MD4095C1 - Способ получения сверхпроводящих монокристаллов халькогенидов железа общей формулы FeTe0,5Se0,5 - Google Patents
Способ получения сверхпроводящих монокристаллов халькогенидов железа общей формулы FeTe0,5Se0,5 Download PDFInfo
- Publication number
- MD4095C1 MD4095C1 MDA20100088A MD20100088A MD4095C1 MD 4095 C1 MD4095 C1 MD 4095C1 MD A20100088 A MDA20100088 A MD A20100088A MD 20100088 A MD20100088 A MD 20100088A MD 4095 C1 MD4095 C1 MD 4095C1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- temperature
- hours
- monocrystals
- rate
- vial
- Prior art date
Links
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 title abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- -1 iron chalcogenides Chemical class 0.000 title abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 abstract 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 abstract 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 abstract 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии сверхпроводящих материалов, в частности к получению монокристаллов методом кристаллизации из расплавов.Способ получения сверхпроводящих монокристаллов халькогенидов железа общей формулы FeTe0,5Se0,5 заключается в том, что предварительно исходные материалы селен и теллур подвергают очистке зонной плавкой, а гранулы железа подвергают механической очистке, затем выполняют загрузку исходных материалов в откачанную ампулу, расплавление шихты путем нагрева, выдержку расплавленной шихты при температуре превышающей температуру расплава наиболее тугоплавкой фазы компонентов с последующим охлаждением и закалкой. При этом, нагрев шихты проводят со скоростью 2…5°С/мин до 600°С, выдерживают до 20…24 часов, затем осуществляют ступенчатый нагрев с шагом 50°С со скоростью 1°С/мин и выдержкой между ступенями 8…10 часов до достижения температуры 1100°С, при которой выдерживают расплав в течение 60…72 часов, затем его охлаждают со скоростью 2…60°С/час до температуры 420°С, при которой материал гомогенизируют в течение 70…100 часов, затем осуществляют закалку, помещая ампулу в жидкость с температурой не более 0°С. Для получения монокристаллов больших размеров полученные монокристаллы дополнительно измельчают в бескислородной среде, не содержащей водяных паров, нагревают в откаченной ампуле со скоростью 5°С/мин до температуры 1100°С, при которой выдерживают расплав в течение 60…72 часов, затем его охлаждают со скоростью 2…60°С/час до температуры 420°С, при которой материал гомогенизируют в течение 70…100 часов, затем осуществляют закалку, помещая ампулу в жидкость с температурой не более 0°С.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20100088A MD4095C1 (ru) | 2010-08-02 | 2010-08-02 | Способ получения сверхпроводящих монокристаллов халькогенидов железа общей формулы FeTe0,5Se0,5 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20100088A MD4095C1 (ru) | 2010-08-02 | 2010-08-02 | Способ получения сверхпроводящих монокристаллов халькогенидов железа общей формулы FeTe0,5Se0,5 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD4095B1 MD4095B1 (en) | 2011-02-28 |
| MD4095C1 true MD4095C1 (ru) | 2011-09-30 |
Family
ID=45815022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20100088A MD4095C1 (ru) | 2010-08-02 | 2010-08-02 | Способ получения сверхпроводящих монокристаллов халькогенидов железа общей формулы FeTe0,5Se0,5 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4095C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113402277A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-17 | 上海大学 | 一种FeSe1-xTex靶材的制备工艺 |
| CN114242333B (zh) * | 2021-12-23 | 2023-03-14 | 上海交通大学 | 一种铁硒碲硫超导靶材及其制备方法与应用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2031983C1 (ru) * | 1991-12-27 | 1995-03-27 | Институт монокристаллов АН Украины | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ТИПА AIIBVI Использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т |
-
2010
- 2010-08-02 MD MDA20100088A patent/MD4095C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2031983C1 (ru) * | 1991-12-27 | 1995-03-27 | Институт монокристаллов АН Украины | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ТИПА AIIBVI Использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| T. Taen, Y. Tsuchiya, Y. Nakajima, T. Tamegai. Superconductivity at Tc ~ 14 K in single-crystalline FeTe0.61Se0.39. Physical Review, B 80, 092502 * |
| T. Taen, Y. Tsuchiya, Y. Nakajima, T. Tamegai. Superconductivity at Tc ~ 14 K in single-crystalline FeTe0.61Se0.39. Physical Review, B 80, 092502 (2009) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD4095B1 (en) | 2011-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101245490B (zh) | 一种CsLiB6O10晶体的助熔剂生长方法 | |
| RU2017115945A (ru) | Монокристаллический материал интерметаллического соединения титана и алюминия и методы его получения | |
| Wang et al. | Modified Bridgman growth and properties of mid-infrared LiInSe2 crystal | |
| CN110484965B (zh) | 一种氧化镓晶体及其生长方法和生长装置 | |
| MD4095C1 (ru) | Способ получения сверхпроводящих монокристаллов халькогенидов железа общей формулы FeTe0,5Se0,5 | |
| Fan et al. | Synthesis of high-quality CdSiP2 polycrystalline materials directly from the constituent elements | |
| Chen et al. | Growth of AgGaS2 single crystals by modified furnace | |
| Chen et al. | Differential thermal analysis and crystal growth of AgGaS2 | |
| CN102689928A (zh) | 一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法 | |
| CN103225066B (zh) | 一种溅射用铜镓合金靶材及其制备方法 | |
| CN103290466B (zh) | 一种yab晶体生长助熔剂及yab晶体生长方法 | |
| RU2579389C2 (ru) | Способ получения термоэлектрических материалов на основе теллуридов висмута и сурьмы | |
| CN203256368U (zh) | 一种可以连续生长的提拉法晶体生长装置 | |
| Tabouret et al. | ZnGa2Se4, a nonlinear material with wide mid infrared transparency and good thermomechanical properties | |
| JP5968198B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP5370393B2 (ja) | 化合物半導体単結晶基板 | |
| Araujo et al. | Crystallization kinetics and thermal properties of 20Li2O–80TeO2 glass | |
| JP2015175041A (ja) | アモルファス軟磁性合金粉末の製造方法 | |
| CN105506738A (zh) | 利用蓝宝石碎块制造蓝宝石晶体的引晶工艺 | |
| Kopach et al. | Differential thermal analyses of Cd0. 95-xMnxZn0. 05Te alloys | |
| KR101542344B1 (ko) | 이온성 액체를 이용한 유기재료 정제 방법 및 장치 | |
| Iordanova et al. | Synthesis of BiBO3 by crystallization of glasses in the Bi2O3–MoO3–B2O3 system | |
| CN103290475B (zh) | GdAl3(BO3)4晶体生长助熔剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法 | |
| CN105390393A (zh) | 热处理方法及其所制得的产物 | |
| UA148126U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АРГЕНТУМ(І)СТИБІЙ(ІІІ) ГЕКСАСЕЛЕНОГІПОДИФОСФАТУ AgSbP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |