RU2005130532A - Накопитель электрического заряда, имеющий повышенную мощность - Google Patents

Накопитель электрического заряда, имеющий повышенную мощность Download PDF

Info

Publication number
RU2005130532A
RU2005130532A RU2005130532/09A RU2005130532A RU2005130532A RU 2005130532 A RU2005130532 A RU 2005130532A RU 2005130532/09 A RU2005130532/09 A RU 2005130532/09A RU 2005130532 A RU2005130532 A RU 2005130532A RU 2005130532 A RU2005130532 A RU 2005130532A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductive
storage device
electric charge
charge storage
dielectric
Prior art date
Application number
RU2005130532/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Уиль м Б. Мл. ДАФФ (US)
Уильям Б. Мл. ДАФФ
Original Assignee
Уиль м Б. Мл. ДАФФ (US)
Уильям Б. Мл. ДАФФ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Уиль м Б. Мл. ДАФФ (US), Уильям Б. Мл. ДАФФ filed Critical Уиль м Б. Мл. ДАФФ (US)
Publication of RU2005130532A publication Critical patent/RU2005130532A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0805—Capacitors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/0202—Dielectric layers for electrography
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/249—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/01—Form of self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
    • H01G5/01—Details
    • H01G5/013—Dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/07—Dielectric layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H01M4/665—Composites
    • H01M4/667—Composites in the form of layers, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M8/00—Fuel cells; Manufacture thereof
    • H01M8/02—Details
    • H01M8/0202—Collectors; Separators, e.g. bipolar separators; Interconnectors
    • H01M8/023—Porous and characterised by the material
    • H01M8/0241—Composites
    • H01M8/0245—Composites in the form of layered or coated products
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M8/00—Fuel cells; Manufacture thereof
    • H01M8/02—Details
    • H01M8/0202—Collectors; Separators, e.g. bipolar separators; Interconnectors
    • H01M8/0247—Collectors; Separators, e.g. bipolar separators; Interconnectors characterised by the form
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25708—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 13 elements (B, Al, Ga)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2532—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising metals
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2572—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H01M4/78—Shapes other than plane or cylindrical, e.g. helical
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/50—Fuel cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249986—Void-containing component contains also a solid fiber or solid particle

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Claims (65)

1. Накопитель электрического заряда, содержащий по меньшей мере, один первый проводящий слой, имеющий проводящую криволинейную поверхность; по меньшей мере, один второй проводящий слой, имеющий проводящую криволинейную поверхность; и, по меньшей мере, один диэлектрический слой, расположенный между первой проводящей криволинейной поверхностью и второй проводящей криволинейной поверхностью.
2. Накопитель электрического заряда по п.1, в котором диэлектрический слой имеет противоположные первую и вторую диэлектрические криволинейные поверхности, причем первая диэлектрическая криволинейная поверхность расположена смежно первой проводящей криволинейной поверхности и по существу следует первой проводящей криволинейной поверхности по ее площади.
3. Накопитель электрического заряда по п.1, в котором вторая проводящая криволинейная поверхность расположена смежно второй диэлектрической криволинейной поверхности и по существу следует второй диэлектрической криволинейной поверхности по ее площади.
4. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором первая проводящая поверхность и первая диэлектрическая поверхность являются по существу конформными.
5. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором вторая проводящая поверхность и вторая диэлектрическая поверхность являются по существу конформными.
6. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором первая проводящая поверхность по существу поддерживает тесный контакт с первой диэлектрической поверхностью.
7. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором вторая проводящая поверхность по существу поддерживает тесный контакт со второй диэлектрической поверхностью.
8. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором, по меньшей мере, 2% площади первой проводящей поверхности по существу конформны с площадью первой диэлектрической поверхности.
9. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором, по меньшей мере, 2% площади первой проводящей поверхности по существу поддерживает тесный контакт с площадью первой диэлектрической поверхности.
10. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором площадь первой проводящей поверхности расположена по существу на постоянном расстоянии от площади первой диэлектрической поверхности.
11. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором площадь первой проводящей поверхности расположена на выбранном расстоянии, находящемся в диапазоне от 0,0001 до 2000 мкм, от площади первой диэлектрической поверхности, причем указанное выбранное расстояние изменяется в пределах поддающегося выбору допуска.
12. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором, по меньшей мере, 2% площади второй проводящей поверхности по существу конформны с площадью второй диэлектрической поверхности.
13. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором, по меньшей мере, 2% площади второй проводящей поверхности по существу поддерживает тесный контакт с площадью второй диэлектрической поверхности.
14. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором площадь второй проводящей поверхности расположена по существу на постоянном расстоянии от площади второй диэлектрической поверхности.
15. Накопитель электрического заряда по любому из пп.1-3, в котором площадь второй проводящей поверхности расположена на выбранном расстоянии, находящемся в диапазоне от 0,0001 до 2000 мкм, от площади второй диэлектрической поверхности, причем указанное выбранное расстояние изменяется в пределах поддающегося выбору допуска.
16. Накопитель электрического заряда по п.1, в котором каждая первая и вторая проводящие криволинейные поверхности и диэлектрическая криволинейная поверхность имеет по существу гладкую структуру.
17. Накопитель электрического заряда по п.1, в котором каждая первая и вторая проводящие криволинейные поверхности и диэлектрическая криволинейная поверхность содержит ворсистую структуру, образованную, по меньшей мере, на части гладкой структуры любой из поверхностей, причем ворсистая структура имеет малый масштаб относительно гладкой структуры.
18. Накопитель электрического заряда по п.1, в котором каждая первая и вторая проводящие криволинейные поверхности и диэлектрическая криволинейная поверхность содержит дендритную структуру, образованную, по меньшей мере, на части гладкой структуры любой из поверхностей, причем дендритная структура имеет малый масштаб относительно гладкой структуры.
19. Накопитель электрического заряда, содержащий первый проводящий слой, имеющий первую проводящую гладкую увеличенную поверхность; диэлектрический слой, имеющий противоположные первую и вторую диэлектрические поверхности, причем первая диэлектрическая гладкая увеличенная поверхность расположена смежно первой проводящей гладкой увеличенной поверхности и по существу следует первой проводящей гладкой увеличенной поверхности; и второй проводящий слой, имеющий вторую проводящую гладкую увеличенную поверхность, расположенную смежно второй диэлектрической поверхности и по существу следует второй диэлектрической поверхности.
20. Накопитель электрического заряда по п.19, в котором первая диэлектрическая гладкая увеличенная поверхность расположена смежно первой проводящей гладкой увеличенной поверхности и по существу следует первой проводящей гладкой увеличенной поверхности.
21. Накопитель электрического заряда по п.19 или 20, в котором первая проводящая поверхность и первая диэлектрическая поверхность являются по существу конформными.
22. Накопитель электрического заряда по п.19 или 20, в котором вторая проводящая поверхность и вторая диэлектрическая поверхность являются по существу конформными.
23. Накопитель электрического заряда по п.19 или 20, в котором первая проводящая поверхность по существу поддерживает тесный контакт с первой диэлектрической поверхностью.
24. Накопитель электрического заряда по п.19 или 20, в котором вторая проводящая поверхность по существу поддерживает тесный контакт со второй диэлектрической поверхностью.
25. Накопитель электрического заряда по п.19 или 20, в котором, по меньшей мере, 2% площади первой проводящей поверхности по существу конформны с площадью первой диэлектрической поверхности.
26. Накопитель электрического заряда по п.19 или 20, в котором, по меньшей мере, 2% площади первой проводящей поверхности по существу поддерживает тесный контакт с площадью первой диэлектрической поверхности.
27. Накопитель электрического заряда по п.19 или 20, в котором площадь первой проводящей поверхности расположена по существу на постоянном расстоянии от площади первой диэлектрической поверхности.
28. Накопитель электрического заряда по п.19 или 20, в котором площадь первой проводящей поверхности расположена на выбранном расстоянии, находящемся в диапазоне от 0,0001 до 2000 мкм, от площади первой диэлектрической поверхности, причем указанное выбранное расстояние изменяется в пределах поддающегося выбору допуска.
29. Накопитель электрического заряда по п.19 или 20, в котором, по меньшей мере, 2% площади второй проводящей поверхности по существу конформны с площадью второй диэлектрической поверхности.
30. Накопитель электрического заряда по п.19 или 20, в котором, по меньшей мере, 2% площади второй проводящей поверхности по существу поддерживает тесный контакт с площадью второй диэлектрической поверхности.
31. Накопитель электрического заряда по п.19 или 20, в котором площадь второй проводящей поверхности расположена по существу на постоянном расстоянии от площади второй диэлектрической поверхности.
32. Накопитель электрического заряда по п.19, в котором каждая первая и вторая проводящие гладкие увеличенные поверхности и диэлектрическая гладкая увеличенная поверхность имеет по существу гладкую структуру.
33. Накопитель электрического заряда по п.19, в котором каждая первая и вторая проводящие гладкие увеличенные поверхности и диэлектрическая гладкая увеличенная поверхность содержит ворсистую структуру, образованную, по меньшей мере, на части гладкой структуры на любой из поверхностей, причем ворсистая структура имеет малый масштаб относительно гладкой структуры.
34. Накопитель электрического заряда по п.19, в котором каждая первая и вторая проводящие гладкие увеличенные поверхности и диэлектрическая гладкая увеличенная поверхность содержит дендритную структуру, образованную, по меньшей мере, на части гладкой структуры на любой из поверхностей, причем дендритная структура имеет малый масштаб относительно гладкой структуры.
35. Накопитель электрического заряда, содержащий, по меньшей мере, один первый проводящий слой, имеющий первую проводящую фасонную топографическую поверхность; по меньшей мере, один второй проводящий слой, имеющий вторую проводящую фасонную топографическую поверхность; и, по меньшей мере, один диэлектрический слой, расположенный между первой проводящей фасонной топографической поверхностью и второй проводящей фасонной топографической поверхностью.
36. Накопитель электрического заряда по п.35, в котором диэлектрический слой имеет противоположные первую и вторую диэлектрические топографические поверхности, причем первая диэлектрическая топографическая поверхность расположена смежно первой проводящей топографической поверхности и по существу следует первой проводящей топографической поверхности по ее площади.
37. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором первая проводящая поверхность и первая диэлектрическая поверхность являются по существу конформными.
38. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором вторая проводящая поверхность и вторая диэлектрическая поверхность являются по существу конформными.
39. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором первая проводящая поверхность по существу поддерживает тесный контакт с первой диэлектрической поверхностью.
40. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором вторая проводящая поверхность по существу поддерживает тесный контакт со второй диэлектрической поверхностью.
41. Накопитель электрического заряда по п.35, в котором, по меньшей мере, 2% площади первой проводящей поверхности имеет фасонную топографическую поверхность, причем указанные 2% площади определяют гладкую структуру.
42. Накопитель электрического заряда по п.35, в котором, по меньшей мере, 2% площади второй проводящей поверхности имеет фасонную топографическую поверхность, причем указанные 2% площади определяют гладкую структуру.
43. Накопитель электрического заряда по п.35, в котором, по меньшей мере, 2% площади первой диэлектрической поверхности имеет фасонную топографическую поверхность, причем указанные 2% площади определяют гладкую структуру.
44. Накопитель электрического заряда по п.35, в котором, по меньшей мере, 2% площади второй диэлектрической поверхности имеет фасонную топографическую поверхность, причем указанные 2% площади определяют гладкую структуру.
45. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором, по меньшей мере, 2% площади первой проводящей поверхности по существу конформны с площадью первой диэлектрической поверхности.
46. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором, по меньшей мере, 2% площади первой проводящей поверхности по существу поддерживает тесный контакт с площадью первой диэлектрической поверхности.
47. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором площадь первой проводящей поверхности расположена по существу на постоянном расстоянии от площади первой диэлектрической поверхности.
48. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором площадь первой проводящей поверхности расположена на выбранном расстоянии, находящемся в диапазоне от 0,0001 до 2000 мкм, от площади первой диэлектрической поверхности, причем указанное выбранное расстояние изменяется в пределах поддающегося выбору допуска.
49. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором, по меньшей мере, 2% площади второй проводящей поверхности по существу конформны с площадью второй диэлектрической поверхности.
50. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором, по меньшей мере, 2% площади второй проводящей поверхности по существу поддерживает тесный контакт с площадью второй диэлектрической поверхности.
51. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором площадь второй проводящей поверхности расположена по существу на постоянном расстоянии от площади второй диэлектрической поверхности.
52. Накопитель электрического заряда по п.35 или 36, в котором площадь второй проводящей поверхности расположена на выбранном расстоянии, находящемся в диапазоне от 0,0001 до 2000 мкм, от площади второй диэлектрической поверхности, причем указанное выбранное расстояние изменяется в пределах поддающегося выбору допуска.
53. Накопитель электрического заряда по п.35, в котором каждая первая и вторая проводящие криволинейные поверхности и диэлектрическая криволинейная поверхность имеет по существу гладкую структуру.
54. Накопитель электрического заряда по п.35, в котором каждая первая и вторая проводящие криволинейные поверхности и диэлектрическая криволинейная поверхность содержит ворсистую структуру, образованную, по меньшей мере, на части гладкой структуры любой из поверхностей, причем ворсистая структура имеет малый масштаб относительно гладкой структуры.
55. Накопитель электрического заряда по п.35, в котором каждая первая и вторая проводящие криволинейные поверхности и диэлектрическая криволинейная поверхность содержит дендритную структуру, образованную, по меньшей мере, на части гладкой структуры любой из поверхностей, причем дендритная структура имеет малый масштаб относительно гладкой структуры.
56. Накопитель электрического заряда по любому из пп.16-18, 32-34, 41-44 и 53-55, в котором, по меньшей мере, часть гладкой структуры имеет периодический рисунок.
57. Накопитель электрического заряда по любому из пп.16-18, 32-34, 41-44 и 53-55, в котором, по меньшей мере, часть гладкой структуры первого и/или второго проводящего слоя имеет площадь, которая является альвеолярной по форме, в форме синусоидальных рядов, параболической по форме, перевернутой по форме, вывернутой по форме, выпуклой по форме, вогнутой по форме, спиральной по форме, в форме произвольной спирали, в форме квазипроизвольной спирали, математически определенной формы как (A)sin(bX)sin(bY), математически определенной параболической формы, математически определенной конической, трубчатой формы, кольцевой формы, тороидальной формы или внедренной в проницаемую вертикальную форму.
58. Накопитель электрического заряда по любому из пп.16-18, 32-34, 41-44 и 53-55, в котором, по меньшей мере, часть гладкой структуры диэлектрического слоя имеет площадь, которая является альвеолярной по форме, в форме синусоидальных рядов, параболической по форме, перевернутой по форме, вывернутой по форме, выпуклой по форме, вогнутой по форме, спиральной по форме, в форме произвольной спирали, в форме квазипроизвольной спирали, математически определенной формы как (A)sin(bX)sin(bY), математически определенной параболической формы, математически определенной конической, трубчатой формы, кольцевой формы, тороидальной формы или внедренной в проницаемую вертикальную форму.
59. Накопитель электрического заряда, содержащий первый проводящий слой, имеющий первую проводящую поверхность; диэлектрический слой, имеющий противоположные первую и вторую диэлектрические поверхности, причем первая диэлектрическая поверхность смежна первой проводящей поверхности и по существу следует первой проводящей поверхности; второй проводящий слой, имеющий вторую проводящую поверхность, причем вторая проводящая поверхность расположена смежно второй диэлектрической поверхности и по существу следует второй диэлектрической поверхности; и в котором, по меньшей мере, часть первой и/или второй диэлектрических поверхностей имеет остроконечную структуру.
60. Накопитель электрического заряда по п.59, в котором, по меньшей мере, 2% площади поверхности первого и/или второго диэлектрического слоя имеет остроконечную структуру.
61. Накопитель электрического заряда по п.59 или 60, в котором подобные формы остроконечных структур имеют периодический рисунок, по меньшей мере, на 2% площади поверхности.
62. Накопитель электрического заряда по п.59 или 60, в котором различные формы остроконечных структур имеют периодический рисунок, по меньшей мере, на 2% площади поверхности.
63. Накопитель электрического заряда по п.59 или 60, в котором, по меньшей мере, часть первой и/или второй проводящих поверхностей имеет остроконечную структуру.
64. Накопитель электрического заряда по п.59, в котором остроконечная структура является дендритной структурой.
65. Накопитель электрического заряда по п.64, в котором дендритная структура является по существу структурой дерева и листвы, по существу структурой, похожую на нерв, по существу структурой, похожую на синапс, или по существу структуру, похожую на кровеносный сосуд и капилляры.
RU2005130532/09A 2003-03-05 2004-03-04 Накопитель электрического заряда, имеющий повышенную мощность RU2005130532A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US45226603P 2003-03-05 2003-03-05
US60/452,266 2003-03-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2005130532A true RU2005130532A (ru) 2006-06-10

Family

ID=32962703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005130532/09A RU2005130532A (ru) 2003-03-05 2004-03-04 Накопитель электрического заряда, имеющий повышенную мощность

Country Status (14)

Country Link
US (2) US7289312B2 (ru)
EP (1) EP1616360A4 (ru)
JP (1) JP2006523384A (ru)
KR (1) KR20050116809A (ru)
CN (1) CN1781201A (ru)
AU (1) AU2004216697A1 (ru)
BR (1) BRPI0407986A (ru)
CA (1) CA2518067A1 (ru)
MX (1) MXPA05009393A (ru)
NO (1) NO20054486L (ru)
RU (1) RU2005130532A (ru)
UA (1) UA82086C2 (ru)
WO (1) WO2004079793A2 (ru)
ZA (1) ZA200506419B (ru)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004004026A2 (de) * 2002-07-01 2004-01-08 Rolf Eisenring Verfahren zur herstellung von superkondensatoren
US20090195961A1 (en) * 2002-07-01 2009-08-06 Rolf Eisenring Method and device for storing electricity in quantum batteries
CN1781201A (zh) * 2003-03-05 2006-05-31 威廉B·朵夫二世 具有增强的功率特性的电荷存储器件
DE10360892A1 (de) * 2003-12-19 2005-07-21 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Verschleisserfassung bei Steuergeräten
US20050225412A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-13 Limcangco Naomi O Microelectromechanical switch with an arc reduction environment
CN1841587A (zh) * 2005-04-02 2006-10-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电极结构及其制备方法
US7805095B2 (en) * 2006-02-27 2010-09-28 Xerox Corporation Charging device and an image forming device including the same
JP2007273699A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sanyo Electric Co Ltd 電気二重層キャパシタ
US7606053B2 (en) * 2006-04-06 2009-10-20 Ford Global Technologies, Llc DC-to-DC converter and electric motor drive system using the same
US8159312B2 (en) * 2007-06-27 2012-04-17 Medrelief Inc. Method and system for signal coupling and direct current blocking
US20100295373A1 (en) * 2007-10-31 2010-11-25 Rolf Eisenring Method and apparatus for the loss-free transmission of electrical energy
US7821771B2 (en) * 2008-04-11 2010-10-26 Northern Lights Semiconductor Corp. Apparatus for storing electrical energy
WO2010042360A1 (en) * 2008-10-09 2010-04-15 U.S.A. As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Wireless electrical device using open-circuit elements having no electrical connections
EP2421702A4 (en) 2009-04-24 2013-01-02 Applied Nanostructured Sols NED SIGNATURE CONTROL MATERIAL
US9111658B2 (en) 2009-04-24 2015-08-18 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-shielded wires
JP5744008B2 (ja) 2009-04-27 2015-07-01 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニーＡｐｐｌｉｅｄ Ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄｓｏｌｕｔｉｏｎｓ， Ｌｌｃ 複合材料構造体を除氷するためのｃｎｔベース抵抗加熱
US9013155B2 (en) * 2010-01-09 2015-04-21 Dais Analytic Corporation Energy storage devices including a solid multilayer electrolyte
CN102804303B (zh) * 2010-01-09 2015-09-09 戴斯分析公司 包括固体多层电解质的能量储存装置
US9167736B2 (en) 2010-01-15 2015-10-20 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
CA2789664A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
BR112012021968A2 (pt) 2010-03-02 2016-06-07 Applied Nanostructured Sols dispositivos elétricos enrolados em espiral que contêm materiais de eletrodo infundidos por nanotubo de carbono e métodos e aparelhos para a produção dos mesmos
US8780526B2 (en) 2010-06-15 2014-07-15 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
EP2619767A2 (en) 2010-09-23 2013-07-31 Applied NanoStructured Solutions, LLC Cnt-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
US9142354B2 (en) * 2010-10-20 2015-09-22 Chun-Yen Chang High energy density and low leakage electronic devices
US9607764B2 (en) 2010-10-20 2017-03-28 Chun-Yen Chang Method of fabricating high energy density and low leakage electronic devices
US8692562B2 (en) 2011-08-01 2014-04-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Wireless open-circuit in-plane strain and displacement sensor requiring no electrical connections
US10541533B2 (en) 2011-09-16 2020-01-21 Varentec, Inc. Systems and methods for edge of network voltage control of a power grid
US9948100B2 (en) 2011-09-16 2018-04-17 Varentec, Inc. Zero droop voltage control for smart inverters
US9014867B2 (en) * 2011-09-16 2015-04-21 Varentec, Inc. Systems and methods for edge of network voltage control of a power grid
US9293269B2 (en) * 2012-02-08 2016-03-22 Dais Analytic Corporation Ultracapacitor tolerating electric field of sufficient strength
US9085464B2 (en) 2012-03-07 2015-07-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc Resistance measurement system and method of using the same
US9329153B2 (en) 2013-01-02 2016-05-03 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of mapping anomalies in homogenous material
FR3016914B1 (fr) * 2014-01-24 2020-04-24 Cdvi Dispositif anti-remanence pour serrure electromagnetique
WO2015175558A2 (en) * 2014-05-12 2015-11-19 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage device and method of production thereof
WO2016073522A1 (en) * 2014-11-04 2016-05-12 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage devices and methods of production thereof
CN105070707B (zh) * 2015-07-16 2018-01-02 江苏中电振华晶体技术有限公司 一种mim电容及其制造方法
WO2018044782A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-08 Commscope Technologies Llc Systems and methods for tamper proof cables
FR3057100A1 (fr) * 2016-10-03 2018-04-06 Blue Solutions Condensateur film a tres haute capacite et un procede de fabrication
US20190035562A1 (en) 2017-05-26 2019-01-31 Flash Power Capacitors, Llc High energy density capacitor system and method
EP3631825A4 (en) * 2017-05-26 2021-03-17 Flash Power Capacitors, LLC HIGH ENERGY DENSITY CAPACITOR AND WIRELESS CHARGING SYSTEM
CN109818122A (zh) * 2017-11-21 2019-05-28 核工业西南物理研究院 一种水冷型大功率电子回旋共振加热系统隔直器
WO2019114913A2 (ar) * 2017-12-14 2019-06-20 محمد أحمد الجميل، استعادة الطاقة فى الأجهزة السعوية التى تعمل بصفة تكرارية
CN109671568B (zh) * 2018-12-14 2021-01-26 扬州宏远电子股份有限公司 一种提高化成箔耐水性的工艺方法
TWI696331B (zh) * 2019-04-10 2020-06-11 唐光輝 充電裝置
CN111740132B (zh) * 2020-05-19 2021-06-18 广东国鸿氢能科技有限公司 一种燃料电池电堆的低温启动方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1083575A (en) * 1963-07-10 1967-09-13 Marconi Co Ltd Improvements in or relating to circuit modules
US4228481A (en) * 1978-10-19 1980-10-14 General Electric Company Capacitor with embossed foil electrode
GB2069240A (en) * 1980-02-06 1981-08-19 Draloric Electronic An electrical capacitor
US4730239A (en) * 1986-10-29 1988-03-08 Stemcor Corporation Double layer capacitors with polymeric electrolyte
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
JPH0263106A (ja) * 1988-08-29 1990-03-02 Toshiba Lighting & Technol Corp コンデンサ素子
JPH03257856A (ja) * 1990-03-07 1991-11-18 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH03295214A (ja) * 1990-04-13 1991-12-26 Mitsubishi Electric Corp コンデンサおよびコイルの複合部品
US5081559A (en) * 1991-02-28 1992-01-14 Micron Technology, Inc. Enclosed ferroelectric stacked capacitor
RU2036523C1 (ru) * 1992-07-03 1995-05-27 Многопрофильное научно-техническое и производственно-коммерческое общество с ограниченной ответственностью "Эконд" Конденсатор с двойным электрическим слоем
US5711988A (en) * 1992-09-18 1998-01-27 Pinnacle Research Institute, Inc. Energy storage device and its methods of manufacture
US5420747A (en) * 1992-10-12 1995-05-30 Econd Capacitor with a double electric layer cell stack
US5545466A (en) * 1993-03-19 1996-08-13 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Copper-clad laminate and printed wiring board
JPH07106206A (ja) * 1993-10-06 1995-04-21 Nec Corp 電気二重層コンデンサ
US5705259A (en) * 1994-11-17 1998-01-06 Globe-Union Inc. Method of using a bipolar electrochemical storage device
US5876787A (en) * 1995-11-30 1999-03-02 Alfar International, Ltd. Process of manufacturing a porous carbon material and a capacitor having the same
JP3028056B2 (ja) * 1996-02-19 2000-04-04 日本電気株式会社 電気二重層コンデンサ基本セルおよび電気二重層コンデンサ
AU4055297A (en) * 1996-08-08 1998-02-25 William Marsh Rice University Macroscopically manipulable nanoscale devices made from nanotube assemblies
JPH10275748A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Nec Corp 電気二重層コンデンサ
JP3085250B2 (ja) * 1997-07-18 2000-09-04 日本電気株式会社 電気二重層コンデンサ
US6426862B1 (en) * 1997-12-18 2002-07-30 Nauchno-Proizvodstvennoe Predpriyatie “Exin” Capacitor with dual electric layer
JPH11340430A (ja) * 1998-05-27 1999-12-10 Sony Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JP2000058781A (ja) * 1998-08-04 2000-02-25 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法
US7042708B1 (en) * 1998-10-13 2006-05-09 Selected Molecular Technologies Corporation High capacitance energy storage device
US6226173B1 (en) * 1999-01-26 2001-05-01 Case Western Reserve University Directionally-grown capacitor anodes
JP2001102273A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Nec Corp 電気二重層コンデンサ
JP2001185437A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
US6633154B1 (en) * 2000-01-04 2003-10-14 William B. Duff, Jr. Method and circuit for using polarized device in AC applications
CN1781201A (zh) * 2003-03-05 2006-05-31 威廉B·朵夫二世 具有增强的功率特性的电荷存储器件
US6916723B2 (en) * 2003-04-25 2005-07-12 Micron Technology, Inc. Methods of forming rugged semiconductor-containing surfaces

Also Published As

Publication number Publication date
NO20054486D0 (no) 2005-09-28
AU2004216697A1 (en) 2004-09-16
US20040175561A1 (en) 2004-09-09
CA2518067A1 (en) 2004-09-16
NO20054486L (no) 2005-12-01
CN1781201A (zh) 2006-05-31
JP2006523384A (ja) 2006-10-12
EP1616360A2 (en) 2006-01-18
US7289312B2 (en) 2007-10-30
UA82086C2 (ru) 2008-03-11
WO2004079793A2 (en) 2004-09-16
ZA200506419B (en) 2007-04-25
WO2004079793A3 (en) 2005-09-09
BRPI0407986A (pt) 2006-03-07
KR20050116809A (ko) 2005-12-13
US20070285875A1 (en) 2007-12-13
EP1616360A4 (en) 2006-12-27
MXPA05009393A (es) 2006-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2005130532A (ru) Накопитель электрического заряда, имеющий повышенную мощность
CA97419S (en) Bottle
US5501038A (en) Planted pot self-positioning plant support device
Makunina Botanical and geographical characteristics of forest steppe of the Altai-Sayan mountain region
CN110314279A (zh) 一种微电极及其制备方法和神经假体
KR200228767Y1 (ko) 방파제 피복용 소파블럭
Geller et al. Comparative cactus architecture and PAR interception
DE60317187D1 (de) Stützstruktur mit sich automatisch einstellender stützfläche zur aufnahme einer beliebigen art von körper
JP2003013424A (ja) 湖岸緑化工法
Lysanova et al. Mapping of geosystems in the south of the Yenisei Siberia for environmental assessment
Worthen Descriptions of two new species of Crustacea, fifty-one species of Mollusca, and three species of Crinoids, from the Carboniferous Formation of Illinois and adjacent states
Bassler New Ordovician cystidean echinoderms from Oklahoma
Logan Woodland adaptations in eastern Kansas
Moore Irish cresset-stones
CN108834652A (zh) 一种捕鼠鱼缸插花盆
Nardin et al. A new pleurocystitid blastozoan from the Middle Devonian of the Eifel (Germany) and its phylogenetic importance
RU23733U1 (ru) Шип для спортивной обуви
US20070053745A1 (en) Triangular raised terrace assembly
Banou Middle Helladic Laconia: New Evidence
KR20010020078A (ko) 원형 피라미드
CN215836105U (zh) 一种花坛花境造景装置
Srivastava Dinocyst biostratigraphy of Cenomanian-Coniacian'formations of the western Gulf Coastal Plain, southern United States
RU32675U1 (ru) Подставка в раковину
Baker et al. External morphology of the egg of the native (Melitara prodenialis) and exotic (Cactoblastis cactorum) cactus moths (Lepidoptera: Pyralidae)
RU96101308A (ru) Корпус забойного геофизического прибора

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20090427