JP2010202899A - 静電トラップを具備するプラズマ発生装置及びプラズマ加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、真空アーク放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生部2と、プラズマ進行路30と、前記陰極10から副生されるドロップレット44をプラズマ流14から分離させるために前記陰極10の正面方向に開口を有する1つ以上のドロップレット捕集部6から構成され、前記プラズマ流14を前記プラズマ進行路30に沿って前記ドロップレット捕集部6以外の方向に屈曲させるプラズマ発生装置2において、前記ドロップレット捕集部6内に前記ドロップレット44を静電付着させる1つ以上の静電電極8を有する静電トラップ7が設けられるプラズマ発生装置2及び同加工装置1である。
【選択図】 図1
Description
従来のプラズマ加工装置には、トーラス型、ニー型、直線型、ベンド型、ダブルベンド型など、フィルタとして、いくつかのダクト形状が提案されている。しかしながら、プラズマ流114の輸送途中に従来の静電フィルタ107を挿入する場合、被処理物169と陰極110との距離が長くなり、成膜速度が低下するという問題があった。また、プラズマ輸送路途中に配置されるリング状の静電フィルタ107の問題として、メンテナンス性が劣るという問題があった。つまり、ダクトの間にあるリング状の静電フィルタ7の分解は手間がかかり、分解しない場合には手が届きにくいという問題があった。
前記ドロップレット捕集部が2つ以上設けられる場合、各ドロップレット捕集部に静電電極を配置することにより、高効率にドロップレットを静電付着させることができる。
図1は、本発明に係るプラズマ加工装置1の構成概略図である。プラズマ加工装置1は、第1実施形態のプラズマ発生装置2とプラズマ加工部3からなり、プラズマ発生装置2は、プラズマ発生部4、プラズマガイド部5及びドロップレット捕集部6から構成され、このドロップレット捕集部6には、静電電極8からなる静電トラップ7が設けられている。第1実施形態において、静電トラップ7は、1つのドロップレット捕集部6に設けられた1つの静電電極とこれに接続された静電電極用電源52から構成されており、静電トラップ7によるドロップレットの捕集機構に関しては後述する。プラズマ進行路30とドロップレット進行路48はダクト40から形成され、このダクト40は、プラズマ進行路30を形成する進行部ダクト42とドロップレット進行路48を形成する捕集部ダクト50から構成されている。
(1)捕集部ダクト50を取り外したときの進行部ダクト42内の空間をプラズマ進行路30とする。
(2)進行部ダクト42内におけるプラズマ進行路30を除く部分をドロップレット進行路48とし、プラズマ進行路30とドロップレット進行路48の境界を開口面38とする。
(3)静電電極8と開口面38を最短で結ぶ距離を後退距離Xとし、ドロップレット進行路48の方向へ移動した場合を正の距離とする。
尚、以下では、後退距離Xの開口面側の一端を開口開始位置、静電電極側の一端を静電トラップ7の先端と称する。
なお、図5、図7、図8、図9、図10の装置例において,斜行壁46は設けられてなくてもよい。
に存在するドロップレット数をプロットしたグラフ図である。ここでの単位体積は、面積0.1mm2×膜厚1nmであり、単位体積当りのドロップレット数がプロットされている。ここでも、ポジション1、2、3は、後退距離Xが0mm、20mm、40mmの場合を示している。ポジション1では、静電トラップバイアスが+35Vのとき、ドロップレット数が最小となり、静電トラップなしの場合のおよそ1/3程度となった。図14に示したように、同条件において、成膜速度は、およそ1/10程度の低下であることから、静電トラップの有効性がより明確となった。
更に、静電トラップは、ドロップレット捕集部に位置することから、フランジ接続が容易であり、取り付け取り外しが簡単で簡易にメンテナンスを行うことができる。
2 プラズマ発生装置
3 プラズマ加工部
4 プラズマ発生部
4a 第1プラズマ発生部
4b 第2プラズマ発生部
5 プラズマガイド部
6 ドロップレット捕集部
7 静電トラップ
8 静電電極
8a 平板電極
8b 接続部
8c 円形電極
8d 棒状電極
9 貫通孔
9a 貫通孔入口
9b 貫通孔出口
10 陰極
10a 第1電極
10b 第2電極
11 端面
11a 先端
12 トリガ電極
13 第1静電電極
13a 第1静電電極端面
14 プラズマ流
14c 電子
14d イオン
15 第2静電電極
15a 第2静電電極端面
15b 第2静電電極先端
16 発生部外壁
17 陽極
18 直流電源
20 抵抗
22 アーク安定化用コイル
26 プラズマ引出用コイル
28 プラズマ屈曲用コイル
29 プラズマガイド用コイル
30 プラズマ進行路
32 プラズマ供給口
34 第1プラズマ進行路
36 第2プラズマ進行路
38 開口面
39 開口開始位置
40 ダクト
42 進行部ダクト
44 ドロップレット
44a 中性粒子
44b 荷電粒子
44c 破砕ドロップレット
46 斜行壁
48 ドロップレット進行路
50 捕集部ダクト
52 静電電極用電源
53 導線
54 終端部
55a 第1終端部
55b 第2終端部
56 ポケット部
58 ダクトバイアス用電源
60 ガイド部
62 第1スキャナコイル
64 第2スキャナコイル
66 処理室
68 被処理物固定台
69 被処理物
70 被処理物用電源
72 イオン電流モニタ
74 イオン電流モニタ用電源
76 第1プラズマ集束用コイル
78 第2プラズマ集束用コイル
80 供給ガス
82 ガス供給口
84 加工部外壁
86 排気口
88 排気ガス
103 プラズマ加工部
104 プラズマ発生部
105 プラズマガイド部
106 ドロップレット捕集部
107 静電フィルタ
110 陰極
110a 電極
110b ターゲット
112 トリガ電極
114 プラズマ
114a イオン
114b 電子
117 陽極
118 電源
120 抵抗
122 アーク安定化用磁界発生器
122a 磁石
122b 磁石
123 第1磁場ダクト
124 第2磁場ダクト
128 プラズマ屈曲磁界発生器
144 ドロップレット
144a 中性粒子
144b 荷電性粒子
162 スキャナコイル
169 被処理物
Fc クーロン力
Mc サイクロトロン運動
Claims (12)
- 真空雰囲気下に配置された陰極に真空アーク放電を生起させて前記陰極からプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマが進行するプラズマ進行路と、前記陰極から副生されるドロップレットをプラズマ流から分離させるために前記陰極の正面方向に開口を有する1つ以上のドロップレット捕集部から構成され、前記プラズマ流を前記プラズマ進行路に沿って前記ドロップレット捕集部以外の方向に屈曲させるプラズマ発生装置において、前記ドロップレット捕集部内に前記ドロップレットを静電付着させる1つ以上の静電電極を有する静電トラップが設けられることを特徴とするプラズマ発生装置。
- 前記静電電極の先端が前記開口面の開口開始位置から前記ドロップレット捕集部方向へ後退した距離を後退距離Xとしたとき、前記後退距離Xが−10mm≦X≦40mmの範囲にある請求項1に記載のプラズマ発生装置。
- 前記接地電極を基準として前記静電電極に印加する静電電位VSと前記プラズマ流のプラズマ電位VPがVS≧VPである請求項1又は2に記載のプラズマ発生装置。
- 前記静電電位VSとプラズマ電位VPの関係が0≦VS−VP≦100(V)を満足する請求項3に記載のプラズマ発生装置。
- 前記静電電極が2つ以上あり、各静電電位VSが等しい又は異なる請求項3又は4に記載のプラズマ発生装置。
- 前記開口面の開口面積S0と前記静電電極の先端の端面積SEとの比率SE/S0が0<SE/S0≦0.5の範囲にある請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマ発生装置。
- 前記プラズマ進行路を形成するダクト部に前記接地電極を基準としてダクト電位VDが印加され、前記ダクト電位VDと前記静電電位VSがVD<VSである請求項3〜6のいずれかに記載されるプラズマ発生装置。
- 少なくとも1つの前記静電電極に前記ドロップレットを通過させる1つ以上の貫通孔が設けられる請求項1〜7のいずれかに記載のプラズマ発生装置。
- 少なくとも1つの前記静電電極の先端に前記ドロップレットの進行方向に対向する平面状の端面が形成される請求項1〜7のいずれかに記載のプラズマ発生装置。
- 少なくとも1つの前記静電電極の先端に前記ドロップレットの進行方向に対して突出する1つ以上の立体構造が形成される請求項1〜7のいずれかに記載のプラズマ発生装置。
- 前記静電電極がアルミニウム、ステンレス、銅、真鍮、チタン又はそれらのいずれかを主成分とする合金から形成される請求項1〜10のいずれかに記載のプラズマ発生装置。
- 請求項1〜11のいずれかに記載されるプラズマ発生装置と、被処理物が配置されるプラズマ加工部から構成され、前記プラズマ発生装置で生成されたプラズマをプラズマ加工部に流入させ、前記プラズマにより前記被処理物の表面処理加工を行うことを特徴とするプラズマ加工装置。
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