RU2004118304A - Структура лазера типа dfb с выводом излучения через поверхность для широкополосных систем передачи данных и набор таких лазеров - Google Patents

Структура лазера типа dfb с выводом излучения через поверхность для широкополосных систем передачи данных и набор таких лазеров Download PDF

Info

Publication number
RU2004118304A
RU2004118304A RU2004118304/28A RU2004118304A RU2004118304A RU 2004118304 A RU2004118304 A RU 2004118304A RU 2004118304/28 A RU2004118304/28 A RU 2004118304/28A RU 2004118304 A RU2004118304 A RU 2004118304A RU 2004118304 A RU2004118304 A RU 2004118304A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor laser
specified
laser
output
length
Prior art date
Application number
RU2004118304/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Али М ШАМЗ-ЗАДЕ-АМИРИ (CA)
Али М ШАМЗ-ЗАДЕ-АМИРИ
Original Assignee
Фоутонами Инк. (Ca)
Фоутонами Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Фоутонами Инк. (Ca), Фоутонами Инк. filed Critical Фоутонами Инк. (Ca)
Publication of RU2004118304A publication Critical patent/RU2004118304A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
    • H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
    • H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1203—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers over only a part of the length of the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Claims (37)

1. Полупроводниковый лазер с выводом излучения через поверхность, содержащий:
структуру полупроводникового лазера, включающую активный слой, расположенные друг напротив друга слои оболочки, прилегающие к указанному активному слою, подложку, структуру показателя преломления, предназначенную для ограничения в поперечном направлении объема оптической моды, и электроды, с помощью которых можно инжектировать ток в указанную структуру полупроводникового лазера, и
дифракционную решетку второго или более высокого порядка, распределенную так, что она содержит периодически чередующиеся элементы решетки, причем каждый из указанных элементов решетки отличается тем, что он представляет собой либо элемент с высоким усилением или элемент с низким усилением, в которой при инжектировании тока элемент с низким усилением проявляет низкое усиление, отсутствие усиления или поглощение, по сравнению с элементом с высоким усилением, причем каждый из указанных элементов имеет определенную длину, причем длина элемента с высоким усилением и длина элемента с низким усилением совместно определяют период решетки, причем указанный период решетки находится в диапазоне, требуемом для получения оптического сигнала в диапазоне сигнала оптической системы передачи данных, в котором длина одного из элементов с высоким усилением составляет не более 0,5 длины периода решетки.
2. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором длина указанных элементов высокого усиления составляет от 15% до 35% длины указанного периода решетки.
3. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором длина одного из указанных элементов с высоким усилением составляет приблизительно 25% длины указанного периода решетки.
4. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором дифракционная решетка с указанным распределением является оптически активной и сформирована в среде усиления, в активном слое.
5. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором указанная распределенная дифракционная решетка является оптически активной и сформирована в среде потерь в объеме моды.
6. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором указанная распределенная дифракционная решетка не является оптически активной и сформирована из материала, блокирующего ток.
7. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором указанная решетка содержит целочисленное количество периодов решетки.
8. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором указанная структура дополнительно включает прилегающую область, которая, по меньшей мере, частично окружает указанную решетку в плоскости решетки.
9. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором указанная прилегающая область дополнительно включает интегрально сформированные области поглощения, расположенные с каждого из торцов указанной распределенной дифракционной решетки.
10. Полупроводниковый лазер по п.1, дополнительно включающий прилегающую область, содержащую фотодетектор.
11. Полупроводниковый лазер по п.10, в котором указанный фотодетектор интегрально сформирован с указанной структурой лазера.
12. Полупроводниковый лазер по п.11, дополнительно включающий петлю обратной связи, подключенную к указанному фотодетектору, предназначенную для сравнения детектируемого выходного сигнала, с требуемым выходным сигналом.
13. Полупроводниковый лазер по п.12, дополнительно включающий регулятор, предназначенный для регулирования входного тока, для поддержания указанного выходного сигнала на требуемом значении характеристики.
14. Полупроводниковый лазер по п.8, в котором указанная прилегающая область сформирована из материала, имеющего сопротивление, достаточное для электрической изоляции указанной решетки при использовании указанного лазера.
15. Лазер с выводом излучения через поверхность по п.1, в котором один из указанных электродов содержит отверстие для излучения сигнала.
16. Лазер с выводом излучения через поверхность по п.1, в котором указанная структура показателя преломления, обеспечивающая поперечное ограничение, представляет собой один из гребенчатого волновода или волновода со скрытой гетероструктурой.
17. Полупроводниковый лазер по п.8, в котором указанная структура лазера дополнительно включает структуру ограничения продольного поля с каждого торца указанного резонатора лазера.
18. Полупроводниковый лазер по п.17, в котором указанная структура ограничения продольного поля содержит интегрально сформированную решетку первого порядка, и указанный лазер дополнительно содержит второй электрод, связанный с указанной решеткой первого порядка для инжекции в нее тока.
19. Набор полупроводниковых лазеров с выводом излучения через поверхность, как заявлено п.1, в котором указанный набор включает два или большее количество указанных лазеров, расположенных на общей подложке.
20. Набор полупроводниковых лазеров по п.19, в котором каждый из указанных двух или большего количества указанных лазеров формирует выходной сигнал, имеющий разную длину волны и выходную мощность, и который может быть индивидуально промодулирован.
21. Набор полупроводниковых лазеров по п.19, в котором каждый из указанных двух или большего количества указанных лазеров формирует выходной сигнал, имеющий одинаковую длину волны.
22. Способ производства полупроводниковых лазеров с выводом излучения через поверхность, включающий следующие этапы:
формирование множества структур полупроводникового лазера путем последовательного формирования слоев на общей плоской подложке;
формирование на указанной плоской подложке первого слоя оболочки, активного слоя и второго слоя оболочки;
формирование на указанной плоской подложке множества распределенных дифракционных решеток второго или более высокого порядка, связанных с указанным активным слоем;
формирование электродов на каждой из указанных структур полупроводникового лазера, расположенных на указанной плоской подложке, для инжектирования тока в каждую из указанных решеток, где один из указанных электродов имеет отверстие для обеспечения эмиссии света; и
проверку каждой из указанных структур полупроводникового лазера путем инжектирования проверочного тока в указанные структуры, в то время как структуры все еще соединены с указанной общей плоской подложкой.
23. Способ по п.22, дополнительно содержащий этап одновременного формирования прилегающих областей между указанным множеством распределенных дифракционных решеток.
24. Способ по п.22, дополнительно содержащий этап формирования структуры с показателем преломления, предназначенную для ограничения в поперечном направлении оптической моды каждой из указанных структур полупроводникового лазера в виде гребенчатого волновода или волновода на основе скрытой гетероструктуры.
25. Способ по п.22, дополнительно содержащий этап формирования с обоих торцов каждой из указанных решеток области поглощения в указанной прилегающей области.
26. Способ по п.22, дополнительно содержащий этап расщепления указанной подложки вдоль указанных прилегающих областей, для формирования набора лазеров.
27. Полупроводниковый лазер с выводом излучения через поверхность, содержащий:
структуру полупроводникового лазера, включающую активный слой, расположенные друг напротив друга слои оболочки, примыкающие к указанному активному слою, подложку, структуру показателя преломления, предназначенную для ограничения в поперечном направлении объема оптической моды, и электроды, с помощью которых можно инжектировать ток в указанную структуру полупроводникового лазера, и
дифракционную решетку с заданным распределением второго или более высокого порядка, связанную с активным слоем указанной структуры лазера, причем указанное распределение дифракционной решетки содержит периодически чередующиеся элементы решетки, причем каждый из указанных элементов решетки обладает эффектом усиления, в котором любая соседняя пара элементов решетки включает один элемент, имеющий относительно высокий эффект усиления и элемент, имеющий относительно низкий эффект усиления, в котором разница указанных эффектов усиления, различные значения показателей преломления элементов высокого и низкого усиления, и период решетки обеспечивает формирование выходного сигнала в диапазоне, близком к 850 нанометров, или от 910 нанометров до 990 нанометров, или от 1200 нанометров до 1700 нанометров, и, в котором каждый из указанных элементов решетки имеет определенную длину, причем длина элемента с относительно высоким эффектом усиления и длина элемента с относительно низким эффектом усиления совместно определяют период решетки, в котором длина одного из элементов с относительно высоким усилением не превышает 0,5 длины периода решетки.
28. Полупроводниковый лазер по п.27, в котором указанная структура показателя преломления, обеспечивающая поперечное ограничение, представляет собой один из гребенчатых волноводов или волновод со скрытой гетероструктурой.
29. Способ стабилизации выходного сигнала лазера, содержащий следующие этапы:
подачу энергии в лазер с выводом излучения через поверхность, путем инжектирования тока в лазер;
подачу энергии на один или несколько соединенных с лазером фотодетекторов;
отслеживание качества выходного сигнала лазера с излучением с поверхности с помощью фотодетектора; и
регулирование величины тока, инжектируемого в лазер, для предотвращения флуктуации сигнала.
30. Способ по п.29, дополнительно включающий предварительный этап формирования указанного фотодетектора интегрально с указанным лазером.
31. Способ по п.30, дополнительно включающий этап подключения указанного фотодетектора к петле обратной связи и сравнения указанного детектируемого выходного сигнала с требуемым выходным сигналом.
32. Способ по п.31, дополнительно включающий этап установки регулятора и регулирования величины тока, инжектируемого в указанный лазер, для предотвращения флуктуации сигнала в соответствии с указанным сравнением, с использованием указанной петли обратной связи.
33. Полупроводниковый лазер с выводом излучения через поверхность, предназначенный для получения выходных сигналов с определенными пространственными характеристиками, причем указанный лазер содержит:
структуру полупроводникового лазера, включающую активный слой, расположенные друг напротив друга слои оболочки, прилегающие к указанному активному слою, подложку и электроды, с помощью которых можно инжектировать ток в указанную структуру полупроводникового лазера для получения выходного сигнала в полосе передачи данных, и распределенную дифракционную решетку второго или более высокого порядка, размеры и форма которой обеспечивают при инжектировании тока в структуру лазера, более низкое пороговое значение усиления для моды с одним максимумом, чем пороговое значение усиления для любой другой моды, в котором указанная мода с одним максимумом лазерного излучения способствует стыковке указанного выходного сигнала с оптоволоконным световодом.
34. Полупроводниковый лазер по п.33, в котором указанная распределенная дифракционная решетка состоит из чередующихся элементов решетки, которые определяют период решетки, в котором один из указанных элементов представляет собой элемент с относительно высоким усилением, и соседний элемент представляет собой элемент с относительно низким усилением, и в котором длина элемента с относительно высоким усилением составляет не более 0,5 длины периода решетки.
35. Полупроводниковый лазер по п.33, в котором указанная распределенная дифракционная решетка представляет собой решетку, со связью по усилению в активной области указанной структуры.
36. Полупроводниковый лазер по п.33, в котором указанная распределенная дифракционная решетка представляет собой решетку, со связью по потерям, в объеме моды указанной структуры.
37. Полупроводниковый лазер по п.33, в котором указанная распределенная дифракционная решетка представляет собой решетку с блокированием тока в указанной структуре полупроводникового лазера.
RU2004118304/28A 2001-11-16 2002-11-15 Структура лазера типа dfb с выводом излучения через поверхность для широкополосных систем передачи данных и набор таких лазеров RU2004118304A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CA002363149A CA2363149A1 (en) 2001-11-16 2001-11-16 Surface emitting dfb laser structures for broadband communication systems and array of same
CA2,363,149 2001-11-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2004118304A true RU2004118304A (ru) 2005-04-10

Family

ID=4170544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004118304/28A RU2004118304A (ru) 2001-11-16 2002-11-15 Структура лазера типа dfb с выводом излучения через поверхность для широкополосных систем передачи данных и набор таких лазеров

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20050053112A1 (ru)
EP (1) EP1454391A2 (ru)
JP (1) JP2005510090A (ru)
KR (1) KR20040066127A (ru)
CN (1) CN1602570A (ru)
AU (1) AU2002342456A1 (ru)
CA (1) CA2363149A1 (ru)
IL (1) IL161965A0 (ru)
MX (1) MXPA04004666A (ru)
NO (1) NO20033213L (ru)
RU (1) RU2004118304A (ru)
WO (1) WO2003044910A2 (ru)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2004246310A1 (en) * 2003-06-10 2004-12-16 Photonami Inc. Method and apparatus for suppression of spatial-hole burning in second or higher order DFB lasers
CN1823456A (zh) * 2003-06-10 2006-08-23 福托纳米公司 在二阶或高阶分布反馈激光器中抑制空间烧孔的方法和设备
US7417789B2 (en) * 2004-08-18 2008-08-26 National Chiao Tung University Solar-pumped active device
JP2007227560A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Mitsubishi Electric Corp 利得結合型分布帰還型半導体レーザ
US20110116523A1 (en) * 2009-09-13 2011-05-19 Alfalight Corp. Method of beam formatting se-dfb laser array
US20160377821A1 (en) * 2012-03-05 2016-12-29 Nanoprecision Products, Inc. Optical connection of optical fibers to grating couplers
EP2957004B1 (en) * 2013-02-18 2018-06-06 Innolume GmbH Single-step-grown transversely coupled distributed feedback laser
CN103197366B (zh) * 2013-03-13 2015-06-17 北京工业大学 基于异质结光栅的偏振滤波器及制备方法
CN106356712B (zh) * 2016-10-13 2023-05-05 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于球形多路双异质结量子点的人工复眼激光器系统
US11158996B2 (en) 2017-09-28 2021-10-26 Apple Inc. Laser architectures using quantum well intermixing techniques
AU2020100473B4 (en) * 2017-09-29 2020-11-26 Apple Inc. Connected epitaxial optical sensing systems
CN111164415A (zh) 2017-09-29 2020-05-15 苹果公司 路径解析的光学采样架构
CN111164393A (zh) 2017-09-29 2020-05-15 苹果公司 连接的外延光学感测系统
EP3752873A1 (en) 2018-02-13 2020-12-23 Apple Inc. Integrated photonics device having integrated edge outcouplers
CN108736314B (zh) * 2018-06-12 2020-06-19 中国科学院半导体研究所 电注入硅基iii-v族纳米激光器阵列的制备方法
US11644618B2 (en) 2018-06-22 2023-05-09 Apple Inc. Discrete optical unit on a substrate of an integrated photonics chip
US11525967B1 (en) 2018-09-28 2022-12-13 Apple Inc. Photonics integrated circuit architecture
US11171464B1 (en) 2018-12-14 2021-11-09 Apple Inc. Laser integration techniques
US11506535B1 (en) 2019-09-09 2022-11-22 Apple Inc. Diffraction grating design
US11835836B1 (en) 2019-09-09 2023-12-05 Apple Inc. Mach-Zehnder interferometer device for wavelength locking
US11525958B1 (en) 2019-09-09 2022-12-13 Apple Inc. Off-cut wafer with a supported outcoupler
US11881678B1 (en) 2019-09-09 2024-01-23 Apple Inc. Photonics assembly with a photonics die stack
US11231319B1 (en) 2019-09-09 2022-01-25 Apple Inc. Athermal wavelength stability monitor using a detraction grating
US11320718B1 (en) 2019-09-26 2022-05-03 Apple Inc. Cantilever beam waveguide for silicon photonics device
US11500154B1 (en) 2019-10-18 2022-11-15 Apple Inc. Asymmetric optical power splitting system and method
CN111755946A (zh) * 2020-06-30 2020-10-09 中国科学院半导体研究所 有源腔与无源腔交替结构的dfb激光器
US11852318B2 (en) 2020-09-09 2023-12-26 Apple Inc. Optical system for noise mitigation
US11561346B2 (en) 2020-09-24 2023-01-24 Apple Inc. Tunable echelle grating
US11852865B2 (en) 2020-09-24 2023-12-26 Apple Inc. Optical system with phase shifting elements
US11906778B2 (en) 2020-09-25 2024-02-20 Apple Inc. Achromatic light splitting device with a high V number and a low V number waveguide
US11815719B2 (en) 2020-09-25 2023-11-14 Apple Inc. Wavelength agile multiplexing

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61140189A (ja) * 1984-12-12 1986-06-27 Canon Inc 半導体レ−ザ
US4807955A (en) * 1987-08-06 1989-02-28 Amp Incorporated Opto-electrical connecting means
JP2768672B2 (ja) * 1987-09-30 1998-06-25 株式会社日立製作所 面発光半導体レーザ
JP2692913B2 (ja) * 1987-12-19 1997-12-17 株式会社東芝 グレーティング結合型表面発光レーザ素子およびその変調方法
EP0361399A3 (en) * 1988-09-28 1990-07-18 Canon Kabushiki Kaisha Semmiconductor laser array including lasers with reflecting means having different wavelength selection properties
US5033053A (en) * 1989-03-30 1991-07-16 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device having plurality of layers for emitting lights of different wavelengths and method of driving the same
JPH02271586A (ja) * 1989-04-12 1990-11-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
US4976539A (en) * 1989-08-29 1990-12-11 David Sarnoff Research Center, Inc. Diode laser array
US5070509A (en) * 1990-08-09 1991-12-03 Eastman Kodak Company Surface emitting, low threshold (SELTH) laser diode
EP0487351B1 (en) * 1990-11-21 1995-07-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Wavelength-tunable distributed-feedback semiconductor laser device
US5233187A (en) * 1991-01-22 1993-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Multi-wavelength light detecting and/or emitting apparatuses having serially arranged grating directional couplers
US5164956A (en) * 1991-10-21 1992-11-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Multiperiod-grating surface-emitting lasers
US5241556A (en) * 1992-01-28 1993-08-31 Hughes Aircraft Company Chirped grating surface emitting distributed feedback semiconductor laser
US5384797A (en) * 1992-09-21 1995-01-24 Sdl, Inc. Monolithic multi-wavelength laser diode array
US5345466A (en) * 1992-11-12 1994-09-06 Hughes Aircraft Company Curved grating surface emitting distributed feedback semiconductor laser
KR950002068B1 (ko) * 1992-11-25 1995-03-10 삼성전자주식회사 제2고조파 발생방법 및 그 장치
US5355237A (en) * 1993-03-17 1994-10-11 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Wavelength-division multiplexed optical integrated circuit with vertical diffraction grating
FR2706079B1 (fr) * 1993-06-02 1995-07-21 France Telecom Composant intégré monolithique laser-modulateur à structure multi-puits quantiques.
JPH0738205A (ja) * 1993-07-20 1995-02-07 Mitsubishi Electric Corp 面発光レーザダイオードアレイ及びその駆動方法，光検出素子，光検出素子アレイ，空間光接続システム，並びに波長多重光通信システム
US5448581A (en) * 1993-11-29 1995-09-05 Northern Telecom Limited Circular grating lasers
US5452318A (en) * 1993-12-16 1995-09-19 Northern Telecom Limited Gain-coupled DFB laser with index coupling compensation
JPH07209603A (ja) * 1994-01-21 1995-08-11 Fujitsu Ltd 光アイソレータ
JPH08107252A (ja) * 1994-10-06 1996-04-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置，及び半導体レーザアレイ装置
US5536085A (en) * 1995-03-30 1996-07-16 Northern Telecom Limited Multi-wavelength gain-coupled distributed feedback laser array with fine tunability
US5727013A (en) * 1995-10-27 1998-03-10 Wisconsin Alumni Research Foundation Single lobe surface emitting complex coupled distributed feedback semiconductor laser
JP3714430B2 (ja) * 1996-04-15 2005-11-09 シャープ株式会社 分布帰還型半導体レーザ装置
US5717804A (en) * 1996-04-30 1998-02-10 E-Tek Dynamics, Inc. Integrated laser diode and fiber grating assembly
US5970081A (en) * 1996-09-17 1999-10-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Grating coupled surface emitting device
US6088374A (en) * 1997-04-15 2000-07-11 Nec Corporation Multi-wavelength semiconductor laser array having phase-shift structures
US5870512A (en) * 1997-05-30 1999-02-09 Sdl, Inc. Optimized interferometrically modulated array source
JPH1117279A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Toshiba Corp 波長多重光通信用素子、送信器、受信器および波長多重光通信システム
JP3180725B2 (ja) * 1997-08-05 2001-06-25 日本電気株式会社 分布帰還型半導体レーザ
US5936994A (en) * 1997-09-18 1999-08-10 Northern Telecom Limited Two-section complex coupled distributed feedback semiconductor laser with enhanced wavelength tuning range
US6026110A (en) * 1997-10-16 2000-02-15 Nortel Networks Corporation Distributed feedback semiconductor laser with gain modulation
JPH11233898A (ja) * 1997-12-03 1999-08-27 Canon Inc 分布帰還型半導体レーザとその駆動方法
US6104739A (en) * 1997-12-24 2000-08-15 Nortel Networks Corporation Series of strongly complex coupled DFB lasers
US6289028B1 (en) * 1998-02-19 2001-09-11 Uniphase Telecommunications Products, Inc. Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength
EP0948104B1 (en) * 1998-03-30 2003-02-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor laser module and method of manufacturing the same
US6117699A (en) * 1998-04-10 2000-09-12 Hewlett-Packard Company Monolithic multiple wavelength VCSEL array
US6195381B1 (en) * 1998-04-27 2001-02-27 Wisconsin Alumni Research Foundation Narrow spectral width high-power distributed feedback semiconductor lasers
US6097748A (en) * 1998-05-18 2000-08-01 Motorola, Inc. Vertical cavity surface emitting laser semiconductor chip with integrated drivers and photodetectors and method of fabrication
JP3186705B2 (ja) * 1998-08-27 2001-07-11 日本電気株式会社 分布帰還型半導体レーザ
JP2000174397A (ja) * 1998-12-02 2000-06-23 Nec Corp 多波長光源装置及びその発振周波数制御方法
US6330388B1 (en) * 1999-01-27 2001-12-11 Northstar Photonics, Inc. Method and apparatus for waveguide optics and devices
JP3928295B2 (ja) * 1999-03-16 2007-06-13 富士ゼロックス株式会社 面発光型半導体レーザ
US6810053B1 (en) * 1999-08-13 2004-10-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Single mode, single lobe surface emitting distributed feedback semiconductor laser

Also Published As

Publication number Publication date
AU2002342456A1 (en) 2003-06-10
CA2363149A1 (en) 2003-05-16
NO20033213D0 (no) 2003-07-15
KR20040066127A (ko) 2004-07-23
IL161965A0 (en) 2005-11-20
NO20033213L (no) 2003-09-16
JP2005510090A (ja) 2005-04-14
MXPA04004666A (es) 2005-05-17
EP1454391A2 (en) 2004-09-08
WO2003044910A3 (en) 2003-12-11
CN1602570A (zh) 2005-03-30
WO2003044910A2 (en) 2003-05-30
US20050053112A1 (en) 2005-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2004118304A (ru) Структура лазера типа dfb с выводом излучения через поверхность для широкополосных систем передачи данных и набор таких лазеров
US5539571A (en) Differentially pumped optical amplifer and mopa device
US7889776B2 (en) High-power semiconductor laser
US20090092159A1 (en) Semiconductor light-emitting device with tunable emission wavelength
JPH0587635A (ja) 回折格子を有する光検出装置
US10020638B2 (en) Optical semiconductor device, semiconductor laser module, and optical fiber amplifier
US6690688B2 (en) Variable wavelength semiconductor laser and optical module
Menezo et al. 10-wavelength 200-GHz channel spacing emitter integrating DBR lasers with a PHASAR on InP for WDM applications
JP5698267B2 (ja) 半導体デバイス
RU2004121153A (ru) Лазерные структуры с распределенной обратной связью и с выводом излучения через поверхность со сдвигом фазы с усилительными или поглощательными дифракционными решетками
US20230187906A1 (en) Wavelength-variable laser
CN105830292A (zh) 半导体激光器阵列、半导体激光器元件、半导体激光器模块、以及波长可变激光器组件
US10511150B2 (en) Wavelength-variable laser
US20050152026A1 (en) Gain-clamped optical amplifier
US20020101897A1 (en) Laser elements having different wavelengths formed from one semiconductor substrate
JP6730868B2 (ja) 波長可変半導体レーザ
US7072372B2 (en) Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and optical fiber amplifier
Figueroa et al. Modeling of the optical characteristics for twin-channel laser (TCL) structures
US20220123526A1 (en) Semiconductor lasers with improved frequency modulation response
Yashiki et al. Wavelength-independent operation of EA-modulator integrated wavelengthselectable microarray light sources
KR20060025168A (ko) ２차 이상의 ｄｆｂ 레이저의 공간-홀 버닝의 억제를 위한방법 및 장치
Sarangan et al. Wavelength control in DFB laser arrays by tilting the ridge with respect to the gratings
Chen et al. Design of multi-wavelength loss-coupled DFB laser array
Li Gain-coupled distributed-feedback (DFB) laser array for wavelength division multiplexing systems
MORIMOTO et al. Wavelength-selectable microarray light sources for DWDM photonic networks

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20051116