RU2005132470A - Способ изготовления микроструктур - Google Patents

Способ изготовления микроструктур Download PDF

Info

Publication number
RU2005132470A
RU2005132470A RU2005132470/28A RU2005132470A RU2005132470A RU 2005132470 A RU2005132470 A RU 2005132470A RU 2005132470/28 A RU2005132470/28 A RU 2005132470/28A RU 2005132470 A RU2005132470 A RU 2005132470A RU 2005132470 A RU2005132470 A RU 2005132470A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
relief structure
relief
layer
photoresist
matrix
Prior art date
Application number
RU2005132470/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2310896C2 (ru
Inventor
Андреас ШИЛЛИНГ (CH)
Андреас ШИЛЛИНГ
Уэйн Роберт ТОМПКИН (CH)
Уэйн Роберт ТОМПКИН
Original Assignee
Овд Кинеграм Аг (Ch)
Овд Кинеграм Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=33030910&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2005132470(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from DE10318105A external-priority patent/DE10318105B4/de
Application filed by Овд Кинеграм Аг (Ch), Овд Кинеграм Аг filed Critical Овд Кинеграм Аг (Ch)
Publication of RU2005132470A publication Critical patent/RU2005132470A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2310896C2 publication Critical patent/RU2310896C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1861—Reflection gratings characterised by their structure, e.g. step profile, contours of substrate or grooves, pitch variations, materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B42—BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
    • B42D—BOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
    • B42D25/00—Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof
    • B42D25/30—Identification or security features, e.g. for preventing forgery
    • B42D25/328—Diffraction gratings; Holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1814—Diffraction gratings structurally combined with one or more further optical elements, e.g. lenses, mirrors, prisms or other diffraction gratings
    • G02B5/1819—Plural gratings positioned on the same surface, e.g. array of gratings
    • G02B5/1823—Plural gratings positioned on the same surface, e.g. array of gratings in an overlapping or superposed manner
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1847—Manufacturing methods
    • G02B5/1852—Manufacturing methods using mechanical means, e.g. ruling with diamond tool, moulding
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1847—Manufacturing methods
    • G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/08—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means
    • G06K19/10—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means at least one kind of marking being used for authentication, e.g. of credit or identity cards
    • G06K19/16—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means at least one kind of marking being used for authentication, e.g. of credit or identity cards the marking being a hologram or diffraction grating

Claims (25)

1. Способ изготовления дифрагирующих свет микроструктур (13) в слое (2) фоторезиста на подложке (1), сформированных посредством наложений первой рельефной структуры (5), по меньшей мере, на одну вторую, служащую дифракционной структурой (12) рельефную структуру, отличающийся тем, что включает в себя следующие этапы:
а) изготовление слоя (2) фоторезиста с первой рельефной структурой (5) на плоской подложке (1), изготавливаемой отформовыванием рельефной матрицы (4), противоположной относительно подложки (1) рельефной матрицы (4) на свободной поверхности слоя (2),
b) удаление рельефной матрицы (4),
с) формирование интерференционной картины на рельефной структуре (5), причем когерентный свет разлагают на частичный луч (9) и опорный луч (10), при этом частичный луч (9) и опорный луч (10), образующие предварительно заданный угол пересечения, вызывают возникновение интерференции на отформованной первой рельефной структуре (5),
d) ориентирование интерференционной картины, включающей в себя полосы большой интенсивности света, отделенные полосами низкой интенсивности света, по азимуту относительно первой рельефной структуры (5) посредством вращения подложки (1) вокруг нормали (15) к плоскости подложки (1),
e) экспонирование первой рельефной структуры (5) в фоторезистивном слое (2) посредством интерференционной картины в течение предварительно заданного времени,
f) проявление фоторезиста в течение предварительно заданного времени, причем измененный за счет экспонирования материал фоторезиста частично удаляют, в результате чего в первой рельефной структуре (5) возникают бороздки (13) дифракционной структуры (12),
g) высушивание фоторезиста.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на этапе f) время проявления фоторезиста рассчитывают так, чтобы бороздки (13) дифракционной структуры (12) достигали глубины самое большее 500 нм, преимущественно самое большее 250 нм.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что на этапе а) на плоской подложке (1) сначала создают фоторезистивный слой (2), за счет воздействия тепла упрочняют его, а затем размещенную на пуансоне (3) для тиснения рельефную матрицу (4) погружают в поверхность фоторезистивного слоя (2) с возможностью отформовывания первой рельефной структуры (5) в качестве негатива рельефной матрицы (4).
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что на этапе а) слой (2) изготавливают посредством литья, причем жидкий фоторезист заливают между подложкой (1) и рельефной матрицей (4), при этом после упрочнения фоторезиста под действием тепла и отформовывания свободная поверхность слоя (2) имеет первую рельефную структуру (5) в качестве негатива рельефной матрицы (4).
5. Способ по одному из п.1 или 2, отличающийся тем, что на этапе а) в качестве первой рельефной структуры (5) в фоторезистивном слое (2) отформовывают периодическую решетку.
6. Способ по п.3, отличающийся тем, что на этапе а) в качестве первой рельефной структуры (5) в фоторезистивном слое (2) отформовывают периодическую решетку.
7. Способ по п.4, отличающийся тем, что на этапе а) в качестве первой рельефной структуры (5) в фоторезистивном слое (2) отформовывают периодическую решетку.
8. Способ по одному из п.1 или 2, отличающийся тем, что на этапе а) в качестве первой рельефной структуры (5) в фоторезистивном слое (2) отформовывают крестообразную периодическую решетку.
9. Способ по п.3, отличающийся тем, что на этапе а) в качестве первой рельефной структуры (5) в фоторезистивном слое (2) отформовывают крестообразную периодическую решетку.
10. Способ по п.4, отличающийся тем, что на этапе а) в качестве первой рельефной структуры (5) в фоторезистивном слое (2) отформовывают крестообразную периодическую решетку.
11. Способ по одному из п.1 или 2, отличающийся тем, что на этапе а) в качестве первой рельефной структуры (5) в фоторезистивном слое (2) отформовывают периодическую решетку с пространственной частотой в диапазоне 1-1000 линий/мм.
12. Способ по п.5, отличающийся тем, что на этапе b) угол пересечения частичного луча (9) и опорного луча (10) задают с возможностью образования в качестве дифракционной структуры (12) решетки с пространственной частотой, соответствующей, по меньшей мере, пятикратному значению пространственной частоты рельефной структуры (5).
13. Способ по п.8, отличающийся тем, что на этапе b) угол пересечения частичного луча (9) и опорного луча (10) задают с возможностью образования в качестве дифракционной структуры (12) решетки с пространственной частотой, соответствующей, по меньшей мере, пятикратному значению пространственной частоты рельефной структуры (5).
14. Способ по одному из п.1 или 2, отличающийся тем, что на этапе а) в качестве первой рельефной структуры (5) в фоторезистивном слое (2) отформовывают одну из светорассеивающих матовых структур.
15. Способ по п.3, отличающийся тем, что на этапе а) в качестве первой рельефной структуры (5) в фоторезистивном слое (2) отформовывают одну из светорассеивающих матовых структур.
16. Способ по п.4, отличающийся тем, что на этапе а) в качестве первой рельефной структуры (5) в фоторезистивном слое (2) отформовывают одну из светорассеивающих матовых структур.
17. Способ по одному из п.1 или 2, отличающийся тем, что на этапе а) для отформовывания первой рельефной структуры (5) используют рельефную матрицу (4), структуру, по меньшей мере, с одной параболической поверхностью (16) и/или вершиной (17) конуса.
18. Способ по п.3, отличающийся тем, что на этапе а) для отформовывания первой рельефной структуры (5) используют рельефную матрицу (4), структуру, по меньшей мере, с одной параболической поверхностью (16) и/или вершиной (17) конуса.
19. Способ по п.4, отличающийся тем, что на этапе а) для отформовывания первой рельефной структуры (5) используют рельефную матрицу (4), структуру, по меньшей мере, с одной параболической поверхностью (16) и/или вершиной (17) конуса.
20. Способ по одному из п.1 или 2, отличающийся тем, что рельефную структуру (5) отформовывают с глубиной (Т) структуры в диапазоне 0,1-100 мкм.
21. Способ по одному из п.1 или 2, отличающийся тем, что перед выполнением этапа g) повторяют фотоструктурирование, по меньшей мере, с одной дополнительной дифракционной структурой (12) на этапах c с) по f), причем на этапе d) посредством вращения подложки (1) вокруг нормали (15) первую рельефную структуру (5) с бороздками (13) дифракционной структуры (12) ориентируют по новой интерференционной картине.
22. Способ по п.3, отличающийся тем, что перед выполнением этапа g) повторяют фотоструктурирование, по меньшей мере, с одной дополнительной дифракционной структурой (12) на этапах c с) по f), причем на этапе d) посредством вращения подложки (1) вокруг нормали (15) первую рельефную структуру (5) с бороздками (13) дифракционной структуры (12) ориентируют по новой интерференционной картине.
23. Способ по п.4, отличающийся тем, что перед выполнением этапа g) повторяют фотоструктурирование, по меньшей мере, с одной дополнительной дифракционной структурой (12) на этапах c с) по f), причем на этапе d) посредством вращения подложки (1) вокруг нормали (15) первую рельефную структуру (5) с бороздками (13) дифракционной структуры (12) ориентируют по новой интерференционной картине.
24. Способ по п.21, отличающийся тем, что при повторении фотоструктурирования на этапе b) изменяют угол пересечения частичного луча (9) и опорного луча (10).
25. Способ по одному из п.1 или 2, отличающийся тем, что на этапе b) угол пересечения частичного луча (9) и опорного луча (10) задают с возможностью формирования дифракционной структуры (12) с периодом решетки самое большее 500 нм.
RU2005132470/28A 2003-03-21 2004-03-18 Способ изготовления микроструктур RU2310896C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10312564.7 2003-03-21
DE10312564 2003-03-21
DE10318105.9 2003-04-22
DE10318105A DE10318105B4 (de) 2003-03-21 2003-04-22 Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005132470A true RU2005132470A (ru) 2006-04-10
RU2310896C2 RU2310896C2 (ru) 2007-11-20

Family

ID=33030910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005132470/28A RU2310896C2 (ru) 2003-03-21 2004-03-18 Способ изготовления микроструктур

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7618564B2 (ru)
EP (1) EP1611466B8 (ru)
AT (1) ATE371200T1 (ru)
DE (1) DE502004004729D1 (ru)
PL (1) PL1611466T3 (ru)
RU (1) RU2310896C2 (ru)
WO (1) WO2004083911A1 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997018329A1 (en) * 1995-11-14 1997-05-22 Ragland William L Efficient method of detecting an infectious agent in blood
KR100617795B1 (ko) * 2005-03-04 2006-08-28 삼성전자주식회사 셀룰러 망과 무선 랜 망의 타이틀리 커플드 연동 방법 및 장치
US8649096B2 (en) * 2005-06-03 2014-02-11 Nalux Co., Ltd. Fine grating and mold therefor
JP2007219006A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Ricoh Co Ltd パターン形成方法および光学素子
JP2009535670A (ja) † 2006-05-02 2009-10-01 ホログラム インダストリーズ 光学セキュリティ・マーキング部品、該部品を製造するための方法、該部品を備えるシステム、および該部品をチェックするための読み取り機
JP5105771B2 (ja) * 2006-05-15 2012-12-26 パナソニック株式会社 反射防止構造体及びそれを備えた光学装置
JP5600382B2 (ja) * 2007-05-07 2014-10-01 ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーション 回転により色を呈する構造化表面
AU2008201903B2 (en) * 2007-05-07 2013-03-28 Viavi Solutions Inc. Structured surfaces that exhibit color by rotation
JP5104220B2 (ja) * 2007-11-02 2012-12-19 住友電気工業株式会社 回折光学素子およびその製造方法
US8071277B2 (en) * 2007-12-21 2011-12-06 3M Innovative Properties Company Method and system for fabricating three-dimensional structures with sub-micron and micron features
KR101494450B1 (ko) 2008-10-08 2015-02-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US9050762B2 (en) * 2012-03-23 2015-06-09 Orafol Americas Inc. Methods for fabricating retroreflector tooling and retroreflective microstructures and devices thereof
CN102866444B (zh) * 2012-09-28 2014-09-03 西安交通大学 以时间基准为参照的精密光栅制造方法
GB2551555B (en) * 2016-06-22 2018-09-26 De La Rue Int Ltd Methods of manufacturing an image pattern for a security device
US11137603B2 (en) * 2019-06-20 2021-10-05 Facebook Technologies, Llc Surface-relief grating with patterned refractive index modulation

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4576850A (en) 1978-07-20 1986-03-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Shaped plastic articles having replicated microstructure surfaces
EP0057271B1 (de) * 1981-02-03 1984-10-10 LGZ LANDIS & GYR ZUG AG Verfahren zur Verhinderung erfolgreicher Fälschungen von Dokumenten und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
US4402571A (en) * 1981-02-17 1983-09-06 Polaroid Corporation Method for producing a surface relief pattern
CH659433A5 (de) 1982-10-04 1987-01-30 Landis & Gyr Ag Dokument mit einem beugungsoptischen sicherheitselement.
DE68928586T2 (de) 1988-04-12 1998-10-29 Dainippon Printing Co Ltd Optisches aufzeichnungsmedium und methode zu dessen herstellung
US4933120A (en) 1988-04-18 1990-06-12 American Bank Note Holographics, Inc. Combined process of printing and forming a hologram
US5116548A (en) 1989-08-29 1992-05-26 American Bank Note Holographics, Inc. Replicaton of microstructures by casting in controlled areas of a substrate
RU2084010C1 (ru) 1994-02-17 1997-07-10 Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" Способ изготовления дифракционного оптического элемента
JPH08137375A (ja) * 1994-11-02 1996-05-31 Toppan Printing Co Ltd レリーフ画像形成材及びレリーフ画像形成法
US5575878A (en) 1994-11-30 1996-11-19 Honeywell Inc. Method for making surface relief profilers
US5995638A (en) 1995-08-28 1999-11-30 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Methods and apparatus for authentication of documents by using the intensity profile of moire patterns
GB9524862D0 (en) 1995-12-06 1996-02-07 The Technology Partnership Plc Colour diffractive structure
DE19708776C1 (de) * 1997-03-04 1998-06-18 Fraunhofer Ges Forschung Entspiegelungsschicht sowie Verfahren zur Herstellung derselben
US6027595A (en) 1998-07-02 2000-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of making optical replicas by stamping in photoresist and replicas formed thereby
JP4334656B2 (ja) 1999-03-15 2009-09-30 大日本印刷株式会社 変色性蒸着媒体とその製造方法
DE19915943A1 (de) 1999-04-09 2000-10-12 Ovd Kinegram Ag Zug Dekorationsfolie
DE10028426A1 (de) * 1999-06-10 2001-04-12 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung einer dreidimensionalen Struktur
WO2002010803A2 (en) 2000-08-01 2002-02-07 James Cowan Directional diffuser
GB0030675D0 (en) 2000-12-15 2001-01-31 Rue De Int Ltd Methods of creating high efficiency diffuse back-reflectors based on embossed surface relief
DE10216562C1 (de) 2002-04-05 2003-12-11 Ovd Kinegram Ag Zug Sicherheitselement mit Mikro- und Makrostrukturen

Also Published As

Publication number Publication date
US20070003876A1 (en) 2007-01-04
ATE371200T1 (de) 2007-09-15
EP1611466B8 (de) 2007-10-10
PL1611466T3 (pl) 2008-01-31
DE502004004729D1 (de) 2007-10-04
RU2310896C2 (ru) 2007-11-20
WO2004083911A1 (de) 2004-09-30
US20080102408A9 (en) 2008-05-01
EP1611466A1 (de) 2006-01-04
EP1611466B1 (de) 2007-08-22
US7618564B2 (en) 2009-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2005132470A (ru) Способ изготовления микроструктур
US4402571A (en) Method for producing a surface relief pattern
Kravchenko et al. Optical Interference Lithography Using Azobenzene‐Functionalized Polymers for Micro‐and Nanopatterning of Silicon
JP2009134287A5 (ru)
CN111819497B (zh) 构建3d功能性光学材料堆叠结构的方法
CN100386654C (zh) 微结构及其微结构产生的工艺
JP2008203812A (ja) モスアイ構造体およびモスアイ構造体製造方法
WO2004010167A3 (en) Holographic surface mask etching and optical structures
JP2009199086A5 (ru)
KR100623027B1 (ko) 그래이팅 패턴 및 그 제조 방법
JP2006520923A5 (ru)
TWI645249B (zh) 灰階光罩、具凹凸紋理光阻圖案的基板及其製造方法
JP2000181086A (ja) パターン形成方法、光学素子の製造方法
JPH0895231A (ja) 球面フォトマスクおよびパターン作製方法
KR101105378B1 (ko) 광간섭 리소그래피에 의한 멀티스케일 격자 패턴 형성 방법
JPH0456284B2 (ru)
JPS5597220A (en) Method of producing metal filter
JPH0244545A (ja) 光ディスク原盤の製造方法
JP3991370B2 (ja) エンボス版の製造方法
TW201344960A (zh) 奈米圖樣化結構之製造方法、圖案化模板及具奈米圖樣化結構之光電元件
JP2006318969A (ja) 微細構造の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
KR100587611B1 (ko) 미세 패턴 형성 방법
KR20070076965A (ko) 하이브리드 리소그라피에 의한 패턴형성방법
WO2002095457A3 (en) Method of defining grating patterns for optical waveguide devices
JPH02106758A (ja) パターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140319