RU2001101436A - Способ получения пористой изоляционной композиции (варианты), композиция, используемая для получения пористого изоляционного материала (варианты) и полупроводниковое устройство - Google Patents

Способ получения пористой изоляционной композиции (варианты), композиция, используемая для получения пористого изоляционного материала (варианты) и полупроводниковое устройство

Info

Publication number
RU2001101436A
RU2001101436A RU2001101436/28A RU2001101436A RU2001101436A RU 2001101436 A RU2001101436 A RU 2001101436A RU 2001101436/28 A RU2001101436/28 A RU 2001101436/28A RU 2001101436 A RU2001101436 A RU 2001101436A RU 2001101436 A RU2001101436 A RU 2001101436A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
branched
linear
dielectric
consumable material
composition
Prior art date
Application number
RU2001101436/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2195050C2 (ru
Inventor
Пол Э. КОЛ (US)
Пол Э. КОЛ
Original Assignee
Джорджиэ Тек Рисеч Копэрейшн (Us)
Джорджиэ Тек Рисеч Копэрейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Джорджиэ Тек Рисеч Копэрейшн (Us), Джорджиэ Тек Рисеч Копэрейшн filed Critical Джорджиэ Тек Рисеч Копэрейшн (Us)
Application granted granted Critical
Publication of RU2195050C2 publication Critical patent/RU2195050C2/ru
Publication of RU2001101436A publication Critical patent/RU2001101436A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02203—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31695—Deposition of porous oxides or porous glassy oxides or oxide based porous glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/318—Inorganic layers composed of nitrides
    • H01L21/3185—Inorganic layers composed of nitrides of siliconnitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/5329—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Claims (57)

1. Способ получения пористой изоляционной композиции, отличающийся тем, что получают по крайней мере одну композицию органический расходуемый материал/диэлектрик, содержащую по крайней мере один органический расходуемый материал и по крайней мере один диэлектрик, и осуществляют термическое удаление по крайней мере одного органического расходуемого материала по крайней мере из одной композиции органический расходуемый материал/диэлектрик с формированием пор по крайней мере в одном диэлектрике, при этом в качестве крайней мере одного диэлектрика используют нанесенный центрифугированием полимер-диэлектрик, который выбирают из метилсилсесквиоксана, гидросилсесквиоксана и смешанных силсесквиоксанов.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что термическое удаление осуществляют путем нагревания по крайней мере одного органического расходуемого материала до температуры, равной или выше температуры его разложения.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что при нагревании отверждают по крайней мере один диэлектрик.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед получением по крайней мере одной композиции фильтруют по крайней мере один органический расходуемый материал.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед термическим удалением по крайней мере одного органического расходуемого материала наносят на поверхность по крайней мере одну композицию органический расходуемый материал/диэлектрик.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве по крайней мере одного органического расходуемого материала используют по крайней мере один циклический олефин или его полимер.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что в качестве по крайней мере одного циклического олефина или его полимера используют по крайней мере один дициклический олефин или его полимер.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве по крайней мере одного органического расходуемого материала используют по крайней мере один полимер норборненового типа.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что полимер норборненового типа включает повторяющиеся звенья общей формулы
Figure 00000001
где R1 и R4 независимо означают водород или линейный или разветвленный (С1-С20)алкил;
R2 и R3 независимо означают водород, линейный или разветвленный (С1-С20)алкил или группы
Figure 00000002
где R9 независимо означает водород, метил или этил, R10, R11 и R12 независимо означают линейный или разветвленный (С1-С20)алкил, линейный или разветвленный (С1-С20)алкокси, линейный или разветвленный (С1-С20)алкилкарбонилокси и замещенный или незамещенный (С6-С20)арилокси;
m=0-4;
n=0-5,
и по крайней мере один из заместителей R2 и R3 выбирают из силильных групп, представленных формулой Ia.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что по крайней мере один из R10, R11 или R12 выбирают из линейных или разветвленных (С1-С10)-алкоксигрупп, а R9 означает водород.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что все R10, R11 или R12 имеют одинаковое значение и их выбирают из группы, включающей метокси, этокси, пропокси, бутокси и пентоксигруппы.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что n = 0, а каждый из R10, R11 или R12 означает этоксигруппу.
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что R2 или R3 означает триэтоксисилильный заместитель.
14. Способ по п.9, отличающийся тем, что в формуле I, представленной выше, m = 0 или 1, как показано в формулах Ib и Ic, соответственно
Figure 00000003
где R1-R4 определены ранее;
по крайней мере один из R2 и R3 означает силильный заместитель, представленный формулой Iа.
15. Способ по п.9, отличающийся тем, что R1 и R4 объединены с двумя циклическими атомами углерода, к которым они присоединены, с образованием повторяющихся звеньев следующей структуры:
Figure 00000004
где В означает метиленовую группу;
q=2-6;
R2 и R3 определены выше.
16. Способ по п.9, отличающийся тем, что полимер норборненового типа, кроме того, включает замещенные углеводородными заместителями полициклические повторяющиеся звенья, которые выбирают из звеньев формулы II, представленной ниже
Figure 00000005
где R5, R6, R7 и R8 независимо означают водород, линейный и разветвленный (С1-С20)алкил, (С5-C12)циклоалкил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (С6-С40)арил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (С7-С15)аралкил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (С3-С20)алкинил, линейный и разветвленный (С3-С20)алкенил или винил; любые из R5 и R6 или R7 и R8 могут быть объединены с образованием (С1-С10)алкилиденильной группы, R5 и R8 могут быть объединены с двумя атомами углерода цикла, к которым они присоединены, с образованием насыщенных или ненасыщенных циклических групп, содержащих от 4 до 12 атомов углерода или ароматического кольца, содержащего от 6 до 17 атомов углерода;
р=0, 1, 2, 3 или 4.
17. Способ по п.8, отличающийся тем, что полимер норборненового типа включает повторяющиеся звенья, представленные формулой III, представленной ниже
Figure 00000006
где R9-R12 независимо означают полярные заместители, которые выбирают из группы: -(A)n-C(O)OR’’, -(A)n-OR’’, -(A)n-OC(O)R’’, -(A)n-OC(O)OR’’, -(A)n-C(O)R’’, -(A)n-OC(O)C(O)OR’’, -(A)n-O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-OC(O)-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)-A’-OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-OC(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-OC(O)C(O)OR’’, -(A)n-C(R’’)2CH(R’’)(C(O)OR’’) и -(A)n-C(R’’)2CH(C(O)OR’’)2, а остатки А и А’ независимо означают двухвалентный мостиковый или спейсерный радикал, который выбирают из группы, включающей двухвалентные углеводородные радикалы, двухвалентные циклические углеводородные радикалы, двухвалентные кислородсодержащие радикалы и двухвалентные циклические простые эфиры и диэфиры, и n=0 или 1.
18. Способ по п.8, отличающийся тем, что по крайней мере один полимер норборненового типа включает сополимеры, содержащие комбинацию повторяющихся звеньев, представленных формулами I и II, формулами I и III, формулами II и III или формулами I, II и III, где формула I означает
Figure 00000007
где R1 и R4 независимо означают водород или линейный или разветвленный (С1-С20)алкил;
R2 и R3 независимо означают водород, линейный или разветвленный (С1-С20)алкил или группы
Figure 00000008
где R9 независимо означает водород, метил или этил, R10, R11 и R12 независимо означают линейный или разветвленный (С1-С20)алкил, линейный или разветвленный (С1-С20)алкокси, линейный или разветвленный (С1-С20)алкилкарбонилокси и замещенный или незамещенный (С6-С20)арилокси;
m=0-4;
n=0-5,
и по крайней мере один из заместителей R2 и R3 выбирают из силильных групп, представленных формулой Ia,
формула II означает
Figure 00000009
где R5, R6, R7 и R8 независимо означают водород, линейный и разветвленный (С1-С20)алкил, (С5-С12)циклоалкил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (C6-C40)арил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (С7-С15)аралкил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (С3-С20)алкинил, линейный и разветвленный (С3-С20)алкенил или винил, любые из R5 и R6 или R7 и R8 могут быть объединены с образованием (С1-С10)алкилиденильной группы, R5 и R8 могут быть объединены с двумя атомами углерода цикла, к которым они присоединены, с образованием насыщенных или ненасыщенных циклических групп, содержащих от 4 до 12 атомов углерода или ароматического кольца, содержащее от 6 до 17 атомов углерода;
р=0, 1, 2, 3 или 4,
формула III означает
Figure 00000010
где R9-R12 независимо означают полярные заместители, которые выбирают из группы: -(A)n-C(O)OR’’, -(A)n-OR’’, -(A)n-OC(O)R’’, -(A)n-OC(O)OR’’, -(A)n-C(O)R’’, -(A)n-OC(O)C(O)OR’’, -(A)n-O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-OC(O)-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)-A’-OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-OC(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-OC(O)C(O)OR’’, -(A)n-C(R’’)2CH(R’’)(C(O)OR’’) и -(A)n-C(R’’)2CH(C(O)OR’’)2, а остатки А и А’ независимо означают двухвалентный мостиковый или спейсерный радикал, который выбирают из группы, включающей двухвалентные углеводородные радикалы, двухвалентные циклические углеводородные радикалы, двухвалентные кислородсодержащие радикалы и двухвалентные циклические простые эфиры и диэфиры, и n=0 или 1.
19. Способ по п.9, отличающийся тем, что содержание повторяющихся звеньев, содержащих силильные функциональные группы, составляет по крайней мере 1 мол.% от массы полимера.
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что содержание повторяющихся звеньев, содержащих силильные функциональные группы, составляет по крайней мере 5 мол.% от массы полимера.
21. Способ по п.1, отличающийся тем, что по крайней мере одну композицию получают смешиванием по крайней мере одного органического расходуемого материала по крайней мере с одним диэлектриком.
22. Способ по п.21, отличающийся тем, что перед смешиванием по крайней мере одного органического расходуемого материала по крайней мере с одним диэлектриком растворяют в растворителе по крайней мере один органический расходуемый материал.
23. Способ по п.22, отличающийся тем, что в качестве растворителя используют органический растворитель.
24. Способ по п.23, отличающийся тем, что в качестве растворителя используют органический спирт.
25. Способ по п.23, отличающийся тем, что органическим растворителем является 4-метил-2-пентанон.
26. Способ по п.2, отличающийся тем, что температура разложения по крайней мере одного органического расходуемого материала составляет по крайней мере приблизительно 100°С.
27. Способ по п.26, отличающийся тем, что температура разложения по крайней мере одного органического расходуемого материала находится в диапазоне от приблизительно 380°С до приблизительно 450°С.
28. Способ по п.1, отличающийся тем, что средний диаметр пор составляет по крайней мере приблизительно
Figure 00000011
.
29. Способ по п.1, отличающийся тем, что средний диаметр пор составляет по крайней мере приблизительно 10 нм.
30. Способ получения пористой изоляционной композиции, отличающийся тем, что получают композицию расходуемый материал/диэлектрик, содержащую по крайней мере один расходуемый материал и по крайней мере один диэлектрик, отверждают композицию расходуемый материал/диэлектрик и осуществляют термическое разложение по крайней мере одного расходуемого материала в композиции расходуемый материал/диэлектрик с формированием пор по крайней мере в одном диэлектрике, при этом в качестве по крайней мере одного расходуемого материала используют по крайней мере один полимер норборненового типа.
31. Способ по п.30, отличающийся тем, что термическое разложение осуществляют нагреванием по крайней мере одного расходуемого материала до температуры, равной или выше температуры его разложения.
32. Способ по п.30, отличающийся тем, что отверждение композиции и термическое разложение по крайней мере одного расходуемого материала проводят одновременно путем нагревания по крайней мере одной композиции расходуемый материал/диэлектрик до температуры, равной или выше температуры разложения по крайней мере одного расходуемого материала.
33. Способ по п.30, отличающийся тем, что по крайней мере один полимер норборненового типа включает повторяющиеся звенья общей формулы
Figure 00000012
где R1 и R4 независимо означают водород или линейный или разветвленный (С1-С20)алкил;
R2 и R3 независимо означают водород, линейный или разветвленный (С1-С20)алкил или группы
Figure 00000013
где R9 независимо означает водород, метил или этил; R10, R11 и R12 независимо означают линейный или разветвленный (С1-С20)алкил, линейный или разветвленный (С1-С20)алкокси, линейный или разветвленный (С1-С20)алкилкарбонилокси и замещенный или незамещенный (С6-С20)арилокси;
m=0-4;
n=0-5,
и по крайней мере один из заместителей R2 и R3 выбирают из силильных групп, представленных формулой Ia.
34. Способ получения пористой изоляционной композиции, отличающийся тем, что получают по крайней мере одну композицию органический расходуемый материал/диэлектрик, содержащую по крайней мере один органический расходуемый материал и по крайней мере один диэлектрик, и удаляют по крайней мере один органический расходуемый материал по крайней мере из одной композиции органический расходуемый материал/диэлектрик с формированием пор по крайней мере в одном диэлектрике, при этом в качестве по крайней мере одного диэлектрика используют по крайней мере один неорганический полимеризованный силикат.
35. Способ получения пористой изоляционной композиции, отличающийся тем, что получают по крайней мере одну композицию органический расходуемый материал/диэлектрик, содержащую по крайней мере один органический расходуемый материал и по крайней мере один диэлектрик, и удаляют по крайней мере один органический расходуемый материал по крайней мере из одной композиции органический расходуемый материал/диэлектрик с формированием пор по крайней мере в одном диэлектрике, при этом в качестве по крайней мере одного расходуемого материала используют по крайней мере один полимер норборненового типа.
36. Композиция, используемая для получения пористого изоляционного материала, отличающаяся тем, что она содержит термоактивируемый порообразующий расходуемый материал и по крайней мере один диэлектрик, причем по крайней мере один диэлектрик представлен нанесенным центрифугированием полимером-диэлектриком, выбранным из метилсилсесквиоксана, гидросилсесквиоксана и смешанных силсесквиоксанов.
37. Композиция по п.36, отличающаяся тем, что термоактивируемым порообразующим расходуемым материалом является циклический олефин или его полимер.
38. Композиция по п.37, отличающаяся тем, что циклическим олефином или его полимером является дициклический олефин или его полимер.
39. Композиция по п.36, отличающаяся тем, что термоактивируемым порообразующим расходуемым материалом является полимер норборненового типа.
40. Композиция по п.39, отличающаяся тем, что полимер норборненового типа включает повторяющиеся звенья общей формулы
Figure 00000014
где R1 и R4 независимо означают водород или линейный или разветвленный (С1-С20)алкил;
R2 и R3 независимо означают водород, линейный или разветвленный (С1-С20)алкил или группы
Figure 00000015
где R9 независимо означает водород, метил или этил; R10, R11 и R12 независимо означают линейный или разветвленный (С1-С20)алкил, линейный или разветвленный (С1-С20)алкокси, линейный или разветвленный (С1-С20)алкилкарбонилокси и замещенный или незамещенный (С6-С20)арилокси;
m=0-4;
n=0-5,
и по крайней мере один из заместителей R2 и R3 выбирают из силильных групп, представленных формулой Ia.
41. Композиция по п.40, отличающаяся тем, что по крайней мере один из R10, R11 или R12 выбирают из линейных или разветвленных (С1-С10)алкоксигрупп, а R9 означает водород.
42. Композиция по п.41, отличающаяся тем, что все R10, R11 или R12 имеют одинаковое значение и их выбирают из группы, включающей метокси, этокси, пропокси, бутокси и пентоксигруппы.
43. Композиция по п.42, отличающаяся тем, что n=0, а каждый из R10, R11 или R12 означает этоксигруппу.
44. Композиция по п.43, отличающаяся тем, что R2 или R3 означает триэтоксисилильный заместитель.
45. Композиция по п.40, отличающаяся тем, что в формуле I, представленной выше, m=0 или 1, как показано в формулах Ib и Ic, соответственно
Figure 00000016
где R1-R4 определены ранее;
по крайней мере один из R2 и R3 означает силильный заместитель, представленный формулой Iа.
46. Композиция по п.40, отличающаяся тем, что R1 и R4 объединены с двумя циклическими атомами углерода, к которым они присоединены, с образованием повторяющихся звеньев следующей структуры:
Figure 00000017
где В означает метиленовую группу;
q=2-6;
R2 и R3 определены выше.
47. Композиция по п.40, отличающаяся тем, что полимер норборненового типа, кроме того, включает замещенные углеводородными заместителями полициклические повторяющиеся звенья, которые выбирают из звеньев формулы II, представленной ниже
Figure 00000018
где R5, R6, R7 и R8 независимо означают водород, линейный и разветвленный (С1-С20)алкил, (С5-С12)циклоалкил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (С6-С40)арил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (С7-С15)аралкил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (С3-С20)алкинил, линейный и разветвленный (С3-С20)алкенил или винил, любые из R5 и R6 или R7 и R8 могут быть объединены с образованием (С1-С10)алкилиденильной группы, R5 и R8 могут быть объединены с двумя атомами углерода цикла, к которым они присоединены, с образованием насыщенных или ненасыщенных циклических групп, содержащих от 4 до 12 атомов углерода или ароматического кольца, содержащее от 6 до 17 атомов углерода;
р=0, 1, 2, 3 или 4.
48. Композиция по п.39, отличающаяся тем, что полимер норборненового типа представлен формулой III ниже
Figure 00000019
где R9-R12 независимо означают полярные заместители, которые выбирают из группы: -(A)n-C(O)OR’’, -(A)n-OR’’, -(A)n-OC(O)R’’, -(A)n-OC(O)OR’’, -(A)n-C(O)R’’, -(A)n-OC(O)C(O)OR’’, -(A)n-O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-OC(O)-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)-A’-OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-OC(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-OC(O)C(O)OR’’, -(A)n-C(R’’)2CH(R’’)(C(O)OR’’) и -(A)n-C(R’’)2CH(C(O)OR’’)2, а остатки А и А’ независимо означают двухвалентный мостиковый или спейсерный радикал, который выбирают из группы, включающей двухвалентные углеводородные радикалы, двухвалентные циклические углеводородные радикалы, двухвалентные кислородсодержащие радикалы и двухвалентные циклические простые эфиры и диэфиры, и n=0 или 1.
49. Композиция по п.39, отличающаяся тем, что полимер норборненового типа включает сополимеры, содержащие комбинацию повторяющихся звеньев, представленных формулами I и II, формулами I и III, формулами II и III или формулами I, II и III, где формула I означает
Figure 00000020
где R1 и R4 независимо означают водород или линейный или разветвленный (С1-С20)алкил;
R2 и R3 независимо означают водород, линейный или разветвленный (С1-С20)алкил или группы
Figure 00000021
где R9 независимо означает водород, метил или этил; R10, R11 и R12 независимо означают линейный или разветвленный (С1-С20)алкил, линейный или разветвленный (С1-С20)алкокси, линейный или разветвленный (С1-С20)алкилкарбонилокси и замещенный или незамещенный (С6-С20)арилокси;
m=0-4;
n=0-5,
и по крайней мере один из заместителей R2 и R3 выбирают из силильных групп, представленных формулой Ia,
формула II означает
Figure 00000022
где R5, R6, R7 и R8 независимо означают водород, линейный и разветвленный (С1-С20)алкил, (С5-С12)циклоалкил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (С6-С40)арил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (С7-С15)аралкил, замещенный и незамещенный углеводородными заместителями, (С3-С20)алкинил, линейный и разветвленный (С3-С20)алкенил или винил, любые из R5 и R6 или R7 и R8 могут быть объединены с образованием (С1-С10)алкилиденильной группы, R5 и R8 могут быть объединены с двумя атомами углерода цикла, к которым они присоединены, с образованием насыщенных или ненасыщенных циклических групп, содержащих от 4 до 12 атомов углерода или ароматического кольца, содержащее от 6 до 17 атомов углерода;
р=0, 1, 2, 3 или 4,
формула III означает
Figure 00000023
где R9-R12 независимо означают полярные заместители, которые выбирают из группы: -(A)n-C(O)OR’’, -(A)n-OR’’, -(A)n-OC(O)R’’, -(A)n-OC(O)OR’’, -(A)n-C(O)R’’, -(A)n-OC(O)C(O)OR’’, -(A)n-O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-OC(O)-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)-A’-OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-OC(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-O-A’-C(O)OR’’, -(A)n-C(O)O-A’-OC(O)C(O)OR’’, -(A)n-C(R’’)2CH(R’’)(C(O)OR’’) и -(A)n-C(R’’)2CH(C(O)OR’’)2, а остатки А и А’ независимо означают двухвалентный мостиковый или спейсерный радикал, который выбирают из группы, включающей двухвалентные углеводородные радикалы, двухвалентные циклические углеводородные радикалы, двухвалентные кислородсодержащие радикалы и двухвалентные циклические простые эфиры и диэфиры, и n=0 или 1.
50. Композиция по п.40, отличающаяся тем, что она содержит повторяющиеся звенья, содержащие силильные функциональные группы, в количестве по крайней мере 1 мол.% от массы полимера.
51. Композиция по п.50, отличающаяся тем, что она содержит повторяющиеся звенья, содержащие силильные функциональные группы, в количестве по крайней мере 5 мол,% от массы полимера.
52. Композиция по п.36, отличающаяся тем, что пористый изоляционный материал содержит по крайней мере приблизительно 10 мас.% термоактивируемого порообразующего расходуемого материала, а остальное количество композиции составляет диэлектрик.
53. Композиция по п.52, отличающаяся тем, что она содержит по крайней мере приблизительно 20 мас.% термоактивируемого порообразующего расходуемого материала, а остальное количество составляет диэлектрик.
54. Композиция по п.53, отличающаяся тем, что она содержит по крайней мере приблизительно 40 мас.% термоактивируемого порообразующего расходуемого материала, а остальное количество составляет диэлектрик.
55. Композиция по п.53, отличающаяся тем, что она содержит приблизительно 60 мас.% термоактивируемого порообразующего расходуемого материала, а остальное количество составляет диэлектрик.
56. Полупроводниковое устройство, отличающееся тем, что оно содержит композицию по п.36.
57. Композиция, используемая для получения пористого изоляционного материала, отличающаяся тем, что она содержит по крайней мере один порообразующий органический расходуемый материал и по крайней мере один диэлектрик, причем по крайней мере один порообразующий материал представлен полимером норборненового типа.
RU2001101436/28A 1998-06-05 1999-06-04 Способ получения пористой изоляционной композиции (варианты), композиция, используемая для получения пористого изоляционного материала (варианты), и полупроводниковое устройство RU2195050C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8823398P 1998-06-05 1998-06-05
US60/088,233 1998-06-05
US10167298P 1998-09-24 1998-09-24
US60/101,672 1998-09-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2195050C2 RU2195050C2 (ru) 2002-12-20
RU2001101436A true RU2001101436A (ru) 2004-03-10

Family

ID=26778436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2001101436/28A RU2195050C2 (ru) 1998-06-05 1999-06-04 Способ получения пористой изоляционной композиции (варианты), композиция, используемая для получения пористого изоляционного материала (варианты), и полупроводниковое устройство

Country Status (11)

Country Link
US (2) US6162838A (ru)
EP (1) EP1092234A1 (ru)
JP (1) JP2003517713A (ru)
KR (1) KR100433938B1 (ru)
CN (1) CN1171290C (ru)
AU (1) AU756688B2 (ru)
CA (1) CA2334026A1 (ru)
HK (1) HK1036876A1 (ru)
RU (1) RU2195050C2 (ru)
SG (1) SG114579A1 (ru)
WO (1) WO1999063587A1 (ru)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE323132T1 (de) 1998-11-24 2006-04-15 Dow Global Technologies Inc Eine zusammensetzung enthaltend einen vernetzbaren matrixpercursor und eine porenstruktur bildendes material und eine daraus hergestellte poröse matrix
KR100331554B1 (ko) * 1999-09-27 2002-04-06 윤종용 인접된 커패시터 사이의 크로스토크가 억제된 반도체 소자의 커패시터 어레이 및 그 제조방법
US6420441B1 (en) * 1999-10-01 2002-07-16 Shipley Company, L.L.C. Porous materials
US6875687B1 (en) 1999-10-18 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
EP1094506A3 (en) 1999-10-18 2004-03-03 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
US6541367B1 (en) * 2000-01-18 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films
US6903006B2 (en) * 2000-03-17 2005-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Interlayer dielectric film, and method for forming the same and interconnection
US7265062B2 (en) * 2000-04-04 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Ionic additives for extreme low dielectric constant chemical formulations
US6576568B2 (en) 2000-04-04 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Ionic additives for extreme low dielectric constant chemical formulations
US6495479B1 (en) * 2000-05-05 2002-12-17 Honeywell International, Inc. Simplified method to produce nanoporous silicon-based films
TWI226103B (en) 2000-08-31 2005-01-01 Georgia Tech Res Inst Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnections and methods of making same
AU2001288954A1 (en) * 2000-09-13 2002-03-26 Shipley Company, L.L.C. Electronic device manufacture
EP1197998A3 (en) 2000-10-10 2005-12-21 Shipley Company LLC Antireflective porogens
US6380106B1 (en) * 2000-11-27 2002-04-30 Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Method for fabricating an air gap metallization scheme that reduces inter-metal capacitance of interconnect structures
US6703324B2 (en) 2000-12-21 2004-03-09 Intel Corporation Mechanically reinforced highly porous low dielectric constant films
DE10104267B4 (de) * 2001-01-30 2006-04-06 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit mindestens einer Isolationslage
US20020132496A1 (en) * 2001-02-12 2002-09-19 Ball Ian J. Ultra low-k dielectric materials
US6685983B2 (en) * 2001-03-14 2004-02-03 International Business Machines Corporation Defect-free dielectric coatings and preparation thereof using polymeric nitrogenous porogens
US6998148B1 (en) * 2001-03-28 2006-02-14 Shipley Company, L.L.C. Porous materials
KR100432152B1 (ko) * 2001-04-12 2004-05-17 한국화학연구원 다분지형 폴리알킬렌 옥시드 포로젠과 이를 이용한저유전성 절연막
US20030012539A1 (en) * 2001-04-30 2003-01-16 Tony Mule' Backplane, printed wiring board, and/or multi-chip module-level optical interconnect layer having embedded air-gap technologies and methods of fabrication
JP2003131001A (ja) * 2001-05-25 2003-05-08 Shipley Co Llc 多孔性光学物質
US6521547B1 (en) * 2001-09-07 2003-02-18 United Microelectronics Corp. Method of repairing a low dielectric constant material layer
US6767930B1 (en) * 2001-09-07 2004-07-27 Steven A. Svejda Polyhedral oligomeric silsesquioxane polyimide composites
US6890703B2 (en) * 2002-03-06 2005-05-10 International Business Machines Corporation Preparation of crosslinked particles from polymers having activatible crosslinking groups
JP4574145B2 (ja) * 2002-09-13 2010-11-04 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． エアギャップ形成
US6869878B1 (en) * 2003-02-14 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming a selective barrier layer using a sacrificial layer
KR100599319B1 (ko) * 2003-05-06 2006-07-14 차국헌 나노다공성 저유전성 폴리노보넨계 공중합체 박막 및 그 제조방법
DE102005010272A1 (de) 2005-03-03 2006-09-14 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
KR100685734B1 (ko) * 2005-06-07 2007-02-26 삼성전자주식회사 다공성 스핀 온 글래스 조성물, 이의 제조 방법 및 이를이용한 다공성 실리콘 산화막 제조 방법
KR100664746B1 (ko) * 2006-05-03 2007-01-03 주식회사동일기술공사 쓰레기 매립지용 차수매트구조
US7871570B2 (en) 2007-02-23 2011-01-18 Joseph Zhili Huang Fluidic array devices and systems, and related methods of use and manufacturing
US20090026924A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Leung Roger Y Methods of making low-refractive index and/or low-k organosilicate coatings
US20100323918A1 (en) * 2008-02-10 2010-12-23 Microdysis, Inc Polymer surface functionalization and related applications
CN101609809B (zh) * 2008-06-16 2010-12-15 台湾信越矽利光股份有限公司 形成孔洞性材料的方法
DE102015122259B4 (de) * 2015-12-18 2020-12-24 Infineon Technologies Austria Ag Halbleitervorrichtungen mit einer porösen Isolationsschicht
CN113218543B (zh) * 2021-05-07 2023-04-28 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 柔性压力传感器及其介电层、介电层的制备方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5112058B2 (ru) * 1973-07-03 1976-04-15
US4460712A (en) * 1983-12-23 1984-07-17 Dow Corning Corporation Compositions producing aminofunctional silicone foams and coatings
JPH0739473B2 (ja) * 1986-10-16 1995-05-01 帝人株式会社 架橋重合体成型物の製造方法
US5011730A (en) * 1987-08-14 1991-04-30 The B. F. Goodrich Company Bulk polymerized cycloolefin circuit boards
JPH02148789A (ja) * 1988-03-11 1990-06-07 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 電子回路基板
US5139852A (en) * 1988-03-11 1992-08-18 International Business Machines Corporation Low dielectric composite substrate
US5139851A (en) * 1988-03-11 1992-08-18 International Business Machines Corporation Low dielectric composite substrate
JPH01235254A (ja) * 1988-03-15 1989-09-20 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
US5274026A (en) * 1988-09-23 1993-12-28 The B. F. Goodrich Company Curable polycycloolefin resin solutions, their use in making printed circuit boards and the boards so made
US4987101A (en) * 1988-12-16 1991-01-22 International Business Machines Corporation Method for providing improved insulation in VLSI and ULSI circuits
US4923678A (en) * 1989-02-14 1990-05-08 The B. F. Goodrich Company Low dielectric constant prepreg based on blends of polynorbornene and polyolefins derived form C2 -C4 monomers
JPH0463807A (ja) * 1990-03-06 1992-02-28 Idemitsu Kosan Co Ltd ノルボルネン系重合体およびその製造方法ならびに該重合体からなるフィルムおよびその製造方法
US5180754A (en) * 1990-06-14 1993-01-19 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Polymer composition for foam molding
US5049632A (en) * 1990-12-19 1991-09-17 Monsanto Company N-cycloalkyl norbornene dicarboximide polymers
US5117327A (en) * 1990-12-19 1992-05-26 Monsanto Company Norbornene dicarboximide polymer dielectric devices
KR960009295B1 (ko) * 1991-09-12 1996-07-18 미쓰이세끼유 가가꾸고오교오 가부시끼가이샤 환상올레핀 수지 조성물
JP2531906B2 (ja) * 1991-09-13 1996-09-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 発泡重合体
JPH05145094A (ja) * 1991-11-22 1993-06-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
GB9217151D0 (en) * 1992-08-13 1992-09-23 Dow Corning Organosiloxane elastomeric foams
US5585433A (en) * 1992-09-03 1996-12-17 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Cycloolefin resin composition
US5324683A (en) * 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
JP3291857B2 (ja) * 1993-07-30 2002-06-17 日本ゼオン株式会社 ノルボルネン系開環（共）重合体水素添加物、その製造方法、及びその用途
US5468819A (en) * 1993-11-16 1995-11-21 The B.F. Goodrich Company Process for making polymers containing a norbornene repeating unit by addition polymerization using an organo (nickel or palladium) complex
US5461003A (en) * 1994-05-27 1995-10-24 Texas Instruments Incorporated Multilevel interconnect structure with air gaps formed between metal leads
US5508542A (en) * 1994-10-28 1996-04-16 International Business Machines Corporation Porous silicon trench and capacitor structures
MY112945A (en) * 1994-12-20 2001-10-31 Ibm Electronic devices comprising dielectric foamed polymers
US5744399A (en) * 1995-11-13 1998-04-28 Lsi Logic Corporation Process for forming low dielectric constant layers using fullerenes
US5912313A (en) * 1995-11-22 1999-06-15 The B. F. Goodrich Company Addition polymers of polycycloolefins containing silyl functional groups
US5869880A (en) * 1995-12-29 1999-02-09 International Business Machines Corporation Structure and fabrication method for stackable, air-gap-containing low epsilon dielectric layers
US5700844A (en) * 1996-04-09 1997-12-23 International Business Machines Corporation Process for making a foamed polymer
US5679444A (en) * 1996-07-15 1997-10-21 International Business Machines Corporation Method for producing multi-layer circuit board and resulting article of manufacture
US5962113A (en) * 1996-10-28 1999-10-05 International Business Machines Corporation Integrated circuit device and process for its manufacture
US5767014A (en) * 1996-10-28 1998-06-16 International Business Machines Corporation Integrated circuit and process for its manufacture
US5773197A (en) * 1996-10-28 1998-06-30 International Business Machines Corporation Integrated circuit device and process for its manufacture
JP4187270B2 (ja) 1996-10-29 2008-11-26 日本ゼオン株式会社 変性熱可塑性ノルボルネン系重合体と架橋剤とを含んでなる架橋性重合体組成物
US5895263A (en) * 1996-12-19 1999-04-20 International Business Machines Corporation Process for manufacture of integrated circuit device
EP0881668A3 (en) * 1997-05-28 2000-11-15 Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. Deposition of an electrically insulating thin film with a low dielectric constant
US5883219A (en) * 1997-05-29 1999-03-16 International Business Machines Corporation Integrated circuit device and process for its manufacture
US5953627A (en) * 1997-11-06 1999-09-14 International Business Machines Corporation Process for manufacture of integrated circuit device
US6093636A (en) * 1998-07-08 2000-07-25 International Business Machines Corporation Process for manufacture of integrated circuit device using a matrix comprising porous high temperature thermosets

Also Published As

Publication number Publication date
HK1036876A1 (en) 2002-01-18
US6509386B1 (en) 2003-01-21
EP1092234A1 (en) 2001-04-18
US6162838A (en) 2000-12-19
CN1171290C (zh) 2004-10-13
AU4417899A (en) 1999-12-20
KR20010071413A (ko) 2001-07-28
JP2003517713A (ja) 2003-05-27
AU756688B2 (en) 2003-01-23
CA2334026A1 (en) 1999-12-09
CN1304550A (zh) 2001-07-18
KR100433938B1 (ko) 2004-06-04
WO1999063587A1 (en) 1999-12-09
RU2195050C2 (ru) 2002-12-20
SG114579A1 (en) 2005-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2001101436A (ru) Способ получения пористой изоляционной композиции (варианты), композиция, используемая для получения пористого изоляционного материала (варианты) и полупроводниковое устройство
RU99118672A (ru) Полупроводниковое устройство (варианты) и способ формирования воздушных зазоров внутри структуры (варианты)
US6143360A (en) Method for making nanoporous silicone resins from alkylydridosiloxane resins
KR100192721B1 (ko) 실록산 탄성중합체를 함유하는 유기실리콘 조성물
US6232424B1 (en) Soluble silicone resin compositions having good solution stability
US6313045B1 (en) Nanoporous silicone resins having low dielectric constants and method for preparation
US5008360A (en) Organosilicon materials
US6596404B1 (en) Siloxane resins
JP2002284997A5 (ru)
KR860004072A (ko) 전기회로 기판상의 실리레이티드 폴리머 절연층의 형성 및 저급알킬 폴리실세스 퀴옥산의 제조방법
EP1078948A1 (en) Method for making microporous silicone resins with narrow pore-size distributions
KR890013143A (ko) 도로용 수지조성물
Belot et al. Silicon oxycarbide glasses with low O/Si ratio from organosilicon precursors
EP1661934A1 (en) Polycarbosilane and method of producing the same, film-forming composition, and film and method of forming the same
US4895967A (en) Method for making cyclic poly(siloxane)s
EP0824102B1 (en) Alkyl substituted siloxanes and alkyl substituted polyether fluids
US5260377A (en) Crosslinkable carbosilane polymer formulations
KR870010125A (ko) 실리콘 고무 조성물
JPH02261823A (ja) 立体的に障害されたフエノール残基側鎖を有するポリシロキサン
KR880009093A (ko) 부식방지용 경화성 실리콘 조성물
WO2009088600A1 (en) Silsesquioxane resins
US20040047988A1 (en) Poly(methylsilsesquioxane) copolymers and preparation method thereof
US5312649A (en) Diorganosilacetylene-alt-diorganosilvinylene polymers and a process densifying porous silicon-carbide bodies
Kwak et al. Synthesis and Thermal Properties of Regio‐and Stereoregular Poly (silylene‐1, 4‐phenylenevinylene) s
KR20040044895A (ko) 실리콘 수지 및 이로부터 제조된 다공성 물질

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20050605