RU2012157799A - Мультиспектральное фоточувствительное устройство - Google Patents

Мультиспектральное фоточувствительное устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2012157799A
RU2012157799A RU2012157799/28A RU2012157799A RU2012157799A RU 2012157799 A RU2012157799 A RU 2012157799A RU 2012157799/28 A RU2012157799/28 A RU 2012157799/28A RU 2012157799 A RU2012157799 A RU 2012157799A RU 2012157799 A RU2012157799 A RU 2012157799A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composite
layer
read
pixel
pixels
Prior art date
Application number
RU2012157799/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2525654C1 (ru
Inventor
Сяопин ХУ
Original Assignee
Боли Медиа Коммуникейшнз (Шэньчжэнь) Ко., Лтд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Боли Медиа Коммуникейшнз (Шэньчжэнь) Ко., Лтд filed Critical Боли Медиа Коммуникейшнз (Шэньчжэнь) Ко., Лтд
Publication of RU2012157799A publication Critical patent/RU2012157799A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2525654C1 publication Critical patent/RU2525654C1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
    • G01N21/6452—Individual samples arranged in a regular 2D-array, e.g. multiwell plates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
    • G01N21/6452—Individual samples arranged in a regular 2D-array, e.g. multiwell plates
    • G01N21/6454—Individual samples arranged in a regular 2D-array, e.g. multiwell plates using an integrated detector array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14649—Infrared imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14649—Infrared imagers
    • H01L27/14652—Multispectral infrared imagers, having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/17—Colour separation based on photon absorption depth, e.g. full colour resolution obtained simultaneously at each pixel location
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Abstract

1. Мультиспектральное фоточувствительное устройство, содержащее базовый слой, в котором множество макроблоков из составных считывающих пикселов многократно размещено в соответствии с данным рисунком на базовом слое, макроблок из составных считывающих пикселов содержит, по меньшей мере, один составной считывающий пиксел, содержащий, по меньшей мере, два базовых считывающих пиксела, базовые считывающие пикселы в том же составном считывающем пикселе размещены в слоях вдоль направления испускания света, причем каждый слой имеет один базовый считывающий пиксел, и базовые считывающие пикселы распределены на верхней стороне или нижней стороне либо на верхней стороне и нижней стороне базового слоя, и каждая сторона содержит самое большее два слоя.2. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по п. 1, в котором составной считывающий пиксел включает в себя два базовых считывающих пиксела, которые размещены в двух слоях на верхней стороне или нижней стороне базового слоя, чтобы сформировать односторонний двухслойный составной считывающий пиксел.3. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по п. 2, в котором односторонний двухслойный составной считывающий пиксел сформирован посредством составного N-P-N-перехода, который сформирован посредством легирования примесью p-типа базового слоя из кремния n-типа, чтобы сформировать легированный примесью p-типа слой, и затем легирования примесью n-типа легированного примесью p-типа слоя; или односторонний двухслойный составной считывающий пиксел сформирован посредством составного P-N-P-перехода, который сформирован посредством легирования примесью n-типа базо

Claims (16)

1. Мультиспектральное фоточувствительное устройство, содержащее базовый слой, в котором множество макроблоков из составных считывающих пикселов многократно размещено в соответствии с данным рисунком на базовом слое, макроблок из составных считывающих пикселов содержит, по меньшей мере, один составной считывающий пиксел, содержащий, по меньшей мере, два базовых считывающих пиксела, базовые считывающие пикселы в том же составном считывающем пикселе размещены в слоях вдоль направления испускания света, причем каждый слой имеет один базовый считывающий пиксел, и базовые считывающие пикселы распределены на верхней стороне или нижней стороне либо на верхней стороне и нижней стороне базового слоя, и каждая сторона содержит самое большее два слоя.
2. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по п. 1, в котором составной считывающий пиксел включает в себя два базовых считывающих пиксела, которые размещены в двух слоях на верхней стороне или нижней стороне базового слоя, чтобы сформировать односторонний двухслойный составной считывающий пиксел.
3. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по п. 2, в котором односторонний двухслойный составной считывающий пиксел сформирован посредством составного N-P-N-перехода, который сформирован посредством легирования примесью p-типа базового слоя из кремния n-типа, чтобы сформировать легированный примесью p-типа слой, и затем легирования примесью n-типа легированного примесью p-типа слоя; или односторонний двухслойный составной считывающий пиксел сформирован посредством составного P-N-P-перехода, который сформирован посредством легирования примесью n-типа базового слоя из кремния p-типа, чтобы сформировать легированный примесью n-типа слой, и затем легирования примесью p-типа легированного примесью n-типа слоя.
4. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по п. 1, в котором составной считывающий пиксел включает в себя два базовых считывающих пиксела, которые расположены, соответственно, на верхней стороне и нижней стороне базового слоя, чтобы сформировать двусторонний двухслойный составной считывающий пиксел.
5. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по п. 4, в котором двусторонний двухслойный составной считывающий пиксел сформирован посредством составного P-N-P-перехода, который сформирован посредством легирования примесью p-типа как верхней стороны, так и нижней стороны базового слоя из кремния n-типа; или двусторонний двухслойный составной считывающий пиксел сформирован посредством составного N-P-N-перехода, который получен посредством легирования примесью n-типа как верхней стороны, так и нижней стороны базового слоя из кремния p-типа.
6. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по п. 1, в котором составной считывающий пиксел включает в себя три или четыре базовых считывающих пиксела, два из которых расположены в двух слоях на верхней стороне или нижней стороне базового слоя, а оставшийся базовый считывающий пиксел(ы) расположен в одном или двух слоях в нижней стороне или верхней стороне базового слоя так, чтобы сформировать двусторонний многослойный составной считывающий пиксел.
7. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по п. 6, в котором двусторонний многослойный составной считывающий пиксел сформирован посредством составного перехода P-N-P или N-P-N-P, или P-N-P-N, или N-P-N-P-N, при этом составной переход сформирован посредством легирования примесью p-типа как верхней стороны, так и нижней стороны базового слоя из кремния n-типа, чтобы сформировать легированный примесью p-типа слой, и затем легирования примесью n-типа легированного примесью p-типа слоя; или двусторонний многослойный составной считывающий пиксел сформирован посредством составного перехода N-P-N или N-P-N-P, или P-N-P-N или P-N-P-N-P, при этом составной переход сформирован посредством легирования примесью n-типа как верхней стороны, так и нижней стороны базового слоя из кремния p-типа, чтобы сформировать легированный примесью n-типа слой, и затем легирования примесью p-типа легированного примесью n-типа слоя.
8. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по любому из пп. 1-7, в котором полосы спектра, считываемые посредством базовых считывающих пикселов в одних и тех же составных считывающих пикселах, соответственно, являются ортогональными друг другу, полосы спектра содержат спектры видимого света или видимого и инфракрасного света, комбинация спектров, считываемых посредством всех составных считывающих пикселов в макроблоках из составных считывающих пикселов, содержит спектральную информацию, необходимую для восстановления цветов в цветовом пространстве RGB или CMYK.
9. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по п. 8, в котором спектр, считываемый посредством базовых считывающих пикселов из составных считывающих пикселов, ближайших к источнику света, включает в себя пустой цвет, синий цвет, зеленый цвет, голубой цвет, белый цвет и белый цвет плюс инфракрасный свет.
10. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по п. 8, в котором спектр, считываемый посредством базовых считывающих пикселов из составных считывающих пикселов самых дальних от источника света, включает в себя пустой цвет, зеленый цвет, красный цвет, желтый цвет, белый цвет, красный цвет плюс инфракрасный свет, желтый цвет плюс инфракрасный свет и белый цвет плюс инфракрасный свет.
11. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по любому из пп. 1-7, в котором нижняя поверхность базового считывающего пиксела, считывающего инфракрасный свет в нижнем слое блоков составных считывающих пикселов, выращивается с кремниево-германиевым кристаллическим слоем или германиевым кристаллическим слоем.
12. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по п. 11, в котором нижняя часть базовых считывающих пикселов для считывания инфракрасного света покрыта зеркальной отражательной пленкой.
13. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по любому из пп. 1-7, в котором составной считывающий пиксел дискретизирован активным способом, чтобы сформировать активный пиксел; или составной считывающий пиксел дискретизирован пассивным способом, чтобы сформировать пассивный пиксел.
14. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по любому из пп. 1-7, в котором базовый считывающий пиксел в составных считывающих пикселах является фотодиодом или фотозатвором.
15. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по любому из пп. 1-7, в котором режим считывания мультиспектрального считывающего устройства содержит режим считывания с передней стороны, считывания с задней стороны или двунаправленного считывания, при этом режим двунаправленного считывания включает в себя режим выбора направления на основе разделения по времени, режим выбора направления на основе разделения на области или режим попикселного выбора направления.
16. Мультиспектральное фоточувствительное устройство по любому из пп. 1-7, в котором данный рисунок включает в себя повторяемое упорядочение, прямоугольный рисунок или гексагональный рисунок, принятый составными пикселами.
RU2012157799/28A 2010-06-01 2010-06-01 Мультиспектральное фоточувствительное устройство RU2525654C1 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2010/073440 WO2011150551A1 (zh) 2010-06-01 2010-06-01 多光谱感光器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012157799A true RU2012157799A (ru) 2014-07-27
RU2525654C1 RU2525654C1 (ru) 2014-08-20

Family

ID=45066111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012157799/28A RU2525654C1 (ru) 2010-06-01 2010-06-01 Мультиспектральное фоточувствительное устройство

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9184204B2 (ru)
EP (1) EP2509107A4 (ru)
JP (1) JP5889798B2 (ru)
KR (1) KR101432016B1 (ru)
CA (1) CA2786760C (ru)
RU (1) RU2525654C1 (ru)
WO (1) WO2011150551A1 (ru)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
US9911781B2 (en) 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9673243B2 (en) 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
KR101461405B1 (ko) * 2010-06-01 2014-11-13 볼리 미디어 커뮤니케이션스 (센젠) 캄파니 리미티드 다중 스펙트럼 감광소자 및 그 제작 방법
WO2011160130A2 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Sionyx, Inc High speed photosensitive devices and associated methods
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
JP6074884B2 (ja) * 2011-08-11 2017-02-08 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、電子機器
CN103946867A (zh) 2011-07-13 2014-07-23 西奥尼克斯公司 生物计量成像装置和相关方法
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
JP2014135571A (ja) * 2013-01-08 2014-07-24 V Technology Co Ltd 撮像装置
WO2014127376A2 (en) 2013-02-15 2014-08-21 Sionyx, Inc. High dynamic range cmos image sensor having anti-blooming properties and associated methods
WO2014151093A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Sionyx, Inc. Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
EP2974302B1 (en) * 2013-03-15 2019-05-01 SiOnyx, LLC Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
US9209345B2 (en) 2013-06-29 2015-12-08 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
JP2015037121A (ja) * 2013-08-13 2015-02-23 株式会社東芝 固体撮像素子
EP3363050B1 (en) 2015-07-23 2020-07-08 Artilux Inc. High efficiency wide spectrum sensor
US10761599B2 (en) 2015-08-04 2020-09-01 Artilux, Inc. Eye gesture tracking
EP3709362B1 (en) 2015-08-04 2021-07-14 Artilux Inc. Germanium-silicon light sensing method
US10861888B2 (en) 2015-08-04 2020-12-08 Artilux, Inc. Silicon germanium imager with photodiode in trench
US10707260B2 (en) 2015-08-04 2020-07-07 Artilux, Inc. Circuit for operating a multi-gate VIS/IR photodiode
US9893112B2 (en) 2015-08-27 2018-02-13 Artilux Corporation Wide spectrum optical sensor
US10741598B2 (en) 2015-11-06 2020-08-11 Atrilux, Inc. High-speed light sensing apparatus II
US10418407B2 (en) 2015-11-06 2019-09-17 Artilux, Inc. High-speed light sensing apparatus III
US10254389B2 (en) 2015-11-06 2019-04-09 Artilux Corporation High-speed light sensing apparatus
US10886309B2 (en) 2015-11-06 2021-01-05 Artilux, Inc. High-speed light sensing apparatus II
US10739443B2 (en) 2015-11-06 2020-08-11 Artilux, Inc. High-speed light sensing apparatus II
US11595595B2 (en) 2016-09-27 2023-02-28 Rxsafe Llc Verification system for a pharmacy packaging system
US10187593B2 (en) 2016-09-27 2019-01-22 Rxsafe Llc Verification system for a pharmacy packaging system
CN111868929B (zh) 2018-02-23 2021-08-03 奥特逻科公司 光检测装置及其光检测方法
US11105928B2 (en) 2018-02-23 2021-08-31 Artilux, Inc. Light-sensing apparatus and light-sensing method thereof
CN112236686B (zh) 2018-04-08 2022-01-07 奥特逻科公司 光探测装置
US10854770B2 (en) 2018-05-07 2020-12-01 Artilux, Inc. Avalanche photo-transistor
US10969877B2 (en) 2018-05-08 2021-04-06 Artilux, Inc. Display apparatus

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3812518A (en) * 1973-01-02 1974-05-21 Gen Electric Photodiode with patterned structure
JPH02177474A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Victor Co Of Japan Ltd 固体撮像素子
US5751049A (en) * 1993-08-16 1998-05-12 Texas Instruments Incorporated Two-color infrared detector
JP3292583B2 (ja) * 1994-03-04 2002-06-17 三菱電機株式会社 固体撮像装置
JPH09219505A (ja) * 1996-02-08 1997-08-19 Olympus Optical Co Ltd カラー固体撮像装置
US6870885B2 (en) 2001-05-16 2005-03-22 Qualcomm Incorporated Apparatus and method for decoding and computing a discrete cosine transform using a butterfly processor
JP2002354491A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Fuji Film Microdevices Co Ltd カラー撮像装置
US6960757B2 (en) * 2001-06-18 2005-11-01 Foveon, Inc. Simplified wiring schemes for vertical color filter pixel sensors
JP4271917B2 (ja) * 2002-09-12 2009-06-03 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 固体撮像素子、及び該素子を用いた撮像装置
US7166878B2 (en) * 2003-11-04 2007-01-23 Sarnoff Corporation Image sensor with deep well region and method of fabricating the image sensor
KR100760142B1 (ko) * 2005-07-27 2007-09-18 매그나칩 반도체 유한회사 고해상도 ｃｍｏｓ 이미지 센서를 위한 스택형 픽셀
WO2007077286A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-12 Artto Aurola Semiconductor radiation detector detecting visible light
US7419844B2 (en) * 2006-03-17 2008-09-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Real-time CMOS imager having stacked photodiodes fabricated on SOI wafer
US8089109B2 (en) * 2006-07-21 2012-01-03 Renesas Electronics Corporation Photoelectric conversion device and imaging device
JP2008060476A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Sharp Corp 固体撮像装置および電子情報機器
KR100818987B1 (ko) * 2006-09-19 2008-04-04 삼성전자주식회사 이미지 촬상 장치 및 상기 이미지 촬상 장치의 동작 방법
KR20080061483A (ko) * 2006-12-28 2008-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
JP4742057B2 (ja) * 2007-02-21 2011-08-10 富士フイルム株式会社 裏面照射型固体撮像素子
JP2008203666A (ja) * 2007-02-21 2008-09-04 Dainippon Printing Co Ltd 半透過型液晶表示装置用カラーフィルタ
TWI479887B (zh) * 2007-05-24 2015-04-01 Sony Corp 背向照明固態成像裝置及照相機
CN101345248B (zh) * 2007-07-09 2010-07-14 博立码杰通讯(深圳)有限公司 多光谱感光器件及其制作方法
CN101459184B (zh) * 2007-12-13 2011-03-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 在cmos上感测图像的系统和方法
US7888763B2 (en) * 2008-02-08 2011-02-15 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated imaging sensor with improved infrared sensitivity
KR101475464B1 (ko) * 2008-05-09 2014-12-22 삼성전자 주식회사 적층형 이미지 센서
KR100999740B1 (ko) * 2008-07-29 2010-12-08 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
JP2010093081A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US20100109060A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Omnivision Technologies Inc. Image sensor with backside photodiode implant
CN101807590B (zh) * 2009-02-16 2013-03-27 博立码杰通讯(深圳)有限公司 多光谱感光器件
US8487396B2 (en) * 2009-06-01 2013-07-16 Stmicroelectronics S.R.L. Trench sidewall contact Schottky photodiode and related method of fabrication
JP6045136B2 (ja) * 2011-01-31 2016-12-14 キヤノン株式会社 光電変換装置
EP2725616B1 (en) * 2011-06-24 2017-07-26 Boly Media Communications (Shenzhen) Co., Ltd Multi scene depth photo sensitive device, system thereof, scene depth expanding method, and optical imaging system
US8946612B2 (en) * 2011-07-29 2015-02-03 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor with controllable vertically integrated photodetectors
FR2983348B1 (fr) * 2011-11-29 2014-07-25 Thales Sa Bloc detecteur optique

Also Published As

Publication number Publication date
EP2509107A4 (en) 2013-07-31
EP2509107A1 (en) 2012-10-10
RU2525654C1 (ru) 2014-08-20
US20130062506A1 (en) 2013-03-14
JP2013516078A (ja) 2013-05-09
KR20120125665A (ko) 2012-11-16
CA2786760A1 (en) 2011-12-08
JP5889798B2 (ja) 2016-03-22
US9184204B2 (en) 2015-11-10
CA2786760C (en) 2018-01-02
KR101432016B1 (ko) 2014-08-20
WO2011150551A1 (zh) 2011-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012157799A (ru) Мультиспектральное фоточувствительное устройство
CN209183547U (zh) 图像像素件及图像像素阵列
KR102519178B1 (ko) 색분리 소자를 포함하는 이미지 센서 및 이를 포함하는 촬상 장치
RU2010104436A (ru) Многоспектральное считывающее устройство и способы его изготовления
US9983734B2 (en) Display
US7732846B2 (en) Semiconductor device including solid state image pickup device, and portable electronic apparatus
JP2017524985A5 (ru)
JP2022518308A (ja) 表示パネル及び表示装置
CN106241725B (zh) Rgb-ir光传感器阵列、接收图像及检测彩色图像的方法
US9356065B2 (en) Image sensor having improved light utilization efficiency
RU2014102161A (ru) Светочувствительное устройство с множественной глубиной резкости, система, способ расширения глубины резкости и оптическая система формирования изображений
US20200075644A1 (en) Solid-state imaging device
US20130307106A1 (en) Solid-state imaging device
WO2018214773A1 (zh) 光栅及立体显示装置
KR102250192B1 (ko) 이종 화소 구조를 갖는 이미지 센서
CN105810702A (zh) 彩色滤光器阵列上的光学隔离栅格
RU2012143942A (ru) Мультиспектральное светочувствительное устройство и способ его изготовления
CN103681721B (zh) 具有高动态范围的图像传感器像素阵列
CN104952890B (zh) 具有用以检测红外光的金属网格的彩色图像传感器
CN103984105A (zh) 影像分层组合结构
CN104079903B (zh) 高动态范围的彩色及灰度图像传感器
CN101350893A (zh) 影像传感器及相机模组
CN114613823A (zh) 显示面板及显示装置
KR0155780B1 (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
CN103531602A (zh) 输出彩色图像的像素阵列

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200602