RU2003133469A - Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов - Google Patents

Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов Download PDF

Info

Publication number
RU2003133469A
RU2003133469A RU2003133469/15A RU2003133469A RU2003133469A RU 2003133469 A RU2003133469 A RU 2003133469A RU 2003133469/15 A RU2003133469/15 A RU 2003133469/15A RU 2003133469 A RU2003133469 A RU 2003133469A RU 2003133469 A RU2003133469 A RU 2003133469A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
single crystals
crucible
upper plate
metal fluorides
insulating wall
Prior art date
Application number
RU2003133469/15A
Other languages
English (en)
Inventor
Терухико НАВАТА (JP)
Терухико НАВАТА
Хидетака МИЯЗАКИ (JP)
Хидетака МИЯЗАКИ
Хироюки ЯНАГИ (JP)
Хироюки ЯНАГИ
Шиничи НИТТА (JP)
Шиничи НИТТА
Харумаса ИТО (JP)
Харумаса ИТО
Исао ЯМАГА (JP)
Исао ЯМАГА
Original Assignee
Токуяма Корпорейшн (Jp)
Токуяма Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Токуяма Корпорейшн (Jp), Токуяма Корпорейшн filed Critical Токуяма Корпорейшн (Jp)
Publication of RU2003133469A publication Critical patent/RU2003133469A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/12—Halides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1056—Seed pulling including details of precursor replenishment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Claims (7)

1. Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов, включающее камеру, являющуюся печью для выращивания кристаллов; тигель, установленный в камере и содержащий расплав материала для производства монокристаллов; нагреватель для плавления, установленный вокруг тигля; стержень для вытяжки монокристалла, выполненный с возможностью вертикального перемещения и включающий затравочный кристалл на конце, контактирующий с расплавом материала для изготовления монокристалла, находящегося в тигле; теплоизоляционную стенку, установленную в камере и окружающую, по меньшей мере, периферийную часть зоны вытяжки монокристалла в верхней части тигля; верхнюю пластину, закрывающую открытую часть верхнего конца в верхней части теплоизоляционной стенки, и камеру вытяжки монокристалла, окруженную теплоизоляционной стенкой и закрытую верхней пластиной, у которого верхняя пластина выполнена с, по меньшей мере, одним проходным отверстием для стержня для вытяжки монокристалла, и коэффициент теплопроводности верхней пластины в направлении толщины равен 1000-50000 Вт/м2· К.
2. Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов по п.1, у которого коэффициент теплопроводности теплоизоляционной стенки в направлении толщины равен 100 Вт/м2· К или менее.
3. Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов по п.1, у которого верхняя пластина является графитовой пластиной.
4. Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов по п.1, у которого верхняя пластина установлена выше верхнего конца тигля на 50-500% максимального внутреннего диаметра тигля.
5. Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов по п.1, у которого полная открытая площадь отверстий, выполненных в верхней пластине, равняется 5-60% круговой открытой площади в верхнем конце теплоизоляционной стенки.
6. Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов по п.1, у которого фторид металла является фторидом кальция.
7. Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов по п.1, у которого тигель имеет максимальный внутренний диаметр 11 см или более.
RU2003133469/15A 2002-11-19 2003-11-19 Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов RU2003133469A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002334528 2002-11-19
JP2002-334528 2002-11-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2003133469A true RU2003133469A (ru) 2005-05-10

Family

ID=32290323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003133469/15A RU2003133469A (ru) 2002-11-19 2003-11-19 Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7060133B2 (ru)
EP (1) EP1424408B1 (ru)
KR (1) KR20040044146A (ru)
CN (1) CN1502726A (ru)
DE (1) DE60307578T2 (ru)
RU (1) RU2003133469A (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200928018A (en) * 2007-12-21 2009-07-01 Green Energy Technology Inc Crystal-growing furnace with convectional cooling structure
CN102605419B (zh) * 2012-03-25 2015-04-22 杭州慧翔电液技术开发有限公司 用于拉晶设备的可调式多晶料夹持装置
CN102616745B (zh) * 2012-04-06 2016-12-14 周俊和 一种氟化盐生产方法
CN104514032B (zh) * 2014-12-18 2017-03-08 华中科技大学 一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉
TWI771007B (zh) * 2020-05-19 2022-07-11 環球晶圓股份有限公司 矽單晶錠的製造方法、矽單晶錠及其製造裝置
CN116103751A (zh) * 2022-06-07 2023-05-12 眉山博雅新材料股份有限公司 一种晶体制备装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3359077A (en) * 1964-05-25 1967-12-19 Globe Union Inc Method of growing a crystal
DE1960088C3 (de) * 1969-11-29 1974-07-25 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes
JPS63270385A (ja) 1987-04-30 1988-11-08 Hitachi Metals Ltd 酸化物単結晶の製造方法
JP3016897B2 (ja) * 1991-03-20 2000-03-06 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法及び装置
JP3128795B2 (ja) * 1995-06-09 2001-01-29 信越半導体株式会社 チョクラルスキー法による結晶製造装置および製造方法
JPH09110582A (ja) * 1995-10-11 1997-04-28 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 結晶製造装置
JP3892496B2 (ja) * 1996-04-22 2007-03-14 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体単結晶製造方法
US6485807B1 (en) * 1997-02-13 2002-11-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Silicon wafers having controlled distribution of defects, and methods of preparing the same
KR19980079891A (ko) * 1997-03-27 1998-11-25 모리 레이자로 단결정 성장장치 및 단결정 성장방법
JPH10338594A (ja) 1997-06-03 1998-12-22 Fuji Elelctrochem Co Ltd 引き上げ法による単結晶育成装置
JP4174086B2 (ja) 1997-07-02 2008-10-29 キヤノン株式会社 結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶
JP3400312B2 (ja) * 1997-09-05 2003-04-28 株式会社スーパーシリコン研究所 単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法
US6369392B1 (en) * 2000-01-10 2002-04-09 Inrad Cerium doped crystals

Also Published As

Publication number Publication date
EP1424408A1 (en) 2004-06-02
CN1502726A (zh) 2004-06-09
DE60307578T2 (de) 2007-08-23
EP1424408B1 (en) 2006-08-16
US7060133B2 (en) 2006-06-13
US20040099210A1 (en) 2004-05-27
KR20040044146A (ko) 2004-05-27
DE60307578D1 (de) 2006-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102352530B (zh) 用于直拉硅单晶炉的热屏装置
CN101624187B (zh) 一种多晶硅生长铸锭炉
CN202380122U (zh) 硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉
RU2003133469A (ru) Устройство для вытяжки монокристаллов фторидов металлов
US4015657A (en) Device for making single-crystal products
CN204111919U (zh) 一种多晶铸锭炉
KR900014644A (ko) 실리콘 단결정(單結晶)의 제조장치
CN202175735U (zh) 硅液溢流即时反馈装置
KR101136930B1 (ko) 조립 도가니를 구비한 실리콘 잉곳 제조용 도가니
JP2004323247A5 (ru)
RU2005136369A (ru) Устройство для получения кристалла фторида
KR920702735A (ko) 실리콘 단결정 제조장치
KR20110019928A (ko) 실리콘 단결정 잉곳 제조장치
CN207294934U (zh) 一种竖式区熔冶炼炉
CN217479589U (zh) 一种炉膛装置及晶体炉
MD980179A (ru) Способ и устройство для быстрого роста монокристаллов висмута
CN217677905U (zh) 一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚
SE7706768L (sv) Smelt- och gjutanordning
CN204898122U (zh) 一种多晶硅铸锭炉
CN208023109U (zh) 一种具有挡碳渣板的防溢流多晶硅铸锭炉
CN204825132U (zh) 多晶硅铸锭热场结构
JPH0241162Y2 (ru)
TWI732376B (zh) 連續直拉單晶生長設備
CN217818101U (zh) 一种能够提高硅微粉熔融效果的高温熔炼装置
CN218507869U (zh) 一种真空蒸馏炉用可移动保温装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20061222