和提取。最后，这些沉积板没有用于阻止在可能阻碍外皮分离的表面上沉积的内置机构。

发明内容

本发明通过提供一种带有大沉积表面积的电加热沉积盒来克服上述沉积板的缺陷，其中所述沉积盒由分配棒和固体沉积板构成、或者仅由曲折沉积板构成，并且能够结合有电绝缘层或者间隔件。期望量的电流能够分配穿过沉积盒的期望横截面积，从而在沉积盒的所有期望表面上达到并且保持期望温度。

通过将期望量的电流分配穿过期望横截面积并且通过适当绝缘从而在所有期望表面上实现期望温度的能力使得沉积盒具有相对于其总体表面积最大化的有效沉积表面积。这又使得能够适应其总体尺寸的反应器的生产率最大化并且因此最小化生产成本。材料外皮的回收通过沉积盒的同时加热特征以及通过其在除外部冷却之外选择性加热来限制在阻碍表面上的沉积的能力来简化。

这些沉积盒能够以任何数量用在任何沉积反应器、包括西门子反应器中作为籽棒的替代，并且能够以任何方向定向，包括竖直和/或水平。通过附加加热沉积盒使得在沉积盒界面处的一薄层外皮液化来使外皮脱离沉积盒可以在反应器中或反应器外通过首先收获包覆外皮的沉积盒来实现。外皮可接着通过施加包括重力或机械力的任何力而与沉积盒完全分离。沉积盒的使用和益处可被拓展到借助CVD方法生产的所有材料，包括但不限于多晶硅。

附图说明

图1示出了带有固体沉积板和分配棒的沉积盒的一种优选实施方式的立视截面和俯视截面。

图2示出了带有曲折沉积板的沉积盒的一种优选实施方式的立视截面和俯视截面。

图3示出了带有曲折沉积板和冷却器外边缘的沉积盒的一种优选实施方式的立视截面和俯视截面。

图4示出了带有曲折沉积板和分开的外部路径的沉积盒的一种优选实施方式的立视截面和俯视截面。

图5示出了用于坩埚反应器的沉积盒的一种优选实施方式的立体图。

图6示出了用于西门子反应器的沉积盒的一种优选实施方式的立体图。

图7示出了带有多晶硅棒的18对西门子反应器在沉积运转开始和结束时的俯视截面。

图8示出了带有沉积盒的18对西门子反应器的一种优选实施方式的俯视截面。

图9示出了安装在西门子反应器中的沉积盒的一种优选实施方式的立视截面。

图10示出了安装在西门子反应器中的沉积盒的一种优选实施方式的俯视截面。

图11示出了安装在西门子反应器中的沉积盒的一种优选实施方式的正视截面。

图12示出了安装在西门子反应器中的U形沉积盒的一种优选实施方式的立视截面。

图13示出了安装在西门子反应器中的U形沉积盒的一种优选实施方式的俯视截面。

图14示出了安装在西门子反应器中的U形沉积盒的一种优选实施方式的正视截面。

具体实施方式

为了实现材料的电阻加热，电流必须通过材料。但是，电流始终通过最小电阻的路径行进。电阻公式如下：

R=ρ*L/S

其中：R=通过特定材料的特定路径的电阻，单位为欧姆（Ohm）

P=该材料的体电阻率，单位为欧姆*米（Ohm*m）

L=路径的长度，单位为米（m）

S=电流穿过其行进的路径的横截面积

如果电极被连接到导电材料的方形板的两个上部角并且接通电源，则大部分电流倾向于沿着穿过板的顶部的直且狭窄的路径在一个电极和另一个电极之间运动，非常少的电流会到达板的下部部分。类似的，如果两件分开的材料并列连接，则大部分电流倾向于行进通过具有较低电阻的材料。如果分开的两件是由相同材料制成的，则大部分电流倾向于行进通过具有最低长度与横截面积比的那件，因为那件具有较低电阻。如果分开的两件具有相同的长度与横截面积比但是由不同的材料制成，则大部分电流倾向于行进通过具有较低体电阻率的材料。

利用上述原理，可以选择特定体电阻率的材料并且设定其尺寸以将电流沿着期望路径引导。在沉积板的情形中，目标是实现将整个表面均匀加热到期望温度，这要求使得电流从一侧到另一侧均匀通过板的整个横截面积。任务则变为将电流沿着沉积板的一整个边缘分配并沿着整个相对边缘收集。这可通过将分配棒附接到两个边缘使得棒的电阻小于沉积板的电阻来实现。以这种方式，在均匀通过沉积板的整个横截面以便由相对的棒均匀带走之前，电流首先经过一根分配棒的整个长度。如果分配棒和沉积板由相同材料制成，则棒的长度与横截面积比需要小于板的长度与横截面积比。即使沉积板很窄，如果其足够高，该比也可以很小。因此，分配棒必须具有足够大的横截面积，以确保电流首先沿着其整个长度行进。用于其中分配棒和沉积板由相同材料制成的这种构造的合适材料包括但不限于钨、氮化硅、碳化硅、石墨、合金、及其复合物。

作为替代构造，分配棒可以由具有比沉积板的材料低的体电阻率的材料制成，由此使得棒的横截面减小。用于该构造的合适材料组合包括但不限于用于分配棒的石墨和用于沉积板的碳化硅，或者用于棒的钨和用于板的氮化硅。

作为另一种替代构造，可以通过在沉积板中机加工出曲折模式使得电流上下行进通过从板的一侧延伸到另一侧的狭窄路径而将分配棒的功能直接集成到沉积板中。这种构造在使得电流保持均匀分配通过相对狭窄路径的同时提供大表面积的电阻加热。

在任意上述构造中，可能期望在分配棒和沉积板的整个沉积表面上应用一层电绝缘材料。该绝缘材料优选地具有比分配棒和沉积板的材料高得多的体电阻率，以确保绝大部分电流待在棒和板内并且不会进入沉积在绝缘层表面上的材料、诸如多晶硅中。多晶硅为半导体，其电阻率在其温度增加时会显著降低，并且在1150℃的平均沉积温度，其完全导电。而且，随着沉积进行，多晶硅外皮的厚度增加，其长度与横截面积比减小，其电阻进一步减小。没有绝缘层，随着外皮变得更厚，越来越多的电流将会开始流动通过外皮，使得沉积板实质上短路。沉积板会停止适当加热并且多晶硅的进一步沉积会自行减少。防止其发生的材料的合适组合包括但不限于用于分配棒和沉积板的石墨以及用于绝缘层的碳化硅或氮化硅。该绝缘层可以多种形式应用到分配棒和沉积板上，包括但不限于化学气相沉积、陶瓷前体聚合物糊浆（pre-ceramic polymeric paste）以及陶瓷基复合材料。

图1示出了结合有上述分配和绝缘特征的沉积盒2的一种优选实施方式。在该优选实施方式中，沉积盒2由在两端附接到两个分配棒33的固体沉积板34构成。分配棒33的电阻小于固体沉积板34的电阻，从而使得电流在均匀流动经过固体沉积板34的整个横截面积并由另一分配棒33带走之前首先沿着一个分配棒33的整个长度流动。这形成整个沉积表面的均匀电阻加热。除了分配棒33的端部必须保持未覆盖而实现与其他电元件良好电接触之外，整个组件都覆盖有绝缘层52，绝缘层52阻止电流从分配棒33和固体沉积板34传到沉积在沉积盒2上的材料（未示出）。

图2示出了沉积盒2的一种优选实施方式，其中分配棒33和固体沉积板34的功能集成到单个曲折沉积板51中。机加工到曲折沉积板51中的槽的曲折模式形成弯曲路径，该弯曲路径提供总体上大的表面积而仍然保持狭窄得足以使电流均匀通过其横截面积。首个和最后一个曲折腿部延长以便形成电极片53，用于连接到其他电元件。除了电极片53，整个沉积盒2覆盖有绝缘层52，该绝缘层52通过封盖住曲折槽同样形成连续沉积表面。绝缘层52的导热系数使得在其表面上在直接位于曲折路径上方的区域和直接位于曲折槽上方的区域不会产生可感知的热梯度。这种均匀加热使得硅均匀沉积在沉积盒2的整个表面上。

图1和图2都示出了沉积盒2的优选实施方式，其中通过靠近诸如水冷反应器壁的外部冷却源阻止材料沿着沉积盒2的顶部边缘沉积。因此，沉积的材料形成覆盖沉积盒2的其余三个边缘和两侧的外皮并且在随后进一步加热时被沿着与未包覆外皮的边缘相反的方向回收。

图3示出了沉积盒2的一种优选实施方式，其结合有具有较宽外部路径54的曲折沉积板和具有较宽外部边缘55的绝缘层。当电流经过具有较宽外部路径54的沉积板时，那些外部路径被加热到比内部曲折路径低的程度，因为那些外部路径的横截面积较大并且因此其电阻较小。具有较宽外部边缘55的绝缘层通过电导损耗和对流损耗更进一步消耗该较低程度的热量，使得沉积盒2的边缘低于对于可感知的沉积必须的温度。阻止在沉积盒2的所有边缘周围形成外皮、即将外皮的形成限制为仅在沉积盒2的两侧，这在随后进一步加热时允许对该外皮的无阻碍和多方向回收。

图4示出了沉积盒2的一种优选实施方式，其结合有带有分开的外部路径56的曲折沉积板。这些外部路径在沉积步骤过程中保持不通电，从而使得沉积盒2的边缘保持比侧面更冷并且由此不会形成外皮。在回收步骤中，他们与内部路径一起被通电，以提供任何附加加热，附加加热可能对于形成在沉积盒2的两侧上的外皮在边缘和中心同时脱离是必须的。外皮的所有区域的同时快速脱离使得界面液化并且由此使得污染物可能扩散入外皮最小化以及使得能耗最小化。

沉积盒2能够被用于任何沉积反应器，包括依目标制造的盒反应器和西门子反应器。图5示出了一组用于依目标制造的盒反应器的沉积盒2的一种优选实施方式。有16个沉积盒2，这些沉积盒通过附接到其电极片53的电极托架57连接到两个分配棒32。分配棒32将沉积盒2以并联或串联方式连接到AC或DC电源。如所示出的，分配棒32定位在盒反应器内并且通过反应器壁中的连接点与其他电元件接触。但是，并不排除电极片53通过其自身的穿过反应器壁的单独连接点与外部定位的分配棒或者其他电元件接触。

在优选实施方式中，每个沉积盒2为42cm高乘以75cm长，并且沉积盒2之间的间隔为5cm。该间隔使得在沉积盒2的每一个侧面上产生适当的2cm厚的外皮，同时仍然提供充分的1cm间隙用于在沉积循环结束时沉积气体流过外皮之间。该外皮厚度和间隙宽度能够被调节以根据需要优化沉积循环时间和沉积气体流动特征。如所示出的，由该组所有16个沉积盒2所占据的总体积为大约75cm乘75cm乘42cm，考虑到外皮的厚度，其意图被装配在用于生产多晶晶锭的85cm乘85cm的坩埚内。

但是，沉积盒2的尺寸、数量和间隔能够被容易地改变，使得他们能够被装配在大部分尺寸的坩埚内。这种尺寸灵活性很有用，因为结晶技术不断改进，所使用的坩埚越来越大。在另一种优选实施方式中，沉积盒2的尺寸还可被设定成通过如下方式装配在带有圆形平坦部分的坩埚内：朝着该组的侧部的沉积盒2相对于中间的沉积盒2相继变短，使得该组沉积盒2的平坦部分本身成为圆形。该优选实施方式使得沉积盒2能够被用于利用Czochralski结晶方法制造单晶晶锭，Czochralski结晶方法涉及将转动的拉杆插入到圆形坩埚中的熔化物中并且提取圆柱形单晶体。

沉积盒2竖直定向，并且电极片53指向上。这种定向使得沉积盒2的顶部边缘靠近反应器顶部组件的水冷壁，由此阻止材料沉积到这些顶部边缘上。材料沉积被限制到每个沉积盒2的两个侧面和其余三个边缘低于顶部边缘一定距离，使得沉积发生在其上的所有表面以相同方向、即竖直地定向。这有助于随后的将沉积盒2加热到材料的熔化温度或该温度以上并通过应用单方向力（诸如重力）将外皮与沉积盒2分开的步骤。但是，此处没有排除沉积盒2以任意方向定向和使用除了重力外的任何力来将外皮与沉积盒2分开。

图6示出了用于西门子反应器的沉积盒2的一种优选实施方式。沉积盒2被制造成具有与运转结束时多晶硅棒对的尺寸相同的尺寸，其为大约200-240cm高和大约40-50cm长。电极片53指向下并且形状被设定为以便在其通过电极托架57附接于上面的西门子反应器电极44上方对准。由此，为了增加相同单位能耗的生产能力或减小相同生产能力的单位能耗的目的，这种沉积盒2能够以小的或无需机械或电气变动就被装配在西门子反应器中。为了阐释这一点，图7示出了18对西门子反应器以及西门子反应器电极44、运转开始时的多晶硅棒59和运转结束时的多晶硅棒43的概要；并且图8示出了与沉积盒2装配在一起的相同的18对西门子反应器的一种优选实施方式。沉积盒2与多晶硅棒占据相同的空间并且装配入相同的电极，而仍然提供高得多的平均沉积表面积。

图9-11示出了沉积盒2如何能够安装在西门子反应器中的一种优选实施方式。电极片53均螺纹连接到两个L形电极托架57，电极托架57又螺纹连接到西门子反应器电极44的石墨保持器。与沉积板54一体的电极片53以及电极托架57优选地由导电但结构上适当的材料制成，包括但不限于碳-碳复合物。通过以下方式防止沿着沉积盒2的底部边缘的多晶硅外皮形成：（i）沉积盒2的设计，图3-图4示出了优选实施方式；（ii）使得该底部边缘靠近西门子反应器的水冷基板47；（iii）护罩（未示出），其由合适的绝缘、无污染且耐热材料制成，包括但不限于碳化硅、氮化硅和各种陶瓷，其阻止沉积气体接触底部边缘；以及（iv）为（i）、（ii）和（iii）的任意组合。

图12-14示出了特别适用于西门子反应器的沉积盒2的一种优选实施方式。该沉积盒2具有U形沉积板60，该沉积板60不具有绝缘层，而是具有装配在其两个侧面之间的绝缘间隔件58。电流沿着实质上为两路径曲折沉积板的U形沉积板60在一个西门子反应器电极44和另一个电极之间流动，由此加热U形沉积板60并导致材料沉积到该U形沉积板60上。但是，由于绝缘间隔件58未加热，没有材料沉积到其上。由此，U形沉积板60的两个侧面以及形成在侧面上的外皮不会被短路。绝缘间隔件58还保护U形沉积板60的整个内侧边缘不会形成外皮并且使得外皮能够沿着圆形端部的方向从U形沉积板60无阻碍地脱离。

Claims (14)

1.一种在通过化学气相沉积方法制造材料过程中使用的电加热沉积盒，其具有：（i）比籽棒对高的表面积与体积比；（ii）比籽棒对高的起始有效沉积表面积与最终有效沉积表面积比；以及（iii）比基础沉积板高的有效沉积表面积与总表面积比，这些通过在沉积盒的所有期望表面上达到并保持期望温度来实现，而这又通过在沉积盒的所有期望横截面积上通过期望量的电流分布来实现。

2.如权利要求1所述的沉积盒，其中，在沉积盒的期望横截面积上分布期望量的电流通过将适当材料和尺寸的分配棒连接到适当材料和尺寸的固体分配板从而分配棒使得电流均匀分配在固体分配板的整个横截面积上来实现。

3.如权利要求2所述的沉积盒，其中，即使在导电材料沉积在沉积盒上时，通过在分配棒和固体沉积板上覆盖绝缘层，使得电流不会从沉积盒传入沉积在沉积盒上的材料，保持在沉积盒的期望横截面积上通过期望量的电流分布。

4.如权利要求3所述的沉积盒，其中，绝缘层延伸到分配棒和固体沉积板的外侧边缘外一距离，以便形成沉积盒的外侧边缘，沉积盒的外侧边缘在沉积过程中比沉积盒的其他部分冷，因此不会在沉积盒的外侧边缘上形成沉积材料的外皮。

5.如权利要求1所述的沉积盒，其中，在沉积盒的期望横截面积上分布期望量的电流通过如下方式来实现：将分配棒和固体沉积板的功能结合到适当材料和尺寸的曲折沉积板上，从而使得电流均匀流过在板上机加工出的交替槽形成的路径，这些路径提供的总体表面积很大。

6.如权利要求5所述的沉积盒，其中，最外侧的曲折路径比内侧的曲折路径宽，以便形成沉积盒的外侧边缘，沉积盒的外侧边缘在沉积过程中比沉积盒的其他部分冷，因此不会在沉积盒的外侧边缘上形成沉积材料的外皮。

7.如权利要求5所述的沉积盒，其中，具有分开通电的外侧曲折路径，该外侧曲折路径能够在沉积过程中被关断通电以形成沉积盒的外侧边缘，沉积盒的外侧边缘在沉积过程中比沉积盒的其他部分冷，因此不会在沉积盒的外侧边缘上形成沉积材料的外皮，但是该外侧曲折路径在外皮与沉积板脱离过程中能够被接通通电以提供加热，用于使得沉积在沉积盒的两个侧面上的外皮的边缘有效脱离。

8.如权利要求5-7所述的沉积盒，其中，即使在导电材料沉积在沉积盒上时，通过为沉积盒覆盖绝缘层，使得电流不会从沉积盒传入沉积在沉积盒上的材料，保持在沉积盒的期望横截面积上通过期望量的电流分布，并且其中绝缘层防止材料沉积在曲折槽中，否则材料沉积在曲折槽中会阻碍随后的外皮脱离。

9.如权利要求8所述的沉积盒，其中，绝缘层延伸到曲折沉积板的外侧边缘外一距离，以便形成沉积盒的外侧边缘，沉积盒的外侧边缘在沉积过程中比沉积盒的其他部分冷，因此不会在沉积盒的外侧边缘上形成沉积材料的外皮。

10.如权利要求1所述的沉积盒，其中，在沉积盒的期望横截面积上分布期望量的电流通过如下方式来实现：具有U形沉积板，且绝缘间隔件填充在U形内部的区域中，使得电流流过U形沉积板，加热U形沉积板，使得材料外皮形成在U形沉积板上，同时绝缘间隔件阻止外皮形成在U形沉积板的内侧边缘上，否则外皮形成在U形沉积板的内侧边缘上会阻碍外皮从沉积盒脱离。

11.如权利要求1-10所述的沉积盒，其中，通过护罩防止在沉积盒的一个或多个边缘上形成外皮，护罩由合适的绝缘、无污染且耐热材料制成，包括但不限于碳化硅、氮化硅和各种陶瓷，其阻止沉积气体接触那些边缘。

12.如权利要求2、5、6、9和10所述的沉积盒，其中，分配棒、固体沉积板和曲折沉积板由具有适当电、热和结构特性的材料制成，包括但不限于钨、氮化硅、碳化硅、石墨、合金、复合物、及其混合物。

13.如权利要求3、4、18、9和10所述的沉积盒，其中，绝缘层或者间隔件由具有适当电、热和结构特性的材料制成，包括但不限于碳化硅和氮化硅，并且其能够以多种形式应用，包括但不限于化学气相沉积、陶瓷前体聚合物糊浆以及陶瓷基复合材料。

14.一种方法和沉积盒，用于使通常使用籽棒对或者基础沉积板的沉积反应器提高生产率和/或降低每单位生产的能耗，包括如下步骤：

a.将沉积反应器中的籽棒对或者基础沉积板替换为沉积盒，在反应器的物理限制内，诸如内部体积和最大沉积气体流速，所述沉积盒的总体平均有效沉积表面积比籽棒对或者基础沉积板的总体平均有效沉积表面积增加要求给予期望生产率增加和/或每单位生产能耗降低的程度；

b.运行沉积反应器的标准沉积循环，除了：与使用籽棒或者基础沉积板时相比，平均沉积气体流速能够更高，并且循环周期能够更短；

c.从沉积反应器移除带有沉积材料的外皮的沉积盒并且将其带至分开的回收站；

d.将沉积盒加热到沉积材料的熔化温度或该温度以上，使得在沉积盒界面处的一薄层材料液化，并且外皮从沉积盒脱离；

e.通过应用合适的力、诸如重力或机械力使得脱离的外皮从沉积盒分开；

f.将沉积盒返回到西门子反应器中并重复上述步骤b-e。