RU2008111820A - Электролит для нанесения гальванических покрытий методом химического восстановления и способ получения элемента высокотемпературного устройства с применением такого электролита - Google Patents
Электролит для нанесения гальванических покрытий методом химического восстановления и способ получения элемента высокотемпературного устройства с применением такого электролита Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008111820A RU2008111820A RU2008111820/02A RU2008111820A RU2008111820A RU 2008111820 A RU2008111820 A RU 2008111820A RU 2008111820/02 A RU2008111820/02 A RU 2008111820/02A RU 2008111820 A RU2008111820 A RU 2008111820A RU 2008111820 A RU2008111820 A RU 2008111820A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- electrolyte
- alloy
- substrate
- chemical reduction
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
- C23C18/50—Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Turbine Rotor Nozzle Sealing (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
1. Электролит для нанесения гальванического покрытия методом химического восстановления для формирования на подложке сплава Ni-Re-B, содержащего не менее 50 ат.% Re, путем нанесения гальванического покрытия методом химического восстановления; упомянутый электролит имеет pH от 6 до 8 и включает компонент, обеспечивающий источник поступления металла и содержащий Ni2+ и ReО4 - в равных эквивалентах в диапазоне от 0,01 до 0,5 моль/л; компонент-комплексообразователь, содержащий лимонную кислоту и, по меньшей мере, еще одну органическую кислоту при отношении молярной концентрации лимонной кислоты к сумме Ni2+ и ReО4 -, находящемся в диапазоне от 1/20 до 1/5, и при отношении молярной концентрации общего количества органической кислоты, включая упомянутую лимонную кислоту и упомянутую, по меньшей мере, еще одну органическую кислоту, к сумме Ni2+ и ReО4 -, находящемся в диапазоне от 1/2 до 10; и компонент-восстановитель, содержащий диметиламинборан при отношении молярной концентрации диметиламинборана к сумме Ni2+ и ReО4 -, находящемся в диапазоне от 1/4 до 2. ! 2. Электролит для нанесения гальванического покрытия методом химического восстановления по п.1, в котором упомянутая, по меньшей мере, еще одна органическая кислота представляет собой органическую кислоту с более слабой комплексообразующей способностью в отношении Re, чем лимонная кислота. ! 3. Электролит для нанесения гальванического покрытия методом химического восстановления по п.2, в котором органическая кислота с более слабой комплексообразующей способностью в отношении Re, чем лимонная кислота, представляет собой, по меньшей мере, одну из следующих кислот: янтарную кислоту, яблочную ки�
Claims (11)
1. Электролит для нанесения гальванического покрытия методом химического восстановления для формирования на подложке сплава Ni-Re-B, содержащего не менее 50 ат.% Re, путем нанесения гальванического покрытия методом химического восстановления; упомянутый электролит имеет pH от 6 до 8 и включает компонент, обеспечивающий источник поступления металла и содержащий Ni2+ и ReО4 - в равных эквивалентах в диапазоне от 0,01 до 0,5 моль/л; компонент-комплексообразователь, содержащий лимонную кислоту и, по меньшей мере, еще одну органическую кислоту при отношении молярной концентрации лимонной кислоты к сумме Ni2+ и ReО4 -, находящемся в диапазоне от 1/20 до 1/5, и при отношении молярной концентрации общего количества органической кислоты, включая упомянутую лимонную кислоту и упомянутую, по меньшей мере, еще одну органическую кислоту, к сумме Ni2+ и ReО4 -, находящемся в диапазоне от 1/2 до 10; и компонент-восстановитель, содержащий диметиламинборан при отношении молярной концентрации диметиламинборана к сумме Ni2+ и ReО4 -, находящемся в диапазоне от 1/4 до 2.
2. Электролит для нанесения гальванического покрытия методом химического восстановления по п.1, в котором упомянутая, по меньшей мере, еще одна органическая кислота представляет собой органическую кислоту с более слабой комплексообразующей способностью в отношении Re, чем лимонная кислота.
3. Электролит для нанесения гальванического покрытия методом химического восстановления по п.2, в котором органическая кислота с более слабой комплексообразующей способностью в отношении Re, чем лимонная кислота, представляет собой, по меньшей мере, одну из следующих кислот: янтарную кислоту, яблочную кислоту, молочную кислоту и глицин.
4. Способ получения элемента высокотемпературного устройства, включающий стадии:
нанесения на подложку из сплава на основе Ni гальванического покрытия методом химического восстановления при температуре от 60 до 80°C с применением электролита для нанесения гальванического покрытия методом химического восстановления по п.1 для формирования на подложке слоя сплава Ni-(50-60 ат.%) Re-B; и
проведения термообработки при температуре не менее 700°C для формирования на поверхности подложки диффузионного барьерного слоя сплава Ni-(20-50 ат.%)Re-(10-40 ат.%)Cr-(0,1-10 ат.%)B.
5. Способ по п.4, дополнительно включающий стадию обеспечения по мере необходимости источника Cr для Re-содержащего слоя.
6. Способ получения элемента высокотемпературного устройства, включающий стадии:
нанесения на подложку из сплава на основе Ni гальванического покрытия методом химического восстановления с применением электролита для нанесения гальванического покрытия методом химического восстановления по п.1 для формирования на подложке Re-содержащего слоя сплава Ni-(50-60 ат.%)Re-B;
формирования на Re-содержащем слое наружного слоя, состоящего, по меньшей мере, из одного слоя сплава на основе Ni; и
проведения термообработки для осуществления диффузии алюминия при температуре не менее 700°C для формирования диффузионного барьерного слоя из сплава Ni-(20-50 ат.%)Re-(10-40 ат.%)Cr-(0,1-10 ат.%)B, расположенного вблизи подложки, и коррозионностойкого слоя, получаемого при диффузии алюминия и расположенного с наружной стороны диффузионного барьерного слоя.
7. Способ по п.6, дополнительно включающий стадию обеспечения по мере необходимости источника Cr для Re-содержащего слоя.
8. Способ получения элемента высокотемпературного устройства, включающий стадии:
нанесения на подложку из сплава на основе Ni гальванического покрытия методом химического восстановления с применением электролита для нанесения гальванических покрытий методом химического восстановления по п.1 для формирования на подложке Re-содержащего слоя сплава Ni-(50-60 ат.%)Re-B;
формирования W-содержащего слоя, который служит в качестве источника поступления W, до или после стадии формирования Re-содержащего слоя;
формирования наружного слоя, состоящего, по меньшей мере, из одного слоя сплава на основе Ni, после формирования Re-содержащего слоя и W-содержащего слоя; и
проведения термообработки для осуществления диффузии алюминия при температуре не менее 700°С для формирования диффузионного барьерного слоя из сплава Ni-(20-50 ат.%)Re-(10-40 ат.%)Cr-(5-10 ат.%)W-(0,1-10 ат.%)B, расположенного вблизи подложки, и коррозионностойкого слоя, получаемого при диффузии алюминия и расположенного с наружной стороны диффузионного барьерного слоя.
9. Способ по п.8, дополнительно включающий стадию обеспечения по мере необходимости источника Cr для Re-содержащего слоя.
10. Способ по п.8, в котором W-содержащий слой представляет собой слой Ni-(10-15ат.%)W-(0,1-10 ат.%)B и формируется путем нанесения гальванического покрытия методом химического восстановления с применением Na-содержащего электролита, содержащего от 0,03 до 0,2 моль/л Ni2+, от 0,03 до 0,4 моль/л WО4 2-, от 0,03 до 0,4 моль/л лимонной кислоты или цитрата натрия и от 0,03 до 0,4 моль/л диметиламинборана, pH Na-содержащего электролита регулируется в диапазоне от 6 до 8 с помощью гидроксида натрия.
11. Способ по п.10, дополнительно включающий стадию обеспечения по мере необходимости источника Cr для Re-содержащего слоя.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007-088430 | 2007-03-29 | ||
| JP2007088430 | 2007-03-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008111820A true RU2008111820A (ru) | 2009-10-10 |
Family
ID=39712463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008111820/02A RU2008111820A (ru) | 2007-03-29 | 2008-03-27 | Электролит для нанесения гальванических покрытий методом химического восстановления и способ получения элемента высокотемпературного устройства с применением такого электролита |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8012251B2 (ru) |
| EP (1) | EP1978128A2 (ru) |
| JP (1) | JP5210017B2 (ru) |
| CN (1) | CN101275228B (ru) |
| RU (1) | RU2008111820A (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105839082A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-10 | 上海应用技术学院 | 一种Ce-Ni-B/GO化学复合沉积层及其超声波辅助制备方法 |
| ES2826441T3 (es) * | 2017-06-02 | 2021-05-18 | Atotech Deutschland Gmbh | Baños de metalizado no electrolítico de aleación de níquel, un método de deposición de aleaciones de níquel, depósitos de aleación de níquel y usos de dichos depósitos de aleación de níquel formados |
| CN114729455A (zh) * | 2019-11-20 | 2022-07-08 | 德国艾托特克有限两合公司 | 无电镍合金镀覆浴、沉积镍合金的方法、镍合金沉积物和此些形成的镍合金沉积物的用途 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1129984A (en) * | 1964-10-30 | 1968-10-09 | Usa | Electroless deposition of nickel-phosphorus alloys |
| US4152164A (en) * | 1976-04-26 | 1979-05-01 | Michael Gulla | Electroless nickel plating |
| JP2866486B2 (ja) | 1991-03-26 | 1999-03-08 | 学校法人早稲田大学 | 無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜抵抗体 |
| JP2001192850A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-17 | Ebe Katsuo | 摺動部品用表面処理液及び摺動部品の表面処理方法及び摺動部品 |
| JP3979791B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3654354B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2005-06-02 | 学校法人早稲田大学 | 超ｌｓｉ配線板及びその製造方法 |
| US20040126548A1 (en) * | 2001-05-28 | 2004-07-01 | Waseda University | ULSI wiring and method of manufacturing the same |
| EP1449938A4 (en) * | 2001-10-31 | 2004-11-24 | Japan Science & Tech Agency | ReCr ALLOY COVER FOR DIFFUSION BARRIER |
| EP1457584A4 (en) | 2001-10-31 | 2004-11-24 | Japan Science & Tech Agency | COVERING OF RECRNITED ALLOY FOR DIFFUSION BARRIER |
| WO2003062501A1 (fr) | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Japan Science And Technology Agency | Procede pour former un film de revetement en alliage de re ayant une teneur elevee en re par electroplacage |
| JP4323816B2 (ja) | 2002-01-18 | 2009-09-02 | 敏夫 成田 | Ｃｒ（ＩＩＩ）含有浴を用いた電解めっきによるＲｅ−Ｃｒ合金皮膜の形成方法 |
| US7850770B2 (en) * | 2003-05-09 | 2010-12-14 | Basf Aktiengesellschaft | Compositions for the currentless deposition of ternary materials for use in the semiconductor industry |
| US7134182B2 (en) * | 2003-11-17 | 2006-11-14 | Headway Technologies, Inc. | Method to form an embedded micro-pedestal in a conductive layer |
| JP4285222B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2009-06-24 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 無電解メッキの前処理方法、該方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法、並びに該製造方法で製造される磁気記録媒体用基板 |
| US7851070B2 (en) | 2004-01-15 | 2010-12-14 | National University Corporation Hokkaido University | Diffusion barrier alloy film and high-temperature apparatus member |
| JP4297001B2 (ja) | 2004-07-06 | 2009-07-15 | 豊田合成株式会社 | エアバッグ装置 |
| TW200734482A (en) * | 2005-03-18 | 2007-09-16 | Applied Materials Inc | Electroless deposition process on a contact containing silicon or silicide |
| JP4659882B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2011-03-30 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | ＴＦＴ銅ゲートプロセスのための無電解ＮｉＷＰ接着及びキャッピング層 |
| JP5398175B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2014-01-29 | 富士フイルム株式会社 | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
-
2008
- 2008-03-27 RU RU2008111820/02A patent/RU2008111820A/ru not_active Application Discontinuation
- 2008-03-27 EP EP08005859A patent/EP1978128A2/en not_active Withdrawn
- 2008-03-28 CN CN2008100963850A patent/CN101275228B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-28 US US12/078,284 patent/US8012251B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-28 JP JP2008085711A patent/JP5210017B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101275228A (zh) | 2008-10-01 |
| CN101275228B (zh) | 2012-11-21 |
| EP1978128A2 (en) | 2008-10-08 |
| JP2008266788A (ja) | 2008-11-06 |
| JP5210017B2 (ja) | 2013-06-12 |
| US20080241406A1 (en) | 2008-10-02 |
| US8012251B2 (en) | 2011-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100408202C (zh) | 化学镀溶液和方法 | |
| CN107201512B (zh) | 镀铜液及镀铜方法 | |
| TWI457462B (zh) | 無電式鍍金浴，無電式鍍金方法及電子零件 | |
| TW201229312A (en) | Steel sheet for container | |
| CN104105819A (zh) | 在挠性基材上无电沉积镍-磷合金的方法 | |
| RU2008111820A (ru) | Электролит для нанесения гальванических покрытий методом химического восстановления и способ получения элемента высокотемпературного устройства с применением такого электролита | |
| CN110004434A (zh) | 用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡镀液及施镀方法 | |
| CN108866548B (zh) | 一种金属镀层及其制备方法和应用 | |
| EP2639335B1 (en) | Alkaline plating bath for electroless deposition of cobalt alloys | |
| US20160108254A1 (en) | Zinc immersion coating solutions, double-zincate method, method of forming a metal plating film, and semiconductor device | |
| Yang et al. | Interface Reaction Between Electroless Ni–Sn–P Metallization and Lead-Free Sn–3.5 Ag Solder with Suppressed Ni 3 P Formation | |
| JP6580119B2 (ja) | ポリイミド樹脂上への金属皮膜形成方法 | |
| KR20210045505A (ko) | 부동태 형성성 경금속 상의 열처리식 도전성 피막 형성 방법 | |
| JP6781878B2 (ja) | シリコン基板上への導電性皮膜形成方法 | |
| CN110195244A (zh) | 一种用于抑制印制电路板电镀锡锡须生长的方法 | |
| CN114934268B (zh) | 一种镁合金化学镀镍磷镀液及其施镀工艺 | |
| CN111164236A (zh) | 化学镀钯液及化学镀钯膜 | |
| JP2014123760A5 (ru) | ||
| CN113430607A (zh) | 钕磁铁的无氟电镀工艺 | |
| JP2017057484A (ja) | 透明導電膜上への導電性皮膜形成方法 | |
| JP2004339578A (ja) | コバルト系合金めっき液、めっき方法及びめっき物 | |
| TW201341598A (zh) | 鍍銀電解液及其電鍍方法 | |
| US20230349049A1 (en) | Multilayer corrosion system | |
| JP7441263B2 (ja) | 無電解Ｃｏ－Ｗめっき皮膜、および無電解Ｃｏ－Ｗめっき液 | |
| JP5508329B2 (ja) | リードフレーム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20120821 |