RU2107971C1 - Магнетронная распылительная система - Google Patents

Магнетронная распылительная система Download PDF

Info

Publication number
RU2107971C1
RU2107971C1 RU96113838A RU96113838A RU2107971C1 RU 2107971 C1 RU2107971 C1 RU 2107971C1 RU 96113838 A RU96113838 A RU 96113838A RU 96113838 A RU96113838 A RU 96113838A RU 2107971 C1 RU2107971 C1 RU 2107971C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
magnetic
magnetic core
target
permanent magnets
cathode
Prior art date
Application number
RU96113838A
Other languages
English (en)
Other versions
RU96113838A (ru
Inventor
П.С. Ананьин
В.П. Кривобоков
О.С. Кузьмин
В.Н. Легостаев
Original Assignee
Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете filed Critical Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете
Priority to RU96113838A priority Critical patent/RU2107971C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2107971C1 publication Critical patent/RU2107971C1/ru
Publication of RU96113838A publication Critical patent/RU96113838A/ru

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Магнетронная распылительная система (МРС) относится к плазменной технике и предназначена для нанесения пленок из металлов и их соединений. МРС содержит анод, катод-мишень и магнитную систему. Магнитная система представляет собой корпус из магнитомягкого материала, являющийся внешним магнитопроводом. Внутри него вдоль оси системы с зазорами на торцах расположен центральный магнитопровод. Все пространство между магнитопроводами вдоль центрального магнитопровода заполнено постоянными магнитами. В зазорах на торцах системы расположены дополнительные постоянные магниты, закрытые со стороны центрального магнитопровода концевыми наконечниками из магнитомягкого материала. Между ними и центральным магнитопроводом имеется зазор. МРС позволяет значительно увеличить зону равномерного напыления покрытия без увеличения габаритных размеров системы. 4 ил.

Description

Устройство относится к плазменной технике и предназначено для нанесения на поверхность твердых тел тонких пленок из металлов и их соединений, синтезированных в результате взаимодействия атомов, распыленных с поверхностью металлического катода, с газоплазменной средой.
Основным узлом установки является магнетронная распылительная система (МРС).
МРС содержит катод-мишень, анод и магнитную систему. Силовые линии магнитного поля располагаются вдоль поверхности мишени. При подаче постоянного напряжения между катодом и анодом зажигается тлеющий разряд. Магнитное поле локализует плазму непосредственно у мишени. Эмиттированные с поверхности катода электроды под действием электрического и магнитного полей двигаются вдоль поверхности катода по сложным циклическим траекториям, многократно ионизуя атомы. Это приводит к росту концентрации ионов в плазме и к увеличению скорости распыления катода.
Известные МРС подразделяются на планарные системы [1, c.11] и коаксиальные [1, с.45].
Наиболее эффективная конструкция МРС коаксиального типа содержит катод в виде трубы из распыляемого материала. Магнитная система в виде набора кольцевых постоянных магнитов устанавливается либо внутри катода, либо снаружи. Соответственно, подложки для напыления пленок устанавливаются на цилиндрической поверхности вокруг катода либо внутри вдоль его оси. Коаксиальные конструкции имеют высокую производительность за счет увеличения площади одновременно обрабатываемых подложек. Однако такие конструкции непригодные для нанесения пленок на листовые материалы большой площади.
Планарные магнетронные системы в самом общем случае содержат вмонтированные в корпус магнитный блок, водоохлаждаемый катод-мишень который представляет собой пластину из распыляемого материала. Над катодом располагается анод, установленный по периметру мишени [1, c. 11 и 51]. Для нанесения пленок на листовые материалы большой площади размеры мишени выбираются большими. Известна, например, конструкция с линейной мишенью длиной 2 м и шириной 20 см [1, c. 57]. В такой конструкции интенсивно распыляемая часть поверхности мишени имеет вид замкнутой вытянутой дорожки, расположенной вдоль мишени. Подложка - листовой материал для нанесения покрытия располагается параллельно плоскости мишени и перемещается поперек мишени для равномерного нанесения пленки вдоль листового материала. Длина мишени, а следовательно, и МРС определяется шириной обрабатываемого материала.
Магнитная система магнетрона [2] представляет собой прямоугольное основание из магнитомягкого материала, являющееся магнитопроводом, на котором вдоль боковых сторон и по центру установлены протяженные постоянные магниты. Вся система помещена в корпус и закрыта сверху катодом-пластиной из распыляемого материала. Центральный магнит короче, чем боковые, и на торцах системы образованы зазоры между ним и корпусом. Такой магнитный блок создает поле, характеризующееся замкнутым контуром силовых линий, параллельных поверхностей распыляемой мишени. Учитывая большие продольные размеры МРС, изготовление магнитного блока требует большого количества дорогостоящего ферромагнитного материала. Кроме того, к размерам и форму магнитов представляются достаточно жесткие требования. При соблюдении этих требований такая магнитная система создает однородное по длине мишени магнитное поле, индукция которого плавно уменьшается по краям МРС. Данная МРС выбрана за прототип.
Равномерность толщины нанесенного покрытия зависит от скорости осаждения распыленного материала. В вышеописанной конструкции даже при высокой однородности магнитного поля вдоль всей поверхности мишени центральная зона образца будет напыляться с большей скоростью, чем периферийные зоны. Объясняется это прежде всего тем, что центральная зона образца имеет симметричную диаграмму напыления, а периферийные участки напыляются только с одной стороны. Как показали эксперименты, для магнетрона с длиной мишени 440 мм зона с постоянной магнитной индукцией составляет около 300 мм, а область с постоянной скоростью осаждения - только 220 мм, т.е. для нанесения пленки с равномерностью напыления не хуже 5% эффективно используется только половина длины мишени.
Изобретение направлено на решение задачи создания МРС для нанесения покрытия на листовые материалы большой площади, обладающей увеличенной областью равномерного напыления без увеличения размеров, а следовательно, и стоимости МРС.
Для решения этой задачи предлагаемая МРС, как и прототип, содержит анод и катод - мишень, покрывающую корпус магнитного блока. Магнитный блок содержит магнитопровод и постоянные магниты.
В отличие от прототипа корпус магнитного блока выполнен из магнитомягкого материала и является внешним магнитопроводом, внутри него на оси системы и с зазорами по торцам расположен внутренний магнитопровод, постоянные магниты заполняют пространство между магнитопроводами, а в зазорах на торцах системы помещены дополнительные магниты, закрытые со стороны внутреннего магнитопровода концевыми наконечниками из магнитомягкого материала, установленными с зазорами относительно внутреннего магнитопровода.
Выполненные корпуса магнитного блока из магнитомягкого материала позволяет ему одновременно играть роль внешнего магнитопровода. Нужная конфигурация магнитного поля в виде замкнутого контура силовых линий, параллельных поверхности мишени, создается благодаря наличию по оси системы внутреннего магнитопровода, расположенного так, что он образует по торцам зазоры между ним и внешним магнитопроводом. Наличие магнитопроводов уменьшает количество ферромагнитов, снижает требования к размерам и форме постоянных магнитов, так что магнитную систему становится возможным изготовлять из любой имеющейся в наличии номенклатуры магнитов.
Величина магнитной индукции дополнительного концевого магнита определяет степень увеличения магнитного поля в концевой зоне, а величина зазора Δx - степень его локализованности. Варьируя эти параметры, удалось оптимизировать магнитную систему магнетрона таким образом, что зона равномерного напыления для магнетрона длиной 440 мм возросла до 350 мм.
На фиг. 1 изображена магнитная система МРС, вид сверху при снятом катоде-мишени; на фиг. 2 - то же, продольное сечение; на фиг. 3 - то же, поперечное сечение.
Магнетронная распылительная система состоит из магнитного блока, изображено на фиг. 1, катода 1 и анода 2. Катод представляет собой металлическую пластину из распыляемого материала, которой закрыт корпус 3 магнитного блока.
Выполненный из магнитомягкого материала корпус 3 играет роль внешнего магнитопровода. Вдоль оси магнитной системы в корпусе 3 с зазорами по торцам расположен внутренний магнитопровод 4 из магнитомягкого материала. Постоянные магниты 5 заполняют полость между магнитопроводами 3 и 4 по всей длине системы. В зазорах на торцах системы помещены мощные концевые магниты 6, торцы которых со стороны внутреннего магнитопровода 4 закрыты концевыми наконечниками 7 из магнитомягкого материала. Между концевыми наконечниками 7 и центральными магнитопроводом 4 имеются зазоры Δx. . Анодом в данной конструкции является корпус установки. На фиг. 2-3 показана только его часть, обозначенная цифрой 2. Цифрой 8 обозначены силовые линии магнитного поля. Обрабатываемый листовой материал 9 перемещается поступательно поперек МРС (направление движения показано стрелкой на фиг. 3).
Работает устройство следующим образом. Постоянные магниты 5 создают над поверхностью катода 1 продольное магнитное поле, расположение силовых линий 8 которого показано на фиг. 3. Расположение индукции этого магнитного поля вдоль продольной оси МРС показано на фиг. 4, где 10 - индукция системы без концевых магнитов 6, а 11 - распределение индукции при наличии концевых магнитов 6 с концевыми наконечниками 7. Падение индукции 10 по торцам системы, как это имеет место в прототипе, дополнительно уменьшает зону равномерного напыления. Величина магнитной индукции концевого магнита 6 определяет степень увеличения ΔB индукции 11 в концевой зоне, а величина зазора Δx - степень его локализованности Δl . Зазор Δx можно изменять, изменяя толщину концевого наконечника.
Между катодом 1 и анодом 2 подается постоянное напряжение и зажигается тлеющий разряд. Наличие замкнутого магнитного поля у поверхности катода позволяет локализовать плазму разряда непосредственно у катода-мишени. Участки мишени между входом и выходом силовых линий 8 магнитного поля начнут интенсивно распыляться, причем участки на концах мишени 1 благодаря увеличению индукции 11 магнитного поля на них будут распыляться с большей скоростью. Варьируя величинами магнитной индукции концевого магнита 6 и величиной зазора Δx , можно добиться такого увеличения скорости распыления по концам системы, которое будет компенсировать уменьшение скорости напыления по концам образца 9 за счет несимметричной диаграммы напыления.
Так, в частности, для магнетрона длиной 440 мм при индукции концевого магнита 6, равной 180 мТ, и величине зазора Δx = 15 мм ширина зоны равномерного напыления на образце 9 достигла 350 мм.
Таким образом, предлагаемое несложное усовершенствование конструкции МРС позволяет значительно увеличить ширину области равномерного напыления пленок на листовые материалы без увеличения габаритных размеров МРС.

Claims (1)

  1. Магнетронная распылительная система, содержащая анод и катод-мишень, покрывающую корпус магнитного блока, содержащего магнитопровод и постоянные магниты, отличающаяся тем, что корпус магнитного блока выполнен из магнитомягкого материала, внутри него на оси системы и с зазорами по торцам расположен внутренний магнитопровод, постоянные магниты заполняют пространство между магнитопроводами, а в зазорах на торцах системы расположены дополнительные магниты, закрытые со стороны внутреннего магнитопровода концевыми наконечниками из магнитомягкого материала, установленными с зазором относительно внутреннего магнитопровода.
RU96113838A 1996-07-09 1996-07-09 Магнетронная распылительная система RU2107971C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96113838A RU2107971C1 (ru) 1996-07-09 1996-07-09 Магнетронная распылительная система

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96113838A RU2107971C1 (ru) 1996-07-09 1996-07-09 Магнетронная распылительная система

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2107971C1 true RU2107971C1 (ru) 1998-03-27
RU96113838A RU96113838A (ru) 1998-08-27

Family

ID=20183013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96113838A RU2107971C1 (ru) 1996-07-09 1996-07-09 Магнетронная распылительная система

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2107971C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2601903C2 (ru) * 2015-03-11 2016-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления
RU2624256C2 (ru) * 2015-12-23 2017-07-03 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Российская медицинская академия непрерывного профессионального образования" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ДПО РМАНПО Минздрава России) Способ оценки фибринолитической активности слезной жидкости
RU180112U1 (ru) * 2017-04-20 2018-06-04 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет" Магнетрон с увеличенным коэффициентом использования материала мишени
WO2024009229A1 (en) 2022-07-06 2024-01-11 Naco Technologies, Sia A high-rate magnetron sputtering device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетропные распылительные системы. - М.: Радио и связь, 1982, с. 11, 45. 2. Костржицкий А.И. и др. Справочник оператора установок по нанесению покрытий в вакууме. - М.: машиностроение, 1991, с. 18 - 19. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2601903C2 (ru) * 2015-03-11 2016-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления
RU2624256C2 (ru) * 2015-12-23 2017-07-03 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Российская медицинская академия непрерывного профессионального образования" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ДПО РМАНПО Минздрава России) Способ оценки фибринолитической активности слезной жидкости
RU180112U1 (ru) * 2017-04-20 2018-06-04 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет" Магнетрон с увеличенным коэффициентом использования материала мишени
WO2024009229A1 (en) 2022-07-06 2024-01-11 Naco Technologies, Sia A high-rate magnetron sputtering device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4872964A (en) Planar magnetron sputtering apparatus and its magnetic source
KR100228534B1 (ko) 음극스퍼터링을 이용한 플라즈마 발생장치
CA1338918C (en) Hollow cathode type magnetron apparatus construction
US5174880A (en) Magnetron sputter gun target assembly with distributed magnetic field
JPH0686658B2 (ja) 別個の放電にさらされるターゲットへの別個の閉込め磁界を有するマグネトロンスパッタリング装置を制御する装置および方法
JP3655334B2 (ja) マグネトロンスパッタリング装置
EP0435838A2 (en) Sputtering apparatus
JP4306958B2 (ja) 真空スパッタ装置
JPH028365A (ja) スパッター被覆装置
US5397448A (en) Device for generating a plasma by means of cathode sputtering and microwave-irradiation
RU2107971C1 (ru) Магнетронная распылительная система
NL9301479A (nl) Microgolfondersteunde verstuivingsinrichting.
US5277779A (en) Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source
CA2008934C (en) Magnetron sputtering apparatus
KR20040050064A (ko) 플랫 마그네트론
JPS57207173A (en) Magnetron sputtering device of magnetic field press contact type
JP3411312B2 (ja) マグネトロン・スパッタカソードおよび膜厚分布の調整方法
RU2242821C2 (ru) Магнетронная распылительная система
KR100274713B1 (ko) 기판상에 코팅을 하기 위한 스퍼터링 장치 및 방법과 스퍼터건
JPS6217175A (ja) スパツタリング装置
JPS5562164A (en) Sputtering unit
JPS6233764A (ja) スパツタリング装置
JP2769572B2 (ja) マグネトロンスパッタリング用カソード
JPH04116162A (ja) プレーナマグネトロン型スパッタリング装置用の磁界発生装置
RU2102527C1 (ru) Магнитная система планарного магнетрона

Legal Events

Date Code Title Description
PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20101116

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130710