RU2003110979A - Способ изготовления программируемых элементов - Google Patents

Claims (7)

1. Способ изготовления прогаммируемых элементов, включающий формирование на полупроводниковой подложке с элементами ИС, покрытыми диэлектрическим слоем с контактными окнами проводников нижнего уровня и нижних электродов программируемых элементов методом нанесения и локального травления первого проводящего слоя из материала на основе алюминия, формирование методом нанесения и локального травления локальных областей первого барьерного слоя, контактирующих с нижними электродами, локальных областей слоя материала программируемых элементов, контактирующих с первым барьерным слоем, локальных областей второго барьерного слоя над локальными областями слоя материала программируемых элементов, формирование изолирующего слоя, формирование окон в изолирующем слое, формирование проводников верхнего уровня и верхних электродов методом нанесения и локального травления второго проводящего слоя из материала на основе алюминия, отличающийся тем, что после нанесения первого проводящего слоя из материала на основе алюминия осуществляют нанесение первого барьерного слоя, слоя материала программируемых элементов, второго барьерного слоя и дополнительного слоя на основе алюминия, формируют маску фоторезиста в виде локальных областей в местах расположения нижних электродов программируемых элементов, проводят локальное травление дополнительного слоя на основе алюминия, второго барьерного слоя, слоя материала программируемых элементов и первого барьерного слоя до первого проводящего слоя на основе алюминия, в результате чего формируются локальные области травимых слоев, удаляют фоторезист, формируют маску фоторезиста, покрывающую области расположения проводников нижнего уровня и нижних электродов с расположенными над ними локальными областями травимых слоев, осуществляют локальное травление не покрытых фоторезистом областей первого проводящего слоя на основе алюминия до диэлектрической пленки, удаляют фоторезист, формируют изолирующий слой, формируют маску фоторезиста с окнами над поверхностью локальных областей травимых слоев в местах расположения нижних электродов программируемых элементов, а так же над поверхностью первого проводящего слоя на основе алюминия в местах расположения межуровневых контактов, проводят локальное стравливание изолирующего слоя в окнах фоторезиста, удаляют фоторезист, проводят формирование проводников верхнего уровня, методом нанесения и локального травления второго проводящего слоя из материала на основе алюминия.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение первого проводящего слоя из материала на основе алюминия включает нанесение нижнего контактного слоя титана, барьерного слоя нитрида титана и верхнего низкоомного слоя алюминия, легированого кремнием.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что материалом первого и второго барьерных слоев является нитрид титана.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что слоем материала программируемых элементов является слой аморфного кремния.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение слоя материала программируемых элементов включает нанесение нижнего подслоя нитрида кремния, слоя аморфного кремния и верхнего подслоя нитрида кремния.

6. Способ по п.1, отличающийся тем, что формирование изолирующего слоя включает плазмохимическое осаждение первого слоя двуокиси кремния, формирование планаризующего слоя из растворной композиции, плазмохимическое осаждение второго слоя двуокиси кремния.

7. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение второго проводящего слоя из материала на основе алюминия включает нанесение нижнего слоя титана, верхнего низкоомного слоя алюминия легированного кремнием, антиотражающего слоя нитрида титана.