RU2003130954A - Способ получения сильно уплотненных, сверхпроводящих массивных тел из mgb2, связанных с ними твердых конечных продуктов и их использование - Google Patents
Способ получения сильно уплотненных, сверхпроводящих массивных тел из mgb2, связанных с ними твердых конечных продуктов и их использование Download PDFInfo
- Publication number
- RU2003130954A RU2003130954A RU2003130954/03A RU2003130954A RU2003130954A RU 2003130954 A RU2003130954 A RU 2003130954A RU 2003130954/03 A RU2003130954/03 A RU 2003130954/03A RU 2003130954 A RU2003130954 A RU 2003130954A RU 2003130954 A RU2003130954 A RU 2003130954A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- boron
- magnesium
- crystalline boron
- preform
- crystalline
- Prior art date
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims 7
- 101000739168 Homo sapiens Mammaglobin-B Proteins 0.000 title 1
- 102100037267 Mammaglobin-B Human genes 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 30
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 24
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract 18
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 17
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000004137 mechanical activation Methods 0.000 claims abstract 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 238000005056 compaction Methods 0.000 claims 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 claims 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 claims 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 claims 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005325 percolation Methods 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/5805—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides
- C04B35/58057—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides based on magnesium boride, e.g. MgB2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/65—Reaction sintering of free metal- or free silicon-containing compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/653—Processes involving a melting step
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0856—Manufacture or treatment of devices comprising metal borides, e.g. MgB2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
- C04B2235/401—Alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/421—Boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
- C04B2235/5292—Flakes, platelets or plates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Fodder In General (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Claims (25)
1. Способ получения сверхпроводящих массивных тел из MgB2, имеющих плотность, близкую к теоретическому значению, который включает следующие операции:
а) механическая активация кристаллического бора с образованием активированных порошков;
б) формирование пористой заготовки из активированных порошков кристаллического бора;
в) сборка пористой заготовки из бора и массивных предшественников металлического магния в контейнере и герметизация его в атмосфере инертного газа или с низким содержанием кислорода;
г) термообработка бора и магния, собранных как указано выше, при температуре выше 700°С в течение времени, превышающего 30 минут, с последующим просачиванием магния, находящегося в жидкой фазе, через активированные порошки кристаллического бора.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что операция (а) механической активации кристаллического бора заключается в измельчении хлопьев кристаллического бора путем неоднократного раздавливания, осуществляемого сжатием под большой нагрузкой.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что активированные порошки кристаллического бора имеют средний волюмометрический диаметр частиц в диапазоне от 30 до 70 микрон и имеют такой же тип кристаллической структуры, как исходные хлопья кристаллического бора.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что заготовку из активированных порошков кристаллического бора получают обычными способами уплотнения порошка.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что заготовку из активированных порошков кристаллического бора получают в самом контейнере путем непосредственной засыпки в него активированного порошка кристаллического бора и уплотнения его.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что заготовка из активированных порошков кристаллического бора имеет кажущуюся плотность, составляющую свыше 50% от теоретической плотности кристаллического бора (2,35 г/см3).
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что заготовка из активированных порошков кристаллического бора имеет чистоту, выше или равную 99,4%.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что заготовка из активированных порошков кристаллического бора имеет форму, сходную с формой конечного продукта.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что заготовка из активированных порошков кристаллического бора содержит до 20% ат. магния в форме магниевого порошка, имеющего размер частиц ниже, чем размер частиц бора.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что заготовка из активированных порошков кристаллического бора состоит из активированных порошков кристаллического бора, поверхность которых покрыта металлическим магнием.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что на операции (в) объединение пористой заготовки из бора и массивных предшественников металлического магния в контейнере осуществляют с массивными предшественниками металлического магния с чистотой свыше 99%.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что на операции (в) имеется такой избыток Mg, что атомное соотношение Mg/В превышает 0,5.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что атомное соотношение Mg/В равно 0,55 или более.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что контейнер, применяемый на операции (в), состоит из материала, который не может взаимодействовать с бором или магнием при температуре до 1000°С,
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что этим материалом является Nb, Та, MgO, BN.
16. Способ по п.1, отличающийся тем, что контейнер, применяемый на операции (в), состоит из любого материала, стойкого по отношению к высоким температурам, футерованного внутри оболочкой из материала, который не может взаимодействовать с бором и магнием при температурах до 1000°С.
17. Способ по п.1, отличающийся тем, что операция (г) включает термообработку при температурах в диапазоне от 800° до 1000° в течение 1-3 ч.
18. Способ по п.1, отличающийся тем, что просачивание на операции (г) осуществляют пропиткой пористой заготовки из активированного порошка кристаллического бора, погруженной в расплавленный металл, под давлением инертного газа.
19. Способ по п.1, отличающийся тем, что на операции (в) массивные предшественники металлического магния состоят из массивных тел из магния и одного или более металла с более низкой температурой плавления, или из эквивалентных сплавов.
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что эти металлы с более низкой температурой плавления присутствуют в таком количестве, чтобы достичь по мере возможности процентного состава, соответствующего точке эвтектики эквивалентного сплава.
21. Способ по п.19, отличающийся тем, что атомное соотношение металл с низкой температурой плавления + магний/бор составляет более 0,55, и одновременно атомное соотношение магний/бор составляет свыше 0,5.
22. Способ по п.19, отличающийся тем, что металлы с более низкой температурой плавления выбирают из Ga, Sn, In и Zn.
23. Сверхпроводящее массивное тело или твердый конечный продукт из MgB2, имеющий плотность, близкую к теоретическому значению, полученный способом по любому из пп.1-22.
24. Применение сверхпроводящего массивного тела или твердого конечного продукта из MgB2 по п.23, в качестве мишени для технологий вакуумного напыления тонких пленок, таких как лазерная абляция и радиочастотное напыление.
25. Применение сверхпроводящего массивного тела или твердого конечного продукта из MgB2 по п.23 в качестве элементов включения электрических цепей, элементов с переменной индукцией в системах ограничения тока, постоянных магнитов для применения в системах левитации, для медицинских систем на основе магнитного резонанса, для ускорителей и детекторов элементарных частиц, для систем аккумуляции энергии, для линейных и нелинейных двигателей, для генераторов электроэнергии.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT2001MI000978A ITMI20010978A1 (it) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | Metodo per la preparazione di corpi massivi superconduttori di mgb2 altamente densificati relativi manufatti solidi e loro uso |
ITMI2001A000978 | 2001-05-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2003130954A true RU2003130954A (ru) | 2005-04-10 |
RU2264366C2 RU2264366C2 (ru) | 2005-11-20 |
Family
ID=11447642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2003130954/03A RU2264366C2 (ru) | 2001-05-11 | 2002-05-10 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИЛЬНО УПЛОТНЕННЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МАССИВНЫХ ТЕЛ ИЗ MgB2 СВЯЗАННЫХ С НИМИ ТВЕРДЫХ КОНЕЧНЫХ ПРОДУКТОВ И ИХ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7396506B2 (ru) |
EP (1) | EP1390992B1 (ru) |
JP (1) | JP4431313B2 (ru) |
KR (1) | KR100904321B1 (ru) |
CN (1) | CN100452467C (ru) |
AT (1) | ATE335287T1 (ru) |
AU (1) | AU2002258044B2 (ru) |
CA (1) | CA2445104C (ru) |
DE (1) | DE60213588T2 (ru) |
ES (1) | ES2269685T3 (ru) |
HK (1) | HK1069012A1 (ru) |
IL (2) | IL158460A0 (ru) |
IT (1) | ITMI20010978A1 (ru) |
RU (1) | RU2264366C2 (ru) |
WO (1) | WO2002093659A2 (ru) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4016103B2 (ja) * | 2003-03-04 | 2007-12-05 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | MgB2超伝導体の製造方法 |
JP2006127898A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 焼結体、焼結体の製造方法、超電導線材、超電導機器、および超電導線材の製造方法 |
DE102006017435B4 (de) * | 2006-04-07 | 2008-04-17 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Pulver für die Herstellung von MgB2-Supraleitern und Verfahren zur Herstellung dieser Pulver |
EP2263269A2 (en) * | 2008-03-30 | 2010-12-22 | Hills, Inc. | Superconducting wires and cables and methods for producing superconducting wires and cables |
US8812069B2 (en) * | 2009-01-29 | 2014-08-19 | Hyper Tech Research, Inc | Low loss joint for superconducting wire |
KR101044890B1 (ko) * | 2009-02-18 | 2011-06-28 | 한국원자력연구원 | 이붕소마그네슘 초전도 선재의 제조 방법 |
DE102009010112B3 (de) * | 2009-02-21 | 2010-09-02 | Bruker Eas Gmbh | Verfahren zur supraleitenden Verbindung von MgB2-Supraleiterdrähten über eine MgB2-Matrix aus einem Mg-infiltrierten Borpulver-Presskörper |
IT1398934B1 (it) * | 2009-06-18 | 2013-03-28 | Edison Spa | Elemento superconduttivo e relativo procedimento di preparazione |
JP2013229237A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Univ Of Tokyo | 超電導線材、超電導線材の前駆体及びその製造方法、並びに、超電導多芯導体の前駆体 |
FR3034365B1 (fr) * | 2015-03-31 | 2017-05-19 | Metrolab | Cryostat, vehicule de transport a sustentation magnetique et systeme de transport a sustentation magnetique associes |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4751048A (en) * | 1984-10-19 | 1988-06-14 | Martin Marietta Corporation | Process for forming metal-second phase composites and product thereof |
US4777014A (en) * | 1986-03-07 | 1988-10-11 | Lanxide Technology Company, Lp | Process for preparing self-supporting bodies and products made thereby |
US4718941A (en) * | 1986-06-17 | 1988-01-12 | The Regents Of The University Of California | Infiltration processing of boron carbide-, boron-, and boride-reactive metal cermets |
US4859652A (en) * | 1987-11-16 | 1989-08-22 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Method for preparation of high temperature superconductors using trichloroacetates |
US5002926A (en) * | 1988-02-12 | 1991-03-26 | W. R. Grace & Co.- Conn. | Ceramic composition |
US5372178A (en) * | 1989-01-13 | 1994-12-13 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of producing ceramic composite bodies |
US5177054A (en) * | 1991-04-08 | 1993-01-05 | Emerson Electric Co. | Flux trapped superconductor motor and method therefor |
US5366686A (en) * | 1993-03-19 | 1994-11-22 | Massachusetts Institute Of Technology, A Massachusetts Corporation | Method for producing articles by reactive infiltration |
JPH07245426A (ja) * | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超電導加速器用クライオスタット |
JPH08288125A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-11-01 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 超電導磁気浮上装置並びにその超電導体の磁化方法 |
US6769473B1 (en) * | 1995-05-29 | 2004-08-03 | Ube Industries, Ltd. | Method of shaping semisolid metals |
US5711366A (en) * | 1996-05-31 | 1998-01-27 | Thixomat, Inc. | Apparatus for processing corrosive molten metals |
JPH11234898A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導限流器 |
JPH11248810A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Rikagaku Kenkyusho | 核磁気共鳴装置 |
KR100413533B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2003-12-31 | 학교법인 포항공과대학교 | 초전도 마그네슘 보라이드(MgB₂) 박막의 제조 방법 및제조 장치 |
WO2002103370A2 (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-27 | Northwestern University | Superconducting mg-mgb2 and related metal composites and methods of preparation |
ITMI20021004A1 (it) * | 2002-05-10 | 2003-11-10 | Edison Spa | Metodo per la realizzazione di fili superconduttori a base di filamenti cavi di mgb2 |
-
2001
- 2001-05-11 IT IT2001MI000978A patent/ITMI20010978A1/it unknown
-
2002
- 2002-05-10 US US10/474,918 patent/US7396506B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-10 CN CNB028091612A patent/CN100452467C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-10 CA CA2445104A patent/CA2445104C/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-10 ES ES02727859T patent/ES2269685T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-10 EP EP02727859A patent/EP1390992B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-10 IL IL15846002A patent/IL158460A0/xx active IP Right Grant
- 2002-05-10 JP JP2002590428A patent/JP4431313B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-10 AT AT02727859T patent/ATE335287T1/de active
- 2002-05-10 RU RU2003130954/03A patent/RU2264366C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2002-05-10 KR KR1020037013903A patent/KR100904321B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-05-10 DE DE60213588T patent/DE60213588T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-10 WO PCT/IB2002/001594 patent/WO2002093659A2/en active IP Right Grant
- 2002-05-10 AU AU2002258044A patent/AU2002258044B2/en not_active Ceased
-
2003
- 2003-10-16 IL IL158460A patent/IL158460A/en not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-02-16 HK HK05101232.1A patent/HK1069012A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HK1069012A1 (en) | 2005-05-06 |
JP4431313B2 (ja) | 2010-03-10 |
WO2002093659A3 (en) | 2003-10-16 |
CN1537335A (zh) | 2004-10-13 |
IL158460A0 (en) | 2004-05-12 |
CA2445104C (en) | 2011-06-21 |
IL158460A (en) | 2011-02-28 |
WO2002093659A2 (en) | 2002-11-21 |
US7396506B2 (en) | 2008-07-08 |
CA2445104A1 (en) | 2002-11-21 |
ITMI20010978A1 (it) | 2002-11-11 |
AU2002258044B2 (en) | 2007-03-15 |
ITMI20010978A0 (it) | 2001-05-11 |
EP1390992B1 (en) | 2006-08-02 |
EP1390992A2 (en) | 2004-02-25 |
KR20030092102A (ko) | 2003-12-03 |
DE60213588D1 (de) | 2006-09-14 |
CN100452467C (zh) | 2009-01-14 |
KR100904321B1 (ko) | 2009-06-23 |
DE60213588T2 (de) | 2007-08-02 |
US20040124086A1 (en) | 2004-07-01 |
ATE335287T1 (de) | 2006-08-15 |
ES2269685T3 (es) | 2007-04-01 |
JP2005508278A (ja) | 2005-03-31 |
RU2264366C2 (ru) | 2005-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5084088A (en) | High temperature alloys synthesis by electro-discharge compaction | |
RU2003130954A (ru) | Способ получения сильно уплотненных, сверхпроводящих массивных тел из mgb2, связанных с ними твердых конечных продуктов и их использование | |
EP1394112B1 (en) | Mgb2 based superconductor having high critical current density and method for preparation thereof | |
CN111304492B (zh) | 一种低温n型热电材料及其制备方法 | |
Lee et al. | Superconductivity in the series (La1− xThx) NiC2 (0≤ x≤ 0.8) | |
AU2002258044A1 (en) | Method for the preparation of highly densified superconductor massive bodies of MgB2 | |
US6740288B2 (en) | Process for preparing a powdered W-Al alloy | |
CN101608340B (zh) | 一种铁基高温超导晶体及其制备方法 | |
Park et al. | Structure and decomposition behaviour of rapidly solidified Mg Nd X (X Al, Si) Alloys | |
Whang et al. | Tetragonal distortion and its relaxation in rapidly quenched L10 TiAl compounds | |
JPS63179052A (ja) | 蓄冷材料の製造方法 | |
US20090048114A1 (en) | Alloy superconductor and methods of making the same | |
JP5916009B2 (ja) | 鉄系超電導体のウィスカー結晶とその製造方法 | |
Ariff et al. | The effect of powder sintering method on the densification and microstructure of pewter alloys | |
JPS63245825A (ja) | 超電導性複合体の製造方法 | |
JP2006124728A (ja) | 活性金属を含む金属材料の製造方法、製造装置及びこの製造方法により得られる活性金属を含む金属材料 | |
JPH1084138A (ja) | R−Fe−B系焼結熱電変換素子とその製造方法 | |
SU1760563A1 (ru) | Способ получени заготовки посто нного магнита | |
Weldon et al. | Single residency sintering and consolidation of powder metal alloys, intermetallics, and composites by pulsed homopolar generator discharge | |
Tanabe et al. | Sintering Behavior of Fe-W and Fe-Ni Alloys at High Temperature | |
Maeland et al. | Preparation of Ti2CuAl5 by Reactive Sintering | |
RO130252B1 (ro) | Material supraconductor pe bază de mgb, prelucrabil mecanic şi concentrator de câmp magnetic | |
WO2003043936A1 (en) | A METHOD FOR SYNTHESIZING MAGNESIUM DIBORIDE (MgB2) IN BULK FORM | |
Bobet et al. | Hydrogen storage properties of TiMn sub 2 based alloys | |
JPS5886706A (ja) | 永久磁石の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150511 |