RU2015108566A - Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления - Google Patents

Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления Download PDF

Info

Publication number
RU2015108566A
RU2015108566A RU2015108566A RU2015108566A RU2015108566A RU 2015108566 A RU2015108566 A RU 2015108566A RU 2015108566 A RU2015108566 A RU 2015108566A RU 2015108566 A RU2015108566 A RU 2015108566A RU 2015108566 A RU2015108566 A RU 2015108566A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor heteroepitaxial
film coatings
spraying
magnetron sputtering
Prior art date
Application number
RU2015108566A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2601903C2 (ru
Inventor
Павел Ефимович Троян
Юрий Сергеевич Жидик
Гюзель Исаевна Гумерова
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР)
Priority to RU2015108566/02A priority Critical patent/RU2601903C2/ru
Publication of RU2015108566A publication Critical patent/RU2015108566A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2601903C2 publication Critical patent/RU2601903C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры методом магнетронного распыления, включающий формирование в магнетронной распылительной системе планарного типа магнитного поля, зажигание разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях, распыление материала катода и его осаждение на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры, характеризующийся тем, что, с целью предотвращения во время напыления образования в полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуре радиационных дефектов между магнетронным источником и полупроводниковой гетероэпитаксиальной структурой расположена магнитная система, отклоняющая проходящие через нее высокоэнергичные заряженные частицы плазмы газового разряда.2. Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры методом магнетронного распыления по п. 1, характеризующийся тем, что магнитная система, отклоняющая проходящие через нее высокоэнергичные заряженные частицы плазмы газового разряда, выполнена в виде прямоугольного корпуса из стали с закрепленными в нем с двух противоположенных сторон магнитов таким образом, чтобы созданное ими магнитное поле во внутренней части системы было направлено ортогонально движению осаждаемых на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры атомов.

Claims (2)

1. Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры методом магнетронного распыления, включающий формирование в магнетронной распылительной системе планарного типа магнитного поля, зажигание разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях, распыление материала катода и его осаждение на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры, характеризующийся тем, что, с целью предотвращения во время напыления образования в полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуре радиационных дефектов между магнетронным источником и полупроводниковой гетероэпитаксиальной структурой расположена магнитная система, отклоняющая проходящие через нее высокоэнергичные заряженные частицы плазмы газового разряда.
2. Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры методом магнетронного распыления по п. 1, характеризующийся тем, что магнитная система, отклоняющая проходящие через нее высокоэнергичные заряженные частицы плазмы газового разряда, выполнена в виде прямоугольного корпуса из стали с закрепленными в нем с двух противоположенных сторон магнитов таким образом, чтобы созданное ими магнитное поле во внутренней части системы было направлено ортогонально движению осаждаемых на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры атомов.
RU2015108566/02A 2015-03-11 2015-03-11 Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления RU2601903C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015108566/02A RU2601903C2 (ru) 2015-03-11 2015-03-11 Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015108566/02A RU2601903C2 (ru) 2015-03-11 2015-03-11 Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015108566A true RU2015108566A (ru) 2016-09-27
RU2601903C2 RU2601903C2 (ru) 2016-11-10

Family

ID=57018374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015108566/02A RU2601903C2 (ru) 2015-03-11 2015-03-11 Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2601903C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111155067A (zh) * 2020-02-19 2020-05-15 三河市衡岳真空设备有限公司 一种磁控溅射设备

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2657674C1 (ru) * 2017-08-14 2018-06-14 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН) Способ получения гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si со стабильной межфазной границей

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2107971C1 (ru) * 1996-07-09 1998-03-27 Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете Магнетронная распылительная система
EP1580298A1 (fr) * 2004-03-22 2005-09-28 Materia Nova A.S.B.L Dépôt par pulverisation cathodique magnétron en régime impulsionnel avec préionisation
JP2005290442A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Shimadzu Corp Ｅｃｒスパッタリング装置
JP2007213401A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Kddi Corp ユーザ嗜好の音楽データに基づいてコミュニティを構成するコミュニティサイトサーバ及びプログラム
RU2482217C1 (ru) * 2012-02-28 2013-05-20 Открытое акционерное общество "Национальный институт авиационных технологий" Вакуумно-дуговой источник плазмы

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111155067A (zh) * 2020-02-19 2020-05-15 三河市衡岳真空设备有限公司 一种磁控溅射设备

Also Published As

Publication number Publication date
RU2601903C2 (ru) 2016-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015133321A (ja) ベルト型磁石を含む中性粒子ビーム発生源
RU2012103666A (ru) Фильтр для дугового источника
JP5461264B2 (ja) マグネトロンスパッタリング装置、及び、スパッタリング方法
RU2015108566A (ru) Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления
CN103572240B (zh) 一种镀膜装置
US20130319855A1 (en) Magnetron sputtering system
TW201335411A (zh) 磁控濺鍍用磁場產生裝置
US10480062B2 (en) Sputtering apparatus and sputtering method using the same
CN105088156A (zh) 一种磁控溅射设备
JP2009191340A5 (ru)
JP2010248576A (ja) マグネトロンスパッタリング装置
RU2016138745A (ru) Способ и устройство для создания плазмы, возбуждаемой микроволновой энергией в области электронного циклотронного резонанса (ecr), для осуществления обработки поверхности или нанесения покрытия вокруг нитевидного компонента
CN104278243B (zh) 磁场生成设备和溅射设备
JPWO2013088623A1 (ja) 処理装置およびシールド
CN207047313U (zh) 磁控溅射装置
JP2012164677A (ja) イオンガン、及び成膜装置
RU123778U1 (ru) Устройство для нанесения тонких пленок
RU180112U1 (ru) Магнетрон с увеличенным коэффициентом использования материала мишени
KR20150071370A (ko) 스퍼터링 장치 및 방법
TWI496925B (zh) 一種用於減少ito濺射損傷襯底的濺射設備及其方法
RU153424U1 (ru) Катод-мишень с внешним магнитным блоком
RU2013112086A (ru) Устройство для защиты смотрового окна вакуумной камеры
KR20120000317A (ko) 전자 물질막 형성 장치
RU2014130048A (ru) Низкотемпературное ионно-дуговое напыление
US20170175251A1 (en) Surrounding field sputtering source

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180312