RU2013137749A - Системы осаждения наночастиц - Google Patents

Системы осаждения наночастиц Download PDF

Info

Publication number
RU2013137749A
RU2013137749A RU2013137749/02A RU2013137749A RU2013137749A RU 2013137749 A RU2013137749 A RU 2013137749A RU 2013137749/02 A RU2013137749/02 A RU 2013137749/02A RU 2013137749 A RU2013137749 A RU 2013137749A RU 2013137749 A RU2013137749 A RU 2013137749A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nanoparticles
target
hollow
magnet
nanoparticle
Prior art date
Application number
RU2013137749/02A
Other languages
English (en)
Inventor
Цзянь-пин ВАН
Шихай ХЕ
Original Assignee
Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Миннесота
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Миннесота filed Critical Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Миннесота
Publication of RU2013137749A publication Critical patent/RU2013137749A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/223—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating specially adapted for coating particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/342—Hollow targets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3438—Electrodes other than cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3455—Movable magnets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

1. Система осаждения наночастиц с полой мишенью, содержащая:- полую мишень из материала,- источник газа, обеспечивающий ионизированный газ к внутренней поверхности полой мишени,- потенциал, который прикладывается по меньшей мере к полой мишени и который заставляет ионы из ионизированного газа соударяться с внутренней поверхностью полой мишени и высвобождать атомы материала,- по меньшей мере один магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизацию наночастиц из высвободившихся атомов, и- выпускное отверстие полой мишени, откуда кристаллизованные наночастицы выходят из полой мишени.2. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, дополнительно содержащая кольцо из другого материала рядом с выпускным отверстием.3. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 2, в которой кольцо имеет скошенный край, обращенный в сторону от внутренней поверхности полой мишени.4. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, в которой магнит является вращающимся магнитом.5. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, в которой магнит является трубчатым магнитом или полым магнитом.6. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, дополнительно содержащая устройство сбора наночастиц, которое соединено с выпускным отверстием и собирает кристаллизованные наночастицы на подложке, причем относительное движение между подложкой и по меньшей мере полой мишенью непрерывно подвергает новые площади поверхности подложки воздействию кристаллизованных наночастиц.7. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, в которой кристаллизованные наночастицы являются перв�

Claims (37)

1. Система осаждения наночастиц с полой мишенью, содержащая:
- полую мишень из материала,
- источник газа, обеспечивающий ионизированный газ к внутренней поверхности полой мишени,
- потенциал, который прикладывается по меньшей мере к полой мишени и который заставляет ионы из ионизированного газа соударяться с внутренней поверхностью полой мишени и высвобождать атомы материала,
- по меньшей мере один магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизацию наночастиц из высвободившихся атомов, и
- выпускное отверстие полой мишени, откуда кристаллизованные наночастицы выходят из полой мишени.
2. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, дополнительно содержащая кольцо из другого материала рядом с выпускным отверстием.
3. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 2, в которой кольцо имеет скошенный край, обращенный в сторону от внутренней поверхности полой мишени.
4. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, в которой магнит является вращающимся магнитом.
5. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, в которой магнит является трубчатым магнитом или полым магнитом.
6. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, дополнительно содержащая устройство сбора наночастиц, которое соединено с выпускным отверстием и собирает кристаллизованные наночастицы на подложке, причем относительное движение между подложкой и по меньшей мере полой мишенью непрерывно подвергает новые площади поверхности подложки воздействию кристаллизованных наночастиц.
7. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, в которой кристаллизованные наночастицы являются первыми наночастицами из первого материала, причем система дополнительно содержит:
- первый источник наночастиц, обеспечивающий первые наночастицы,
- второй источник наночастиц, обеспечивающий вторые наночастицы из второго материала, и
- сборную камеру с подложкой, собирающую первые и вторые наночастицы,
причем по меньшей мере один магнит контролирует движение первых и вторых наночастиц в сборной камере.
8. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом, содержащая:
- мишень из материала,
- источник газа, доставляющий ионизированный газ к мишени,
- потенциал, который прикладывается по меньшей мере к мишени и который заставляет ионы из ионизированного газа соударяться с поверхностью мишени и высвобождать атомы материала, и
- по меньшей мере один вращающийся магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизацию наночастиц из высвободившихся атомов.
9. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 8, в которой мишень является полой мишенью, и источник газа обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полой мишени.
10. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 9, дополнительно содержащая кольцо из другого материала рядом с выпускным отверстием полой мишени, откуда кристаллизованные наночастицы выходят из полой мишени.
11. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 10, в которой кольцо имеет скошенный край, обращенный в сторону от внутренней поверхности полой мишени.
12. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 8, дополнительно содержащая устройство сбора наночастиц, которое соединено с выпускным отверстием и собирает кристаллизованные наночастицы на подложке, причем относительное движение между подложкой и по меньшей мере мишенью непрерывно подвергает новые площади поверхности подложки воздействию кристаллизованных наночастиц.
13. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 8, дополнительно содержащая полый анод с мишенью, находящейся по меньшей мере частично внутри полого анода, причем источник газа обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полого анода.
14. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 8, в которой кристаллизованные наночастицы являются первыми наночастицами из первого материала, причем система дополнительно содержит:
- первый источник наночастиц, обеспечивающий первые
наночастицы,
- второй источник наночастиц, обеспечивающий вторые наночастицы из второго материала, и
- сборную камеру с подложкой, собирающую первые и вторые наночастицы;
причем по меньшей мере один вращающийся магнит контролирует движение первых и вторых наночастиц в сборной камере.
15. Система сбора наночастиц, содержащая:
- мишень из материала;
- источник газа, обеспечивающий ионизированный газ к мишени,
- потенциал, который прикладывается по меньшей мере к мишени и который заставляет ионы из ионизированного газа соударяться с поверхностью мишени и высвобождать атомы материала,
- по меньшей мере один магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизация наночастиц из высвободившихся атомов, и
- устройство сбора наночастиц, которое собирает кристаллизованные наночастицы на подложке, причем относительное движение между подложкой и по меньшей мере мишенью непрерывно подвергает новые площади поверхности подложки воздействию кристаллизованных наночастиц.
16. Система сбора наночастиц по п. 15, в которой мишень является полой мишенью, и источник газа обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полой мишени.
17. Система сбора наночастиц по п. 16, дополнительно содержащая кольцо из другого материала рядом с выпускным отверстием полой мишени, откуда кристаллизованные наночастицы выходят из полой мишени.
18. Система сбора наночастиц по п. 17, в которой кольцо имеет скошенный край, обращенный в сторону от внутренней поверхности полой мишени.
19. Система сбора наночастиц по п. 15, в которой магнит является вращающимся магнитом.
20. Система сбора наночастиц по п. 15, в которой магнит является трубчатым магнитом или полым магнитом.
21. Система сбора наночастиц по п. 15, дополнительно содержащая полый анод с мишенью, находящейся по меньшей мере частично внутри полого анода, причем источник газа обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полого анода.
22. Система сбора наночастиц по п. 15, в которой кристаллизованные наночастицы являются первыми наночастицами из первого материала, причем система дополнительно содержит:
- первый источник наночастиц, обеспечивающий первые наночастицы, и
- второй источник наночастиц, обеспечивающий вторые наночастицы из второго материала,
причем устройство сбора наночастиц собирает первые и вторые наночастицы на подложке.
23. Система осаждения наночастиц с полым анодом, содержащая:
- мишень из материала;
- полый анод с мишенью, находящейся по меньшей мере частично внутри полого анода;
- источник газа, обеспечивающий ионизированный газ к внутренней поверхности полого анода;
- потенциал, который прикладывается по меньшей мере к мишени и который заставляет ионы из ионизированного газа соударяться с поверхностью мишени и высвобождать атомы из материала; и
- выпускное отверстие полого анода, откуда наночастицы, кристаллизованные из высвободившихся атомов, выходят из полого анода.
24. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, дополнительно содержащая по меньшей мере один вращающийся магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизацию наночастиц из высвободившихся атомов.
25. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, дополнительно содержащая трубчатый магнит или полый магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизацию наночастиц из высвободившихся атомов.
26. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, дополнительно содержащая устройство сбора наночастиц, которое соединено с выпускным отверстием и собирает кристаллизованные наночастицы на подложке, причем относительное движение между подложкой и по меньшей мере мишенью непрерывно подвергает новые площади поверхности подложки воздействию кристаллизованных наночастиц.
27. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, в которой кристаллизованные наночастицы представляют собой первые наночастицы из первого материала, причем система дополнительно содержит:
- первый источник наночастиц, обеспечивающий первые наночастицы;
- второй источник наночастиц, обеспечивающий вторые наночастицы из второго материала;
- сборную камеру с подложкой, собирающую первые и вторые наночастицы; и
- по меньшей мере один магнит, который контролирует движение первых и вторых наночастиц в сборной камере.
28. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, в которой полый анод содержит трубку.
29. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, в которой мишень является цилиндрической мишенью.
30. Система осаждения наночастиц с множеством источников, содержащая:
- первый источник наночастиц, обеспечивающий первые наночастицы из первого материала;
- второй источник наночастиц, обеспечивающий вторые наночастицы из второго материала;
- сборную камеру с подложкой, собирающую первые и вторые наночастицы; и
- по меньшей мере один магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение первых и вторых наночастиц в сборной камере.
31. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 30, в котором по меньшей мере один из первого и второго источников наночастиц содержит полую мишень и источник газа, который обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полой мишени.
32. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 31, дополнительно содержащая кольцо из другого материала рядом с выпускным отверстием полой мишени, откуда первые или вторые наночастицы выходят из полой мишени.
33. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 32, в которой кольцо имеет скошенный край, обращенный в сторону от внутренней поверхности полой мишени.
34. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 30, в которой магнит является вращающимся магнитом.
35. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 30, в которой по меньшей мере один из первого и второго источников наночастиц содержит трубчатый магнит или полый магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизацию первых или вторых наночастиц из высвободившихся атомов.
36. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 30, дополнительно содержащая устройство сбора наночастиц в сборной камере, причем относительное движение между подложкой и по меньшей мере первым и вторым источниками наночастиц непрерывно подвергает новые площади поверхности подложки воздействию кристаллизованных наночастиц.
37. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 30, в которой по меньшей мере один из первого и второго источников наночастиц содержит полый анод с мишенью, находящейся по меньшей мере частично внутри полого анода, и источник газа, который обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полого анода.
RU2013137749/02A 2011-01-13 2012-01-13 Системы осаждения наночастиц RU2013137749A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161432421P 2011-01-13 2011-01-13
US61/432,421 2011-01-13
PCT/US2012/021269 WO2012097268A2 (en) 2011-01-13 2012-01-13 Nanoparticle deposition systems

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2013137749A true RU2013137749A (ru) 2015-02-20

Family

ID=46489954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013137749/02A RU2013137749A (ru) 2011-01-13 2012-01-13 Системы осаждения наночастиц

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20120181171A1 (ru)
EP (1) EP2663666A4 (ru)
CN (1) CN103459658B (ru)
IN (1) IN2013CN05221A (ru)
RU (1) RU2013137749A (ru)
WO (1) WO2012097268A2 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150119188A (ko) 2013-02-15 2015-10-23 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미네소타 입자 기능화
KR101772686B1 (ko) 2016-02-02 2017-08-29 연세대학교 원주산학협력단 나노입자 약물 전달 장치 및 그의 제어 방법
KR20180121798A (ko) * 2016-03-30 2018-11-08 케이힌 람테크 가부시키가이샤 스퍼터링 캐소드, 스퍼터링 장치 및 성막체의 제조 방법
JP6807246B2 (ja) * 2017-02-23 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および、処理システム
GB2560008B (en) * 2017-02-24 2020-03-25 Binns David An appratus and method related to core shell magnetic nanoparticles and structured nanoparticles
GB2566995B (en) 2017-09-29 2023-01-18 Cotton Mouton Diagnostics Ltd A method of detection
CN113564553A (zh) * 2021-08-06 2021-10-29 昆山祁御新材料科技有限公司 一种旋转靶材的制作工艺及设备

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3669860A (en) * 1970-04-01 1972-06-13 Zenith Radio Corp Method and apparatus for applying a film to a substrate surface by diode sputtering
JP3034076B2 (ja) * 1991-04-18 2000-04-17 日本真空技術株式会社 金属イオン源
US5228963A (en) * 1991-07-01 1993-07-20 Himont Incorporated Hollow-cathode magnetron and method of making thin films
US5482611A (en) * 1991-09-30 1996-01-09 Helmer; John C. Physical vapor deposition employing ion extraction from a plasma
US5334302A (en) * 1991-11-15 1994-08-02 Tokyo Electron Limited Magnetron sputtering apparatus and sputtering gun for use in the same
US7144627B2 (en) * 1997-03-12 2006-12-05 William Marsh Rice University Multi-layer nanoshells comprising a metallic or conducting shell
JPH111770A (ja) * 1997-06-06 1999-01-06 Anelva Corp スパッタリング装置及びスパッタリング方法
US6217716B1 (en) * 1998-05-06 2001-04-17 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for improving target erosion in hollow cathode magnetron sputter source
SE521904C2 (sv) * 1999-11-26 2003-12-16 Ladislav Bardos Anordning för hybridplasmabehandling
US20040000478A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-01 Guenzer Charles S. Rotating hollow cathode magnetron
US20060081467A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Makoto Nagashima Systems and methods for magnetron deposition
US20070089983A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 Soleras Ltd. Cathode incorporating fixed or rotating target in combination with a moving magnet assembly and applications thereof
WO2007068133A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-21 Oc Oerlikon Balzers Ag Improved sputter target utilization
US7951276B2 (en) * 2006-06-08 2011-05-31 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Cluster generator
EP2017367A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-21 Applied Materials, Inc. Sputter coating device and method of depositing a layer on a substrate
WO2009149563A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Fablab Inc. A system and method for fabricating macroscopic objects, and nano-assembled objects obtained therewith
GB2461094B (en) * 2008-06-20 2012-08-22 Mantis Deposition Ltd Deposition of materials
CN201545907U (zh) * 2009-11-17 2010-08-11 深圳市振恒昌实业有限公司 一种新型靶管旋转磁控溅射圆柱靶
WO2011159834A1 (en) * 2010-06-15 2011-12-22 Superdimension, Ltd. Locatable expandable working channel and method

Also Published As

Publication number Publication date
CN103459658B (zh) 2015-09-23
US20120181171A1 (en) 2012-07-19
WO2012097268A2 (en) 2012-07-19
EP2663666A4 (en) 2014-08-20
WO2012097268A3 (en) 2013-01-17
EP2663666A2 (en) 2013-11-20
IN2013CN05221A (ru) 2015-08-07
CN103459658A (zh) 2013-12-18
US20180127865A1 (en) 2018-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013137749A (ru) Системы осаждения наночастиц
CN101688294B (zh) 成膜装置
CN100560793C (zh) 一种纳米复合类金刚石涂层制备方法
JP2014515831A5 (ru)
JP2009024230A5 (ru)
TR201903734T4 (tr) Materyalin eş biriktirilmesine yönelik buhar taşıma biriktirme yöntemi ve sistemi.
AR089157A1 (es) Sistema y metodo para procesar mineral
JP2017538039A5 (ru)
US20150376772A1 (en) Multi-surface nanoparticle sources and deposition systems
RU2013101299A (ru) Способ получения металлических и керамических порошков и устройство для его осуществления
EP2811507B1 (en) Magnetic configuration for a magnetron sputter deposition system
US20120152735A1 (en) Production of Nanoparticles
JP3211579U (ja) 陰極アークプラズマ蒸着システム内で使用するアークイオン蒸発器のフィルタ装置
EP2136388A3 (en) Deposition of Materials
JP2010202899A (ja) 静電トラップを具備するプラズマ発生装置及びプラズマ加工装置
RU123778U1 (ru) Устройство для нанесения тонких пленок
SE535381C2 (sv) Plasmasputtringsprocess för att producera partiklar
RU2015108566A (ru) Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления
RU2353017C1 (ru) Источник низкоэнергетичных ионных пучков для технологий наноэлектроники
KR20150133820A (ko) 이온빔 처리 장치, 전극 어셈블리 및 전극 어셈블리의 세정 방법
US10358713B2 (en) Surrounding field sputtering source
CN103469165B (zh) 基于分布式电磁铁的矩形平面阴极电弧靶
JP2012092380A (ja) 真空アーク蒸着法
RU2014130048A (ru) Низкотемпературное ионно-дуговое напыление
JP2008260999A (ja) クラスターの生成方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20160523