RU2008150855A - Распыляемые мишени, изготовленные способом холодного прессования - Google Patents
Распыляемые мишени, изготовленные способом холодного прессования Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008150855A RU2008150855A RU2008150855/02A RU2008150855A RU2008150855A RU 2008150855 A RU2008150855 A RU 2008150855A RU 2008150855/02 A RU2008150855/02 A RU 2008150855/02A RU 2008150855 A RU2008150855 A RU 2008150855A RU 2008150855 A RU2008150855 A RU 2008150855A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- components
- target according
- spray
- indium
- alloy
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/02—Compacting only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
1. Распыляемая мишень с распыляемым материалом, состоящим из сплава или смеси материалов из, по меньшей мере, двух компонентов, причем оба компонента находятся в термодинамически неравновесном состоянии, отличающаяся тем, что компоненты уплотнены посредством изостатического или униаксиального холодного прессования. ! 2. Распыляемая мишень по п.1, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов имеет твердость меньше 100 МПа по Бринеллю, причем этот компонент составляет, по меньшей мере, 20 об.% всей смеси порошков. ! 3. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов присутствует в виде порошка. ! 4. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что компоненты состоят из металлов или сплавов или из смеси металла или сплава с керамическим материалом. ! 5. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов состоит из, по меньшей мере, одного металла из группы индия, олова или висмута или из сплава на основе этих металлов. ! 6. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов состоит из индия или из сплава на основе индия. ! 7. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов имеет чистоту металла более 99,9%. ! 8. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что распыляемый материал состоит из компонентов ! индий или сплав на основе индия, ! медь или сплав на основе меди. ! 9. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что распыляемый материал расположен на подложке или на несущ
Claims (15)
1. Распыляемая мишень с распыляемым материалом, состоящим из сплава или смеси материалов из, по меньшей мере, двух компонентов, причем оба компонента находятся в термодинамически неравновесном состоянии, отличающаяся тем, что компоненты уплотнены посредством изостатического или униаксиального холодного прессования.
2. Распыляемая мишень по п.1, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов имеет твердость меньше 100 МПа по Бринеллю, причем этот компонент составляет, по меньшей мере, 20 об.% всей смеси порошков.
3. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов присутствует в виде порошка.
4. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что компоненты состоят из металлов или сплавов или из смеси металла или сплава с керамическим материалом.
5. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов состоит из, по меньшей мере, одного металла из группы индия, олова или висмута или из сплава на основе этих металлов.
6. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов состоит из индия или из сплава на основе индия.
7. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов имеет чистоту металла более 99,9%.
8. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что распыляемый материал состоит из компонентов
индий или сплав на основе индия,
медь или сплав на основе меди.
9. Распыляемая мишень по любому из пп.1 или 2, отличающаяся тем, что распыляемый материал расположен на подложке или на несущей трубке со сплошным замыканием.
10. Способ изготовления распыляемой мишени по любому из пп.1-9, отличающийся тем, что компоненты подвергают уплотнению посредством изостатического или униаксиального способа холодного прессования.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что компоненты после холодного прессования не подвергают термической обработке.
12. Способ по любому из пп.10 или 11, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов распыляемого материала напрессовывают на металлическую подложку и образуют связь со сплошным замыканием между распыляемым материалом и подложкой.
13. Способ по любому из пп.10 или 11, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один из компонентов распыляемого материала спрессовывают в пластину мишени путем аксиального прессования и эту пластину мишени отдельно от процесса прессования наклеивают или напаивают на подложку.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что температура процесса склеивания или пайки ниже, чем самая низкая температура плавления компонентов.
15. Способ по любому из пп.10 или 11, отличающийся тем, что компоненты напрессовывают на несущую рубку посредством изостатического прессования и образуется связь со сплошным замыканием между распыляемым материалом и несущей трубкой.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006026005.8 | 2006-06-01 | ||
DE102006026005A DE102006026005A1 (de) | 2006-06-01 | 2006-06-01 | Kaltgepresste Sputtertargets |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2008150855A true RU2008150855A (ru) | 2010-07-20 |
Family
ID=38421730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008150855/02A RU2008150855A (ru) | 2006-06-01 | 2007-05-30 | Распыляемые мишени, изготовленные способом холодного прессования |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090277777A1 (ru) |
EP (1) | EP2024529A1 (ru) |
JP (1) | JP2009538984A (ru) |
KR (1) | KR20090031499A (ru) |
CN (1) | CN101460650A (ru) |
DE (1) | DE102006026005A1 (ru) |
RU (1) | RU2008150855A (ru) |
WO (1) | WO2007137824A1 (ru) |
ZA (1) | ZA200810662B (ru) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007060306B4 (de) * | 2007-11-29 | 2011-12-15 | W.C. Heraeus Gmbh | Magnetische Shunts in Rohrtargets |
KR101249566B1 (ko) * | 2009-07-27 | 2013-04-01 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | Cu-Ga 소결체 스퍼터링 타깃 및 동 타깃의 제조 방법 |
CN102234765B (zh) * | 2010-04-23 | 2013-04-17 | 昆明物理研究所 | 一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法 |
JP4948634B2 (ja) | 2010-09-01 | 2012-06-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
JP5883022B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2016-03-09 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 銅及びインジウムを含む合金スパッタターゲットの修復 |
US9150958B1 (en) | 2011-01-26 | 2015-10-06 | Apollo Precision Fujian Limited | Apparatus and method of forming a sputtering target |
JP5140169B2 (ja) | 2011-03-01 | 2013-02-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
JP5026611B1 (ja) * | 2011-09-21 | 2012-09-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
JP5074628B1 (ja) * | 2012-01-05 | 2012-11-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウム製スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US9761421B2 (en) | 2012-08-22 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium cylindrical sputtering target and manufacturing method thereof |
WO2015002253A1 (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-08 | Agcセラミックス株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN104919080B (zh) | 2013-07-08 | 2018-10-16 | Jx日矿日石金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
JP2015017297A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 三菱マテリアル株式会社 | In系円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
EP2947175A1 (en) * | 2014-05-21 | 2015-11-25 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | CuSn, CuZn and Cu2ZnSn sputter targets |
US11450516B2 (en) * | 2019-08-14 | 2022-09-20 | Honeywell International Inc. | Large-grain tin sputtering target |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT388752B (de) * | 1986-04-30 | 1989-08-25 | Plansee Metallwerk | Verfahren zur herstellung eines targets fuer die kathodenzerstaeubung |
DE4115663A1 (de) * | 1991-05-14 | 1992-11-19 | Leybold Ag | Verfahren zur herstellung eines targets, insbesondere eines rohrtargets einer sputtervorrichtung |
FR2680799B1 (fr) * | 1991-09-03 | 1993-10-29 | Elf Aquitaine Ste Nale | Element de cible pour pulverisation cathodique, procede de preparation dudit element et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element. |
US5342571A (en) * | 1992-02-19 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing sputtering target for deposition of titanium, aluminum and nitrogen coatings, sputtering target made thereby, and method of sputtering with said targets |
EP0834594B1 (en) * | 1995-05-18 | 2004-11-10 | Asahi Glass Company Ltd. | Process for producing sputtering target |
DK0871793T3 (da) * | 1995-08-31 | 2002-09-23 | Bekaert Sa Nv | Fremgangsmåde til fremstilling af genstande af indium-tin-oxid-(ITO)-legeringer |
JPH10270733A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-10-09 | Asahi Chem Ind Co Ltd | p型半導体、p型半導体の製造方法、光起電力素子、発光素子 |
US6010583A (en) * | 1997-09-09 | 2000-01-04 | Sony Corporation | Method of making unreacted metal/aluminum sputter target |
US6749103B1 (en) * | 1998-09-11 | 2004-06-15 | Tosoh Smd, Inc. | Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby |
JP4826066B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2011-11-30 | 住友金属鉱山株式会社 | 非晶質の透明導電性薄膜およびその製造方法、並びに、該非晶質の透明導電性薄膜を得るためのスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
US7833821B2 (en) * | 2005-10-24 | 2010-11-16 | Solopower, Inc. | Method and apparatus for thin film solar cell manufacturing |
-
2006
- 2006-06-01 DE DE102006026005A patent/DE102006026005A1/de not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-05-30 KR KR1020087025817A patent/KR20090031499A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-05-30 EP EP07725645A patent/EP2024529A1/de not_active Withdrawn
- 2007-05-30 WO PCT/EP2007/004754 patent/WO2007137824A1/de active Application Filing
- 2007-05-30 CN CNA2007800201155A patent/CN101460650A/zh active Pending
- 2007-05-30 RU RU2008150855/02A patent/RU2008150855A/ru not_active Application Discontinuation
- 2007-05-30 US US12/296,462 patent/US20090277777A1/en not_active Abandoned
- 2007-05-30 JP JP2009512483A patent/JP2009538984A/ja not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-12-18 ZA ZA200810662A patent/ZA200810662B/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101460650A (zh) | 2009-06-17 |
DE102006026005A1 (de) | 2007-12-06 |
US20090277777A1 (en) | 2009-11-12 |
JP2009538984A (ja) | 2009-11-12 |
ZA200810662B (en) | 2009-12-30 |
KR20090031499A (ko) | 2009-03-26 |
EP2024529A1 (de) | 2009-02-18 |
WO2007137824A1 (de) | 2007-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2008150855A (ru) | Распыляемые мишени, изготовленные способом холодного прессования | |
JP6464096B2 (ja) | 合金 | |
WO2015085650A1 (zh) | 一种W-Ti合金靶材组件扩散焊接方法 | |
JP6753869B2 (ja) | 複合材料を製作するための方法 | |
WO2012066764A1 (ja) | バッキングプレート、ターゲットアセンブリ及びスパッタリング用ターゲット | |
US20130323530A1 (en) | Active solder | |
CN102409300B (zh) | 氧化物陶瓷溅射靶及其制备方法和所用的钎焊合金 | |
CN105220121B (zh) | 一种靶材组件及其制备方法 | |
CN102409299A (zh) | 一种氧化物陶瓷溅射靶及其制备方法和所用的钎焊合金 | |
JP5069051B2 (ja) | ニッケル合金スパッタリングターゲット | |
US20060175198A1 (en) | Method of manufacturing a sputter target | |
KR20060101297A (ko) | 스퍼터링 타겟 제조용 땜납합금 및 이를 이용한 스퍼터링타겟 | |
CA2375783C (en) | Process for manufacturing an evaporation source | |
CN102286742A (zh) | 一种金刚石表面金属化方法 | |
TW200604362A (en) | Backing plate for sputter targets | |
Xu et al. | Effect of Ag and Cu co-addition on the microstructure evolution, interface behavior and mechanical properties of Sn-5Sb based solder joints subjected to different thermal aging conditions | |
Cheng et al. | Intermetallic compounds formed during the reflow and aging of Sn-3.8 Ag-0.7 Cu and Sn-20In-2Ag-0.5 Cu solder ball grid array packages | |
Rasbudin et al. | The effect of multiple reflow on intermetallic layer of Sn-4.0 AgCu/Cu by using microwave and reflow soldering | |
CZ2007356A3 (cs) | Zpusob výroby naprašovacích targetu | |
CN106180721A (zh) | 铜铟镓硒靶材金属化层制备方法 | |
TW200643193A (en) | Solder alloy for producing sputtering target and sputtering target using the same | |
CN202208757U (zh) | 一种陶瓷溅射靶 | |
WANG et al. | Wettability and microstructure of Sn-Ag-Cu-In solder | |
KR20060054074A (ko) | 알루미늄-네오디뮴 합금 스퍼터링용 적층체 | |
JP6273734B2 (ja) | 平板形スパッタリングターゲットとその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20100531 |