RU2002111669A - Шаровидные частицы поликристаллического фторида щелочного или щелочноземельного металла, их получение и применение - Google Patents

Шаровидные частицы поликристаллического фторида щелочного или щелочноземельного металла, их получение и применение

Info

Publication number
RU2002111669A
RU2002111669A RU2002111669/15A RU2002111669A RU2002111669A RU 2002111669 A RU2002111669 A RU 2002111669A RU 2002111669/15 A RU2002111669/15 A RU 2002111669/15A RU 2002111669 A RU2002111669 A RU 2002111669A RU 2002111669 A RU2002111669 A RU 2002111669A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
fluoride
feedstock
crystalline
spherical particles
optical
Prior art date
Application number
RU2002111669/15A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр МАЙОЛЕ (FR)
Александр МАЙОЛЕ
Майкл ПЕЛЛ (FR)
Майкл ПЕЛЛ
Original Assignee
Корнинг Инкорпорейтед (US)
Корнинг Инкорпорейтед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Корнинг Инкорпорейтед (US), Корнинг Инкорпорейтед filed Critical Корнинг Инкорпорейтед (US)
Publication of RU2002111669A publication Critical patent/RU2002111669A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B9/00—General methods of preparing halides
    • C01B9/08—Fluorides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01D—COMPOUNDS OF ALKALI METALS, i.e. LITHIUM, SODIUM, POTASSIUM, RUBIDIUM, CAESIUM, OR FRANCIUM
    • C01D15/00—Lithium compounds
    • C01D15/04—Halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01D—COMPOUNDS OF ALKALI METALS, i.e. LITHIUM, SODIUM, POTASSIUM, RUBIDIUM, CAESIUM, OR FRANCIUM
    • C01D3/00—Halides of sodium, potassium or alkali metals in general
    • C01D3/02—Fluorides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F11/00—Compounds of calcium, strontium, or barium
    • C01F11/20—Halides
    • C01F11/22—Fluorides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/12—Halides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Claims (39)

1. Поликристаллический фторид щелочного или щелочноземельного металла, отличающийся тем, что он имеет форму шаровидных частиц, обладающих диаметром или эквивалентным диаметром более чем или равным 100 мкм, предпочтительно между 100 мкм и 2 см; и насыпной плотностью более чем или равной 60%, предпочтительно, по меньшей мере, 90% теоретической плотности указанного фторида.
2. Фторид по п.1, отличающийся тем, что указанные шаровидные частицы характеризуются содержанием кислорода менее чем 200 млн-1, предпочтительно, менее чем 50 млн-1.
3. Фторид по п.1, отличающийся тем, что фторид выбирают из фторидов лития, магния, кальция или бария и, предпочтительно, он состоит из фторида кальция.
4. Способ получения фторида, отличающийся тем, что он включает в себя, будучи проводимым в отсутствие влаги и кислорода, предпочтительно, при пониженном давлении, указанные ниже последовательные стадии, на которых приготавливают расплавленную массу фторида щелочного или щелочноземельного металла, предоставляют возможность указанной расплавленной массе протекать, по меньшей мере, через одно отверстие в открытое пространство, при этом поддерживают существенное различие между температурой указанной расплавленной массы и температурой указанного пространства, в которое вводят указанную расплавленную массу так, что на выходе из указанного отверстия (отверстий) расплавленная масса разбивается на капельки, предоставляют возможность указанным капелькам падать вдоль вертикальной оси указанного пространства, что приводит к их постепенному отверждению, извлекают указанные полностью отвержденные капельки в виде шаровидных частиц.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что его осуществляют в инертной атмосфере.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что его осуществляют во фторирующей атмосфере, по меньшей мере, один фторируюший агент вводят на уровне указанной расплавленной массы и/или в указанное пространство.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что указанный фторирующий агент вводят в твердом состоянии, предпочтительно в указанную расплавленную массу, и он состоит, предпочтительно, из PbF2, NH4F, NH4F·HF или политетрафторэтилена, особенно предпочтительно PbF2.
8. Способ по п.6, отличающийся тем, что указанный фторирующий агент вводят в виде газа, и он состоит, предпочтительно, из HF, F2 или NF3.
9. Способ по п.4, отличающийся тем, что к указанной расплавленной массе прикладывают большее давление, чем давление в указанном пространстве.
10. Способ получения монокристаллического фторида щелочного или щелочноземельного металла посредством кристаллизации соответствующего поликристаллического фторида, отличающийся тем, что используют поликристаллический фторид по п.1.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что указанный поликристаллический фторид уплотняют в виде шаровидных частиц различного диаметра.
12. Способ по п.10, отличающийся тем, что указанное получение осуществляют в присутствии, по меньшей мере, одного фторирующего агента.
13. Способ по п.10, отличающийся тем, что его осуществляют для получения монокристаллического фторида кальция из шаровидных частиц поликристаллического фторида кальция.
14. Исходное оптическое кристаллическое фторидное сырье для формирования оптического кристалла фторида, обладающего теоретической плотностью монокристалла фторида кальция, причем указанное исходное сырье включает в себя множество поликристаллических твердых шаровидных частиц фторида кальция, обладающих диаметром или эквивалентным диаметром более чем или равным 100 мкм, предпочтительно между 100 мкм и 2 см, и насыпной плотностью более чем или равной 60%, предпочтительно, по меньшей мере, 90% теоретической плотности оптического кристаллического фторида.
15. Исходное сырье по п.14, отличающееся тем, что указанные шаровидные частицы состоят в основном из Са и F.
16. Исходное по п.15, отличающееся тем, что указанные шаровидные частицы характеризуются содержанием примеси Na<2 млн-1, содержанием примеси К<2 млн-1; содержанием примеси Mn≤0,6 млн-1; и содержанием примеси Fe<0,2 млн-1.
17. Исходное оптическое кристаллическое фторидное сырье для формирования оптического кристалла фторида, обладающего теоретической плотностью монокристалла фторида лития, причем указанное исходное сырье включает в себя множество поликристаллических твердых шаровидных частиц фторида лития, обладающих диаметром или эквивалентным диаметром более чем или равным 100 мкм, предпочтительно между 100 мкм и 2 см, и насыпной плотностью более чем или равной 60%, предпочтительно, по меньшей мере, 90% теоретической плотности оптического кристаллического фторида.
18. Исходное сырье по п.17, отличающееся тем, что указанные шаровидные частицы состоят в основном из Li и F.
19. Исходное сырье по п.17, отличающееся тем, что указанные шаровидные частицы характеризуются содержанием примеси Na, равным <2 млн-1, содержанием примеси К<2 млн-1, содержанием примеси Mn≤0,6 млн-1, и содержанием примеси Fe<0,2 млн-1.
20. Исходное оптическое кристаллическое фторидное сырье для формирования оптического кристалла фторида, обладающего теоретической плотностью монокристалла фторида магния, причем указанное сырье включает в себя множество поликристаллических твердых шаровидных частиц фторида магния, обладающих диаметром или эквивалентным диаметром более чем или равным 100 мкм, предпочтительно между 100 мкм и 2 см, и насыпной плотностью более чем или равной 60%, предпочтительно, по меньшей мере, 90% теоретической плотности оптического кристаллического фторида.
21. Исходное сырье по п.20, отличающееся тем, что указанные шаровидные частицы состоят в основном из Mg и F.
22. Исходное сырье по п.20, отличающееся тем, что указанные шаровидные частицы характеризуются содержанием примеси Na<2 млн-1, содержанием примеси К<2 млн-1, содержанием примеси Mn≤0,6 млн-1, и содержанием примеси Fe<0,2 млн-1.
23. Исходное оптическое кристаллическое фторидное сырье для формирования оптического кристалла фторида, обладающего теоретической плотностью монокристалла фторида бария, причем указанное сырье включает в себя множество поликристаллических твердых шаровидных частиц фторида бария, обладающих диаметром или эквивалентным диаметром более чем или равным 100 мкм, предпочтительно между 100 мкм и 2 см, и насыпной плотностью более чем или равной 60%, предпочтительно, по меньшей мере, 90% теоретической плотности оптического кристаллического фторида.
24. Исходное сырье по п.23, отличающееся тем, что указанные шаровидные частицы состоят в основном из Ва и F.
25. Исходное сырье по п.23, отличающееся тем, что указанные шаровидные частицы характеризуются содержанием примеси Na<2 млн-1, содержанием примеси К<2 млн-1, содержанием примеси Mn≤0,6 млн-1, и содержанием примеси Fe<0,2 млн-1.
26. Способ изготовления заготовки оптического кристалла фторида, причем в указанном способе осуществляют следующие стадии подготавливают тигель для выращивания кристаллов, подготавливают печь для выращивания кристаллов, подготавливают исходное оптическое кристаллическое фторидное сырье, причем указанное исходное сырье включает в себя поликристаллические твердые шаровидные частицы, загружают указанное исходное оптическое кристаллическое фторидное сырье в указанный тигель для выращивания кристаллов, расплавляют указанное исходное сырье в виде шаровидных частиц в указанном тигле для выращивания кристаллов и отверждают в указанной печи для выращивания кристаллов указанное расплавленное исходное сырье в виде шаровидных частиц в указанном тигле для формирования оптического монокристалла фторида.
27. Способ изготовления кристалла УФ оптического литографического элемента, причем указанный кристалл имеет теоретическую плотность оптического монокристалла, и указанный способ включает в себя следующие стадии, на которых: подготавливают графитовый тигель для выращивания кристаллов, подготавливают вакуумную печь для выращивания кристаллов, подготавливают исходное оптическое кристаллическое фторидное сырье, причем указанное исходное сырье включает в себя поликристаллические твердые шаровидные частицы, обладающие диаметром ≥100 мкм и насыпной плотностью ≥60% указанной теоретической плотности оптического монокристалла, расплавляют указанное подготовленное исходное сырье в виде шаровидных частиц в указанном тигле для выращивания кристаллов, расположенном в указанной печи для выращивания кристаллов, отверждают указанное расплавленное исходное сырье получения заготовки кристалла монокристаллического оптического элемента из фторида.
28. Кристаллическое исходное сырье, причем указанное сырье включает в себя отвержденный расплав фторида металла, и указанный отвержденный расплав фторида металла состоит из фтора и одного металла М, где М выбирают из группы щелочного/щелочноземельного металла, состоящей из щелочных и щелочноземельных металлов, а указанное сырье находится в виде шаровидных частиц, обладающих диаметром или эквивалентным диаметром большим или равным 100 мкм, и насыпной плотностью большей или равной 60% теоретической плотности указанного фторида металла.
29. Кристаллическое исходное сырье по п.28, отличающееся тем, что указанный отвержденный из расплава фторид металла состоит в основном из М и F.
30. Кристаллическое исходное сырье по п.28, отличающееся тем, что указанное сырье характеризуется содержанием хлорида металла (М) меньшим, чем 1%.
31. Кристаллическое исходное сырье по п.28, отличающееся тем, что М представляет собой щелочной металл.
32. Кристаллическое исходное сырье по п.28, отличающееся тем, что М представляет собой щелочноземельный металл.
33. Кристаллическое исходное сырье по п.28, отличающееся тем, что М представляет собой Li.
34. Кристаллическое исходное сырье по п.28, отличающееся тем, что М представляет собой Са.
35. Кристаллическое исходное сырье по п.28, отличающееся тем, что М представляет собой Mg.
36. Кристаллическое исходное сырье по п.28, отличающееся тем, что М представляет собой Ва.
37. Кристаллическое исходное сырье по п.28, отличающееся тем, что указанные шаровидные частицы имеют диаметр между 100 мкм и 2 см.
38. Кристаллическое исходное сырье по п.28, отличающееся тем, что указанные шаровидные частицы имеют насыпную плотность, равную, по меньшей мере, 90% теоретической плотности указанного фторида металла.
39. Кристаллическое исходное сырье по п.28, отличающееся тем, что указанное исходное сырье характеризуется содержанием примеси Na<2 млн-1, содержанием примеси К<2 млн-1, содержанием примеси Mn≤0,6 млн-1, и содержанием примеси Fe<0,2 млн-1.
RU2002111669/15A 1999-10-05 2000-09-26 Шаровидные частицы поликристаллического фторида щелочного или щелочноземельного металла, их получение и применение RU2002111669A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR99/12386 1999-10-05
FR9912386A FR2799194B1 (fr) 1999-10-05 1999-10-05 Billes d'un fluorure d'alcalin ou d'alcalino-terreux polycristallin, leur preparation et leur utilisation pour preparer des monocristaux

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2002111669A true RU2002111669A (ru) 2004-01-27

Family

ID=9550573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002111669/15A RU2002111669A (ru) 1999-10-05 2000-09-26 Шаровидные частицы поликристаллического фторида щелочного или щелочноземельного металла, их получение и применение

Country Status (11)

Country Link
US (2) US6451106B1 (ru)
EP (1) EP1226028A4 (ru)
JP (1) JP2003511327A (ru)
KR (1) KR20020048947A (ru)
CN (1) CN1420819A (ru)
AU (1) AU7617400A (ru)
FR (1) FR2799194B1 (ru)
HK (1) HK1048455A1 (ru)
RU (1) RU2002111669A (ru)
TW (1) TW576823B (ru)
WO (1) WO2001025001A1 (ru)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030075778A1 (en) * 1997-10-01 2003-04-24 Patrick Klersy Programmable resistance memory element and method for making same
NL1014401C2 (nl) * 2000-02-17 2001-09-04 Stichting Tech Wetenschapp Ceriumhoudend anorganisch scintillatormateriaal.
EP1154046B1 (en) * 2000-05-09 2011-12-28 Hellma Materials GmbH & Co. KG Fluoride crystalline optical lithography lens element blank
DE10142651C5 (de) * 2001-08-31 2009-04-23 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von hoch homogenen strahlenbeständigen streufreien Einkristallen, eines damit erhaltenen Ingots sowie deren Verwendung
US20030070606A1 (en) * 2001-10-05 2003-04-17 Leblond Nicolas Preparation of feedstock of alkaline earth and alkali metal fluorides
US6669920B2 (en) * 2001-11-20 2003-12-30 Corning Incorporated Below 160NM optical lithography crystal materials and methods of making
FR2847594B1 (fr) * 2002-11-27 2004-12-24 Saint Gobain Cristaux Detecteu Preparation de blocs d'halogenure de terre rare
WO2004076353A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-10 Honeywell Specialty Chemicals Seelze Gmbh Process for producing calcium fluoride
EP1475464A1 (en) * 2003-05-06 2004-11-10 Corning Incorporated Method for producing an optical fluoride crystal
JP2005029418A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Mitsubishi Materials Corp ＬｉＦ蒸着材及びその製造方法
EP1529754A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-11 Corning Incorporated A method of producing a rounded powder of metal fluoride compounds
EP1550745A1 (en) * 2003-12-24 2005-07-06 Corning Incorporated Metal fluoride crystals suitable for UV applications prepared from particles having a small surface area
US20060249072A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Csillag Frank J Method of synthesizing a fluoride growth material for improved outgassing
DE102010044017B4 (de) 2010-11-17 2013-06-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung von Alkali- oder Erdalkalifluorid-Kristallen und nach dem Verfahren hergestellte Kristalle
WO2012165334A1 (ja) * 2011-05-27 2012-12-06 株式会社ニコン ＣａＦ２多結晶体、フォーカスリング、プラズマ処理装置及びＣａＦ２多結晶体の製造方法
US9228102B2 (en) 2014-04-03 2016-01-05 Xerox Corporation Scratch resistant inks
EP3265064A4 (en) * 2015-03-04 2018-11-07 Microvention, Inc. Drug delivery device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE664534A (ru) * 1964-05-26 1965-09-16
US3480385A (en) * 1965-11-29 1969-11-25 Ibm Process for growing single crystals
US3981818A (en) * 1971-10-26 1976-09-21 The Harshaw Chemical Company Crystalline materials
US4038201A (en) * 1972-03-24 1977-07-26 Optovac, Inc. Polycrystalline bodies and means for producing them
SU949006A1 (ru) * 1973-01-11 1982-08-07 Карагандинский металлургический комбинат Окатыши дл рафинировани металлов
US4190487A (en) 1975-12-30 1980-02-26 Hughes Aircraft Company Reactive atmosphere processing method of crystal growth of alkaline earth chlorides
US4146379A (en) * 1977-08-24 1979-03-27 University Of Southern California Process for densifying polycrystalline articles
US4282024A (en) * 1977-08-24 1981-08-04 The University Of Southern California Apparatus for making polycrystalline articles
US4379733A (en) 1981-10-02 1983-04-12 Hughes Aircraft Company Bicameral mode crystal growth apparatus and process
US5441803A (en) * 1988-08-30 1995-08-15 Onyx Optics Composites made from single crystal substances
US5578284A (en) * 1995-06-07 1996-11-26 Memc Electronic Materials, Inc. Silicon single crystal having eliminated dislocation in its neck
JP4154744B2 (ja) * 1997-12-01 2008-09-24 株式会社ニコン フッ化カルシウム結晶の製造方法および原料の処理方法
US6117807A (en) * 1998-01-02 2000-09-12 Materials And Systems Research, Inc. Alkali-metal-β- and β"-alumina and gallate polycrystalline ceramics and fabrication by a vapor phase method
JP3631063B2 (ja) 1998-10-21 2005-03-23 キヤノン株式会社 フッ化物の精製方法及びフッ化物結晶の製造方法
US6228165B1 (en) * 1999-07-28 2001-05-08 Seh America, Inc. Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001025001A9 (en) 2002-11-07
TW576823B (en) 2004-02-21
US20030000456A1 (en) 2003-01-02
AU7617400A (en) 2001-05-10
WO2001025001A1 (en) 2001-04-12
FR2799194B1 (fr) 2001-12-14
CN1420819A (zh) 2003-05-28
FR2799194A1 (fr) 2001-04-06
JP2003511327A (ja) 2003-03-25
EP1226028A1 (en) 2002-07-31
KR20020048947A (ko) 2002-06-24
EP1226028A4 (en) 2006-11-02
HK1048455A1 (zh) 2003-04-04
US6726766B2 (en) 2004-04-27
US6451106B1 (en) 2002-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2002111669A (ru) Шаровидные частицы поликристаллического фторида щелочного или щелочноземельного металла, их получение и применение
US7226508B2 (en) Quartz glass crucible and method for the production thereof
US6510707B2 (en) Methods for making silica crucibles
JP4803784B2 (ja) シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法
JPS647040B2 (ru)
US4055457A (en) Method for growing absorption-free alkali metal halide single crystals
JPH107491A (ja) 高純度銅単結晶及びその製造方法並びにその製造装置
JP3304131B2 (ja) 石英粉の脱水方法
CN1200148C (zh) 一种用于直拉法生长单晶硅的硅籽晶夹持器
JP3168294B2 (ja) フツ化バリウムリチウム単結晶およびその製造方法
US3926566A (en) Processing alkali metal halide salts for growing into crystals in accordance with stockbarger process
JPH11130594A (ja) フッ化物結晶の製造方法およびフッ化物結晶ならびに光学部品
KR20060015524A (ko) 불화물 결정의 제조 장치
EP1364912A2 (en) Hydrogen-doped silica powder, its method of production and a quartz glass crucible made from the powder
JP2002060299A (ja) フッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶とその製造方法
JP2000351696A (ja) フッ化物バルク単結晶の製造方法
JPH06279174A (ja) 酸化物単結晶の製造方法
KR950006635B1 (ko) LiTaO₃단결정 성장용 원료분말의 제조방법
JPH02271989A (ja) ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法
CN1210155A (zh) 低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用
JP2006117494A (ja) フッ化金属単結晶体の製造方法および該方法により製造されるフッ化金属のアズグロウン単結晶体
JP2002234795A (ja) フッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶及びその製造方法
JPH01115897A (ja) フッ化マグネシウム単結晶の製造方法
JPH02293397A (ja) フッ化イットリウムリチウム単結晶の製造方法
JPH05208886A (ja) 単結晶の製造方法